CN100561748C - 半导体器件和发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体器件，通过该半导体器件能够制造一种不会发生例如短路的缺陷的发光器件。本发明半导体器件的一个特征是包括用作发光元件电极的电极。电极包括第一层和第二层。此外，通过具有开口部分的隔层覆盖电极的末端部分。而且，电极的一部分通过隔层的开口部分被暴露。本发明半导体器件的一个特征是包括用作发光元件电极的电极和晶体管。电极和晶体管彼此电连接。电极包括第一层和第二层。此外，通过具有开口部分的隔层来覆盖该电极的末端部分。而且，第二层通过隔层的开口部分被暴露。

Description

半导体器件和发光器件
技术领域
本发明涉及一种能够用于制造发光器件的半导体器件，特别是涉及一种半导体器件结构。
背景技术
近年来，具有显示功能的发光器件已经得到显著发展。在这样的发光器件中，发光元件用作像素。在多种发光器件中的能够通过有源矩阵驱动显示的发光器件中，除了发光元件之外还提供了包括晶体管等用于驱动发光元件的电路。通过形成具有电路等的衬底，然后在衬底上形成发光元件从而形成这样的发光器件，如参考文件1(参考文件1：日本专利公开No.2001-189192)所述。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种半导体器件，其能够用于形成不会产生例如发光元件的电极之间短路的缺陷的发光器件。
本发明的一个特征是包括用作发光元件电极的电极。电极包括第一层和第二层。通过具有开口部分的隔层(也称作堤(bank))来覆盖电极的末端部分。电极的一部分暴露在隔层的开口部分中。
本发明的一个特征是包括用作发光元件电极的电极和晶体管。电极电连接到晶体管。电极包括第一层和第二层。通过具有开口部分的隔层来覆盖该电极的末端部分。第二层暴露在隔层的开口部分中。
本发明的一个特征是包括电极和晶体管的多种组合。电极用作发光元件的电极。在每种组合中，晶体管电连接到电极。电极包括第一层和第二层，并且不同的组合中第二层的厚度不同。通过具有开口部分的隔层来覆盖该电极的末端部分。第二层暴露在隔层的开口部分中。
在上述的按照本发明的半导体器件中，第一层是使用导电物质形成的层。此外，第二层包括金属氧化物和有机化合物。作为金属氧化物，优选地使用对空穴传输物质表现出电子受主特性的物质或对电子传输物质表现出电子施主特性的物质。此外，作为有机化合物，优选地使用空穴传输物质或电子传输物质。此处的空穴传输物质是具有传输空穴而非电子的特性的物质。此外，电子传输物质是具有传输电子而非空穴的特性的物质。当在第二层中的金属氧化物是对空穴传输物质表现出电子受主特性的物质时，有机化合物优选地是空穴传输物质。此外，当在第二层中的金属氧化物是对电子传输物质表现出电子施主特性的物质时，有机化合物优选地是电子传输物质。
按照本发明，能够提供一种半导体器件，其包含具有良好平滑性并能够用作发光元件电极的电极。
通过使用本发明的半导体器件，能够制造一种发光器件，其减少了例如在发光元件的电极之间短路的缺陷。此外，通过使用按照本发明的半导体器件，能够调整光线的光路长度，使得可以从每个发光元件提取具有良好颜色纯度的光线。
附图说明
在附图中：
图1显示了按照本发明一个方面的半导体器件的一种方式；
图2A至2C每个显示了通过使用本发明的半导体器件形成发光器件的一种方式；
图3显示了按照本发明一个方面的半导体器件的一种方式；
图4显示了按照本发明一个方面的半导体器件的一种方式；
图5显示了按照本发明一个方面的半导体器件的一种方式；
图6显示了通过使用本发明的半导体器件形成发光器件的一种方式；
图7A至7C每个显示了应用本发明的发光器件的一种方式；
图8显示了应用本发明的半导体器件的一种方式；
图9显示了包含在应用本发明的发光器件中的电路；
图10是应用本发明的发光器件的一种方式的顶视图；
图11显示了应用本发明的发光器件的帧操作的一种方式；
图12A至12C每个显示了应用本发明的电子设备的一种方式；
图13显示了按照本发明一个方面的半导体器件的一种方式；
图14A和14B每个显示了包含在应用本发明的发光器件中的发光元件的层结构的一种方式；
图15A和15B每个显示了包含在应用本发明的发光器件中的发光元件的层结构的一种方式；
图16A和16B每个显示了包含在应用本发明的发光器件中的发光元件的层结构的一种方式；和
图17A和17B每个显示了包含在应用本发明的发光器件中的发光元件的层结构的一种方式。
具体实施方式
下面将说明按照本发明的实施方式。能够以多种不同的方式来实施本发明，本领技术人员很容易理解，在没有脱离本发明的实质和范围的情况下，能够以各种方式修改此处所公开的方式和细节。因此，应当注意，本发明不应理解为被限制在下面给出的实施方式的说明。
实施方式1
将参照图1来说明按照本发明的半导体器件。在衬底101上提供绝缘层102。在绝缘层102上提供包括半导体层103、栅极绝缘层104和栅极电极105的晶体管111。通过具有开口部分的绝缘层106覆盖晶体管111。在绝缘层106上提供导电层107a和107b。此外，导电层107a和107b通过在绝缘层106和栅极绝缘层104中提供的开口部分与半导体层103接触。应当注意，半导体层103与导电层107a和107b接触的部分含有高浓度的杂质。通过具有开口部分的绝缘层108覆盖导电层107a和107b。在绝缘层108上提供包括第一层109a和第二层109b的电极109。电极109通过提供在绝缘层108中的开口部分与导电层107a接触。换言之，电极109通过导电层107a电连接到晶体管111。此外，通过隔层110覆盖电极109的末端部分。
第一层109a没有必要的限制。能够使用例如氧化铟锡、含有氧化硅的氧化铟锡、铝、钨、氮化钽、铜、铬、钛或钽的导电物质，而不考虑所使用物质的功函数。例如，当通过电极109向外提取光线时，可以使用氧化铟锡、含有氧化硅的氧化铟锡等形成第一层109a，可以通过电极109提取可见光。此外，当从电极109反射光线时，可以使用铝等形成第一层109a。
第二层109b包括金属氧化物和有机化合物。金属氧化物优选地选自于对空穴传输物质表现出电子受主特性的物质或对电子传输物质表现出电子施主特性的物质。作为这样的物质的具体示例，给出了例如氧化锂、氧化钙、氧化镁、氧化钠等的碱金属氧化物、碱土金属氧化物等，以及氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化钴、氧化铜等。选自于空穴传输物质或电子传输物质的物质是优选的。此处的空穴传输物质是具有传输空穴而非电子的特性的物质，优选地是具有10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的物质。此外，电子传输物质是具有传输电子而非空穴的特性的物质，优选地是具有10-6cm2/Vs或更大的电子迁移率的物质。作为空穴传输物质的具体示例，能够使用例如4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-联苯(α-NPD)，4，4’-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-联苯(TPD)，4，4’，4”-三(N，N-二苯基-氨基)-三苯胺(TDATA)，4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-三苯胺(MTDATA)，和4，4’-双{N-[4-(N，N-二-m-甲苯基氨基)苯基]-N-苯基-氨基}-联苯(DNTPD)的芳族胺化合物；例如酞菁(H2Pc)、铜酞菁(CuPc)和氧钒酞菁(VOPc)的酞菁染料化合物。其中，优选地使用芳族胺化合物。注意，芳族胺化合物是包含下面结构式(1)所示的结构的化合物。通过使用芳族胺化合物，施主和受主的电子在空穴传输物质与对空穴传输物质表现出电子受主特性的物质之间被更加平稳的传导。
结构式(1)
Figure C20051011867300161
此外，作为电子传输物质的具体示例，能够使用例如三(8-喹啉根)铝(Alq3)，三(4-甲基-8-喹啉根)铝(Almq3)，双(10-羟基苯并[h]-喹啉根)铍(BeBq2)，双(2-甲基-8-喹啉根)-4-苯基苯酚根-铝(BAlq)，双[2-(2-羟苯基)苯并唑根]-锌(Zn(BOX)2)，和双[2-(2-羟苯基)苯并噻唑根]-锌(Zn(BTZ)2)的金属络合物。此外，下面的物质能够用作具有电子传输特性的物质：2-(4-联苯)-5-(4-特丁基苯基)-1，3，4恶二唑衍生物(PBD)；1，3-双[5-(p-特丁基苯基)-1，3，4-恶二唑衍生物-2-基]苯(OXD-7)；、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔-丁基苯基)-1，3，4-三唑(缩写：TAZ)；3-(4-特丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(p-EtTAZ)；3-(4-特丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(p-EtTAZ)；bathophenanthroline(BPhen)；bathocuproin(BCP)等。
第二层109的厚度没有必要的限制；但是优选地是50至1000nm，更优选地是100至300nm。通过采用这样的厚度能够降低第一层109a的表面不平坦性。应当注意，第二层109b是具有平滑特性的层，因为其包括了金属氧化物，因此有机化合物不容易结晶。如上所述，其中第二层109b堆叠在第一层109a之上的电极109具有高的平滑特性。因此，当不同的层堆叠在第一电极109上时，其能够被堆叠而具有良好的覆盖，或者在第一电极109与不同的层之间没有断开。
金属氧化物与有机化合物的组合优选地是空穴传输物质与相对对空穴传输物质表现出电子受主特性的物质的组合，或者是电子传输物质与相对电子传输物质表现出电子施主特性的物质的组合。通过组合金属氧化物和有机化合物，很容易从电极109产生电子或空穴。
如上所述，其中堆叠了第一层109a与第二层109b的电极109能够用作发光元件的电极。通过使用类似于此实施方式中的半导体器件的具有电极109的半导体器件，能够制造良好的发光器件，其能够降低例如由于电极109的不平坦性导致的发光元件的电极之间短路的缺陷。此外，如在此实施方式的半导体器件中一样，通过隔层110覆盖电极109的末端部分。因此，能够防止例如由于在电极109的末端部分中聚集电场导致的短路的发光元件的缺陷；因此能够制造良好的发光器件。在本发明的半导体器件中，彼此分开的提供对应于每个发光元件的电极109，因此在邻近的电极109之间不会出现串扰，特别是对于制造具有高分辨率像素的发光器件非常有效。
衬底101没有必要的限制，除了玻璃衬底或石英衬底之外，可以使用例如聚乙烯对苯二酸酯(PET：聚对苯二甲酸乙二酯)或聚对萘二甲酸乙二酯(PEN)的柔性衬底。
绝缘层102没有必要的限制，可以使用例如氧化硅和氮化硅的绝缘体。绝缘层102可以是单层或其中堆叠了多个层的多层。通过在衬底101与晶体管111之间提供绝缘层102，能够防止杂质从衬底101扩散至晶体管111。
晶体管111没有必要的限制，可以使用单栅极类型晶体管或具有多个栅极电极的多栅极类型晶体管。此外，可以使用具有LDD结构的晶体管，在LDD结构中浓度低于漏极浓度的杂质区域形成在沟道形成区域与漏极之间。此外，可以使用具有栅极交叠LDD结构的晶体管，在栅极交叠LDD结构中形成在沟道形成区域与漏极之间的低浓度杂质区域与栅极电极交叠。可以使用顶部栅极类型晶体管或底部栅极类型晶体管。
晶体管111中含有的半导体层103、栅极绝缘层104和栅极电极105没有必要的限制。
此外，可以使用半无定形的半导体来形成半导体层103。半无定形的半导体是在无定形结构与晶体结构(包括单晶和多晶)之间具有中间结构并具有在自由能方面稳定的第三状态的半导体，其包括具有近程有序(short-range order)和晶格畸变的晶体区域。膜中的至少一部分区域含有0.5nm至20nm的晶粒。拉曼光谱频变到低于520cm-1的波数侧。在X射线衍射中观察到将由硅的晶格引起的(111)和(220)的衍射峰值。包含1原子百分比或更多的氢或卤素以便终止悬空键。其也被称作微晶半导体。通过辉光放电(等离子体CVD)分解硅烷气体(SinH2n+2，例如SiH4和Si2H6)、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等，以形成半无定形的半导体。可以通过H2或H2与氦、氩、氪、氖的一种或多种稀有气体成分来稀释气体。其稀释比例范围可以为2至1000倍；压力大约为0.1Pa至133Pa；电源频率为1MHz至120MHz，优选地为13MHz至60MHz。衬底加热温度可以是300℃或更低，优选地为100至250℃。例如氧、氮或碳的大气构成杂质的杂质浓度，作为膜中的杂质元素，优选地为1×1020/cm3或更低；具体地，氧的浓度为5×1019/cm3或更低，优选地为1×1019/cm3或更低。注意，半导体层103的晶体没有限制，例如，半导体层103可以是使用例如硅或硅锗的半导体形成的层。
可以使用例如氧化硅或氮化硅的绝缘体来形成栅极绝缘层104。氧化硅可以含有微量的氮，氮化硅可以含有微量的氧。可以通过单层的绝缘层或其中堆叠了多个绝缘层的多层来形成栅极绝缘层104。
除了例如钨、铝、钼、或铜的金属之外，可以使用例如氮化钽或氮化钛的金属氮化物来形成栅极电极105。此外，可以通过单层的导电层或其中堆叠了多个导电层的多层来形成栅极电极105。例如，如图13所示，栅极电极105可以具有其中堆叠了导电层105a和导电层105b的结构。在此结构中，导电层105b的侧面从导电层105a的侧面更加向里。导电层105a和105b的每个都可以具有倾斜的侧面。使用不同的物质来形成导电层105a和105b。
导电层107a和107b没有特别的限制，除了例如钨、铝、钼、或铜的金属之外，可以使用例如氮化钽或氮化钛的金属氮化物来形成导电层107a和107b。可以通过单层的绝缘层或其中堆叠了多个绝缘层的多层来形成导电层107a和107b。
绝缘层106和108没有特别的限制，可以使用例如氧化硅或氮化硅的绝缘体来形成绝缘层106和108。氧化硅可以含有微量的氮，氮化硅可以含有微量的氧。氮化硅可以含有氢。可以使用例如丙烯酸或聚酰亚胺的有机化合物或例如硅氧烷的绝缘体来形成绝缘层106和108。注意，硅氧烷是含有例如硅(Si)、氧(O)和氢(H)的元素以及Si-O-Si键(硅氧烷键)的一种化合物(H可以由烷基或芳基替代)。通过使用芳基、聚酰亚胺、硅氧烷等，可以形成具有平坦表面的绝缘层，例如图1所示的绝缘层108。可以通过单层的绝缘层或其中堆叠了多个绝缘层的多层来形成绝缘层106和108。
隔层110没有限制，并且优选地被形成使得隔层的侧面具有弯曲的形状。除了例如芳基、聚酰亚胺或树脂(resist)的有机化合物之外，可以使用氧化硅、氮化硅、硅氧烷等来形成隔层110。
实施方式2
将参照图2A至2C来说明实施方式1中所述的使用本发明半导体器件制造的发光元件的一种方式。
图2A是按照本发明的半导体器件的剖面图。晶体管302、303、304、305形成在衬底301上。晶体管302和303都提供在衬底301上的像素区域中。晶体管304和305提供在衬底301上的驱动电路区域中。通过具有开口部分的绝缘层306来覆盖晶体管302到305。在绝缘层306上提供被处理成预期形状的导电层。一些导电层，例如导电层307至309，每个都用作用于输入信号或电流的配线。形成导电层310以覆盖绝缘层306的开口部分，并连接到晶体管302。此外，通过具有开口部分的绝缘层311来覆盖导电层307至309。在绝缘层311上形成包含第一层312a和第二层312b的电极312。堆叠第一层312a和第二层312b，使得第一层312a位于绝缘层311侧面上。电极312覆盖绝缘层311的开口部分，并连接到导电层310。此外，通过隔层313来覆盖电极312的末端部分，并且电极312的一部分暴露于隔层313的开口部分。
第一层312a对应于第一层109a，第二层312b对应于第二层109b。此外，晶体管302对应于晶体管111，绝缘层306对应于绝缘层106。导电层310对应于导电层107a。此外，绝缘层311对应于绝缘层108。隔层313对应于隔层110。
驱动电路的晶体管304和晶体管305、用作配线等的导电层307至309等可以包含在半导体器件中，如图2A所示的半导体器件中一样。此外，可以提供用于像素电路等的晶体管303。
下面说明使用图2A所示的半导体器件来制造发光器件的方法。
首先，形成覆盖电极312的发光层314。在发光层314上形成电极315。其中电极312、发光层314和电极315的交叠部分用作发光元件316。
可以构成发光层314，使得电流在电极312与电极315之间流过并且电子和空穴复合时，发光物质发射光线。此处的发光物质是一种具有良好的发射效率并且能够发射预期发射波长的光线的物质。
形成发光层314的方法没有必要的限制，可以使用蒸发方法、溅射方法、旋涂方法、喷墨方法等的任何方法。此外，除了有机物质之外，可以使用无机物质等来形成发光层314。
使用发光物质来形成发光层314。此时，可以形成发光层314，使得包含的发光物质在包含其能隙大于发光物质能隙的物质的层中分散。通过分散发光物质，能够防止由于浓度导致的光线猝灭。发光物质没有特别的限制。为了获得红光发射，可以使用能够发射具有600至680nm的发射光谱峰值的光线的物质作为发光物质。例如，可以使用4-二氰基亚甲基-2-异丙基-6-[2-(1，1，7，7-1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(DCJTI)；4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(DCJT)；4-二氰基亚甲基-2-特丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(DCJTB)；(periflanthene)；2，5-双氰基-1，4-双[2-(10-甲氧基-1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-黄的)乙烯基]苯等。为了获得绿光发射，可以使用能够发射具有500至550nm的发射光谱峰值的光线的物质作为发光物质。例如，可以使用N，N’-二甲基喹吖啶酮(DMQd)，香豆素6，香豆素545T，三(8-喹啉根)铝(Alq3)等。为了获得蓝光发射，可以使用能够发射具有420至500nm的发射光谱峰值的光线的物质作为发光物质。例如，可以使用9，10-双(2-萘基)-2-特丁基蒽(t-BuDNA)；9，9’-联蒽(9，9’-bianthryl)；9，10-二苯基蒽(DPA)；9，10-双(2-萘基)蒽(DNA)；双(2-甲基-8-喹啉根)-4-苯基苯酚根-镓(BGaq)；双(2-甲基-8-喹啉根)-4-苯基苯酚根-铝(BAlq)等。与发光物质使用的以便分散该发光物质的物质没有限制，例如，可以使用例如9，10-双(2-萘基)-2-特丁基蒽(t-BuDNA)的蒽衍生物；例如4，4’-双(N-咔唑基)联苯(CBP)的咔唑衍生物；例如双[2-(2-羟苯基)比啶基]锌(Znpp2)和双[2-(2-羟苯基)苯并唑根]锌(ZnBOX)的金属络合物等。
电极315没有特别的限制。可以使用例如氧化铟锡、含有硅的氧化铟锡、铝、钨、氮化钽、铜、铬、钛、钽和氮化钽的导电物质来形成电极315。此外，形成电极315的方法没有必要的限制，可以使用蒸发方法、溅射方法、喷墨方法、旋涂方法等的任何方法。
可以在电极312与发光层314之间提供第一传输层351，如图14A所示。图14A是电极312、发光层314和电极315的交叠部分(由图14B中虚线围绕的部分)的放大视图。当从电极312注入空穴时，优选地使用空穴传输物质来形成第一传输层351。此外，当从电极312注入电子时，优选地使用电子传输物质来形成第一传输层351。以此方式，通过提供第一传输层351，能够避免电极312更加靠近发光层314；因此，能够防止由于电极312中所含金属导致的光线猝灭。第一层351可以是单层或含有第一传输层351a、第一传输层351b或其它层的多层，如图15A所示。图15A是电极312、发光层314和电极315的交叠部分(由图15B中虚线围绕的部分)的放大视图。当第一传输层351是多层且从电极312注入空穴时，可以堆叠包含空穴传输物质和例如氧化钼、氧化钒或氧化钌的金属氧化物的层以及只包含空穴传输物质的层。特别地，在空穴传输物质容易结晶的情况下，包含金属氧化物能够防止结晶，并且能够避免由于结晶导致的发光元件的电极之间的短路。第一传输层351a和第一传输层351b之间的界面可以是模糊的，如图16A中虚线所示。优选地形成第一传输层351a和第一传输层351b的混合区域，使得第一传输层351a与第一传输层351b之间的能障能够变得平滑。此外，当第一传输层351是多层且从电极312注入电子时，可以堆叠包含电子传输物质和例如氧化锂、氧化钙或氧化镁的金属氧化物的层以及只包含电子传输物质的层。特别地，在电子传输物质容易结晶的情况下，包含金属氧化物能够防止结晶，并且能够避免由于结晶导致的发光元件的电极之间的短路。图16A是电极312、发光层314和电极315的交叠部分(由图16B中虚线围绕的部分)的放大视图。
可以在电极315与发光层314之间提供第二传输层352，如图14A和14B所示。当从电极315注入电子时，优选地使用电子传输物质来形成第二传输层352。当从电极315注入空穴时，优选地使用空穴传输物质来形成第二传输层352。以此方式，通过提供第二传输层352，能够避免电极315更加靠近发光层314；因此，能够防止由于电极315中所含的金属导致的光线猝灭。第二层352可以是单层或含有第二传输层352a、第二传输层352b或其它层的多层，如图15A所示。当第二传输层352是多层且从电极315注入电子时，可以堆叠包含电子传输物质和例如氧化锂、氧化钙或氧化镁的金属氧化物的层以及只包含电子传输物质的层。特别地，在电子传输物质容易结晶的情况下，包含金属氧化物能够防止结晶，并且能够避免由于结晶导致的发光元件的电极之间的短路。第二传输层352a和第二传输层352b之间的界面可以是模糊的，如图16A中虚线所示。优选地形成第二传输层352a和第二传输层352b的混合区域，使得第二传输层352a与第二传输层352b之间的能障能够变得平滑。此外，当第二传输层352是多层且从电极315注入空穴时，可以堆叠包含空穴传输物质和例如氧化钼、氧化钒或氧化钌的金属氧化物的层以及只包含空穴传输物质的层。特别地，在空穴传输物质容易结晶的情况下，包含金属氧化物能够防止结晶，并且能够避免由于结晶导致的发光元件的电极之间的短路。
发光层314与第一传输层351之间的界面以及发光层314与第二传输层352之间的界面可以是模糊的，如图17A中虚线所示。图17A是电极312、发光层314和电极315的交叠部分(由图17B中虚线围绕的部分)的放大视图。优选地形成发光层314与第一传输层351b的混合区域，使得发光层314与第一传输层351之间的能障能够变得平滑。此外，优选地形成发光层314与第二传输层352b的混合区域，使得发光层314与第二传输层352之间的能障能够变得平滑。
电极315可以是其中堆叠了第一层315a和第二层315b的电极，因此第二层315b比第一层315a更加靠近发光层314。此处，第二层315b优选地是包含金属氧化物和有机化合物的层。当从电极315注入空穴时，优选地使用空穴传输物质作为有机化合物，优选地使用对空穴传输物质表现出电子受主特性的物质作为金属氧化物。当从电极315注入电子时，优选地使用电子传输物质作为有机化合物，优选地使用对电子传输物质表现出电子施主特性的物质作为金属氧化物。此外，通过调整第二层315b的厚度，可以调整发射光线的光路长度。通过调整光路长度可以有效地提取具有良好的颜色纯度的光线。
在上述的发光器件中，可以通过电极312和315的一侧或两侧提取来自发光层314的光线。当通过电极312提取光线时，如图7A的轮廓箭头所示，使用氧化铟锡等来形成第一层312a，因此能够通过第一层发射可见光。当通过电极315提取光线时，如图7B的轮廓箭头所示，使用氧化铟锡等来形成电极315，因此能够通过电极315发射可见光。当从相对的侧提取光线时，即通过电极312和315提取光线，如图7C的轮廓箭头所示，使用氧化铟锡等来形成第一层312a和电极315，因此能够通过第一层312a和电极315发射可见光。
优选地通过衬底301、320和密封剂321来封装具有发光元件316的发光器件，使得发光元件316不暴露在空气中，如图2C所示。在图2C中，衬底301通过密封剂321结合到衬底320上，以便封装发光元件316。在衬底301、320和密封剂321所围成的内部充满氮气、惰性气体、树脂等。导电层307通过导电黏合剂323连接到柔性印刷电路322。
使用本发明的半导体器件来制造上述的发光器件；因此，发光层314能够很好的覆盖电极315，很难出现在电极312和315之间短路等。此外，通过隔层313覆盖电极312的末端部分。因此，能够避免例如由于电极312末端部分处集中的电场导致电极312和315之间短路的发光元件的缺陷。如上所述，通过使用本发明的半导体器件能够制造良好的发光器件，其很难出现例如电极之间短路的缺陷。
实施方式3
将参照图3来说明本发明的半导体器的一种方式。在衬底151上提供绝缘层152。此外，在绝缘层152上提供含有半导体层153、栅极绝缘层154和栅极电极155的晶体管161。通过具有开口部分的绝缘层156和157覆盖晶体管161。在绝缘层156上提供导电层158a和158b。此外，导电层158a和158b通过分别提供在栅极绝缘层154和绝缘层156中的开口部分连接到半导体层153。此外，在绝缘层157上提供包含第一层159a和第二层159b的电极159。电极159的第一层159a的一部分堆叠在导电层158a上，电极159电连接到导电层158a。此外，通过隔层160来覆盖电极159的末端部分。
注意，衬底151引用了对衬底101的说明，绝缘层152引用了对绝缘层102的说明，半导体层153引用了对半导体层103的说明，栅极绝缘层154引用了对栅极绝缘层104的说明，栅极电极155引用了栅极电极105的说明。此外，绝缘层156引用了对绝缘层106的说明，绝缘层157引用了对绝缘层108的说明。
如图3所示的半导体器件，导电层158a和电极159可以通过将电极159堆叠在导电层158a上实现电连接。
第一层159a对应于第一层109a，第二层159b对应于第二层109b。因此，第一层159a和第二层159b分别引用了对第一层109a和第二层109b的说明。
如图3所示的半导体器件，能够制造一种发光器件，其通过使用其中形成含有第一层159a和第二层159b的电极159使得电极159的末端部分被隔层160覆盖的半导体器件，能够降低例如由于电极159的不平坦性导致短路的缺陷。此外，能够制造几乎没有例如由于电极末端部分产生的电场所导致的短路等缺陷的发光器件。
实施方式4
实施方式4参照图4说明了本发明的半导体器件的一种方式，该半导体器件包含沟道刻蚀型底部栅极晶体管。
在衬底201上提供包含栅极电极203、栅极绝缘层204、第一半导体层205、第二半导体层206a和第二半导体层206b的晶体管211。在衬底201上提供栅极电极203。此外，提供栅极绝缘层204用于覆盖栅极电极203。此外，在栅极电极203与栅极绝缘层204的交叠部分上提供第一半导体层205与栅极绝缘层204接触。每个第二半导体层206a和206b都与第一半导体层205接触，第二半导体层206a和206b的其中之一用作晶体管的源极，另一个用作漏极。第二半导体层206a堆叠在导电层206c上。此外，导电层206d堆叠在第二半导体层206b上。提供具有开口部分的绝缘层207用于覆盖晶体管211、导电层206c、206d等。在绝缘层207上形成电极208。电极208包括第一层208a和第二层208b，第一层208a与绝缘层207接触。此外，电极208覆盖提供在绝缘层207中的开口部分，并与导电层206c接触。此外，提供具有开口部分的隔层209用于覆盖在绝缘层207上的电极208的末端部分。此外，通过隔层209中提供的开口部分露出电极208。
电极208可以用作发光元件的电极。此处，通过如实施方式1中所示的第一层109a的导电物质来形成第一层208a。此外，第二层208b与实施方式1中所示的第二层109b一样包括金属氧化物和有机化合物。优选地是，分别按照与第一层109a和第二层109b相同的方式来形成第一层208a和第二层208b。
在电极208中，由于通过第二层208b覆盖第一层208a，所以降低了在第一层表面上形成的不平度，使得电极具有良好的平滑性。能够制造一种良好的发光器件，其通过使用含有此种电极的本发明的半导体器件，能够降低例如由于电极208的不平坦性导致的发光元件的电极之间短路等的缺陷。
注意，衬底201引用了对衬底101的说明，栅极电极203引用了对栅极电极105的说明，栅极绝缘层204引用了对栅极绝缘层104的说明，第一半导体层205引用了对半导体层103的说明。第二半导体层206a和206b每个包括n型杂质，并由例如硅或硅锗的半导体形成。对第二半导体层206a和206b的晶体没有限制，第二半导体层206a和206b可以包括一种或两种的无定形半导体或晶体半导体。导电层206c和206d引用了对导电层107a和107b的说明。此外，绝缘层207引用了对绝缘层106的说明，隔层209引用了对隔层110的说明。
实施方式5
实施方式5参照图5说明了本发明的半导体器的一种方式，该半导体器件包含沟道阻挡型底部栅极晶体管。
在衬底251上提供包含栅极电极253、栅极绝缘层254、第一半导体层255、第二半导体层257a和第二半导体层257b的晶体管261。在衬底251上提供栅极电极253。此外，提供栅极绝缘层254用于覆盖栅极电极253。此外，在栅极电极253与栅极绝缘层254的交叠部分上提供第一半导体层255与栅极绝缘层254接触。每个第二半导体层257a和257b都与第一半导体层255接触，第二半导体层257a和257b的其中之一用作晶体管的源极，另一个用作漏极。在第一半导体层255中形成沟道的区域上提供保护层256。第二半导体层257a堆叠在导电层257c上。此外，导电层257d堆叠在第二半导体层257b上。提供具有开口部分的绝缘层258用于覆盖晶体管261和导电层257c、257d。在绝缘层258上形成电极259。电极259包括第一层259a和第二层259b，第一层259a与绝缘层258接触。此外，电极259覆盖绝缘层258中提供的开口部分，并与导电层257c接触。此外，提供具有开口部分的隔层260用于覆盖在绝缘层258上的电极259的末端部分。此外，通过隔层260中提供的开口部分露出电极259。
如上所述，图5所示的半导体器件包括了具有与实施方式4不同方式的底部栅极型晶体管。
电极259可以用作发光元件的电极。此处，通过与实施方式1中所示的第一层109a相同的导电物质来形成第一层259a。此外，第二层259b以与实施方式1中所示的第二层109b相同的方式包括金属氧化物和有机化合物。优选地是，分别按照与第一层109a和第二层109b相同的方式来形成第一层259a和第二层259b。
在电极259中，由于通过第二层259b覆盖第一层259a，所以降低了在第一层表面上形成的不平度，使得电极具有良好的平滑性。能够制造一种良好的发光器件，其通过使用含有此种电极的本发明的半导体器件，能够降低例如由于电极259的不平坦性导致的发光元件的电极之间短路等的缺陷。
注意，衬底251引用了对衬底101的说明，栅极电极253引用了对栅极电极105的说明，栅极绝缘层254引用了对栅极绝缘层104的说明，第一半导体层255引用了对半导体层103的说明。第二半导体层257a和257b每个都包括n型杂质，并由例如硅或硅锗的半导体形成。对第二半导体层257a和257b的晶体没有限制，第二半导体层257a和257b可以包括一种或两种的无定形半导体或晶体半导体。导电层257c和257d引用了对导电层107a和107b的说明。此外，绝缘层258引用了对绝缘层106的说明，隔层260引用了对隔层110的说明。此外，保护层256具有保护第一半导体层255的功能，因此当处理第二半导体层257a和257b以及导电层257c和257d时不会刻蚀第一半导体层255。可以由氮化硅等形成保护层256。
实施方式6
将参照图6说明使用图1所示的本发明半导体器的发光器件的一种方式。通过使用具有彼此厚度不同的第二层109c、109d和109e的半导体器件制造图6所示的发光器件。
第一层109a由铝形成，并且是具有高反射系数的层。在第二层109c上形成包含发射红光的发光材料的发光层120a。此外，在第二层109d上形成包含发射绿光的发光材料的发光层120b。此外，在第二层109e上形成包含发射蓝光的发光材料的发光层120c。此外，电极121由氧化铟锡等形成，并且能发射可见光。
从电极122的侧面提取发光元件123a、123b和123c发出的每束光。
根据发射的光的波长调整第二层109c的厚度，以便从电极121的侧面提取具有良好颜色纯度的光线。此外，根据发射的光的波长调整第二层109d的厚度，以便从电极121的侧面提取具有良好颜色纯度的光线。此外，根据发射的光的波长调整第二层109e的厚度，以便从电极121的侧面提取具有良好颜色纯度的光线。
如上所述，通过使用本发明的半导体器件能够制造包含可发射不同发射颜色的多个发光元件的发光器件。此外，本发明的半导体器件能够调整光路长度，以便从每个发光元件提取具有良好颜色纯度的光线。
实施方式7
在实施方式7中，将参照图8至11说明具有显示功能的发光器件的电路配置和驱动方法。此实施方式中的发光器件是通过实施方式2或6中所述的本发明的半导体器件制造的发光器件。
图8是通过本发明的半导体器件制造的发光器件的上表面的示意图。在图8的衬底6500上提供像素部分6511、源极信号线驱动电路6512、写入栅极信号线驱动电路6513和擦除栅极信号线驱动电路6514。源极信号线驱动电路6512、写入栅极信号线驱动电路6513和擦除栅极信号线驱动电路6514的每个都连接到FPC(柔性印刷电路)6503，FPC 6503是经过配线组的外部输入端。源极信号线驱动电路6512、写入栅极信号线驱动电路6513和擦除栅极信号线驱动电路6514的每个都从FPC 6503接收视频信号、时钟信号、起始信号、复位信号等。印刷线路板(PWB)6504连接到FPC 6503。并不总是需要将驱动电路部分与像素部分6511提供在相同的衬底上。例如，通过使用TCP等可以在衬底外侧形成驱动电路部分，其中TCP通过在具有配线图形的FPC上安装IC芯片而形成。
在像素部分6511中，在行方向上排列多个在列方向上延伸的源极信号线。电源线也以行方向排列。在像素部分6511中，在列方向上排列多个在行方向上延伸的栅极信号线。在像素部分6511中，排列多个电路，每个电路包括发光元件。
图9显示了用于操作一个像素的电路。图9所示的电路包括第一晶体管901、第二晶体管902和发光元件903。
每个第一晶体管901和第二晶体管902都是包括栅极电极、漏极区域和源极区域的三端元件，其中沟道区域形成在漏极区域与源极区域之间。因为可根据晶体管的结构、工作条件等互换源极区域和漏极区域，所以很难区分源极区域和漏极区域。在此实施方式中，用于源极和漏极的区域被称作第一电极和第二电极。
提供栅极信号线911和写入栅极信号线驱动电路913，以便通过开关918彼此电连接或电性断开。提供栅极信号线911和擦除栅极信号线驱动电路914，以便通过开关919彼此电连接或电性断开。提供源极信号线912，以便通过开关920电连接到源极信号线驱动电路915或电源916。第一晶体管901的栅极电连接到栅极信号线911。第一晶体管901的第一电极电连接到源极信号线912，第一晶体管901的第二电极电连接到第二晶体管902的栅极电极。第二晶体管902的第一电极电连接到电源线917，第二晶体管902的第二电极电连接到发光元件903中包含的一个电极。开关918可以包含在写入栅极信号线驱动电路913中。开关919可以包含在擦除栅极信号线驱动电路914中。开关920可以包含在源极信号线驱动电路915中。
晶体管、发光元件等在像素部分中的排列没有必要的限制。例如，能够如图10的顶视图所示的排列这些元件。在图10中，第一晶体管1001的第一电极连接到源极信号线1004，第一晶体管1001的第二电极连接到第二晶体管1002的栅极电极。第二晶体管1002的第一电极连接到电源线1005，第二晶体管1002的第二电极连接到发光元件的电极1006。栅极信号线1003的一部分用作第一晶体管1001的栅极电极。
接下来说明驱动方法。图11是帧随时间操作的示意图。在图11中，横轴方向表示经过的时间，而纵轴方向表示栅极信号线的扫描阶段。
当通过本发明的发光器件显示图像时，在显示周期内可重复的进行对图像的重写操作和显示操作。重写操作的次数没有必要的限制，但是，优选地每一秒钟执行大约60次重写操作，使观看图像的人不会发现闪烁。此处，把一个图像(一帧)的重写和显示操作的周期称作的一个帧周期。
一个帧周期被时分成4个子帧周期501、502、503、504，其包括写入周期501a、502a、503a、504a和保持周期501b、502b、503b、504b。接收发光信号的发光元件在保持周期内发光。在第一子帧周期501、第二子帧周期502、第三子帧周期503、第四子帧周期504的每一个中，保持周期的时长比为：23∶22∶21∶20＝8∶4∶2∶1。因此，能够实现4位的灰度色标。位数或灰度色标级别没有限制。例如，通过提供8个子帧周期可以实现8位灰度色标。
下面说明在一个帧周期中的操作。首先，在子帧周期501中从第一行至最后一行顺序执行写入操作。因此，写入周期的起始时间随不同的行而不同。保持周期501b起始于写入周期501a结束的行中。在保持周期中，接收发光信号的发光元件发光。子帧周期502起始于保持周期501b结束的行中，与处于子帧周期501的情况一样从第一行至最后一行顺序执行写入操作。重复执行上述的操作，以便完成子帧周期504的保持周期504b。当完成子帧周期504中的操作时，开始下一个帧周期的操作。每个子帧周期中的发光总和是一个帧周期中每个发光元件的发射时间。通过根据可变地组合在一个像素中的每个发光元件来改变发射时间，能够显示具有不同亮度和色度的多种色彩。
例如在子帧周期504中，当完成最后一行的写入之前，在完成了写入并且启动了保持周期的行中的保持周期倾向于被强制结束时，优选地在保持周期504b之后提供擦除周期504c用于控制，使得发光被强制停止。发光被强制停止的行在固定周期内(该周期被称作不发光周期504d)不发光。一旦完成了最后一行的写入周期，从第一行开始下一个写入周期(或帧周期)。这使得能够避免子帧周期504的写入周期与下一个子帧周期的写入周期交叠。
在此实施方式中，子帧周期501至504按照从最长的保持周期的顺序排列；但是，本发明并不限于此。例如，子帧周期501至504可以按照从最短的保持周期的顺序排列。可以随机组合短的子帧周期与长的子帧周期来排列子帧周期501至504。可有进一步将子帧周期分为多个帧周期。即，在给出相同视频信号的周期内可以进行多次栅极信号线的扫描。
下面说明在图9所示电路的写入周期和擦除周期中的操作。
首先说明写入周期中的操作。在写入周期中，第n(n是自然数)行中的栅极信号线911通过开关918电连接到写入栅极信号线驱动电路913。栅极信号线911不连接到擦除栅极信号线驱动电路914。源极信号线912通过开关920电连接到源极信号线驱动电路915。信号输入到与第n行中的栅极信号线911连接的第一晶体管901的栅极，第一晶体管901开启。此时，视频信号同时输入到第一列至最后一列中的源极信号线。从每列的源极信号线912输入的视频信号彼此独立。从源极信号线912输入的视频信号经过连接到每个源极信号线的第一晶体管901被输入到第二晶体管902的栅极电极。此时，输入到第二晶体管902的信号确定了从电源线917向发光元件903提供的电流值。根据该电流值确定发光元件903的发射或不发射。例如，在第二晶体管902是p沟道型的情况下，当低电平信号输入到第二晶体管902的栅极电极时发光元件903发光。另一方面，在第二晶体管902是n沟道型的情况下，当高电平信号输入到第二晶体管902的栅极电极时发光元件903发光。
然后说明擦除周期中的操作。在擦除周期中，第n(n是自然数)行中的栅极信号线911通过开关919电连接到擦除栅极信号线驱动电路914。栅极信号线911不连接到写入栅极信号线驱动电路913。源极信号线912通过开关920电连接到电源916。信号输入到与第n行中的栅极信号线911连接的第一晶体管901的栅极，第一晶体管901开启。此时，擦除信号同时输入到第一列至最后一列中的源极信号线。从源极信号线912输入的擦除信号经过连接到每个源极信号线的第一晶体管901被输入到第二晶体管902的栅极电极。通过输入到第二晶体管902的信号，停止了从电源线917向发光元件903提供的电流。发光元件903强制的不发光。例如，在第二晶体管902是p沟道型的情况下，当高电平信号输入到第二晶体管902的栅极电极时发光元件903不发光。另一方面，在第二晶体管902是n沟道型的情况下，当低电平信号输入到第二晶体管902的栅极电极时发光元件903不发光。
在擦除周期中，通过如上所述的操作将用于擦除的信号输入到第n(n是自然数)行中。但是存在一种情况，即第n行处于擦除周期，另一行(第m行，m是自然数)处于写入周期。在此情况下，要求通过利用相同列的源极信号线将用于擦除的信号输入到第n行，将用于写入的信号输入到第m行。因此，优选地执行下述的操作。
在通过上述擦除状态中的操作使第n行的发光元件903进入不发射状态之后，立即使栅极信号线911与擦除栅极信号线驱动电路914断开连接，通过改变开关920使源极信号线912连接到源极信号线驱动电路915。与源极信号线912连接到源极信号线驱动电路915一样，栅极信号线911连接到写入栅极信号线驱动电路913。信号从写入栅极信号线驱动电路913被选择的输入到第m行中的信号线，并且当第一晶体管开启时，用于写入的信号从源极信号线驱动电路915被输入到第一列至最后一列中的源极信号线。第m行中的发光元件根据该信号发光或不发光。
在完成上述的第m行的写入周期之后，立即启动第(n+1)行的擦除周期。因此，栅极信号线911与写入栅极信号线驱动电路913断开连接，通过改变开关920使源极信号线912与电源916连接。此外，栅极信号线911与写入栅极信号线驱动电路913断开连接，并且栅极信号线911与擦除栅极信号线驱动电路914连接。当信号从擦除栅极信号线驱动电路914被选择的输入到第(n+1)行中的栅极信号线，并且第一晶体管901开启时，从电源916输入擦除信号。在完成上述的第(n+1)行的擦除周期之后，立即启动第(m+1)行的写入周期。此后，可以重复执行擦除周期和写入周期，直至完成最后一行的擦除周期。
在此实施方式中，说明了其中第m行的写入周期提供在第n行的擦除周期与第(n+1)行的擦除周期之间的方式。但是本发明并不限于此，第m行的写入周期可以提供在第(n-1)行的擦除周期与第n行的擦除周期之间。
在此实施方式中，当在子帧周期504中提供不发光周期504d时，重复地执行使擦除栅极信号线驱动电路914与某个栅极信号线断开连接以及使写入栅极信号线驱动电路913与另一个栅极信号线连接的操作。可以在不具有不发光周期的帧周期中执行这样的操作。
实施方式8
下面说明使用本发明半导体器件制造的每个都具有发光器件等的多个电子设备。按照本发明形成此实施方式所述的电子设备中使用的发光器件，能够抑制由于发光元件的电极之间短路所导致的操作缺陷。因此，发光器件能够显示良好的图像。因此，使用了这种发光器件的电子设备能够为用户提供各种类型的信息，而不会出现信息缺失或由繁琐的图像所导致的误解。
图12A显示了按照本发明制造的膝上型个人计算机。膝上型个人计算机包括主体5521、外壳5522、显示部分5523、键盘5524等。能够通过把使用本发明的半导体器件所形成的发光器件作为显示部分来制造该个人计算机。
图12B显示了按照本发明制造的电话机。电话机包括主体5552、显示部分5551、声音输出部分5554、声音输入部分5555、操作开关5556、5557、天线5553等。能够通过把使用本发明的半导体器件所形成的发光器件作为显示部分来制造该电话机。
图12C显示了按照本发明制造的电视机。电视机包括显示部分5531、外壳5532、扬声器5533等。能够通过把使用本发明的半导体器件所形成的发光器件作为显示部分来制造该电视机。
如上所述，按照本发明的发光器件非常适于用作各种电子设备的显示部分。
在此实施方式中说明了个人计算机、电话机和电视机。除此之外，使用本发明的半导体器件形成的发光器件可以安装到导航系统、照明系统等。
本申请是以2004年11月2日提交的日本专利申请No.2004-318703为基础，所述申请的全部内容以引用方式并入本文。

Claims (69)

1.一种半导体器件，包括：
晶体管；
所述晶体管上的绝缘膜；
发光元件的电极，形成于所述绝缘膜上，并且电连接到所述晶体管的导电层，所述电极包括第一层和形成在第一层上的第二层；
隔层，覆盖所述电极的第一层和第二层的末端部分，并具有用于暴露所述电极的第二层的开口部分；
所述电极的第二层和所述隔层上的传输层；以及
所述传输层上的发光层，
其中所述电极的第一层包括导电物质，并且通过设置在所述绝缘膜中的接触孔与所述晶体管的导电层接触，并且
其中所述电极的第二层包括金属氧化物和有机化合物。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电极的第二层的厚度为100nm至300nm。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电极的第二层不小于所述电极的第一层。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述传输层为多层。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述传输层包括电子传输物质。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述传输层包括空穴传输物质。
7.一种半导体器件，包括：
晶体管；
所述晶体管上的绝缘膜；
发光元件的电极，形成于所述绝缘膜上，并且电连接到所述晶体管的导电层，所述电极包括第一层和形成在第一层上的第二层；
隔层，覆盖所述电极的第一层和第二层的末端部分，并具有用于暴露所述电极的第二层的开口部分；
所述电极的第二层和所述隔层上的传输层；以及
所述传输层上的发光层，
其中所述电极的第一层包括导电物质，并且通过设置在所述绝缘膜中的接触孔与所述晶体管的导电层接触，并且
其中所述电极的第二层包括空穴传输物质和对空穴传输物质表现出电子受主特性的物质。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其中空穴传输物质是芳族胺化合物。
9.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述电极的第二层的厚度为100nm至300nm。
10.如权利要求7所述的半导体器件，其中表现出电子受主特性的物质是选自于氧化钼、氧化钒或氧化钌中的一种。
11.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述电极的第二层不小于所述电极的第一层。
12.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述传输层为多层。
13.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述传输层包括电子传输物质。
14.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述传输层包括空穴传输物质。
15.一种半导体器件，包括：
晶体管；
所述晶体管上的绝缘膜；
发光元件的电极，形成于所述绝缘膜上，并且电连接到所述晶体管的导电层，所述电极包括第一层和形成在第一层上的第二层；
隔层，覆盖所述电极的第一层和第二层的末端部分，并具有用于暴露所述电极的第二层的开口部分；
所述电极的第二层和所述隔层上的传输层；以及
所述传输层上的发光层，
其中所述电极的第一层包括导电物质，并且通过设置在所述绝缘膜中的接触孔与所述晶体管的导电层接触，并且
其中所述电极的第二层包括电子传输物质和对电子传输物质表现出电子施主特性的物质。
16.如权利要求15所述的半导体器件，其中所述电极的第二层的厚度为100nm至300nm。
17.如权利要求15所述的半导体器件，其中表现出电子施主特性的物质是选自于氧化锂、氧化钙和氧化镁的一种。
18.如权利要求15所述的半导体器件，其中所述电极的第二层不小于所述电极的第一层。
19.如权利要求15所述的半导体器件，其中所述传输层为多层。
20.如权利要求15所述的半导体器件，其中所述传输层包括电子传输物质。
21.如权利要求15所述的半导体器件，其中所述传输层包括空穴传输物质。
22.一种半导体器件，包括：
第一晶体管和第二晶体管；
所述第一晶体管和第二晶体管上的绝缘膜；
第一发光元件的第一电极，形成于所述绝缘膜上，并且电连接到第一晶体管；
第二发光元件的第二电极，形成于所述绝缘膜上，并且电连接到第二晶体管，第一和第二电极的每一个都包括第一层和形成在第一层上的第二层；
所述绝缘膜、所述第一电极的第二层、所述第二电极的第二层上的隔层，该隔层覆盖该第一电极的第一层和第二层的末端部分和第二电极的第一层和第二层的末端部分，其中该隔层具有用于暴露该第一电极的第二层的至少第一开口部分，和用于暴露该第二电极的第二层的至少第二开口部分；
所述第一和第二开口部分及所述隔层上的传输层；以及
所述传输层上的发光层，
其中第一电极的第一层和第二电极的第一层包括导电物质，并且通过设置在所述绝缘膜中的接触孔分别与所述第一晶体管的导电层和第二晶体管的导电层接触，
其中第一电极的第二层和第二电极的第二层包括金属氧化物和有机化合物，并且
其中第一发光元件的发射颜色不同于第二发光元件的发射颜色，并且第一电极的第二层的厚度不同于第二电极的第二层的厚度。
23.如权利要求22所述的半导体器件，其中该第一电极的第二层和该第二电极的第二层的厚度为100nm至300nm。
24.如权利要求22所述的半导体器件，其中所述第一电极的第二层和所述第二电极的第二层不小于所述第一电极的第一层和所述第二电极的第一层。
25.如权利要求22所述的半导体器件，其中所述传输层为多层。
26.如权利要求22所述的半导体器件，其中所述传输层包括电子传输物质。
27.如权利要求22所述的半导体器件，其中所述传输层包括空穴传输物质。
28.一种半导体器件，包括：
第一晶体管和第二晶体管；
所述第一晶体管和第二晶体管上的绝缘膜；
第一发光元件的第一电极，形成于所述绝缘膜上，并且电连接到第一晶体管；
第二发光元件的第二电极，形成于所述绝缘膜上，并且电连接到第二晶体管，第一和第二电极的每一个都包括第一层和形成在第一层上的第二层；
所述绝缘膜、所述第一电极的第二层、所述第二电极的第二层上的隔层，该隔层覆盖该第一电极的第一层和第二层的末端部分和第二电极的第一层和第二层的末端部分，其中该隔层具有用于暴露该第一电极的第二层的至少第一开口部分，和用于暴露该第二电极的第二层的至少第二开口部分；
所述第一和第二开口部分及所述隔层上的传输层；以及
所述传输层上的发光层，
其中第一电极的第一层和第二电极的第一层包括导电物质，并且通过设置在所述绝缘膜中的接触孔分别与所述第一晶体管的导电层和第二晶体管的导电层接触，
其中第一电极的第二层和第二电极的第二层包括空穴传输物质和对空穴传输物质表现出电子受主特性的物质，并且
其中第一发光元件的发射颜色不同于第二发光元件的发射颜色，并且第一电极的第二层的厚度不同于第二电极的第二层的厚度。
29.如权利要求28所述的半导体器件，其中空穴传输物质是芳族胺化合物。
30.如权利要求28所述的半导体器件，其中该第一电极的第二层和该第二电极的第二层的厚度为100nm至300nm。
31.如权利要求28所述的半导体器件，其中表现出电子受主特性的物质是选自于氧化钼、氧化钒或氧化钌中的一种。
32.如权利要求28所述的半导体器件，其中所述第一电极的第二层和所述第二电极的第二层不小于所述第一电极的第一层和所述第二电极的第一层。
33.如权利要求28所述的半导体器件，其中所述传输层为多层。
34.如权利要求28所述的半导体器件，其中所述传输层包括电子传输物质。
35.如权利要求28所述的半导体器件，其中所述传输层包括空穴传输物质。
36.一种半导体器件，包括：
第一晶体管和第二晶体管；
所述第一晶体管和第二晶体管上的绝缘膜；
第一发光元件的第一电极，形成于所述绝缘膜上，并且电连接到第一晶体管；
第二发光元件的第二电极，形成于所述绝缘膜上，并且电连接到第二晶体管，第一和第二电极的每一个都包括第一层和形成在第一层上的第二层；
所述绝缘膜、所述第一电极的第二层、所述第二电极的第二层上的隔层，该隔层覆盖该第一电极的第一层和第二层的末端部分和第二电极的第一层和第二层的末端部分，其中该隔层具有用于暴露该第一电极的第二层的至少第一开口部分，和用于暴露该第二电极的第二层的至少第二开口部分；
所述第一和第二开口部分及所述隔层上的传输层；以及
所述传输层上的发光层，
其中第一电极的第一层和第二电极的第一层包括导电物质，并且通过设置在所述绝缘膜中的接触孔分别与所述第一晶体管的导电层和第二晶体管的导电层接触，
其中第一电极的第二层和第二电极的第二层包括电子传输物质和对电子传输物质表现出电子施主特性的物质，并且
其中第一发光元件的发射颜色不同于第二发光元件的发射颜色，并且第一电极的第二层的厚度不同于第二电极的第二层的厚度。
37.如权利要求36所述的半导体器件，其中该第一电极的第二层和该第二电极的第二层的厚度为100nm至300nm。
38.如权利要求36所述的半导体器件，其中表现出电子施主特性的物质是选自于氧化锂、氧化钙和氧化镁中的一种。
39.如权利要求36所述的半导体器件，其中所述第一电极的第二层和所述第二电极的第二层不小于所述第一电极的第一层和所述第二电极的第一层。
40.如权利要求36所述的半导体器件，其中所述传输层为多层。
41.如权利要求36所述的半导体器件，其中所述传输层包括电子传输物质。
42.如权利要求36所述的半导体器件，其中所述传输层包括空穴传输物质。
43.一种发光器件，包括：
晶体管；
所述晶体管上的绝缘膜；
下部电极，形成于所述绝缘膜上，并且电连接到所述晶体管的导电层，下部电极包括第一层和形成在第一层上的第二层；
隔层，覆盖该下部电极的第一层和第二层的末端部分，并具有用于暴露该下部电极的第二层的开口部分；
所述下部电极的第二层和所述隔层上的第一传输层；
所述第一传输层上的发光层；和
该发光层上的上部电极，
其中所述下部电极的第一层包括导电物质，并且通过设置在所述绝缘膜中的接触孔与所述晶体管的导电层接触，
其中所述下部电极的第二层包括金属氧化物和有机化合物，并且
其中下部电极、发光层和上部电极堆叠在一起。
44.如权利要求43所述的发光器件，其中所述下部电极的第二层的厚度为100nm至300nm。
45.如权利要求43所述的发光器件，其中所述下部电极的第二层不小于所述下部电极的第一层。
46.如权利要求43所述的发光器件，还包括所述发光层和所述上部电极之间的第二传输层。
47.如权利要求43所述的发光器件，其中第一传输层为多层。
48.如权利要求43所述的发光器件，其中第一传输层包括电子传输物质。
49.如权利要求43所述的发光器件，其中第一传输层包括空穴传输物质。
50.一种在显示部分中使用按照权利要求43所述的发光器件的电子设备。
51.一种发光器件，包括：
晶体管；
所述晶体管上的绝缘膜；
下部电极，形成于所述绝缘膜上，并且电连接到所述晶体管的导电层，下部电极包括第一层和形成在第一层上的第二层；
隔层，覆盖该下部电极的第一层和第二层的末端部分并具有用于暴露该下部电极的第二层的开口部分；
所述下部电极的第二层和所述隔层上的第一传输层；
所述第一传输层上的发光层；和
该发光层上的上部电极，
其中所述下部电极的第一层包括导电物质，并且通过设置在所述绝缘膜中的接触孔与所述晶体管的导电层接触，
其中所述下部电极的第二层包括空穴传输物质和对空穴传输物质表现出电子受主特性的物质，并且
其中下部电极、发光层和上部电极堆叠在一起。
52.如权利要求51所述的发光器件，其中空穴传输物质是芳族胺化合物。
53.如权利要求51所述的发光器件，其中所述下部电极的第二层的厚度为100nm至300nm。
54.如权利要求51所述的发光器件，其中表现出电子受主特性的物质是选自于氧化钼、氧化钒或氧化钌的一种。
55.如权利要求51所述的发光器件，其中所述下部电极的第二层不小于所述下部电极的第一层。
56.如权利要求51所述的发光器件，还包括所述发光层和所述上部电极之间的第二传输层。
57.如权利要求51所述的发光器件，其中第一传输层为多层。
58.如权利要求51所述的发光器件，其中第一传输层包括电子传输物质。
59.如权利要求51所述的发光器件，其中第一传输层包括空穴传输物质。
60.一种在显示部分中使用按照权利要求51所述的发光器件的电子设备。
61.一种发光器件，包括：
晶体管；
所述晶体管上的绝缘膜；
下部电极，形成于所述绝缘膜上，并且电连接到所述晶体管的导电层，下部电极包括第一层和形成在第一层上的第二层；
隔层，覆盖该下部电极的第一层和第二层的末端部分，并具有用于暴露该下部电极的第二层的开口部分；
所述下部电极的第二层和所述隔层上的第一传输层；
所述第一传输层上的发光层；和
该发光层上的上部电极，
其中所述下部电极的第一层包括导电物质，并且通过设置在所述绝缘膜中的接触孔与所述晶体管的导电层接触，
其中所述下部电极的第二层包括电子传输物质和对电子传输物质表现出电子施主特性的物质，并且
其中下部电极、发光层和上部电极堆叠在一起。
62.如权利要求61所述的发光器件，其中所述下部电极的第二层的厚度为100nm至300nm。
63.如权利要求61所述的发光器件，其中表现出电子施主特性的物质是选自于氧化锂、氧化钙和氧化镁中的一种。
64.如权利要求61所述的发光器件，其中所述下部电极的第二层不小于所述下部电极的第一层。
65.如权利要求61所述的发光器件，还包括所述发光层和所述上部电极之间的第二传输层。
66.如权利要求61所述的发光器件，其中第一传输层为多层。
67.如权利要求61所述的发光器件，其中第一传输层包括电子传输物质。
68.如权利要求61所述的发光器件，其中第一传输层包括空穴传输物质。
69.一种在显示部分中使用按照权利要求61所述的发光器件的电子设备。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7683532B2 (en) * 2004-11-02 2010-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and light emitting device
WO2006049334A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
KR101227021B1 (ko) * 2004-12-06 2013-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 전계효과 트랜지스터 및 반도체장치
WO2006126363A1 (en) 2005-04-22 2006-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode for organic transistor, organic transistor, and semiconductor device
US20070287209A1 (en) * 2006-04-28 2007-12-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
US8974918B2 (en) * 2006-07-04 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US8410476B2 (en) * 2007-09-28 2013-04-02 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent display device and production method thereof
JP2009135053A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 電子デバイス、表示装置および電子デバイスの製造方法
KR101525804B1 (ko) * 2008-04-14 2015-06-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105742515A (zh) * 2009-05-29 2016-07-06 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、照明装置以及电子设备
US9741955B2 (en) * 2009-05-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same
JP2011139044A (ja) 2009-12-01 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP2012182443A (ja) 2011-02-11 2012-09-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子及び発光装置
KR101848883B1 (ko) * 2011-06-28 2018-04-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102108572B1 (ko) 2011-09-26 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101950836B1 (ko) 2012-05-22 2019-02-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
US9305941B2 (en) * 2012-11-02 2016-04-05 Apple Inc. Device and method for improving AMOLED driving
US9293512B2 (en) * 2012-11-02 2016-03-22 Apple Inc. Device and method for improving AMOLED driving
TWI790965B (zh) 2014-05-30 2023-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1297671A (zh) * 1999-03-17 2001-05-30 Tdk株式会社 有机电致发光器件
CN1398147A (zh) * 2001-07-13 2003-02-19 株式会社半导体能源研究所 发光装置和其制造方法
CN1440224A (zh) * 2002-02-20 2003-09-03 三星电子株式会社 有源矩阵型有机电致发光显示器及其制造方法
CN1462303A (zh) * 2001-04-27 2003-12-17 Lg化学株式会社 双螺环有机化合物和电场致发光器件

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0719925B2 (ja) 1985-03-05 1995-03-06 株式会社東芝 導電性薄膜
AU1848292A (en) 1991-06-28 1993-01-14 Russell Drago Oxidation dehydrogenation
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11307264A (ja) 1998-04-17 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界発光素子
KR20010050711A (ko) 1999-09-29 2001-06-15 준지 키도 유기전계발광소자, 유기전계발광소자그룹 및 이런소자들의 발광스펙트럼의 제어방법
JP4729154B2 (ja) 1999-09-29 2011-07-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法
TW468283B (en) 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
JP4854840B2 (ja) 1999-10-12 2012-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6551725B2 (en) * 2001-02-28 2003-04-22 Eastman Kodak Company Inorganic buffer structure for organic light-emitting diode devices
US7141817B2 (en) * 2001-11-30 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100474891B1 (ko) * 2001-12-20 2005-03-08 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 디스플레이 소자
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2004235128A (ja) 2002-12-04 2004-08-19 Dainippon Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP2004234901A (ja) 2003-01-28 2004-08-19 Seiko Epson Corp ディスプレイ基板、有機ｅｌ表示装置、ディスプレイ基板の製造方法および電子機器
JPWO2004068911A1 (ja) * 2003-01-29 2006-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI407830B (zh) 2003-09-26 2013-09-01 Semiconductor Energy Lab 發光元件和其製法
US7541734B2 (en) * 2003-10-03 2009-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having a layer with a metal oxide and a benzoxazole derivative
EP2276088B1 (en) * 2003-10-03 2018-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light emitting element, and light emitting device using the light emitting element
JP4476594B2 (ja) 2003-10-17 2010-06-09 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7205716B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP4243237B2 (ja) 2003-11-10 2009-03-25 淳二 城戸 有機素子、有機ｅｌ素子、有機太陽電池、及び、有機ｆｅｔ構造、並びに、有機素子の製造方法
JP4300176B2 (ja) 2003-11-13 2009-07-22 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4925569B2 (ja) 2004-07-08 2012-04-25 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US7560862B2 (en) * 2004-10-22 2009-07-14 Eastman Kodak Company White OLEDs with a color-compensated electroluminescent unit
US7683532B2 (en) 2004-11-02 2010-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and light emitting device
US20060246315A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-02 Begley William J Phosphorescent oled with mixed electron transport materials

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1297671A (zh) * 1999-03-17 2001-05-30 Tdk株式会社 有机电致发光器件
CN1462303A (zh) * 2001-04-27 2003-12-17 Lg化学株式会社 双螺环有机化合物和电场致发光器件
CN1398147A (zh) * 2001-07-13 2003-02-19 株式会社半导体能源研究所 发光装置和其制造方法
CN1440224A (zh) * 2002-02-20 2003-09-03 三星电子株式会社 有源矩阵型有机电致发光显示器及其制造方法

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