CN100543173C - MgO蒸镀材料 - Google Patents

Abstract

一种用于形成等离子体显示面板保护膜的MgO蒸镀材料，其包含MgO纯度为98%以上、且相对密度为90%以上的MgO粒料。粒料仅含有Sc元素作为稀土类元素。Sc元素的浓度为5～5000ppm、优选为10～3000ppm、进而优选20～2000ppm。

Description

MgO蒸镀材料

技术领域

本发明涉及一种MgO蒸镀材料，其是形成作为AC型等离子体显示面板的保护膜材料使用的MgO膜的材料。进而详细来说，涉及一种MgO蒸镀材料，其形成在宽的温度范围应答性良好的MgO膜以及使用其的等离子体显示面板材料。

本申请主张基于2004年07月14日向日本国专利局申请的特愿2004-206623号、2004年09月21日向日本国专利局申请的特愿2004-272720号、2004年12月28日向日本国专利局申请的特愿2004-379090号、2005年04月15日日本国专利局申请的特愿2005-117718号的优先权，在这里引用其内容。

背景技术

近年来，以液晶(Liquid Crystal Display)为首，各种平面显示器的研究开发和实用化取得惊人的进展，其生产也急剧增加。对于彩色等离子体显示面板(Plasma Display Panel、以下称作PDP)，其开发和实用化的活动最近也变得活跃。PDP易于大型化，最有希望在短距离内实现高精度用的大屏面壁挂电视，对角线为40英寸级别的PDP已经被制造。PDP在电极结构方面可以分类为金属电极被电介质玻璃材料覆盖的AC型、和金属电极暴露在放电空间的DC型。

在该AC型PDP开发的初期，由于电介质玻璃层暴露在放电空间，所以受到直接放电，由离子冲击的溅射导致电介质玻璃层表面变化，初始放电电压升高。因此，试图将具有高升华热的各种氧化物作为该电介质玻璃层的保护膜。该保护膜由于与直接放电用的气体相接触，所以担当着重要的作用。即，要求保护膜具有的特性有(1)低的放电电压、(2)放电时的耐溅射性、(3)快速的放电应答性、和(4)绝缘性。作为满足这些条件的材料，MgO可以用于保护膜。包含该MgO的保护膜保护电介质玻璃层的表面，避免其受到来自放电时的溅射的伤害，对于延长PDP的寿命起重要作用。

但是，当使用MgO膜作为保护膜时，有多发生被称作黑噪声的显示混乱的问题。已知所谓黑噪声是指应该点亮的单元(选择单元)没有点亮，面板显示混乱的现象，易于产生画面中的点亮区域与非点亮区域的界面。该混乱现象由于不是在1行或1列的多个选择单元全部都不点亮，而是发生部位散布地存在，所以产生黑噪声的原因是由于不发生寻址放电，或者即使发生，也是其强度不足的错误寻址。

作为解决这些问题的方法，公开了利用MgO膜作为耐溅射性保护膜的PDP，所述MgO膜是通过真空成膜法形成的以500～10000重量ppm范围的比例含有Si的膜(例如，参考专利文献1。)。在该专利文献1中，通过在MgO膜中按上述比例含有Si，可以抑制作为黑噪声原因的错误寻址。

另外，公开了将MgO膜作为耐溅射性保护膜利用的PDP，所述MgO膜是利用脂肪酸盐的热分解而成的，其以1000～40000重量ppm的比例含有Si(例如，参考专利文献2)。根据该专利文献2所示的技术，因为通过由脂肪酸盐的热分解形成的MgO膜中的微量成分，可使电特性被改善，二次电子的放射量增大，补偿由残留电荷导致的有效电压的降低，电荷残留本身减轻，残留电荷迅速消失，所以能够抑制作为黑噪声原因的错误寻址。

另一方面，发表了对于PDP面板，放电单元的形状或面板驱动时外加电压、频率数等各种条件对于应答性有影响的观点(例如，参考非专利文献1。)。在该非专利文献1中，记述了评价PDP应答性的方法。

另外，发表了通过在放电单元内照射真空紫外线，可以改善应答性的观点(例如，参考非专利文献2。)。在该非专利文献2中，也记述了评价PDP面板的应答性的方法。

专利文献1：日本专利第3247632号公报

专利文献2：特开2001-110321号公报

非专利文献1：A.Seguin，L.Tessier，H.Doyeux和S.Salavin，“Measurement of Addressing Speed in Plasma Display Devices.”，IDW′99，p699-702

非专利文献2：R.Ganter，Th.Callegari，N.Posseme，B.Caillier和J.P.Boeuf，“Photoemission in Plasma Display Panel DischargeCells.”，IDW′00，p731-734

发明内容

在上述专利文献1、专利文献2、非专利文献1和非专利文献2中，对于在评价应答性时的温度条件没有特别地提及，是在室温附近的条件下进行应答性的评价。

但是，PDP的保证温度根据制造厂商而不同，有最低温度0℃、进而优选-15℃，最高温度70℃、进而优选90℃这样大的上下幅度。因此，本发明人在-15℃～90℃的宽的温度范围进行放电应答性评价，进而，在进行详细的调查后，查明了应答性具有温度依存性。具体地，如果在特定温度下的放电应答时间超过阈值，则有产生写入放电不佳、面板闪烁的问题。另外，当放电应答性差时，由于需要将寻址期间延长，其结果维持期间变短，不能得到充分的面板辉度，所以目前为了改善面板辉度，通过进行双扫描，补偿辉度。但是，由于对于双扫描需要大量的地址IC数，所以有电路成本增加的问题。

本发明的目的在于提供能够合格率高地制造、在宽的温度范围可得到良好的放电应答性、进而没有面板辉度的降低、可以大幅度减少地址IC数的MgO蒸镀材料和使用其的MgO膜以及PDP。

本发明的第一方案是为了形成等离子体显示面板(PDP)的保护膜，改良使用的MgO蒸镀材料。

本发明第一方案的MgO蒸镀材料构成的特征是含有MgO纯度为98％以上、且相对密度为90％以上的MgO粒料，上述粒料仅含有Sc元素作为稀土类元素，Sc元素浓度为5～5000ppm。

对于在该第一方案中记述的MgO蒸镀材料，当使用MgO粒料中含有的Sc元素浓度在上述范围的MgO蒸镀材料来形成MgO膜时，该MgO膜可在宽的温度范围得到良好的放电应答性。

并且，在本权利要求书和本说明书中，“仅含有Sc元素作为稀土类元素”是指在多种稀土类元素中仅含有Sc元素的意思。

对于第一方案的MgO蒸镀材料，进而优选MgO粒料为多晶体或者单晶体。

对于这样的MgO蒸镀材料，根据组成的不同、而不是组织的不同，效果显著变化，所述组织的不同是指MgO粒料为多晶体或者单晶体，因此，MgO粒料不仅在为多晶的情况下，即使为单晶，只要具有在第一方案记述的范围的组成即可，当使用该MgO蒸镀材料形成MgO膜时，该MgO膜在宽的温度范围能够得到良好的放电应答性。

上述MgO粒料优选是利用烧结法得到的多晶体，或者是利用电融法得到的单晶体。

另外优选Sc元素的浓度为10～3000ppm，进而优选Sc元素的浓度为20～2000ppm。

本发明的第二方案是将上述第一方案的MgO蒸镀材料作为靶材，利用真空成膜法形成的MgO膜。

对于该第二方案的MgO膜，因为使用上述第一方案的MgO蒸镀材料形成MgO膜，所以该MgO膜可在宽的温度范围得到良好的放电应答性。

另外上述MgO膜优选仅含有Sc元素作为稀土类元素，Sc元素的浓度为5～5000ppm。

进而真空成膜法优选电子束蒸镀法或者离子镀敷法。

本发明的第三方案是一种MgO膜，其具有将不含有Sc元素的MgO蒸镀材料作为靶材形成的衬底层，和在该衬底层的表面将第一方案的MgO蒸镀材料作为靶材形成的表面层。

对于该第三方案的MgO膜，通过形成厚的价格便宜的衬底层、以及形成薄的价格高的表面层，可以减少MgO膜的制造成本。

另外，可以包含在衬底玻璃基板表面纵横排列、立着设置的多个柱状晶，柱状晶的平均直径在20～100nm的范围，柱状晶的长度方向与衬底玻璃基板表面的法线所呈的角度可以是0～50度。

进而，MgO膜的结晶定向性优选具有(111)面的定向或者(111)面的优先定向、或具有(100)面的定向或者(100)面的优先定向、或具有(110)面的定向或者(110)面的优先定向。

本发明的第四方案是在电介质层上设置有第二或者第三方案的MgO膜的PDP。

对于该第四方案的PDP，因为使用第一方案的MgO蒸镀材料形成PDP用的MgO膜(第二方案或者第三方案的MgO膜)，所以可以在宽的温度范围得到良好的应答性，同时可以提高面板的辉度。另一方面，由于能够确保充分必要的面板辉度，所以可以不降低面板的辉度，大幅度减少地址IC数。

如上所述，根据本发明，因为包含MgO纯度为98％以上、且相对密度为90％以上的MgO粒料，该粒料仅含有规定量的Sc元素作为稀土类元素，所以如果使用该MgO蒸镀材料形成MgO膜，则该MgO膜在宽的温度范围能够得到良好的放电应答性。

另外，MgO粒料不仅在为多晶的情况下，即使为单晶的情况，当使用具有上述范围的组成的MgO蒸镀材料形成MgO膜时，该MgO膜也可在宽的温度范围得到良好的放电应答性。

另外，如果将不含有Sc元素的MgO蒸镀材料作为靶材形成衬底层、在该衬底层的表面将含有Sc元素的MgO蒸镀材料作为靶材形成表面层，则通过形成厚的价格便宜的衬底层、以及形成薄的价格高的表面层，可以减少MgO膜的制造成本。

进而如果使用上述MgO蒸镀材料形成MgO膜，则该MgO膜可在宽的温度范围得到良好的放电应答性，如果将使用上述MgO蒸镀材料成膜的MgO膜应用于PDP，则可在宽的温度范围得到良好的应答性，能够提高面板的辉度，同时由于能够确保充分必要的面板辉度，所以可以不降低面板的辉度，大幅度减少地址IC数。

附图说明

[图1]显示本发明实施方式的PDP内部结构的重要部位界面立体图。

符号的说明

10 AC型PDP

22 保护膜(MgO膜)

具体实施方式

接着基于附图说明实施本发明的最佳方式。

本发明人详细地研究了在MgO蒸镀材料及使用该蒸镀材料成膜的MgO膜中的杂质种类和其含量对于放电应答性的影响后，确认在MgO粒料中含有的Sc元素浓度影响很大。另外，MgO粒料中的Sc元素浓度越增加，一般放电应答性变得越好，但如果进而增加，则反而变差，因此可知当应用于产品时，存在最适的Sc元素的浓度范围。由Sc元素的添加导致二次电子放射能提高是存在这样的温度依存性的主要原因。

本发明的调节了Sc元素浓度的MgO蒸镀材料是为了形成作为PDP保护膜的MgO膜而使用的蒸镀材料，其包含MgO纯度为98％以上、优选98.4％以上，且相对密度为90％以上、优选95％以上的多晶MgO粒料。这里，将多晶MgO粒料的MgO纯度限定在98％以上，是由于当小于98％时放电应答时间变长、进而放电应答时间的数据重现性变差的缘故，将相对密度限定在90％以上是由于如果小于90％，则成膜时的喷溅增大的缘故。另外，在本发明的MgO蒸镀材料中，也可以同时含有非稀土类元素的其他元素(例如Si、Ca、Al、Fe等)。并且，在该实施方式中，使MgO粒料的组织为多晶，但也可以为单晶。另外，在本说明书和权利要求书中，MgO蒸镀材料的纯度是指用100％(粒料的总重量)减去在MgO粒料中含有的除Mg和O以外的元素的含有比例。这里，计算时考虑的元素可以列举出H、B、C、N、Na、Al、Si、P、S、Cl、K、Ca、Ti、V、Cu、Zn、Zr、Mo、Pb、以及Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm等的稀土类元素。

上述Sc元素浓度为5～5000ppm。另外Sc元素浓度是相对于100重量％MgO粒料的浓度。这里，将Sc元素浓度限定在5～5000ppm的范围，是由于如果小于5ppm，则浓度的稳定控制变得困难，如果超过5000ppm，则放电应答时间变长的缘故。

当在MgO蒸镀材料中的上述Sc元素极微量存在时，其在MgO基质的粒界或粒内不是作为粒状的析出物存在，而是均匀地分散在MgO蒸镀材料中。另外，上述元素在MgO蒸镀材料中作为氧化物存在。例如，认为Sc元素以Sc₂O₃的形式存在。

对于这样构成的本发明MgO蒸镀材料的制造方法进行说明。

(1)利用烧结法制作

首先将纯度为98％以上的高纯度MgO粉末、使在MgO中含有的Sc元素浓度为5～5000ppm范围的量的高纯度氧化钪粉末、粘合剂、和有机溶剂进行混合，调制浓度为30～75重量％的浆液。优选调制40～65重量％的浆液。将浆液的浓度限定在30～75重量％的原因在于：当超过75重量％时上述浆液为非水体系，因此有难以稳定地进行混合造粒的问题，当小于30重量％时，不能得到具有均匀组织的致密的MgO烧结物。MgO粉末的平均粒径优选在0.1～5.0μm的范围。将MgO粉末的平均粒径规定在上述范围的原因在于：如果小于下限值，则粉末过细而凝聚，因此有粉末的处理性变差、调制高浓度浆液变难的问题，如果超过上限值，则有微细结构的控制困难、不能得到致密粒料的问题。

对于氧化钪粉末，当考虑到Sc存在量偏差的防止、与MgO基质的反应性、以及Sc化合物的纯度时，优选添加1次粒径为超微粒以下的氧化钪粒子。

粘合剂优选使用聚乙二醇或聚乙烯醇缩丁醛等，有机溶剂优选使用乙醇或丙醇等。粘合剂优选添加0.2～5.0重量％。

另外，高纯度粉末与粘合剂与有机溶剂的湿式混合、特别是高纯度粉末与作为分散溶剂的有机溶剂的湿式混合利用湿式球磨机或者搅拌磨机来进行。在湿式球磨机中，对于使用ZrO₂制的球的情况，使用大量直径为5～10mm的ZrO₂制的球进行8～24小时、优选20～24小时的湿式混合。将ZrO₂制的球的直径限定在5～10mm的原因在于：当小于5mm时，混合变得不充分，如果超过10mm，则有杂质增加的缺点。另外混合时间可以很长，最长为24小时，这是由于即使长时间连续混合，杂质的产生也少的缘故。

在搅拌磨机中，使用直径为1～3mm的ZrO₂制的球进行0.5～1小时的湿式混合。将ZrO₂制的球的直径限定在1～3mm的原因在于：当小于1mm时，混合变得不充分，如果超过3mm，则有杂质增加的缺点。另外混合时间很短，最长为1小时，这是由于如果超过1小时，则不仅进行原料的混合，球自身也有磨损，因此形成杂质产生的原因，另外1小时也可以得到充分的混合。

接着，将上述浆液进行喷雾干燥，得到平均粒径为50～250μm、优选50～200μm的混合造粒粉末。将该造粒粉末加入到规定的模具中，用规定的压力进行成型。优选上述喷雾干燥使用喷雾干燥器来进行，规定的模具使用单轴加压装置或者冷等静压成型装置(CIP(ColdIsostatic Press)成型装置)。在单轴加压装置中，用750～2000kg/cm²、优选1000～1500kg/cm²的压力将造粒粉末进行单轴加压成型，在CIP成型装置中，用1000～3000kg/cm²、优选1500～2000kg/cm²的压力将造粒粉末进行CIP成型。将压力限定在上述范围是为了提高成型物的密度，同时防止烧结后的变形，不需要进行后加工。

进而将成型物在规定的温度下进行烧结。烧结在大气、惰性气体、真空或者还原气体氛围中、在1350℃以上、优选1400～1800℃的温度下进行1～10小时、优选2～8小时。由此得到相对密度为90％以上的粒料。上述烧结在大气压下进行，当进行热压(HP)烧结或热等静压(HIP、Hot lsostatic Press)烧结这样的加压烧结时，优选在惰性气体、真空或者还原气体氛围中、在1350℃以上的温度下进行1～5小时。将这样得到的粒料的多晶MgO蒸镀材料作为靶材，利用真空成膜法在基板表面形成MgO膜。

(2)利用电熔法制作

将品质比较低的MgO原料(例如，Mg(OH)₂粉末)、和使在MgO中含有的Sc元素浓度为5～5000ppm范围的量的氧化钪粉末进行混合后，将该混合物放入浴中。接着利用电弧放电将浴中的混合物在高温下熔融后，使其逐渐冷却，制成品质高的氧化物单晶体的坯料。进而通过破碎该单晶体的坯料，得到单晶体的MgO蒸镀材料的粒料。将这样得到的粒料的多晶MgO蒸镀材料作为靶材，利用真空成膜法在基板表面形成MgO膜。

另一方面，用于形成上述MgO膜的真空成膜法可以列举出电子束蒸镀法或者离子镀敷法等。另外上述MgO膜含有Sc元素。上述Sc的浓度为5～5000ppm，优选为10～3000ppm，进而优选20～2000ppm。Sc元素的浓度是相对于100重量％MgO膜的浓度。这里，将在MgO膜中含有的Sc元素浓度限定在上述范围的理由与限定在MgO蒸镀材料中含有的Sc元素浓度的理由相同。

另外上述MgO膜可以具有将不含有Sc元素的MgO蒸镀材料作为靶材形成的衬底层，和含有Sc元素的表面层。在这种情况下，通过形成厚的价格便宜的衬底层、以及形成薄的价格高的表面层，可以减少MgO膜的制造成本。另外，也可以包含在衬底玻璃基板表面纵横排列、立着设置的多个柱状晶，柱状晶的平均直径在20～100nm的范围，柱状晶的长度方向与衬底玻璃基板表面的法线所呈的角度可以是0～50度。这里，将柱状晶的平均粒径限定在20～100nm范围的原因在于：当小于20nm时，结晶性变得不充分，如果超过100nm，则MgO膜上的气体吸附量增大，PDP的真空排气工序变难。另外，将柱状晶的长度方向与衬底玻璃基板表面的法线所呈的角度限定在0～50度的范围是由于一边以规定的速度运送基板，一边在基板上蒸镀MgO膜的缘故。即，当基板的运送速度变化时，上述角度在0～50度的范围变化。进而，MgO膜的结晶定向性优选具有(111)面的定向或者(111)面的优先定向、或具有(100)面的定向或者(100)面的优先定向、或具有(110)面的定向或者(110)面的优先定向。通过使MgO膜的结晶定向性具有上述面的定向，放电特性和耐溅射性提高。并且，在含有Sc元素的MgO膜中，也可以在该膜厚方向上有上述元素浓度的不均匀、例如在膜厚方向上有上述元素浓度的倾斜。

图1表示本发明的PDP10的内部结构。

在表面放电形式的AC型PDP10中，通常将成对的维持电极12和扫描电极13在前玻璃基板11的画面横方向上平行地配置。另外在后玻璃基板14的画面纵方向上配置寻址电极16。该维持电极12与扫描电极13的间隙被称作放电间隙，该间隙设定为大约80μm。另外，前玻璃基板11与后玻璃基板14通过100～150μm左右高度的障壁17隔开，在该障壁17的壁面和底部涂布荧光体粉末18。当为彩色显示时，对于形成沿行方向并列的3个放电空间的障壁17，在其背面和底部分别涂布3色(R、G、B)的荧光体18G、18B、18R来形成3个子像素(单位发光区域)，将它们作为1个像素。在用前玻璃基板11、后玻璃基板14和障壁17形成的放电空间19中封入气体。该封入气体使用Ne(氖)或Xe(氙)等惰性气体的混合气体。

在被覆维持电极12和扫描电极13的电介质玻璃层21的表面上，为了减少因放电时的放电气体导致的离子冲击，设置了耐溅射性高的保护膜(MgO膜)22。由于PDP中的保护膜22的材质和膜质对放电特性有很大的影响，所以该保护膜作为放电电极发挥作用。该保护膜材料使用本发明的MgO膜，所述MgO膜是耐溅射性优异、且二次电子放射系数高的绝缘物。

对于这样构成的基质显示形式的AC型PDP10，在设置于前玻璃基板11与后玻璃基板14之间的放电空间19内，在对向的维持电极12和扫描电极13与寻址电极16之间产生等离子体放电，通过由在该放电空间19内封入的气体产生的紫外线照射在放电空间19内设置的荧光体18来进行显示。为了维持作为显示元件的单元的点亮状态，记忆效应被利用。在显示时，首先在从某一图像维持的结束到下一图像的寻址(写入)之间进行画面整体的壁电荷的消除(复位)。接着进行仅在应该点亮(发光)的单元蓄积壁电荷的逐行的寻址(写入)。之后，对于全部的单元，同时外加比交变极性的初始放电电压低的电压(维持电压)。因为在存在壁电荷的单元中，壁电压与维持电压重叠，所以施加在单元上的有效电压超过初始放电电压而产生放电。通过增加维持电压的外加频率，能够得到在表观上连续点亮的状态。

对于上述寻址(写入)，通过在后玻璃基板的寻址电极与前玻璃基板的扫描电极间进行写入放电来蓄积壁电荷。例如，对于在一直以来使用的PDP中写入放电进行3μs的情况，需要依次写入480行，所述PDP的析象度在VGA(视频图形阵列)级别为256灰度显示(8子字段)，因此，驱动时间的约10％花费在壁电荷的消除、约70％花费在图像数据的写入上，实际显示图像的时间仅存在剩下的约20％左右。对于PDP，该图像显示时间越长，面板的辉度越能清晰地识别。为了改善面板辉度，使驱动寻址电极的地址IC数增至2倍，分别写入图像的上下部分(双扫描)，由此可以缩短写入时间，延长图像显示时间。但是如果使用该方法，则有增加电路成本的问题。

对此，由于使用本发明的MgO蒸镀材料进行成膜的MgO膜22在宽的温度范围能够得到良好的放电应答性，所以可以缩短写入放电的时间。因此，由于使用了该保护膜22的本发明的PDP10可以延长图像显示时间，所以能够提高面板辉度。另一方面，可以谋求没有降低面板辉度、又大幅度减少地址IC数。

实施例

以下进而详细说明本发明的实施例以及比较例。

〈实施例1〉

作为MgO蒸镀材料，准备MgO纯度为99.95％、相对密度为98％、MgO中含有的Sc浓度为20ppm的多晶MgO粒料。该MgO蒸镀材料的直径和厚度分别为5mm和1.6mm。另外在表面积层ITO电极和银电极而形成电极，进而为了覆盖该电极，准备形成了电介质玻璃层的玻璃基板。

在形成于该玻璃基板上的电介质玻璃层的上面，使用上述MgO蒸镀材料、通过电子束蒸镀法形成膜厚为

(800nm)、结晶定向性具有(111)面的定向的MgO膜。成膜条件是最终真空度为1.0×10^-4Pa，氧气分压为1.0×10^-2Pa，基板温度为200℃，成膜速度为/秒(2nm/秒)。

〈实施例2〉

通过除使用在MgO粒料中含有的Sc浓度为120ppm的MgO蒸镀材料以外，其他与实施例1同样的方法形成MgO膜。

〈实施例3〉

通过除使用在MgO粒料中含有的Sc浓度为300ppm的MgO蒸镀材料以外，其他与实施例1同样的方法形成MgO膜。

〈实施例4〉

通过除使用在MgO粒料中含有的Sc浓度为550ppm的MgO蒸镀材料以外，其他与实施例1同样的方法形成MgO膜。

〈实施例5〉

通过除使用在MgO粒料中含有的Sc浓度为2500ppm的MgO蒸镀材料以外，其他与实施例1同样的方法形成MgO膜。

〈实施例6〉

通过除使用下述那样的MgO蒸镀材料以外，其他与实施例1同样的方法形成MgO膜，所述MgO蒸镀材料在MgO粒料中含有的元素不仅仅是Sc，而是Sc和Si，且Sc和Si的浓度分别为500ppm和100ppm。

〈实施例7〉

通过除使用下述那样的MgO蒸镀材料以外，其他与实施例1同样的方法形成MgO膜，所述MgO蒸镀材料在MgO粒料中含有的元素不仅仅是Sc，而是Sc和Ca，且Sc和Ca的浓度分别为500ppm和300ppm。

〈实施例8〉

通过除使用下述那样的MgO蒸镀材料以外，其他与实施例1同样的方法形成MgO膜，所述MgO蒸镀材料在MgO粒料中含有的元素不仅仅是Sc，而是Sc、Si和Ca，且Sc、Si和Ca的浓度分别为300ppm、300ppm和300ppm。

〈实施例9〉

通过除使用下述那样的MgO蒸镀材料以外，其他与实施例1同样的方法形成MgO膜，所述MgO蒸镀材料在MgO粒料中含有的元素不仅仅是Sc，而是Sc和Si，且Sc和Si的浓度分别为100ppm和300ppm。

〈比较例1〉

通过除使用在MgO粒料中含有的元素不是Sc、而是Si，且该Si浓度为5ppm的MgO蒸镀材料以外，其他与实施例1同样的方法形成MgO膜。

〈比较例2〉

通过除使用在MgO粒料中含有的Sc浓度为10000ppm的MgO蒸镀材料以外，其他与实施例1同样的方法形成MgO膜。

〈比较试验和评价〉

使用具有在实施例1～9和比较例1以及2中得到的MgO膜的玻璃基板分别制作试验基板。具体来说，首先，利用ITO(Indium TinOxide：氧化铟锡)电极形成80μm的放电间隙后，在电介质上形成MgO膜，将该玻璃基板作为前玻璃基板。接着，准备形成了高为150μm、间距为360μm的障壁(肋状物)的后玻璃基板。使这些后玻璃基板与前玻璃基板呈对向的方式来配置。前玻璃基板、后玻璃基板在利用障壁形成的放电空间中，注入作为放电气体的Ne-4％Xe混合气体。

使用这样得到的试验基板，在-20℃、30℃和90℃的各温度条件下进行模拟的地址放电试验、即2块玻璃基板间的对向放电试验。试验条件是设定放电气体电压为500Torr、外加电压为200V、频率为1kHz。在这样的条件下进行试验，通过光电子倍增管检测由放电放射出的近红外线，将从外加电压到发光结束的时间作为应答时间进行评价。并且，该应答时间含有统计上的发光偏差。试验结果分别示于表1。

表1

从表1可以清楚地得知，对于Sc浓度比本发明规定的浓度范围高的比较例2，在整个温度范围的放电应答时间是长的，相对于此，对于Sc浓度为本发明规定浓度范围的实施例1～5，在宽的温度范围的放电应答时间变短。另外，对于除了添加本发明规定浓度范围的Sc、还以规定量添加Si的实施例6和实施例9；或除了添加本发明规定浓度范围的Sc、还以规定量添加Ca的实施例7；或除了添加本发明规定浓度范围的Sc、还以规定量添加Si和Ca的实施例8，在宽的温度范围的放电应答时间变短。并且，在比较例1的低温区域，放电应答时间变得极长。

Claims (18)

1.一种MgO蒸镀材料，用于形成等离子体显示面板的保护膜，

其包含MgO纯度为98％以上、且相对密度为90％以上的MgO粒料，上述粒料仅含有Sc元素作为稀土元素，上述Sc元素浓度为5～5000ppm。

2.如权利要求1所述的MgO蒸镀材料，MgO粒料为多晶体或者单晶体。

3.如权利要求1所述的MgO蒸镀材料，MgO粒料是利用烧结法得到的多晶体或者是利用电熔法得到的单晶体。

4.如权利要求1所述的MgO蒸镀材料，Sc元素浓度为10～3000ppm。

5.如权利要求1所述的MgO蒸镀材料，Sc元素浓度为20～2000ppm。

6.一种MgO膜，其是将权利要求1所述的MgO蒸镀材料作为靶材，利用真空成膜法形成的。

7.如权利要求6所述的MgO膜，其仅含有Sc元素作为稀土元素，上述Sc元素浓度为5～5000ppm。

8.如权利要求6所述的MgO膜，其中所述真空成膜法有电子束蒸镀法或者离子镀敷法。

9.一种MgO膜，其具有将不含Sc元素的MgO蒸镀材料作为靶材形成的衬底层，和在该衬底层的表面将权利要求1所述的MgO蒸镀材料作为靶材形成的表面层。

10.如权利要求6所述的MgO膜，其包含在衬底玻璃基板表面纵横排列、立着设置的多个柱状晶，上述柱状晶的平均直径在20～100nm的范围，上述柱状晶的长度方向与上述衬底玻璃基板表面的法线所呈的角度为0～50度。

11.如权利要求9所述的MgO膜，其包含在衬底玻璃基板表面纵横排列、立着设置的多个柱状晶，上述柱状晶的平均直径在20～100nm的范围，上述柱状晶的长度方向与上述衬底玻璃基板表面的法线所呈的角度为0～50度。

12.如权利要求6所述的MgO膜，结晶定向性具有(111)面的定向或者(111)面的优先定向。

13.如权利要求9所述的MgO膜，结晶定向性具有(111)面的定向或者(111)面的优先定向。

14.如权利要求6所述的MgO膜，结晶定向性具有(100)面的定向或者(100)面的优先定向。

15.如权利要求9所述的MgO膜，结晶定向性具有(100)面的定向或者(100)面的优先定向。

16.如权利要求6所述的MgO膜，结晶定向性具有(110)面的定向或者(110)面的优先定向。

17.如权利要求9所述的MgO膜，结晶定向性具有(110)面的定向或者(110)面的优先定向。

18.一种等离子体显示面板，其在电介质层上设置有权利要求6～17中任意一项所述的MgO膜。

Images