CN100540553C - 酞青衍生物光学染料及其于记录媒体中的用途 - Google Patents

Abstract

一光学记录媒体依序包含基板、含有机染料且经激光照射可记录资料之记录层、反射层、以及保护层。此有机染料为一具取代基之酞青，并经由酸酐基团及一架桥单元G，与取代或未取代之二茂铁基团产生化学键结；G可为-O-、-S-、-S-(CH₂)_1-6-、-(NH)-、-N(烷基)-、-(CH₂)-、-CH(烷基)-、-C(烷基)₂-、-(CH₂-O)-、-C(＝O)-、-C-O-C(＝O)-、-O-C(＝O)-或-C(＝O)-O-。

Description

酞青衍生物光学染料及其于记录媒体中的用途

技术领域

本发明系有关一种新颖之酞青(phthalocyanines)衍生物的有机光学染料，其制备方法及其在光学记录媒体中的用途，尤其是在一次性记录光碟(CD-R)中的用途。

背景技术

有机染料业经广泛地用于光学记录领域之中。此等记录媒体虽然只可以记录一次不过却可以重复地读取播放，所以称为“单写多读”(write once read many)，缩写为“WORM”。一次性记录光碟(RecordableCompact Discs)或所谓的CD-R，则为利用此种技术的光碟格式，并首次发表于“Optical Data Storage 1989，”Technical Digest Series，vol.1，45(1989)之中。

所有用于光学记录媒体上的有机染料中，酞青及其衍生物为最重要种类之一，大部分是因为其在近红外光范围(700～900纳米)有高度吸收之故。与其他有机染料例如花青相比，酞青染料及所制造之光碟可展现出较佳的光稳定度与良好的抗温耐湿特性。

较早技术文献JP-A 154888(1986)、197280(1986)、246091(1986)、US 4769307(1987)及JP-A 39388(1988)均描述了酞青被当做光学记录层材料应用于光学记录媒体。但是，从感度、溶解度、折射指数、烧录特性及其他相关之物理性质而言，上述酞青尚不足以当作良好之光学记录媒体材料。

为了改善上述酞青当做光学记录层材料的缺点，JP-A 62878(1991)提出一在苯环上带有较大立体阻碍基团的酞青，因此上述缺点获得改善。然而此材料在烧录特性方面，还是不符合要求。此外，于US 5229507(1993)中，苯基取代酞青(或萘青素，naphthalocyanines)仍具有溶解度不足之缺点。于某些特定情况下，染料会在旋转涂布过程中沉淀出来。在US 5641879(1997)中，溶解度问题进一步经由将多种较庞大的取代基导到酞青的苯环上予以解决，不过，发现此染料有反射率不足之现象。于US 5663326(1997)中，则研究异构物组成对溶解度的影响。其中推测，具有一对彼此对向的烷氧取代基之两异构物的组成必须大于80％才能获得适当的溶解度。为了品质控制而必须确保异构物组成，对于染料制造程序而言显然是繁琐且似乎是不切实际的。

根据US 582096(1998)中所述，解决溶解度问题的另一种做法为导入具取代基的三价金属作为中心原子。由于其所提出的化学构造具有庞大的立体阻碍，该化合物可以溶解于极性溶剂中，且所制得的光碟显示出良好的反射率。不过，极性溶剂的亲水性特性却不可避免地使染料溶液在循环使用过程中吸收水分，导致碟片品质不一甚至品质下降的困难。

除了溶解度之外，染料感度也是成为良好记录媒体的另一项关键因素，特别是在高倍速记录及快速读取的要求下。于US 5492744(1996)中提出，掺入所谓的“坑缘控制剂”(pit edge control agent)以改良信号蚀坑偏移(pit deviation)和蚀坑跳动(jiter)性质。其中提出二茂铁和其衍生物(例如苯甲酰基二茂铁(benzoylferrocene)和正丁基二茂铁(n-butylferrocene)以某种比例与经取代之酞青混合，可以大幅地改善信号蚀坑(pit)的形成，但材料利用率却在实际作业上面临考验。由于光学染料在光碟成本结构中占有显著比例，因此染料之设计与合成，均必须考虑染料和染料溶液的回收循环使用。酞青在所指定溶剂(于此例中为乙基环己烷)中比二茂铁具有更佳的溶解度；因此，掺入的坑缘控制剂倾向于在旋转涂布和回收过程中沉淀出来，造成回收的染料溶液的浓度变化难以稳定控制。其产率(单位染料可生产的碟片数)也比使用单一染料的差。于US 5789138(1998)中，则是将酞青掺入熔融态之添加剂(例如苯并咪唑)，进而促成添加剂与酞青的中心金属产生配位。如此所得的染料，据称因拥有更佳的分子间缔合，而可于涂布后得到满意的染料薄膜型态。不过，在有限的配位化学与其所相对应的染料性能之间取舍，却难以将光碟性能最佳化。

也有报告提及在酞青上卤化以改良感度。US 5646273(1997)主张最佳烧录功率(OPC，optimal power calibration或optimal recordingpower)可以经由在酞青的烷基或烷氧基等取代基上卤化而有效地改善。US 6087492(2000)也提出在酞青的苯环上直接卤化。不过，所得光碟仍然显示出感度不足，且对信号蚀坑长度(pit length)无法有效地控制。此外，于化学反应中对于卤化程度的精确控制仍具困难性。所得化合物无可避免地为多种含不同数目卤原子的化合物之混合物，因而导致染料品质不稳定和光碟性质不一致。

于US 6087492(2000)中，是将中心原子为二价金属之酞青予以甲酰基化，然后还原，最后酯化。然而，所形成之染料结构中因不具有如US 5492744(1996)所述的坑缘控制剂，不能带来令人满意的性质。于US 6399768B1(2002)和US 6790593B2(2004)中，则将二茂铁羧酸与酞青上的羟基作酯化反应，以产生稳定之化学键结。而此等染料也经卤化(主要为溴化)，卤化程度则依中心金属原子而定。所得染料据称展现出良好的光学性质及对溶剂例如二丁基醚(DBE)和乙基环己烷(ECH)的良好溶解度。此染料固然在高倍速烧录时具有良好的特性，但却无法兼顾低倍速的表现，尤其于一倍速(1X)烧录时，易产生信号蚀坑长度(pit length)控制不精确及蚀坑偏移不良之缺点。

为改善上述之缺点，本发明是将取代或未取代的二茂铁通过不同之化学键结与酞青产生联结而制造出一新颖的光学染料，使用该光学染料所生产之光碟片于1X至52X烧录都具备良好特性。

发明内容

本发明的首要目的为提出一种新颖的光学染料，其是经由将二茂铁基团通过含酸酐基的分子团与酞青产生化学键结而构成，其结构如式(1)：

其中R₁，R₂，R₃和R₄分别代表1至12个碳原子之烷基，其上可被0至6个卤素原子，羟基，1至6个碳原子之烷氧基，1至6个碳原子之烷胺基，1至6个碳原子之二烷胺基，或1至6个碳原子之烷硫基所取代；2至12个碳原子之烯基；或2至12个碳原子之炔基；M为两个氢原子，一个2价金属，一个具有单取代之3价金属，一个具有双取代之4价金属，或氧化金属基；G代表酞青衍生物与酸酐基之间的联结基，且G是选自-O-、-S-、-S-(CH₂)_1-6-、-(NH)-、-N(烷基)-、-(CH₂)-、-CH(烷基)-、-C(烷基)₂-、-(CH₂-O)-、-C(＝O)-、-C-O-C(＝O)-、-O-C(＝O)-和-C(＝O)-O-所构成的组中；R₅和R₆可分别代表氢，卤素如氟，氯，溴或碘，1至6个碳原子之烷基，1至6个碳原子之烷氧基，1至6个碳原子之烷胺基，1至6个碳原子之烷硫基，2至6个碳原子之烯基，2至6个碳原子之炔基，或芳香环类取代基；n为1～4之整数。

本发明之另一目的为提供一种如式(1)有机染料作为具有良好烧录特性之光碟记录层中光学染料之应用。

本发明之另一目的为提供一使用式(1)之新颖酞青衍生物为记录层染料之光学记录媒体。

具体实施方式

本发明是有关一种用于光学记录媒体中之酞青衍生物光学染料，该光学记录媒体包含具螺旋沟纹之基板及布于其上之记录层材料，此记录层材料经由激光照射，可将资讯记录于其上；在此，记录层材料包含式(1)所代表之酞青衍生物，

其中R₁，R₂，R₃和R₄分别代表1至12个碳原子之烷基，其上可被0至6个卤素原子，羟基，1至6个碳原子之烷氧基，1至6个碳原子之烷胺基，1至6个碳原子之二烷胺基，或1至6个碳原子之烷硫基所取代；2至12个碳原子之烯基；或2至12个碳原子之炔基；M为两个氢原子，一个2价金属，一个具有单取代之3价金属，一个具有双取代之4价金属，或氧化金属基；G代表酞青衍生物与酸酐基之间的联结基，且G是选自-O-、-S-、-S-(CH₂)_1-6-、-(NH)-、-N(烷基)-、-(CH₂)-、-CH(烷基)-、-C(烷基)₂-、-(CH₂-O)-、-C(＝O)-、-C-O-C(＝O)-、-O-C(＝O)-和-C(＝O)-O-所构成的组中；R₅和R₆可分别代表氢，卤素如氟，氯，溴或碘，1至6个碳原子之烷基，1至6个碳原子之烷氧基，1至6个碳原子之烷胺基，1至6个碳原子之烷硫基，2至6个碳原子之烯基，2至6个碳原子之炔基，或芳香环类取代基；n为1～4之整数。

如上面所提及的，本发明式(1)酞青衍生物光学染料是经由将二茂铁基团通过含酸酐基的分子团与酞青衍生物产生化学键结而构成。其中本发明所使用的酞青衍生物原料为根据现有技术EP 70328所制得；最佳者为邻位取代酞青(α-substituted phthalocyanine)。其在本发明酞青衍生物中可能的异构体如式(2)至式(5)所示：

其中R₅，R₆及G如式(1)所定义；R₇到R₂₂可分别代表1至12个碳原子之烷基，其上可被0至6个卤素原子，羟基，1至6个碳原子之烷氧基，1至6个碳原子之烷胺基，1至6个碳原子之二烷胺基，或1至6个碳原子之烷硫基所取代；2至12个碳原子之烯基；或2至12个碳原子之炔基；M为两个氢原子，一个2价金属，一个具有单取代之3价金属，一个具有双取代之4价金属，或氧化金属基。

上述四种邻位取代酞青衍生物的异构体组成视反应条件及需要而改变。其中较佳之取代基为二级(secondary)烷基，烯基，或炔基；最佳之取代基为含有2至4个二级，三级，或四级碳原子之烷基，烯基，或炔基。

在式(1)中之R₁至R₄、式(2)至式(5)中之R₇至R₂₂中，代表性之烷基为例如：甲基，乙基，正丙基，异丙基，正丁基，异丁基，仲丁基，叔丁基，正戊基，异戊基，环戊基，2-甲基丁基，1，2-二甲基丙基，正己基，环己基，2-甲基戊基，3-甲基戊基，4-甲基戊基，1，2-二甲基丁基，1，3-二甲基丁基，2，2-二甲基丁基，2，3-二甲基丁基，3，3-二甲基丁基，1-异丙基丙基，正庚基，环庚基，2-甲基己基，3-甲基己基，4-甲基己基，5-甲基己基，1，2-二甲基戊基，1，3-二甲基戊基，1，4-二甲基戊基，2，2-二甲基戊基，2，3-二甲基戊基，2，4-二甲基戊基，1-乙基-3-甲基丁基，2-异丙基丁基，2-甲基-1-异丙基丙基，正辛基，环辛基，2-乙基己基，3-甲基-1-异丙基丁基，2-甲基-1-异丙基丁基，1-叔丁基-2-甲基丙基，正壬基，环壬基，正癸基，环癸基，十一基和十二基；较佳之取代基为含有2至4个二级，三级，或是四级碳原子之支链烷基如：异丙基，异丁基，仲丁基，叔丁基，异戊基，2-甲基丁基，1，2-二甲基丙基，1，3-二甲基丁基，1-异丙基丙基，1，2-二甲基丁基，1，4-二甲基戊基，2-甲基-1-异丙基丙基，1-乙基-3-甲基丁基，2-乙基己基，3-甲基-1-异丙基丁基，2-甲基-1-异丙基丁基，1-叔丁基-2-甲基丙基和2，4-二甲基-3-戊基；最佳之取代基为1-叔丁基-2-甲基丙基，2-甲基-1-异丙基丁基，和2，4-二甲基-3-戊基；

卤素取代之烷基为例如：氯甲基，1，2-二氯乙基，1，2-二溴乙基，2，2，2-三氟乙基，2，2，2-三氯乙基，2，2，2-三溴乙基，1，1，2，2，2-五氯乙基，和1，1，1，3，3，3-六氟-2-丙基；

羟基取代之烷基为例如：羟基甲基，2-羟基乙基，1，2-二羟基乙基，3-羟基丙基，2，3-二羟基丙基，3-羟基丁基，4-羟基丁基，3-羟基戊基，4-羟基戊基，5-羟基戊基，2-羟基己基，3-羟基己基，4-羟基己基，5-羟基己基，6-羟基己基，羟基庚基，羟基辛基，羟基壬基，羟基癸基，羟基十一基，羟基十二基；

烷氧烷基为例如：甲氧基甲基，甲氧基乙基，甲氧基丙基，甲氧基丁基，甲氧基戊基，甲氧基己基，3-甲氧基环戊基，4-甲氧基环己基，乙氧基乙基，乙氧基丙基，乙氧基丁基，乙氧基戊基，乙氧基己基，4-乙氧基环己基，丙氧基乙基，丙氧基丙基，丙氧基丁基，丙氧基戊基，丙氧基己基，丁氧基乙基，丁氧基丙基，丁氧基丁基，1，2-二甲氧基乙基，1，2-二乙氧基乙基，1，2-二甲氧基丙基，2，2-二甲氧基丙基，二乙氧基丁基和丁氧基己基；较佳之取代基为2至10个碳原子之烷氧烷基，例如：甲氧基甲基，甲氧基乙基，乙氧基丙基，乙氧基丁基，丙氧基己基，1，2-二甲氧基丙基，2，2-二甲氧基丙基，二乙氧基丁基和丁氧基己基；最佳之取代基为2至6个碳原子之烷氧烷基，例如：甲氧基甲基，甲氧基乙基，乙氧基丙基，乙氧基丁基；

烷胺烷基为例如：甲胺基甲基，甲胺基乙基，甲胺基丙基，甲胺基丁基，乙胺基乙基，乙胺基丙基，乙胺基丁基，乙胺基戊基，乙胺基己基，乙胺基庚基，乙胺基辛基，丙胺基乙基，丙胺基丙基，丙胺基丁基，丙胺基戊基，丙胺基己基，异丙胺基乙基，异丙胺基丙基，异丙胺基丁基，异丙胺基戊基，异丙胺基己基，丁胺基乙基，丁胺基丙基丁胺基戊基，丁胺基己基；较佳之取代基为2至8个碳原子之烷胺烷基如：甲胺基甲基，甲胺基乙基，乙胺基丙基，乙胺基丁基，乙胺基戊基，，乙胺基己基，丙胺基丁基，丙胺基戊基；最佳之取代基为2至6个碳原子之烷胺烷基如：甲胺基甲基，甲胺基乙基，乙胺基丙基，乙胺基丁基；

二烷胺烷基为例如：二甲胺基甲基，二甲胺基乙基，二甲胺基丙基，二甲胺基丁基，二乙胺基乙基，二乙胺基丙基，二乙胺基丁基，二乙胺基戊基，二乙胺基己基，二乙胺基庚基，二乙胺基辛基，二丙胺基乙基，二丙胺基丙基，二丙胺基丁基，二丙胺基戊基，二丙胺基己基，二异丙胺基乙基，二异丙胺基丙基，二异丙胺基丁基，二异丙胺基戊基，二异丙胺基己基；较佳之取代基为2至10个碳原子之烷胺烷基如：二甲胺基甲基，二甲胺基乙基，二乙胺基丙基，二乙胺基丁基，二乙胺基戊基，二乙胺基己基；最佳之取代基为2至6个碳原子之烷胺烷基如：二甲胺基甲基，二甲胺基乙基，二乙胺基乙基；

烷硫烷基为例如：甲硫基甲基，甲硫基乙基，甲硫基丙基，甲硫基丁基，甲硫基戊基，甲硫基己基，3-甲硫基环戊基，4-甲硫基环己基，乙硫基乙基，乙硫基丙基，乙硫基丁基，乙硫基戊基，乙硫基己基，4-乙硫基环己基，丙硫基丁基，丙硫基戊基，丙硫基己基；较佳之取代基为2至8个碳原子之烷硫烷基如：甲硫基甲基，甲硫基乙基，乙硫基丙基，乙硫基丁基，丙硫基己基；最佳之取代基为2至6个碳原子之烷硫烷基如：甲硫基甲基，甲硫基乙基，乙硫基丙基，乙硫基丁基；

代表性之烯基为例如：乙烯基，正丙烯基，异丙烯基，正丁烯基，异丁烯基，第二丁烯基，正戊烯基，异戊烯基，环戊烯基，2-甲基丁烯基，1，2-二甲基丙烯基，正己烯基，环己烯基，正庚烯基，环庚烯基，正辛烯基，环辛烯基，正壬烯基，环壬烯基，正癸烯基，环癸烯基，十一烯基和十二烯基；较佳之取代基为2至6个碳原子之烯基如：乙烯基，正丙烯基，异丙烯基，正丁烯基，异丁烯基，第二丁烯基，正戊烯基，异戊烯基，环戊烯基，2-甲基丁烯基，1，2-二甲基丙烯基，正己烯基，环己烯基；最佳之取代基则为2至4个碳原子之烯基如：乙烯基，正丙烯基，异丙烯基，正丁烯基，异丁烯基，第二丁烯基，第三丁烯基；且

代表性之炔基为例如：乙炔基，丙炔基，正丁炔基，第二丁炔基，正戊炔基，异戊炔基，环戊炔基，2-甲基丁炔基，正己炔基，环己炔基，正庚炔基，环庚炔基，正辛炔基，环辛炔基，正壬炔基，环壬炔基，正癸炔基，环癸炔基，十一炔基和十二炔基等依此类推；较佳之取代基为2至6个碳原子之炔基如：乙炔基，丙炔基，正丁炔基，第二丁炔基，正戊炔基，异戊炔基，环戊炔基，2-甲基丁炔基，正己炔基，环己炔基；最佳之取代基为2至4个碳原子之炔基如：乙炔基，丙炔基，正丁炔基，第二丁炔基。

在式(1)至式(5)中之中间金属M，代表性之二价金属如：铜，锌，铁，钴，镍，钯，铂，锰，锡，钌和锇；最佳之金属为铜，钴，镍，钯和铂；代表性之单取代三价金属如：氟-铝，氯-铝，溴-铝，碘-铝，氟-铟，氯-铟，溴-铟，碘-铟，氟-镓，氯-镓，溴-镓，碘-镓，氟-铊，氯-铊，溴-铊，碘-铊，羟基-铝，羟基-锰；代表性之双取代四价金属如：二氟硅，二氯硅，二溴硅，二碘硅，二氟锡，二氯锡，二溴锡，二碘锡，二氟锗，二氯锗，二溴锗，二碘锗，二氟钛，二氯钛，二溴钛，二碘钛，二羟基-硅，二羟基-锡，二羟基-锗，二羟基-锰；代表性之氧化金属基如：氧化钒，氧化锰，氧化钛。

为了改善酞青之烧录特性，本发明将具取代基或未取代之二茂铁基团透过含酸酐基的分子团键结至酞青衍生物，如此所得之染料，不仅可符合不同烧录机1X至52X之烧录要求，并进而增进对蚀坑的精确控制，大幅改善蚀坑偏差之特性。

将具有取代基的或未取代的二茂铁基团通过含酸酐基的分子团键结至酞青衍生物之方法包括：直接将具有酰氯基取代之酞青与二茂铁羧酸反应；或将具有醛基取代之酞青与二茂铁羧酸过氧化酯在适当的金属催化条件下进行酰氧化反应；或将二茂铁羧酸与第三反应物(如草酸或草酰氯)作用，所得到之中间体于低温下再与具有羟基取代之酞青于适当的催化剂(如吡啶)中反应。

本发明也涉及光学记录媒体，其包含基材、记录层、反射层及保护层，其中记录层使用本发明如式(1)之酞青衍生物当作记录层之光学染料。

于本发明光学记录媒体中，基材一般是由光学透明树脂所制成，例如压克力树脂，聚乙烯树脂，聚苯乙烯树脂或聚碳酸酯树脂，同时如果需要的话，基材表面亦可经过热固性树脂或UV交联性树脂处理。

记录层可经由旋转涂布方式将本发明酞青衍生物之溶液依需要分布在基材上；涂布之方法如下所述：将本发明之酞青衍生物依适当比例溶于溶剂中，一般以不超过5％wt/vol(重量体积百分比)为宜，尤以1.5～3％为佳，然后将上述之溶液经由旋转涂布法布于基材上；一般记录层之厚度介于50到300纳米之间，较佳者为80到150纳米之间。

基于溶剂对记录层材料之溶解度及对基材之侵蚀性，较适合之旋转涂布用溶剂如下：较适合之溶剂包括卤化烃类，如二氯甲烷，氯仿，四氯化碳，三氯乙烷，二氯乙烷，四氯乙烷和二氯二氟乙烷；醚类，如二乙醚，二丙醚，二丁醚和二环己醚；醇类，如甲醇，乙醇，丙醇，四氟丙醇和丁醇；酮类，如丙酮，三氟丙酮，六氟丙酮和环己酮；烃类，如己烷，环己烷，甲基环己烷，二甲基环己烷，辛烷和环辛烷。

反射层主要为铜，铝，金或银等金属材料或合金材料所组成。反射层可经由真空蒸镀或溅镀法将反射层材料布于记录层之上；一般反射层之厚度介于1到200纳米之间。

保护层主要由热固性树脂或UV交联性树脂所组成，尤其以透明者为较佳，使用时，将树脂以旋转涂布法布于反射层之上形成保护层，一般而言，厚度介于0.1到500微米之间；较佳者为0.5到50微米之间。

基于使用方便性的考虑，现今光学记录媒体的制造大多以聚碳酸树脂板为基材，旋转涂布法则为施加负载记录层和保护层之方法。

本发明将以下列非限制性实施例来说明本发明之基本精神，因此，任何基于本发明之基本精神之相关衍生物将会涵盖于本发明之范围内。

实施例

实施例1

称取四-α-(2，4-二甲基-3-戊氧基)铜酞青衍生物(根据EP 703280制备)10.0克加入于充满氮气之250毫升圆底瓶中，随后加入50毫升的甲苯和5.4克之N-甲基甲酰胺，使其溶解后，将溶液之温度降至0℃，然后将5.6克之磷酰氯(POCl₃)缓慢加入反应溶液中，控制加料速率以维持反应溶液温度不超过5℃。待加料完毕，移去冷却系统并使反应溶液之温度升至50℃，使反应溶液在50℃下搅拌24小时并以薄层层析法监控反应之进行。反应结束后，将反应溶液倒入200毫升之醋酸钠(41.5克)冰水混合液中，搅拌混合物30分钟，接着以100毫升×3之甲苯萃取混合物。将有机层统一收集，加入20克之无水硫酸镁干燥之，过滤除去含水硫酸镁，减压浓缩至60毫升，然后将浓缩液倒入1升甲醇/水(98/2)混合溶剂中剧烈搅拌30分钟，过滤收集产物，以1升甲醇洗涤产物，于真空下70℃干燥产物两天，得绿色粉末产物9.5克(94％理论值)。

元素分析：发现值(％)：C：69.21    H：6.79    N：10.44

          理论值(％)：C：69.06    H：6.84    N：10.56

UV-VIS(DBE)：λmax＝710纳米。

IR(KBr)：C＝O带，于1675cm^-1。

实施例2

称取1.03克硼氢化钠(sodium borohydride)加入于充满氮气之250毫升圆底三颈瓶中，随后加入40毫升的乙醇并且搅拌混合之，使其大部份溶解。将10.0克甲酰基化四-α-(2，4-二甲基-3-戊氧基)铜酞青衍生物(实施例1制得)溶于40毫升THF溶液，而后加至上述之还原剂之中，使反应溶液在室温下剧烈搅拌24小时并以薄层层析法监控反应之进行。反应结束后，将反应混合液过滤除去不溶物，并且倒入200毫升之20％食盐水终止反应，接着以40毫升×3之甲苯萃取混合物。将有机层统一收集，加入20克之无水硫酸镁干燥之，过滤除去含水硫酸镁，减压浓缩至40毫升，将浓缩液倒在1升甲醇/水(98/2)混合溶剂中剧烈搅拌30分钟，过滤收集产物，以1升甲醇洗涤产物，于真空下70℃干燥产物两天，得绿色粉末产物9.4克(95％理论值)。

元素分析：发现值(％)：C：68.77    H：7.20    N：10.56

          理论值(％)：C：68.93    H：7.02    N：10.54

UV-VIS(DBE)：λmax＝713.5纳米。

IR(KBr)：C＝O带1675cm^-1消失，OH带于3210cm^-1。

实施例3

于一充满氮气之500毫升反应瓶中，加入4.18克的二茂铁羧酸及20毫升二氯甲烷。在0-5℃之低温下，于其中慢慢地加入2.43克草酰氯。于1小时之后，减压抽除过剩的(或未反应的)草酰氯。之后，缓慢加入25毫升吡啶并控制反应温度低于15℃。另外，将10克的实施例2化合物溶于22.5毫升二氯甲烷中，再将此溶液加到先前之500毫升反应瓶中，使其反应3小时。最后将反应物倾入甲醇/水(75/25)混合溶液内以终止反应。过滤所形成的绿色粉末，于真空下70℃干燥产物两天，得绿色粉末产物9.7克(78％理论值)。

UV-VIS(DBE)：λmax＝712纳米。

IR(KBr)：1715，1743，1770cm^-1。

TGA：主要分解(～34％)始于280℃。

实施例4

将计量之实施例3化合物溶于二丁基醚(DBE)和2，6-二甲基-4-庚酮(95∶5)混合溶剂中，形成2.8％wt/vol(溶质重量/溶剂体积百分比)之记录层染料溶液，经搅拌1小时待充分溶解之后，接着将此溶液经过0.2微米孔径铁氟龙之过滤器过滤并经由旋转涂布方法以每分钟400转之转速将染料涂布至1.2厘米厚之凹槽圆盘表面(凹槽深度195纳米，凹槽宽度600纳米，轨迹间距1.7微米)。将涂布转速逐渐提高到每分钟3000转经此除去过量之溶液，然后将形成之均匀记录层在60℃之循环热空气中干燥15分钟。接着在真空溅镀装置(ALCATEL，ATP150)中，将60纳米厚的银反射层溅镀沉积到记录层之上。最后将UV硬化剂(ROHM AND HAAS DEUTSCHLAND GMBH，Rengolux3203-031v6 clear-CD LACQUER)以旋转涂布方法，涂布于银反射层之上形成5毫米厚之保护层，经过UV光照射使之硬化。上述所制成之CD-R空白片，在商用烧录机(Liteon LTR-52327S)上以52倍的烧录速度依序写入资讯，然后经由一完全自动的光碟片测试系统(PulstecOMT-2000x4)，以1X速度读取测试动态信号参数，测得40分钟位置之讯号并列表于下表(1)中。

实施例5

重复实施例4，所制成之CD-R空白片在商用烧录机(LiteonLTR-52327S)上以52倍的烧录速度依序写入资讯，然后经由一完全自动的光碟片测试系统(Pulstec OMT-2000x4)，以1X速度读取测试动态信号参数，测得75分钟位置之讯号并列表于下表(1)中。

表(1)

位置	BLER	JitP3T	JitP11T	Dev.P3T	Dev.P11T
						40分钟	2.0	25	27	35	14
75分钟	3.1	28	31	-38	-38

(A)BLER(Block Error Rate)区段错误率

(B)JitP3T(Jitter Pit 3T)3T蚀坑之蚀坑跳动(以ns表示)

(C)JitP11T(Jitter Pit 11T)11T蚀坑之蚀坑跳动(以ns表示)

(D)Dev.P3T(Deviation pit 3T)3T蚀坑之蚀坑偏差(以ns表示)

(E)Dev.P11T(Deviation pit 11T)11T蚀坑之蚀坑偏差(以ns表示)

实施例6

将计量之实施例3之化合物溶于二甲基环己烷和邻二甲基苯(94∶6)混合溶剂中，形成1.7％wt/vol之记录层染料溶液，经搅拌1小时待充分溶解之后，接着将此溶液经过0.2微米孔径铁氟龙之过滤器过滤及经由旋转涂布方法以每分钟400转之转速将染料涂布至1.2厘米厚之凹槽圆盘表面(凹槽深度195纳米，凹槽宽度600纳米，轨迹间距1.7微米)。将涂布转速逐渐提高到每分钟3000转经此除去过量之溶液，然后将形成之均匀记录层在60℃之循环热空气中干燥15分钟。接着在真空溅镀装置(ALCATEL，ATP150)中，将60纳米厚的银反射层溅镀沉积到记录层之上。最后将UV硬化剂(ROHM ANDHAAS DEUTSCHLAND GMBH，Rengolux 3203-031v6 clear-CDLACQUER)以旋转涂布方法，涂布于银反射层之上形成5毫米厚之保护层，经过UV光照射使之硬化。上述所制成之CD-R空白片，在商用烧录机(BenQ CD-RW 5232X)上以52倍的烧录速度依序写入资讯，然后经由一完全自动的光碟片测试系统(Pulstec OMT-2000x4)，以1X速度读取测试动态信号参数，测得40分钟位置之讯号并列表于下表(2)中。

实施例7

重复实施例6，所制成之CD-R空白片在商用烧录机(BenQCD-RW 5232X)上以52倍的烧录速度依序写入资讯，然后经由一完全自动的光碟片测试系统(Pulstec OMT-2000x4)，以1X速度读取测试动态信号参数，测得75分钟位置之讯号并列表于下表(2)中。

表(2)

位置	BLER	JitP3T	JitP11T	Dev.P3T	Dev.P11T
						40分钟	2.0	26	28	33	18
75分钟	3.1	27	27	-32	-33

从表(1)及(2)可以看出，使用含本发明酞青衍生物光学染料之光学记录媒体，于不同之商用烧录机在不同之烧录速度下，均可以得到良好的蚀坑跳动(jitter)与蚀坑偏差(deviation)，且符合规格书(OrangeBook)所述其他烧录特性之规范。

Claims (4)

1.一种酞青衍生物，其结构如式(I)：

其中R₁，R₂，R₃和R₄分别代表1至12个碳原子之烷基，其上任选被0至6个卤素原子，羟基，1至6个碳原子的烷氧基，1至6个碳原子的烷胺基，1至6个碳原子的二烷胺基，或1至6个碳原子的烷硫基所取代；2至12个碳原子的烯基；或2至12个碳原子的炔基；M为两个氢原子，一个2价金属，一个具有单取代的3价金属，一个具有双取代的4价金属，或氧化金属基；G代表酞青衍生物与酸酐基之间的联结基，且G是选自-O-、-S-、-S-(CH₂)_1-6-、-(NH)-、-N(烷基)-、-(CH₂)-、-CH(烷基)-、-C(烷基)₂-、-(CH₂-O)-、-C(＝O)-、-C-O-C(＝O)-、-O-C(＝O)-和-C(＝O)-O-所构成的组中；R₅和R₆分别代表氢，卤素，1至6个碳原子之烷基，1至6个碳原子之烷氧基，1至6个碳原子之烷胺基，1至6个碳原子之烷硫基，2至6个碳原子之烯基，2至6个碳原子之炔基，或芳香环类取代基；n为1～4之整数。

2.权利要求1的酞青衍生物，其中R₅和R₆分别代表氟，氯，溴或碘。

3.权利要求1的酞青衍生物作为光学记录媒体所含记录层中光学染料之用途。

4.一种用于依序包含基板、含有机染料且经激光照射可记录资料之记录层、反射层、以及保护层的光学记录媒体，其特征在于该记录层包含权利要求1的酞青衍生物作为该光学染料。