CN100527433C - 一种有机光发射显示设备及制造方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种有机光发射显示设备以及制造方法。该设备包括：具有第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的底层；布置在底层上的第一电极；布置在第一电极上的有机发射层；布置在有机发射层上的第二电极；以及布置在第一电极和有机发射层之间的第一有机层和第二有机层。第一有机层和第二有机层在第一像素区域中具有大约500-700或者2000-2400的总厚度，在第二像素区域中具有大约1600-2000的总厚度，在第三像素区域中具有大约200-400的总厚度。
Description
对相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2005年10月21日递交于韩国知识产权局的、申请号为10-2005-0099836的韩国专利申请的优先权和权益，该申请的所有内容通过引用并入本申请之中。
技术领域
[0002]本发明涉及光发射显示设备。具体而言，涉及一种有机光发射显示设备及制造方法。
背景技术
[0003]有机光发射显示设备，一种自发射显示设备，具有理想的轻薄结构，由简单的成分组成，并且制造过程简单。有机光发射显示设备具有视角广、画质高、对电影的卓越显示、色彩纯度高、以及适用于移动设备的低功耗和低驱动电流等优点。
[0004]传统的有机光发射显示设备包括底层、位于底层上的像素电极、位于像素电极上的包括发射层(EML，emission layer)的有机层和位于有机层上的异性电极层。有机层可以包括位于像素电极和EML之间的空穴注射层(HIL，hole injection layer)和空穴传输层(HTL，hole transport layer)；以及位于EML和异性电极之间的电子传输层(ETL，electron transport layer)和电子注射层(EIL，electron injection layer)。
[0005]可以用如下方法驱动传统的有机光发射显示设备。在像素电极和异性电极之间施加电流，空穴通过HIL和HTL从像素电极注入EML，而电子通过EIL和ETL从异性电极注入EML。注入EML的空穴和电子在EML中结合形成电子空穴对。当电子空穴对从激发态转变到基态的时候就会发射出光。
[0006]一般来说，传统的顶端发射有机光发射显示设备采用光谐振效应，因此，用可能的波长带来匹配像素电极的厚度和HIL以及HTL的厚度是重要的，其中HIL和HTL位于EML和像素电极之间。通过促进来自像素电极即阳极的空穴的注入，HIL提高了功耗效率以及有机光发射显示装置的预期使用寿命。通过容易的传输空穴和将电子约束在发射区域中，HTL提高了空穴的移动性和形成电子空穴对的几率。
[0007]然而，当为了延长预期使用寿命而将传统的有机光发射显示设备的有机层制造得更薄时，有较大的几率会由于颗粒而产生暗像素。另一方面，当为了减少暗像素而将传统的有机层制造得更厚时，驱动电流增加而效率和预期使用寿命降低。这样，将有机层制造得具有合适的厚度就变得很困难。
发明内容
[0008]本发明的示范性实施例提供了一种有机光发射显示设备。在所述有机光发射显示设备中，分别调整每个RGB子像素的HIL和HTL总厚度，从而减少了暗像素的数目并增加了预期使用寿命和效率。同时提供的还有一种制造所述有机光发射显示设备的方法。
[0009]提供了一种有机光发射显示设备。该设备包括：具有第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的底层；布置在底层上的第一电极；布置在第一电极上的有机发射层；布置在有机发射层上的第二电极；以及布置在第一电极和有机发射层之间的第一有机层和第二有机层，其中第一有机层和第二有机层在第一像素区域中具有大约
或者的总厚度，在第二像素区域中具有大约
的总厚度，在第三像素区域中具有大约的总厚度。
[0010]在一个实施例中，第一有机层是空穴注入层，第二有机层是空穴传输层。
[0011]在一个实施例中，第一像素区域用于显示红光。在一个实施例中，第二像素区域用于显示绿光。在一个实施例中，第三像素区域用于显示蓝光。
[0012]在本发明的另一个实施例中，提供了一种制造有机光发射显示设备的方法。该方法包括：在底层上生成多数个第一电极；在底层上定义第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域；生成第一有机层和第二有机层，第一有机层和第二有机层在第一像素区域中具有大约
或者
的总厚度，在第二像素区域中具有大约的总厚度，在第三像素区域中具有大约
的总厚度；在底层上生成定义了第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的发射层以及在发射层之上生成第二电极。
[0013]在一个实施例中，该方法进一步包括在生成第二电极之前，在发射层之上生成空穴阻隔层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
[0014]在一个实施例中，所述生成第一有机层和第二有机层包括：在第一像素区域中用第一掩膜生成第一有机层和第二有机层；在第二像素区域中用第二掩膜生成第一有机层和第二有机层；在第三像素区域中用第三掩膜生成第一有机层和第二有机层。
[0015]在一个实施例中，第一有机层是空穴注入层，第二有机层是空穴传输层。
[0016]在本发明的另一个实施例中，所述生成第一有机层和第二有机层包括：在底层上布置包括光热转换层和第一传输层的第一原料膜；利用热传输方法在第三像素区域中生成第一有机层和第二有机层；在底层上布置包括光热转换层和第二传输层的第二原料膜；利用热传输方法在第二像素区域中生成第一有机层和第二有机层；在底层上布置包括光热转换层和第三传输层的第三原料膜；利用热传输方法在第一像素区域中生成第一有机层和第二有机层；
[0017]在本发明的另一个实施例中提供了一种有机光发射显示设备。该设备包括：具有第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的底层；多数个第一电极，每个第一电极被布置在第一像素区域、第二像素区域或第三像素区域中；多数个有机发射层，每个有机发射层被布置在第一电极中的相应一个上；布置在有机发射层之上的第二电极；布置在第一像素区域中的，具有大约
或
总厚度的第一有机层和第二有机层；布置在第二像素区域中的，具有大约总厚度的第三有机层和第四有机层；布置在第三像素区域中的，具有大约
总厚度的第五有机层和第六有机层。
附图说明
[0018]本发明的上述和其他特征将在实施例中结合附图进行说明，在附图中：
[0019]图1A、1B和1C是本发明的示范性实施例的剖视图，示意了一种制造有机光发射显示装置的方法；
[0020]图2A、2B和2C是每个单位像素上所形成的结构的示意性剖视图；
[0021]图3A是红(R)、绿(G)、蓝(B)子像素的暗像素平均数目曲线图；
[0022]图3B是与绿色子像素的第一有机层和第二有机层总厚度对应的暗像素比率柱状图；
[0023]图4A和图4B分别是对于红、绿、蓝子像素的亮度-时间曲线图和发光度-时间曲线图；
[0024]图5A、5B、5C、5D、5E和5F是本发明的示范性实施例的剖视图，示意了一种为每个子像素生成有机层的方法；
[0025]图6A、6B、6C、6D和6E是本发明的另一示范性实施例的剖视图，示意了一种为每个子像素生成有机层的方法。
具体实施方式
[0026]以下结合包含示范性实施例的附图，对本发明进行更加充分的说明。在附图中，为了清楚而放大了层和区域的厚度。相同的标号用于表示相同的组元。
[0027]图1A、1B和1C是本发明的示范性实施例的剖视图，示意了一种制造有机光发射显示装置的方法；
[0028]请参考图1A，缓冲层105置于底层100之上。在一些实施例中，底层100可以是透明的绝缘底层。在不同的实施例中，底层100可以由玻璃或者塑料构成。这里，缓冲层105抑制了底层100上产生的湿气和杂质的扩散，同时通过控制结晶过程中的热传导速度促进了半导体层的平滑结晶。
[0029]接下来，半导体层110形成于缓冲层105之上。这里，半导体层110是这样形成的：将非晶硅层至于缓冲层105上、使其结晶、然后予以构图。
[0030]然后，栅绝缘体115至于缓冲层105和半导体层110之上、这里，栅绝缘体115由二氧化硅层或者氮化硅层或者两者的复合层构成，采用物理汽相淀积(PVD，physical vapor deposition)或者化学汽相淀积(CVD，chemical vapor deposition)。
[0031]随后，通过在栅绝缘体115上沉积栅电极材料并予以构图来形成栅电极120。这里，当对栅电极材料构图时，可以同时在预先设定的区域中形成数据线、扫描线、公共电源线或者电容电极中的至少一种。
[0032]并且，在整个底层的表面形成层间绝缘层125，从而保护类似栅电极120这样的元件。
[0033]另外，蚀刻层间绝缘层125和栅绝缘体115中预先设定的区域，以形成暴露半导体层110上预先设定的源/漏区域的接触孔；然后，将源/漏电极材料沉积并构图在底层100上从而形成分别接触到半导体层110的源漏区域的源漏电极130。
[0034]这里，当源/漏电极材料构图时，可以形成数据线、扫描线、公共电源线或者电容电极中的至少一种。这里，形成源漏电极130就形成了薄膜晶体管。在一个实施例中，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅绝缘体、栅电极和源漏电极。
[0035]并且，在底层100上形成钝化层135和平面化层140中的至少一个。这里，钝化层135是用于保护钝化层135之下元件的绝缘层，平面化层140是用于去除由平面化层140之下的元件引起的阶梯式覆盖。
[0036]请参考图1B，通过在平面化层140和钝化层135上进行部分蚀刻来生成通行孔洞145，以暴露源/漏电极130的一部分。
[0037]进一步，在底层上沉积第一电极材料并予以构图，以生成与源电极或漏电极130相连的第一电极150。这里，第一电极150可以是透明导体材料，例如氧化铟锡(ITO，indium-tin oxide)或者氧化铟锌(IZO，indium zincoxide)。在一个实施例中，第一电极150是阳极电极；在其他实施例中，第一电极可以是阴极电极。
[0038]进一步，通过在底层100上放置绝缘材料并予以构图来生成像素定义层155，暴露了第一电极150的预定区域。这里，像素定义层155导致像素区域。像素区域是第一电极150上由像素定义层155暴露的预定区域。
[0039]这里，请参考图1A和图1B，将栅电极材料或者源/漏电极材料构图以形成扫描线、数据线和公共电源线。这里，通过生成扫描线、数据线和公共电源线来定义一个子像素。作为有机光发射显示设备中最小单元的子像素，是用于发射红(R)、绿(G)或者蓝(B)色光线。有机光发射显示设备中包括若干子像素。
[0040]图1C表示了作为显示器最小单元的单元像素，所述显示器用于显示梯度。单元像素至少包括分别显示红色、绿色和蓝色的三个子像素。
[0041]像素定义层155定义了三个像素区域，这三个像素区域是第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3。
[0042]这里，第一像素区域P1可以包括有机层160a，有机层160a包括放置于第一电极150a上的、适于显示红光的有机EML。第二像素区域P2可以包括有机层160b，有机层160b包括放置于第一电极150b上的、适于显示绿光的有机EML。第三像素区域P3可以包括有机层160c，有机层160c包括放置于第一电极150c上的、适于显示蓝光的有机EML。
[0043]这里，在构成一个单元像素的第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3上生成第二电极165。在一个实施例中，第二电极165是阴极电极。在其他实施例中，第二电极可以是阳极电极。通过生成多个这样的单元像素就可以形成有机光发射显示设备。
[0044]图2A、2B和2C是每个单位像素上所形成的结构的示意性剖视图。图2A、2B和2C表示了图3C中的第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的有机层结构。
[0045]请参考图2A、2B和2C，第一有机层210a、210b和210c，第二有机层220a、220b和220c，第三有机层230a、230b和230c，第四有机层240a、240b和240c以及第五有机层250a、250b和250c分别依次堆叠在第一电极150a、150b和150c上。第二电极165在第五有机层250a、250b和250c上生成。
[0046]这里，第一有机层210a、210b和210c可以是HIL，第二有机层220a、220b和220c可以是HTL，第三有机层230a、230b和230c可以是EML，第四有机层240a、240b和240c可以是ETL，第五有机层250a、250b和250c可以是EIL。
[0047]这里，虽然没有在图2A、2B和2C中表示出来，但是可以分别在第三有机层230a、230b、230c和第四有机层240a、240b、240c之间形成空穴阻隔层(HBL，hole blocking layer)。
[0048]这里，第一有机层210a、210b、210c即HIL，和第二有机层220a、220b、220c即HTL的总厚度可以设定为在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3中具有合适的值。
[0049]首先，发光效率随着共振效应变化，而共振效应取决于红光子像素、绿光子像素G和蓝光子像素B中第一有机层和第二有机层的总厚度。表1中给出了分别针对红光、绿光和蓝光的发光效率与第一有机层和第二有机层总厚度之间的关系。
表1
| 第一有机层和第二有机层的总厚度 | 红光效率 | 绿光效率 | 蓝光效率 | B CIE x | B CIE y |
| 100 | 1.2 | 1.7 | 0.4 | 0.12 | 0.06 |
| 200 | 0.8 | 2.21 | 0.51 | 0.13 | 0.07 |
| 300 | 1.1 | 2.73 | 0.65 | 0.14 | 0.09 |
| 400 | 1.16 | 2.3 | 0.69 | 0.14 | 0.12 |
| 500 | 2.02 | 1.94 | 0.72 | 0.15 | 0.14 |
| 600 | 2.56 | 1.43 | 0.78 | 0.15 | 0.15 |
| 700 | 1.98 | 1.22 | 0.84 | 0.15 | 0.17 |
| 800 | 1.23 | 1.1 | 0.9 | 0.16 | 0.19 |
| 900 | 1 | 1 | 1 | 0.16 | 0.2 |
| 1000 | 0.91 | 0.83 | 0.89 | 0.16 | 0.18 |
| 1100 | 0.83 | 1.39 | 0.76 | 0.15 | 0.17 |
| 1200 | 0.62 | 1.59 | 0.7 | 0.15 | 0.15 |
| 1300 | 1.01 | 1.86 | 0.62 | 0.14 | 0.1 |
| 1400 | 1.28 | 2.1 | 0.54 | 0.13 | 0.08 |
| 1500 | 1.32 | 2.31 | 0.41 | 0.12 | 0.06 |
| 1600 | 1.44 | 2.43 | 0.48 | 0.12 | 0.08 |
| 1700 | 1.65 | 2.49 | 0.52 | 0.14 | 0.11 |
| 1800 | 1.76 | 2.56 | 0.62 | 0.14 | 0.13 |
| 1900 | 1.79 | 2.43 | 0.76 | 0.15 | 0.16 |
| 2000 | 1.88 | 2.11 | 0.86 | 0.16 | 0.19 |
| 2100 | 2.17 | 1.99 | 0.7 | 0.15 | 0.17 |
| 2200 | 2.41 | 1.94 | 0.47 | 0.15 | 0.15 |
| 2300 | 2.26 | 1.73 | 0.32 | 0.14 | 0.13 |
| 2400 | 2.01 | 1.62 | 0.29 | 0.13 | 0.1 |
| 2500 | 1.74 | 1.28 | 0.25 | 0.13 | 0.08 |
| 2600 | 1.26 | 1.01 | 0.23 | 0.12 | 0.07 |
[0050]请参考表1，对于红光和绿光，即使当第一有机层和第二有机层的总厚度变化时，颜色特性也能得到一定程度的满足。因此，如表1所示，最有效率的厚度范围，对于红光约为或者
对于绿光约为
或者
选择最有效率的厚度范围。对于蓝光，当对颜色特性进行限制到y色轴小于0.09，则可以选择在该限定值内的最有效率厚度，大约为
或者
[0051]从而，红色子像素的第一有机层和第二有机层总厚度可以是约为
或者
绿色子像素第一有机层和第二有机层总厚度可以是约为
或者蓝色子像素第一有机层和第二有机层总厚度可以是约为或者
[0052]图3A是红、绿、蓝子像素的暗像素平均数目曲线图。图3B是与绿色子像素的第一有机层和第二有机层总厚度对应的暗像素比率柱状图。
[0053]请参考图3A和图3B，为了调节包含三个组合的子像素的单元像素的白平衡，每个色彩的子像素的亮度是不相同的。例如，绿色的亮度最高。如图3A所示，如果将红绿蓝三色子像素的第一有机层和第二有机层的总厚度设为相同以调整白平衡，则在蓝色和红色子像素上产生的暗像素较少，而在具有最大亮度的绿色子像素上产生的暗像素较多。需要注意的是，如图3B所示，当绿色子像素的有机层满足谐振条件并且具有合适厚度时，绿色子像素的暗像素数目显著减少。这样，绿色子像素的第一有机层和第二有机层可以被构造得厚些。
[0054]图4A和图4B分别是对于红、绿、蓝子像素的亮度-时间曲线图和发光度-时间曲线图。
[0055]本发明的一个示范性实施例中，蓝色子像素的第一有机层和第二有机层的总厚度较薄。然而，参考图4A，蓝色子像素具有最短的预期使用寿命，因此其亮度随时间减弱的速度比其他具有不同预期使用寿命的颜色更快，导致出现色移，即蓝色显示为偏绿或偏黄的颜色。为了解决这个问题，如图4B所示，蓝色子像素的第一有机层和第二有机层总厚度被设为较薄(B_薄曲线)，而绿色子像素的第一有机层和第二有机层总厚度被设为较厚(G_厚曲线)。从而，蓝色的预期使用寿命可以接近绿色的预期使用寿命。
[0056]这里，在图4A中给出了红、绿、蓝三色的亮度-时间曲线。在图4B中，G_薄表示具有较薄的第一和第二有机层的绿色的发光度，G_厚表示具有较厚的第一和第二有机层的绿色的发光度，B_薄表示具有较薄的第一和第二有机层的蓝色的发光度，B_厚表示具有较厚的第一和第二有机层的蓝色的发光度。
[0057]这样，返回参考图2A、2B和2C，在第二像素区域中显示绿色的第一和第二有机层210b和220b较厚，以避免第一和第二电极之间的短路电流，所述短路电流会降低发光效率并缩短预期使用寿命。另一方面，第三像素区域中显示蓝色的第一和第二有机层210b和220b较薄，因为预期使用寿命和发光效率随着有机层总厚度的增加而降低。
[0058]这里，即使在第一像素区域中，显示红色的有机层的第一有机层210a和第二有机层210b较薄，也不会产生暗像素。并且，即使所述层较厚，也不会降低预期使用寿命和效率。因此，这些层可以薄也可以厚。
[0059]这样，第一像素区域P1中的第一有机层210a和第二有机层210b具有大约
或者
的总厚度，第二像素区域P2中的第一有机层220a和第二有机层220b具有大约
的总厚度，第三像素区域P3中的第一有机层230a和第二有机层230b具有大约200to的总厚度。
[0060]这里，第一像素区域P1可以包括红色子像素，第二像素区域P2可以包括绿色子像素，第三像素区域P3可以包括蓝色子像素。
[0061]图5A、5B、5C、5D、5E和5F是本发明的示范性实施例的剖视图，示意了一种为每个子像素生成有机层的方法；
[0062]请参考图5A，在底层300上形成若干元件层310。在一些实施例中，底层300可以是透明绝缘底层。类似图1A和图1B中描述的底层100，底层300可以由玻璃或者塑料形成。
[0063]第一子像素电极320a，第二子像素电极320b和第三子像素电极320c分别连接到第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3中生成的元件层310的源/漏电极。像素定义层330做得暴露第一子像素电极320a、第二子像素电极320b和第三子像素电极320c的特定区域。
[0064]进一步，参考图5B，第一掩膜340a布置于底层300之上；在第一像素区域之中的第一子像素电极320a上，第一有机层350a和第二有机层350b沉积(D1)为具有大约
或者
的总厚度。
[0065]参考图5C，第二掩膜340b布置于底层300之上；在第二像素区域之中的第二子像素电极320b上，第一有机层360a和第二有机层360b沉积(D2)为具有大约
的总厚度，
[0066]参考图5D，第三掩膜340c布置于底层300之上；在第三像素区域之中的第三子像素电极320c上，第一有机层370a和第二有机层370b沉积(D3)为具有大约
的总厚度，
[0067]参考图5E，第四掩膜340d布置于底层300之上；组合的第三、第四和第五有机层380a、380b和380c依次沉积(D4)在分别位于像素区域P1、P2和P3的第一子像素电极320a，第二子像素电极320b和第三子像素电极320c之上。
[0068]参考图5F，在第一、第二和第三像素区域P1、P2和P3上生成第二电极390，以完成构造有机光发射显示设备，在所述有机光显示设备中，第一像素区域P1中的第一和第二有机层350a和350b具有大约
或者
的总厚度，第二像素区域P2中的第一和第二有机层360a和360b具有大约
的总厚度，第三像素区域P3中的第一和第二有机层370a和370b具有大约
的总厚度，而在P1、P2和P3的第一和第二有机层的顶面上覆盖有相同厚度的第三、第四和第五有机层380a、380b和380c。
[0069]图6A、6B、6C、6D和6E是本发明的另一示范性实施例的剖视图，示意了一种为每个子像素生成有机层的方法。
[0070]请参考图6A，在底层400上形成若干元件层410。在一些实施例中，底层400可以是透明绝缘底层。类似图1A和图1B中描述的底层100，底层400可以由玻璃或者塑料形成。
[0071]在元件层410上生成第一子像素电极420a、第二子像素电极420b和第三子像素电极420c并将其连接到元件层410的源/漏电极。
[0072]像素定义层430被做成暴露第一子像素电极420a、第二子像素电极420b和第三子像素电极420c的预定区域。
[0073]光热转换层510和第一原料膜500a被布置在底层400上，其中该原料膜由总厚度约为
的第一原料-第一有机膜520a和第一原料-第二有机膜520b构成。
[0074]参考图6B，当第一原料膜500a被制造为接触到底层400后，以预设的距离发射激光530，将第一原料-第一有机膜520a和第一原料-第二有机膜520b的一部分移动到第三像素区域P3中的第三子像素电极420c上，从而在第三像素区域P3中形成第一和第二有机层430a和430b。这里，由于激光530的光能被转化为光热转化层510的热能，并且第一原料-第一有机膜520a和第一原料-第二有机膜520b的一部分与第一原料膜500a分离，在第一原料膜500a上生成的第一原料-第一有机膜520和第一原料-第二有机膜520b被移动到第三子像素电极420c上。
[0075]然后，将第一原料膜500a从底层400上移除。
[0076]参考图6C，生成接触到底层400的第二原料膜500b，所述第二原料膜包括第二原料-第一有机膜530a和第二原料-第二有机膜530b；然后以预设的距离发射激光530，从而在第二像素区域P2中形成具有大约1600-
总厚度的第一和第二有机层440a和440b。
[0077]参考图6D，生成接触到底层400的第三原料膜500c，所述第三原料膜包括第三原料-第一有机膜540a和第三原料-第二有机膜540b；然后以预设的距离发射激光530，从而在第一像素区域P1中形成具有大约500-700
或者
总厚度的第一和第二有机层450a和450b。
[0078]参考图6E，生成接触到底层400的第四原料膜500d，所述第四原料膜包括第四原料-第三有机膜550a和第四原料-第四有机膜550b和第四原料-第五有机膜550c；然后以预设的距离发射激光530，从而在第一、第二和第三像素区域P1、P2和P3中分别形成第三有机层450c、440c和430c，第四有机层450d，440d和430d以及第五有机层450e，440e和430e。
[0079]这里，在各像素区域中生成的第三、第四和第五有机层具有相同的厚度。
[0080]然后，在底层400上生成第二电极(未示出)，就完成了有机光发射显示设备。
[0081]本发明提供了有机光发射显示设备和制造该设备的方法。
[0082]虽然此处描述了本发明的若干实施例，本领域普通技术人员应该清楚，对于所描述的实施例的形式和细节可以作不同的修改，这些修改不脱离由附加的权利要求及其等同替换所定义的本发明的精神和保护范围。
Claims (16)
1、一种有机光发射显示设备，包括：
具有第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的底层；
布置在底层上的第一电极；
布置在第一电极上的有机发射层；
布置在有机发射层上的第二电极；以及
布置在第一电极和有机发射层之间的第一有机层和第二有机层，
其中第一有机层和第二有机层在第一像素区域中具有
或者
的总厚度，在第二像素区域中具有的总厚度，在第三像素区域中具有
的总厚度。
2、根据权利要求1所述的有机光发射显示设备，其中第一有机层是空穴注入层，第二有机层是空穴传输层。
3、根据权利要求1所述的有机光发射显示设备，其中第一像素区域用于显示红光。
4、根据权利要求1所述的有机光发射显示设备，其中第二像素区域用于显示绿光。
5、根据权利要求1所述的有机光发射显示设备，其中第三像素区域用于显示蓝光。
6、一种制造有机光发射显示设备的方法，包括：
在底层上生成多数个第一电极；
在底层上定义第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域；
生成第一有机层和第二有机层，第一有机层和第二有机层在第一像素区域中具有
或者
的总厚度，在第二像素区域中具有
的总厚度，在第三像素区域中具有
的总厚度；
在底层上生成定义了第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的发射层；以及
在发射层之上生成第二电极。
7、根据权利要求6所述的制造有机光发射显示设备的方法，进一步包括：
在生成第二电极之前，在发射层之上生成空穴阻隔层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
8、根据权利要求6所述的制造有机光发射显示设备的方法，其中所述生成第一有机层和第二有机层包括：
在第一像素区域中用第一掩膜生成第一有机层和第二有机层；
在第二像素区域中用第二掩膜生成第一有机层和第二有机层；
在第三像素区域中用第三掩膜生成第一有机层和第二有机层。
9、根据权利要求8所述的制造有机光发射显示设备的方法，其中第一有机层是空穴注入层，第二有机层是空穴传输层。
10、根据权利要求6所述的制造有机光发射显示设备的方法，其中所述生成第一有机层和第二有机层包括：
在底层上布置包括光热转换层和第一传输层的第一原料膜；
利用热传输方法在第三像素区域中生成第一有机层和第二有机层；
在底层上布置包括光热转换层和第二传输层的第二原料膜；
利用热传输方法在第二像素区域中生成第一有机层和第二有机层；
在底层上布置包括光热转换层和第三传输层的第三原料膜；
利用热传输方法在第一像素区域中生成第一有机层和第二有机层。
11、根据权利要求10所述的制造有机光发射显示设备的方法，其中第一有机层是空穴注入层，第二有机层是空穴传输层。
12、一种有机光发射显示设备，包括：
具有第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的底层；
多数个第一电极，每个第一电极被布置在第一像素区域、第二像素区域或第三像素区域中；
多数个有机发射层，每个有机发射层被布置在第一电极中的相应一个上；
布置在有机发射层之上的第二电极；
布置在第一像素区域中的、具有
或
总厚度的第一有机层和第二有机层；
布置在第二像素区域中的、具有
总厚度的第三有机层和第四有机层；
布置在第三像素区域中的、具有
总厚度的第五有机层和第六有机层。
13、根据权利要求12所述的有机光发射显示设备，其中第一电极是阳极电极，第二电极是阴极电极。
14、根据权利要求12所述的有机光发射显示设备，其中第一、第三和第五有机层是空穴注入层，第二、第四和第六有机层是空穴传输层。
15、根据权利要求14所述的有机光发射显示设备，进一步包括布置在第二电极和每个有机发射层之间的电子注入层和电子传输层。
16、根据权利要求12所述的有机光发射显示设备，其中第一像素区域用于显示红光，第二像素区域用于显示绿光，第三像素区域用于显示蓝光。
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20090109 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do Lingtong District of New South Korea Suwon 575 GA cave Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd. |
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| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD. Effective date: 20090109 |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20120928 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20120928 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Patentee after: Samsung Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Patentee before: Samsung Mobile Display Co., Ltd. |