CN100514699C

CN100514699C - 有机场致发光显示设备

Info

Publication number: CN100514699C
Application number: CNB2004100432425A
Authority: CN
Inventors: 井村裕则
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2003-05-15
Filing date: 2004-05-14
Publication date: 2009-07-15
Anticipated expiration: 2024-05-14
Also published as: CN1551695A; US7057340B2; KR100707544B1; KR20040098593A; US20040227459A1; JP2004342432A

Abstract

一种有机场致发光显示设备，包括包括由依次堆放的第一电极、有机场致发光层和第二电极组成的发光区域的第一衬底和包括用于馈送驱动信号到第二电极的连接层的第二衬底。第一衬底具有连接区域，在该连接区域中第二电极的一部分与发光区域发生垂直偏移并且连接到第二衬底的连接层。连接区域不位于所述发光区域的上面。

Description

有机场致发光显示设备

相关申请的交叉引用

这里引用了2003年5月15日提交的日本专利申请第JP2003-136785号的全部，包括说明书、权利要求书、附图和摘要。

技术领域

本发明涉及有机场致发光(下面称为EL)显示设备，特别是涉及复合结构的有机EL显示设备。

背景技术

现有的液晶显示设备一般使用薄、轻而且平的显示设备，但是由于液晶显示设备通过改变液晶方向来控制透射的光，因此存在具有窄域视图和弱响应特性这一问题。另一方面，近年具有宽域视图和强响应特性的有源矩阵有机EL显示设备已经引起了人们的注意。由于有机EL元件是自发光元件，其中，通过在施加电场时从阳极注入的正电子穴和从阴极注入的电子再结合所产生的能量，荧光材料发射光，因此有机EL显示元件的可见性是优秀的，并且由于它不使用背光光源，因此能够减少电源的消耗，并且预料可为各种设备充当显示设备，包括诸如移动电话等便携式终端设备。

在该有源矩阵有机EL显示设备中，为了提高显示性能，需要考察的不仅有EL元件本身的材料和结构，而且有作为开关元件的TFT(薄膜晶体管)的特性，设备的结构，等等。

近些年经常使用多晶硅TFT，它使用了具有高承载灵活性的多晶硅膜。在使用玻璃、塑料等作为衬底的情况下，其制造过程使用了在约300℃或更低的低温时，通过照射激光、红外线等对非晶硅进行结晶的低温处理过程。

由于有源矩阵有机EL显示设备使用了通过这种低温处理所制造的多晶硅TFT(下面称为低温多晶硅TFT)，因此存在两种结构类型：一种结构类型中，低温多晶硅TFT和有机EL元件在同一个衬底上被放置在一起(下面称为混合放置结构)，而另一种结构类型中，具有低温多晶硅TFT形成于其上的衬底(下面称为TFT电路形成衬底)和具有有机EL元件形成于其上的衬底(下面称为有机EL元件形成衬底)被粘在一起(下面称为复合结构)。通过低温多晶硅TFT制造过程和有机EL元件制造过程，混合放置结构具有能够可靠和容易地实现有源矩阵有机EL显示设备的优势，其中低温多晶硅TFT制造过程和有机EL元件制造过程作为目前已经成型的技术，但具有有机EL元件的发光面积与每一个图像元件的面积之比(下面称为孔径比)尤其在图像间距变小的情况下会严重减小这一缺点，以及由于衬底表面被分成多个其中形成有低温多晶硅TFT区域和多个其中形成有有机EL元件的区域，有机EL层受到TFT的凹陷和突出部分的影响这一缺点。企图通过增加有机EL元件每单位面积的发光量来补偿孔径比的减少，会导致产生诸如缩短有机EL元件的寿命和降低发光效率等缺点。混合放置结构的缺点是，由于它的结构，使得很难在其内部形成衍射光栅等，以用于有效地发射来自衬底外部的有机EL层的光。

复合结构能够消除混合放置结构所具有的这些缺点。用于复合结构的第一个现有技术，是通过使用铟棒等作为粘合剂将TFT电路形成衬底和有机EL元件形成衬底粘在一起的技术，例如，在日本专利公开发表第2001-117509号中(参见那篇文档的图4)。图1为根据这种现有技术的有源矩阵有机EL显示设备的剖面图。TFT电路形成衬底101具有TFT120形成于其上，并且它的源极125被电气连接到互连层109。另一方面，有机EL元件形成衬底102具有透明电极110、有机EL层104和阴极111，其中阴极111为依此顺序扁平地形成于其上的每一个图像元件进行了分区。使用铟棒130作为粘合剂将这两个衬底粘在一起，以便有TFT120形成于其上的表面和有有机EL层104形成于其上的衬底相面对。并且，铟棒130将TFT电路形成衬底101的互连层109和有机EL元件形成衬底102的阴极111互相电气连接到一起。这时，可以施加驱动电压，使有机EL层104从TFT电路形成衬底101一侧发光到有机EL元件形成衬底102的每一个阴极111。并且理想情况下，可以使这种有源矩阵有机EL显示设备的孔径比接近于100％。

用于复合结构的第二个现有技术，是通过使用各向异性导电胶或各向异性导电膜将TFT电路形成衬底的图像元件电极和有机EL元件形成衬底的阴极相互连接起来，从而将TFT电路形成衬底和有机EL元件形成衬底粘在一起，例如，在日本专利公开发表第2002-082633号中(参见那篇文档的图5)。图2为根据这种现有技术的有源矩阵有机EL显示设备的剖面图。TFT电路形成衬底201有凹陷形成于其中，并且其中形成有TFT等的微结构220，与这种凹陷相适配，并且互连层209通过保护性绝缘薄膜240中的通孔引出。有机EL元件形成衬底202具有有机EL层204和阴极211，几乎扁平地堆放在透明电极210上的绝缘层205中形成的每一个开口中，并且阴极211突出于绝缘层205中的每一个开口外部。TFT电路形成衬底201和有机EL元件形成衬底202通过各向异性导电胶或各向异性导电膜(它们在图中均未示出)粘在一起，以便互连层209和阴极211相面对。

针对复合结构的有机EL显示设备，本发明试图解决的问题如下。

第一个问题是现有复合结构的有机EL显示设备对来自设备外部的压力的承受力差。由于有机EL层和有机EL元件形成衬底的阴极到TFT电路形成衬底的互连层的连接在垂直于两个衬底的主表面的方向上相互重叠，因此在制造过程中的复合处理时，或者在实际使用显示设备时，当在显示设备的表面施加压力的情况下，显示设备会因为在有机EL元件形成衬底的阴极和阳极之间发生短路而可能无法显示。这是由于有机EL层形成了很薄的蒸镀膜而造成的。由于膜质量的易碎性，薄蒸镀膜容易被从外部施加的力所压碎。

第二个问题是不容易实现便宜和可靠地将两个衬底电气相互连接起来。由于每一个图像元件必须在显示设备中相互独立作用，因此有机EL元件形成衬底的阴极和TFT电路形成衬底的互连层必须被保护于针对每一个图像元件的电气连接中。为了例如通过在上述复合结构的第一个现有技术中所使用的铟棒来实现它，必须将成千上万或更多个剖面直径为0.2mm长或更短的铟棒以0.2mm或更短的间隔分布于扁平衬底上，以便它们在邻近的图像元件之间不互相接触。

发明内容

因此本发明的目标是提出能够防止受到压力损坏的复合结构的有机EL显示设备，其中各组成衬底通过上述压力连接起来，该显示设备能够便宜和可靠地将两个衬底电气相互连接起来。

本发明提出的一种有机场致发光显示设备，包括：

第一衬底，包括由依次堆放的第一电极、有机场致发光层和第二电极组成的发光区域；第二衬底，包括用于馈送驱动信号到所述第二电极的连接层、TFT以及用于驱动所述TFT的驱动电路，

其中，所述第一衬底具有连接区域，在该连接区域中所述第二电极的一部分与所述发光区域是垂直偏移的并且连接到所述第二衬底的所述连接层，

其中，所述连接区域不位于所述发光区域的上面，

其中，所述第一衬底具有凹陷，用于存放湿气吸收剂，并且与其中有所述第二衬底的所述驱动电路的区域相对地形成所述凹陷，

其中，在所述第二衬底上提供密封部分，覆盖所述第一衬底的侧表面，以及

其中，所述第一衬底与所述第二衬底之间的空间是使用低于大气压的惰性气体来密封的。

由于有机EL元件形成衬底的有机EL层的形成区域和用于将有机EL元件形成衬底的阴极和TFT电路形成衬底电气相互连接起来的连接区域相互隔开，并且在该连接区域中，形成于从包括有机EL层形成于其上的有机EL元件形成衬底的表面突出的突出连接结构之上的阴极与互连层相接触，并且该连接区域到透明衬底表面的垂直投影不与发光区域相重叠，因此可以防止有机EL层被来自设备外部的压力损害，从而在良好生产率下实现了具有强大地抵抗外部压力和具有高可靠性的有机EL显示设备。

附图说明

图1为根据现有技术的有机EL显示设备的剖面图。

图2为根据另一个现有技术的有机EL显示设备的剖面图。

图3为根据本发明第一实施例的有机EL显示设备的剖面图。

图4为用于解释图3的有机EL元件形成衬底的制造过程的制造过程中的剖面图。

图5为图4之后的制造过程中的剖面图。

图6为图5之后的制造过程中的剖面图。

图7(a)为沿着图6的线A-A的剖面图，并且图7(b)为沿着图6的线B-B的剖面图。

图8为图4的制造过程中的另一个剖面图。

图9为用于解释根据本发明第二实施例的有机EL元件形成衬底的制造过程的制造过程中的剖面图。

图10为图9之后的制造过程中的剖面图。

图11(a)为沿着图10的线C-C的剖面图，并且图11(b)为沿着图10的线D-D的剖面图。

具体实施方式

下面将参考附图来讲述本发明的一些实施例。为了保证图形的清洁，这些图形示出了图像元件的2×2矩阵结构，并且用来提供TFT电路的TFT结构进行了简化。

图3为根据本发明第一实施例的有机EL显示设备的剖面图。如图3所示，在该实施例的有机EL显示设备中，通过密封部分3将具有发光区域的有机EL元件形成衬底2和具有TFT20的TFT电路形成衬底1在它们周围的边缘部分进行密封，同时通过支持结构18来保持它们之间的特定间隔，其中的发光区域有透明电极10、有机EL层4和阴极11堆放起来用于玻璃、塑料等透明衬底2’之上的每一个图像元件，而其中的TFT20形成用于使有机EL层4发光的图像元件电路，用于驱动TFT20的驱动电路(图中未示出)，从形成于衬底1’之上的TFT20等的源极中引出的互连层(图像元件电极)9。阴极11形成连接区域，用于通过将它的一部分扩展到突出连接结构的上表面来电气连接到互连层9。有机EL元件形成衬底2具有存放湿气吸收剂6的湿气吸收剂存放区域12。湿气吸收剂存放区域12形成于TFT电路形成衬底1的TFT驱动电路的相对位置。用于输入用于选择和驱动TFT的信号的连接端子(未示出)和用于施加在有机EL元件形成衬底2的透明电极10上的阳极等，形成于TFT电路形成衬底之上，并且输入阳极电压从TFT电路形成衬底的特定电极通过形成于有机EL元件形成衬底2之上的凸起14和阳极连接布线13施加于透明电极10上。

要实现形成图像元件电路的TFT20形成于其上的TFT电路形成衬底1，可以使用诸如用于利用激光退火方法或灯退火方法对非晶硅进行微结晶的多晶硅形成技术，利用了半导体制造技术的膜的形成、构图和蚀刻技术等现有技术，以及其他技术。具体地说，例如，通过CVD处理，将内层硅氧化膜21形成于像透明的非碱性玻璃衬底等这种衬底1’之上，并且通过CVD处理，在其上还形成非晶硅膜。

进而，在进行了使用杂质掺杂处理的多晶硅形成处理和激光退火处理等处理之后，通过使用被构图成期望形状并作为掩模的光阻材料的蚀刻处理，在指定的TFT形成区域中形成多晶硅7。接着，形成由例如硅氧化物膜组成的栅绝缘膜(图中未示出)，然后通过构图由溅射方法形成的例如WSi(钨硅化物)膜，在其上形成栅电极8。接着，使用栅电极8作为掩模，通过掺杂来形成TFT20，为多晶硅7提供与通过在第一掺杂处理中掺入的杂质所给定的导电类型相反的导电类型。在TFT20上，通过CVD方法形成由硅氧化物做成的层间膜22，并且通过平版印刷技术和蚀刻技术，在多晶硅TFT的栅极、源极和漏极区上分别形成接触孔(图中仅示出了源极区的接触孔)。进而，在通过溅射方法等形成金属互连铝膜之后，通过使用平版印刷技术和蚀刻技术将其构图成期望形状，形成互连层，从而完成了制造TFT电路形成衬底1的图像元件电路的处理过程。用于驱动图像元件电路等的驱动器电路的制造可以在与制造该图像元件电路同时进行。

接着，参考图4～6来讲述制造有机EL元件形成衬底2的方法。图4～6为平面图，按照用于解释根据该实施例的有机EL元件形成衬底制造方法的制造过程顺序来分布。在图4～6中，等价于图3中那些部件的部件被赋予相同的标号，并且适当省去了对它们的重复性讲述。首先，准备了非碱性玻璃衬底，用于TFT电路形成衬底1或等价于它的透明衬底中，其中事先通过蚀刻方法等形成了湿气吸收剂存放区域12，用于存放湿气吸收剂6。

在通过溅射方法等在该透明衬底2’之上形成ITO等的透明传导膜之后，通过已经公开的平版印刷技术和蚀刻技术进行构图，从而在图像元件区域中形成了具有期望形状的透明电极10，以便以矩阵的形状形成图像元件。接着，在透明衬底2’之上形成突出连接结构5，以便将透明电极10的一部分置于它和透明衬底2’之间。并且同时在透明衬底2’的边缘部分形成支持结构18(图4)。

在该过程中，当通过溅射方法或CVD方法在衬底全部表面上形成了硅氧化物膜之后，再在其上形成被构图成期望形状的光阻材料，并且使用光阻材料为掩模，通过湿蚀刻方法、干蚀刻方法或两种方法的结合来蚀刻硅氧化物膜，从而能够实现这些结构。另外，通过使用在有透明电极10形成于其上的衬底上形成具有期望图案的光敏树脂、并在约200℃的高温惰性气体环境中通过加热来烤硬光敏树脂的方法，也可以实现这些结构。并且如图3所示，形成该页横向上的突出连接结构5的两侧中的至少一侧，使得其由于更加远离透明衬底2’的表面，从而倾斜向突出结构5的内部。这可以通过控制蚀刻条件或更大程度地减少在构图光敏树脂中所使用的掩模的光透射区域的周围部分的透射性能从而更加远离光透射区域的中心来实现。

之后，已经公开作为有机EL元件结构的组成部分的孔注入层、孔透射层、发光层、电子传输层等，根据其必要性依次形成，并且形成有机EL层4，以便连接在该页的横向上相互邻接的突出结构5之间(图5)。该有机EL层4不局限于所述层结构，例如，可以是单个发光层结构。并且，为了实现具有全色显示的有机EL设备，形成了所述发光层，以便通过使用对应于三基色的三种有机EL光发射材料，使每个图像元件发射不同颜色的光。

接着，通过蒸镀技术，为每个图像元件形成了由锂(Li)或锂化合物和铝(Al)组成的阴极11(图6)。如图6所示，每一个图像元件的阴极11独立形成于有机EL层4上，并且扩展覆盖到在该页横向上相互邻接的两个突出连接结构5之一(图6中的右侧那个)的上扁平部分。

此时，阴极11从发光区域扩展到连接区域，以便穿过突出连接结构5的倾斜侧面。这具有改善阴极11连接到突出连接结构5的膜均一性的功能，同时还具有在该页横向上使发光区域和连接区域相互分开的功能。阴极11不仅充当阴极，而且充当布线，用于电气连接到位于突出连接结构5之上的TFT电路形成衬底的互连层。

在形成阴极11的处理过程中，同时以与阴极11相同的材料形成了阳极连接布线13。阳极连接布线13形成电气连接，使得可以为分布于该页的横向上的所有透明电极10施加同样的阳极电压，如图6所示。进而，为了将阳极连接布线13和TFT电路形成衬底1的指定电极电气相互连接起来，在阳极连接布线13之上形成由例如银(Ag)所形成的凸起14。图7示出了沿着图6(a)的线A-A和图6(b)的线B-B的剖面图。在图7中，等价于图6中的组件被赋予相同的标号。

如图3所示的有机EL显示设备是通过完成该实施例的制造过程来完成的，其中该实施例的制造过程是通过使用紫外促硬树脂的密封部分3，在TFT形成表面和有机EL层形成表面相对的情况下，对由上述处理所形成的TFT电路形成衬底1和有机EL元件形成衬底2的外周边缘进行密封来完成的。如图3所示，突出连接结构5距透明衬底2’的表面的高度高于在发光区域中的阴极11距透明衬底2’的表面的高度。并且在与互连层9进行电气连接的连接区域中，形成于从有机EL元件形成衬底2的表面突出出去的突出连接结构5的上表面之上的阴极与互连层9相接触。因此，即使通过从外部向TFT电路形成衬底1施加压力，使其改变形状以接近有机EL元件形成衬底2，有机EL层也不会遭受因为与和它相对的TFT形成衬底发生接触而造成的损害。并且其中形成有有机EL层4的发光区域和用于与TFT电路形成衬底1的互连层9进行电气连接的连接区域在图像元件中相互分开。

并且由于形成的突出连接结构5的形成有阴极11的侧面向着距离透明衬底2’的表面更远的突出连接结构5的内部倾斜，因此连接区域到透明衬底2’表面的垂直投影不与发光区域相重叠。因此，来自外部的压力没到达有机EL层。由于上述因素，该实施例的有机EL层显示设备具有更强的抵抗外部压力的特征。

进而，进行密封处理，以便在两个衬底之间密封的空间被填满经过降压的惰性气体。当有机EL显示设备工作于用户的平常生活环境中时，这一密封空间的压力就总是低于大气的压力。具体地说，密封空间的压力将等于或低于0.7个大气压(＝710hPa)。由于大气的压力与密封空间的压力之间的差别，所述显示设备将保持在其表面被大气的压力均匀地向下按压这一状态。正由于此，在每个图像元件的有机EL元件形成衬底2的突出连接结构5之上形成的阴极11和TFT电路形成衬底1的互连层9之间的电气相互连接保持得很好。

如图4所示的每个图像元件的突出连接结构5不需要被分割开来，而是在该页的垂直方向上可以形成直线的形状。或者可以在该页的横向上将它形成直线的形状，或者形成格子的形状。并且在上面所述中，在制造该实施例的有机EL显示设备之前，事先在透明衬底2’中形成了用于存放湿气吸收剂6的湿气吸收剂存放区域12，该区域12也可以形成于用于形成有机EL层4的任何上述处理过程之间。

并且由于根据本发明实施例的有机EL显示设备的组成使得在所有工作状态和环境中它的内压相对大气压均为负值，因此给整个设备施加了均一的压力，这使得每个图像元件的具有高可靠性能的有机EL元件形成衬底的阴极和TFT电路形成衬底的互连层电气相互连接在一起。

并且由于为本发明的有机EL显示设备提供了湿气吸收剂存放区域，并且进一步提供了沿着衬底周围的凹槽，因此在复合结构的有机EL显示设备中可以保持密封空间的低湿度，进而扩大区域中的密封空间，保持设备内部的低湿度并且将湿气吸收剂的湿气吸收效应均一地扩展到整个的设备内部，并且从而防止了有机EL显示设备在湿度特性方面的恶化。

并且由于为根据本发明实施例的有机EL显示设备提供了高效率的发光结构，因此可以实现高效率的有机EL显示设备。

图9和图10为用于解释根据本发明第二实施例的有机EL元件形成衬底的制造处理顺序的平面视图。图11(a)为沿着图10的线C-C的剖面图，并且图11(b)为沿着图10的线D-D的剖面图。

在图9～11中，等价于图3～6中那些组件的组件被赋予相同的标号，并且适当省去了对它们的重复性讲述。该实施例不同于如图1～4中所述的第一实施例之处在于，为有机EL元件形成衬底2提供了凹槽15，从沿着透明衬底2’周围的湿气吸收剂存放区域12的两端形成；和衍射光栅16，形成于透明电极10和透明衬底2’之间，并且还在于使用粘合剂层17将有机EL元件形成衬底2的阴极11和TFT电路形成衬底1的互连层9粘在一起。

凹槽15是在形成湿气吸收剂存放区域12的同时形成的。通过提供的凹槽15，使有机EL显示设备的密封气体空间更大。在发生来自衬底周围的密封部分的湿气的侵入和/或来自衬底表面的所吸收湿气释放时，绝对数量同样多的湿气使得在更大的密封气体空间中，水蒸气的压力更低。

因此，凹槽15具有防止EL有机层的特性因为湿气而得到恶化的效果。凹槽15具有将湿气吸收剂9的湿气吸收效果在整个的密封气体空间中扩散得更为均匀这一功能。由于此，仅通过在有机EL显示设备的单个位置放置湿气吸收剂，例如，在与有TFT电路形成衬底2的驱动电路形成于其中的某区域的相对位置处，可以有效地将它的湿气吸收效果扩散到整个密封气体空间，而且这样有助于使该设备小型化。

衍射光栅16具有提高来自衬底外部的发光量与来自透明电极10的发光量之比的作用。衍射光栅16是通过例如如下处理过程来实现的。

首先，将光阻材料施加于透明衬底2’，并且通过利用由半镜等所分解的激光束之间的光程差所产生的干涉条纹带形成了间距有几百纳米的条带状或岛状图案。之后，通过干蚀刻技术，使用这种图案的光阻材料作为掩膜，将透明衬底2’蚀刻到期望的图案之中。接着，在除去光阻材料之后，通过诸如CVD方法等膜形成技术，就将诸如例如硅氮化物等折射系数较高的材料形成于透明衬底2’之上的膜中。进而，通过深蚀刻硅氮化物膜的表面或机械抛光硅氮化物膜的表面，使透明衬底2’的表面扁平化，然后在透明衬底2’的表面之上形成所述的反射光栅16。

在形成衍射光栅之后，根据该实施例的有机EL元件形成衬底的制造过程与图4～6的第一实施例的制造过程相同。

也就是说，当在透明衬底2’之上形成了透明电极10和突出连接结构5之后(图9)，形成了有机EL层4、阴极11和阳极连接布线13等，并且布置了凸起14(图10)，并且因此完成了根据该实施例的有机EL元件形成衬底的制造过程。

根据该实施例的TFT电路形成衬底的制造过程与根据第一实施例的TFT电路形成衬底的制造过程完全一样。

该实施例中的密封处理是当在大气压环境中向TFT电路形成衬底1和有机EL元件形成衬底2之间引入惰性气体时进行的，其中为所述的衬底1和2在它们之间均提供了诸如例如各向异性导电膜等导电胶层。由于有机EL元件形成衬底2的突出连接结构5之上的阴极11和TFT电路形成衬底1的互连层9之间用粘合剂层17粘合并电气连接在一起，因此可以保持大气压下有机EL显示设备的密封空间，并且在大气压环境下进行密封操作。

综上所述，根据图11的实施例的有机EL显示设备就实现了。由于该实施例的有机EL显示设备与图3的第一实施例的有机EL显示设备相比具有凹槽15，使得两个衬底之间的空间中的湿度很难上升，因此可以防止有机EL层因湿气的影响而得到恶化，并从而实现了长寿命和高可靠性的有机EL显示设备。

用于有效发射来自衬底外部的有机EL层的光的这种结构(高效发射光结构)不仅局限于如上所述的衍射光栅，而且可以是利用了低粗糙度表面上漫反射的散射层，或者是与例如多孔硅石(硅氧化物)等的透明衬底2’相比具有更低的折射系数的低折射系数层。

尽管上面对本发明的讲述是基于它的优选实施例，但是本发明的有机EL显示设备不仅局限于上述各实施例，在不改变本发明主旨的情况下进行各种修改的任何有机EL显示设备仍旧落在本发明的范围内。例如，该应用的有机EL显示设备不仅局限于有源矩阵类型的液晶显示设备，而且可以是静态驱动类型等的有机EL显示设备。

Claims

1.一种有机场致发光显示设备，包括：

其中，所述连接区域不位于所述发光区域的上面，

2.如权利要求1所述的有机场致发光显示设备，

其中所述连接区域具有带有斜坡的凸出部分。

3.如权利要求1所述的有机场致发光显示设备，

其中，沿着所述第一衬底的周围边缘部分延伸的凹槽从所述凹陷延伸出来。

4.如权利要求1所述的有机场致发光显示设备，

其中在所述第一衬底和所述第二衬底之间的气体空间充满压强等于或低于710hPa的惰性气体。

5.如权利要求1所述的有机场致发光显示设备，

其中所述第一衬底的所述连接区域和所述第二衬底的连接层用粘合剂层粘在一起。

6.如权利要求1所述的有机场致发光显示设备，

其中在与所述第一电极相接触的所述第一衬底的表面上形成衍射光栅、比所述第一衬底具有更低折射系数的低折射系数层、或者用于散射光的光散射层。

7.如权利要求1所述的有机场致发光显示设备，

其中所述发光区域是以二维矩阵形状形成的。