CN100507722C - 共平面开关模式液晶显示器以及其中定向层的制造方法 - Google Patents

共平面开关模式液晶显示器以及其中定向层的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种具有改善图像质量的IPS模式LCD的制造方法。在IPS模式LCD定向层的表面上执行研磨工序后，通过采用掩模在电极周围的台阶部分局部执行偏振或者非偏振光照射。因此可以防止漏光并提高对比度。而且，可以获得高质量的图像，从而提高产品的可靠性。此外，当在研磨后的定向层上照射非偏振光时，不通过任何单独的偏振装置即可获得高图像质量。因此可以简化制造工序并降低制造成本。

Description

共平面开关模式液晶显示器以及其中定向层的制造方法
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器件，尤其涉及一种能够改善LCD(液晶显示器)图像质量的IPS(共平面开关)模式LCD的制造方法以及在其中形成定向层的方法。
背景技术
通常，在用于在屏幕上显示图像数据的显示器件中，阴极射线管(CRT)已经得到了广泛的应用，但是由于其与显示区域相比体积大并且重量重而导致了很多不便。
随着电子工业的发展，原来用途仅限于电视(TV)和监视器的显示器件正在用于个人计算机、笔记本电脑、无线终端、交通仪表面板、电子显示板等。而且，由于信息通信技术的发展，也使得发送大容量的图像信息成为可能。因此，可以处理并显示大容量图像信息的下一代显示器件的重要性逐渐提高。
要求该下一代显示器件实现重量轻、外形薄、亮度高、屏幕尺寸大、功耗低和低造价。在下一代显示器件中，液晶显示(LCD)器件受到更多的关注。
LCD可以比其他平板显示器表现更出色的分辨率并且在实现移动图像方面与CRT相比具有更快的响应时间。
扭曲向列(TN)模式LCD为当前广泛应用的其中一种LCD。在该TN模式LCD中，在两基板上分别形成电极并且排列液晶指向矢从而使其扭曲90°之后，向电极施加驱动电压以驱动该液晶指向矢。
但是，该TN模式LCD具有视角窄的严重缺陷。
近来，为了解决窄视角的问题正在积极研究采用新模式的LCD。作为新模式LCD的实例，提出了共平面开关(IPS)模式LCD、光学补偿双折射(OCB)模式LCD等。
该IPS模式LCD通过在单个基板上形成两个电极并在两个电极之间施加电压而产生水平电场从而在相对于该基板的水平方向上驱动该液晶分子。换句话说，该液晶分子的主轴关于该基板不竖直而是水平旋转。
为此，该IPS模式LCD在根据视觉方向的液晶双折射中具有很小的变化并因此与TN模式LCD相比具有出色的视角特性。
下面参照附图详细说明现有技术的IPS模式LCD。
图1所示为现有技术IPS模式LCD的截面图。
现有技术IPS模式LCD包括第一基板118、第二基板119和插入该第一基板118和第二基板119之间的液晶层130。该第一基板118和第二基板119彼此相对粘结。首先，在第一基板118上沉积金属并对其构图以形成多条栅线和栅极109。该栅极109分支于栅线并设置于薄膜晶体管(TFT)中。
接下来，在所产生的包括栅极109的基板上形成栅绝缘层120。在该栅绝缘层120上形成具有有源层115a和欧姆接触层115b的半导体层115。
在栅绝缘层120上形成数据线110。该数据线110和栅线形成矩阵结构。
这样，在形成数据线110时，同时形成TFT的源极116和漏极117。
沿平行于栅线的方向形成公共线和公共电极113。
在产生的结构上形成钝化层128。
此后，形成像素电极114使其电连接到漏极117并且与数据线110平行。
在产生的结构上形成第一定向层129。
同时，在第二基板上形成黑矩阵121以防止漏光。在该黑矩阵121的开口中形成包括红、绿和蓝色滤色片图案的滤色片层122。
接下来，在该滤色片层上形成涂覆层123从而平整该滤色片层并保护该滤色片层122。
然后，在该涂覆层123上形成第二定向层126。
图2A和2B所示为当现有技术IPS模式LCD分别处于截止状态和导通状态时的截面图。
图2A所示为IPS模式LCD的截止状态。由于没有施加水平电场，因此在该液晶层211中不存在运动。
图2B所示为施加预定电压(即，处于导通状态)时液晶的排列。设置在对应于公共电极113和像素电极114位置的液晶211a不存在相变，但是，由于当在公共电极113和像素电极114之间施加预定电压时由于产生的水平电场K，设置于公共电极113和像素电极114之间的液晶211b沿与水平电场K相同的方向排列。
即，由于液晶沿水平电场方向移动，因此该IPS模式LCD具有宽视角。
图3所示为现有技术IPS模式LCD制造方法的流程图。
在操作S100，制造具有图1所示结构的上、下基板。
在操作S110，执行清洗工序以去除来自形成有多个图案的基板外界的颗粒。在操作S120，采用定向印刷装置在基板上印刷聚酰亚胺(PI)(定向层溶液)。
在操作S130，通过向定向层溶液施加高温加热烘干包含于该溶液中的溶剂，并且然后执行固化工序。
在操作S140，采用研磨器件沿一个方向研磨该固化的定向层表面，从而形成沟槽。
在操作S150，在除液晶注入孔以外的上基板边缘形成粘合剂密封图案。然后，在下基板散布衬垫料。
在操作S160，以几微米的精度彼此相对的粘结两个基板以防止漏光。
在操作S170，将该粘结的基板切割为单元。切割工序包括用于在上下基板上形成线条的划线工序以及通过在划线后的基板上施加外力用于将其分割为单元的折断工序。
在操作S180，液晶通过液晶注入孔注入到切割为单元的两基板之间的间隙中，并且然后密封该注入孔以完成该LCD的制造。
这里，通过液晶分子的排列状态改变其物理特性，并响应诸如电场的外力而发生改变。
由于液晶分子具有该特性，液晶分子排列状态的控制技术对于研究液晶的物理属性和LCD的构造来说是必不可少的。
具体地说，沿一个方向均匀排列液晶分子的研磨工序对于LCD的正常驱动及其均匀显示特性是必不可少的。
以下将详细说明用于确定液晶分子初始排列方向的定向层形成工序。
该定向层的形成包括沉积高聚合体薄层工序和沿一个方向排列定向层的工序。
该定向层由聚酰亚胺基有机材料形成并采用研磨工序排列。
根据该研磨工序，在基板上沉积聚酰亚胺基有机材料并在约60-80℃下挥发其溶剂。其后，在大约80-200℃下固化该沉积的材料以形成定向层。采用诸如丝绒的研磨布沿一个方向研磨该定向层以形成其排列方向。
该研磨工序可以实现容易而稳定的排列工序并因此适用于LCD的批量生产。
但是，当采用包裹有劣质研磨布的辊研磨该定向层时，该研磨工序会产生缺陷。
即，由于通过研磨布和定向层之间的直接接触执行该研磨工序，因此液晶单元可能由于颗粒产生污染。而且，TFT可能由于静电放电而受到损伤，在该研磨工序后需要额外的清洗工序，并且该液晶分子可能在宽屏幕LCD中不均匀排列。因此，会降低LCD的产量。
图4A和4B分别为当在现有技术IPS模式LCD的像素区域中形成诸如像素电极和公共电极的电极图案时在台阶部分中的液晶排列状态的截面图和平面图。
为了改善视角，将超IPS(S-IPS)模式LCD应用于现有的IPS模式LCD中。而且，采用3到4轮掩模工序制造该IPS模式LCD从而减少制造工序的数量。但是，该基板的台阶差异更大并因此在研磨工序期间出现更多的排列缺陷。
在图4A和4B中，由于在构图于下基板的像素电极330上形成定向层351，因此在像素电极330的边缘区域出现台阶差异。
在与下基板相对的上基板上形成滤色片层360和定向层352，并且在上、下基板之间形成液晶层390。
由于出现在像素区域中电极图案边缘内的台阶差异，不能实现良好排列，从而在液晶驱动方面产生问题。
如果该液晶处于常黑模式，当没有施加电压时显示黑色。
但是，在没有施加栅电压时的截止状态，图4A和4B的区域A中出现漏光。
即，在没有施加电压时，该液晶分子必须沿与定向层351和352的研磨方向相同的方向排列。
但是，电极的台阶边缘部分产生具有不同于研磨方向的排列方向的非均匀液层391并且还导致均匀液层392的液晶具有不同于该研磨方向的排列方向。
该非均匀液晶导致光的相位延迟。该相位延迟使得线性偏振光变为椭圆偏振光。该椭圆偏振光引起形成于滤色片层附近的均匀液晶层发生相位延迟，结果产生大的相位延迟。
因此，当在常黑模式没有施加电压时，背光组件的光穿过区域A。这导致在黑色显示状态下漏光并且对比度降低，从而很难实现较高的图像质量。
为了改善视角，S-IPS模式LCD得到应用。而且，采用3-4轮掩模工序制造该IPS模式LCD从而减少了该制造工序的数量。在这些IPS模式LCD中，基板台阶差异的增加导致了排列缺陷的增加。
因此，需要一种用于防止由于台阶边缘部分而导致图像质量下降的显示器件及方法，其可以提高黑色亮度和对比度。
发明内容
因此，本发明涉及一种在IPS模式LCD的制造方法以及在其中形成定向层的方法，其基本上可以消除由于现有技术的局限性和不足产生的一个或者多个问题。
本发明的优点在于提供一种LCD的制造方法以及在其中形成定向层的方法，该方法可以减少由于台阶部分导致的漏光。具体地说，在基板的整个表面上执行研磨工序后，采用非研磨方法的UV(紫外光)照射后处理(post-process)基板的整个表面或者台阶部分，并且通过采用掩模部分地向诸如出现漏光的电极边缘的漏光区域照射光。
本发明的附加优点、目的和特征部分将在以下的描述中得以阐明，一部分通过以下的分析对熟悉本领域的普通技术人员显而易见，或者通过实践本发明来认识它们。本发明的这些优点可通过书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。
为了实现上述和其它优点并根据本发明的目的，作为具体而广泛的说明，本发明提供了一种IPS模式LCD的制造方法，该方法包括：在第一基板上形成栅线和公共线，所述栅线和所述公共线沿水平方向以预定距离彼此间隔；垂直于所述栅线形成数据线；形成平行于所述数据线的多个公共电极，并形成与所述公共电极交叉的像素电极；在包括像素电极的第一基板上形成第一定向层；通过采用研磨工序对所述第一定向层执行主排列工序；用掩模覆盖所述第一定向层，所述掩模具有透光部分和遮光部分；通过在所述掩模上对所述第一定向层照射具有预定能量的光束在所述栅线、数据线、公共电极和像素电极的台阶部分的至少其中之一执行从排列工序；在与所述第一基板相对的第二基板上形成滤色片层和黑矩阵；并在所述第一基板和第二基板之间形成液晶层。
在本发明的另一方面，提供了形成定向层的方法，包括：在具有台阶部分的基板上形成定向层；研磨所述定向层；用掩模覆盖所述定向层；以及在所述掩模上照射光。
可以理解上述的概括性描述和以下的详细说明均为示例性的和解释性的并旨在提供进一步如权利要求所述的本发明的解释。
附图说明
包含用来提供本发明进一步理解并结合进来组成本申请一部分的附图，其示出了本发明的实施方式，并和说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1所示为现有技术IPS模式LCD的截面图；
图2A和2B所示为当现有技术IPS模式LCD分别处于截止状态和导通状态时的截面图；
图3所示为现有技术IPS模式LCD制造方法的流程图；
图4A和4B分别为在现有技术IPS模式LCD的台阶部分中液晶排列状态的截面图和平面图；
图5所示为根据本发明实施方式的IPS模式LCD中阵列基板的平面图；
图6A到6E所示为根据本发明实施方式的IPS模式LCD制造方法的截面图；
图7所示为根据本发明实施方式的IPS模式LCD的台阶部分的截面图；
图8A所示为在根据本发明实施方式的IPS模式LCD中当仅对定向层执行作为主排列工序的研磨时的示意图；
图8B所示为在根据本发明实施方式的IPS模式LCD中当对主排列工序后的定向层执行作为从排列工序的光照射时的示意图；以及
图9到图11所示为用于说明根据本发明的IPS模式LCD效果的照片。
具体实施方式
现在详细说明本发明的实施方式，其实施例在附图中示出。在整个附图中尽可能使用相同的附图标记表示相同或相近的部件。
图5所示为根据本发明实施方式的IPS模式LCD阵列基板的平面图。
在图5中，根据本发明实施方式的IPS模式LCD的阵列基板410包括彼此间隔一定距离并沿一个方向平行设置的多条栅线412，沿一个方向平行于栅线412相邻设置的公共线416，以及与栅线412和公共线416交叉并与栅线412一起限定像素区域P的数据线424。
在栅线412和数据线424的交叉部分形成薄膜晶体管(TFT)。该薄膜晶体管包括栅极414、半导体层(图6的427)、源极426和漏极428。该源极426与数据线424连接，并且栅极414与栅线412连接。
在像素区域P中形成像素电极430和公共电极417。像素电极430与漏极428连接。设置公共电极417与像素电极430平行并与公共线416连接。
像素电极430包括多个垂直部分430b和水平部分430a。该垂直部分430b延伸自漏极428并以预定距离彼此间隔，使得该垂直部分430b平行于数据线424设置。水平部分430a在公共线416上与垂直部分430b连接在一起。
公共电极417包括多个垂直部分417b和水平部分417a。该垂直部分417b从公共线416垂直向下延伸并平行于像素电极430的垂直部分430b交替设置。该水平部分417a与垂直部分417b连接在一起。
在公共线416的部分水平部分417a上形成像素电极430的水平部分430a，在二者之间设置有栅绝缘层(图6的419)。像素电极的430的水平部分430a和公共线416构成存储电容C。
以Z字形结构形成数据线424、像素电极430和公共电极417。
以下将说明图5所示的IPS模式LCD的制造方法。
图6A到6E所示为根据本发明实施方式的IPS模式LCD制造方法的截面图。
在图6A中，在阵列基板410上沉积具有低电阻率的低阻金属以防止信号延迟。然后通过光刻对该低阻金属层构图以形成栅线(图5的412)和分支于栅线412的TFT的栅极414。
该低阻金属可以是铜(Cu)、铝(Al)、铝合金(AlNd)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨化钼(MoW)等。
在形成栅线412和栅极414的过程中，形成公共线(图5的416)和多个公共电极417。该公共线416平行于栅线412设置并且多个公共电极417分支于公共线416。
然后，通过等离子体增强型化学汽相沉积(PECVD)等工序在产生的具有栅线412结构的整个表面上通过沉积无机绝缘材料(例如，氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx))形成栅绝缘层419。
在栅绝缘层419上沉积诸如非晶硅的材料并选择性地去除以在栅绝缘层419上以岛状形成半导体层427。
尽管未示出，通过将杂质离子注入非晶硅中并对其构图可以进一步形成欧姆接触层。
在图6B中，在栅绝缘层419上方的整个表面上沉积诸如铬、铝、铜、钼、钛、钽、钨化钼和铝合金的金属然后采用光刻对其构图从而形成数据线424。数据线424在垂直方向上与栅线412交叉并因此限定像素区域。同时，在半导体层427的两端形成源极426和漏极428。
通过在形成有数据线424的阵列基板410的整个表面上涂敷氮化硅层或者诸如苯并环丁烯的有机绝缘层形成钝化层438。然后，在漏极428形成接触孔(未示出)。
采用透明导电材料(例如，氧化铟锡(ITO)或者氧化锌锡(IZ0))在整个表面上沉积透明导电层然后对其构图以形成多个像素电极430。该多个像素电极430与漏极428连接并设置于与数据线424平行的公共电极417之间。因此，交替设置该像素电极430和公共电极417。
尽管未示出，当像素电极430由金属材料形成时，在形成钝化层438之前，该像素电极430可以在形成数据线424的同时由与数据线424相同的材料形成。
在图6C中，在包括像素电极430的整个表面上形成定向层。通过在基板上印刷聚酰亚胺树脂并烘干形成定向层。该聚酰亚胺树脂具有很好的抗热性并与液晶具有良好的亲和力。然后，采用研磨工序执行主排列工序。
除了聚酰亚胺树脂以外，该定向层材料可以是包括通过UV照射选择性断开其化学键的聚合体，如聚酰亚胺酸、聚乙烯亚胺、聚乙烯醇、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚亚苯基邻苯二酰胺、聚酯、聚亚安酯和聚异丁烯酸甲酯，定向层的材料。
该定向层的介电常数为2到5并且其折射率为1到2。
在图6D中，对经过主排列工序的第一定向层481执行从排列工序。
具体地说，该主排列工序为通过采用研磨布433(例如，丝绒、人造纤维、尼龙等)(如图6C所示)在由聚酰亚胺形成的定向层481上沿一个方向研磨第一定向层481形成排列方向的研磨工序。
然后，通过向研磨后的第一定向层481照射光来执行从排列工序。
所述光可以使用线性偏振光、部分偏振光或者非偏振光。
采用光照射执行主排列工序，然后通过作为从排列工序的研磨工序处理该排列。
此外，可以同时执行主排列工序和从排列工序。
当研磨方向与光排列方向一致时，该排列达到最大化。
这样，通过诸如对已经经过主排列工序的第一定向层481执行光照射的从排列工序可以实现电极部分周围的台阶部分的均匀排列。
此时，用分别具有透光部分440a和540a以及遮光部分440b和540b的掩模覆盖基板时执行从排列工序。
采用掩模440和550的原因在于通过在漏光区域采用该掩模照射紫外光可以最小化侧面缺陷。
因此，可以解决由于侧面缺陷导致的影像残留问题。
参照图7，掩模440和540的透光部分440a和540a对应于出现漏光的台阶部分。
在台阶部分漏光区域的宽度(L)为L＝d/tanθ。
在掩模440和540中的透光部分440a和540a的宽度(a)为a＝L+2M＝d/tanθ+2×M
其中M(掩模边缘的宽度)≤10μm，
Figure C200510132703D00121
(台阶高度)
Figure C200510132703D00122
45°<θ≤90°
这样，采用具有对应于发生漏光的台阶部分的透光区域440a和540a的掩模440和540向基板500照射光。
如上所述，通过向由于主排列工序的研磨工序导致的定向层不均匀的电极530周围台阶部分局部照射光来执行从排列工序，从而消除了由于液晶590扭曲导致的漏光现象。
参照图6E，采用黑色树脂或者具有高反射率的金属(例如，铬或者氧化铬(CrOx))形成黑矩阵473以防止在滤色片基板470上液晶不被控制的栅线、数据线和TFT区域漏光。
然后，通过采用电镀方法、色素分布方法或者涂敷方法在黑矩阵473的开口之间形成用于色彩再现的R、G和B滤色片475，尽管未示出，为了保护滤色片475，可以在包括滤色片475的结构的整个表面上形成涂覆层479。
然后，通过印刷与液晶具有良好亲和力并具有很好感光特性的聚酰亚胺材料在涂敷层479上形成第二定向层477。通过采用与第一定向层481的排列工序和采用掩模进行局部光照射的从排列工序相同的研磨工序形成具有平行于第一定向层481的排列方向的第二定向层477。
然后，在阵列基板410或者滤色片基板470上形成柱状衬垫料(未示出)。采用液晶注入或者液晶滴注方法在阵列基板410或者滤色片基板470的显示区域形成液晶层488。接下来，沿阵列基板410或者滤色片基板470的边缘形成密封部分，并且在真空状态下将列基板410和滤色片基板470粘结在一起。
图8A和8B所示为在根据本发明实施方式的IPS模式LCD中电极部分的液晶排列的平面图。
如图8A和8B所示，在根据本发明的IPS模式LCD的基板600中形成台阶部分的电极630上形成定向层。
这里，电极的台阶高度(d)为
电极的倒锥形角度(θ)为45°<θ<90°。
参照图8A，通过主排列工序在基板600上形成定向层。
在主排列工序中，采用研磨布(例如，丝绒、人造纤维、尼龙)沿一个方向研磨由定向材料(例如，聚酰亚胺)形成的定向层，从而形成排列方向。在研磨台阶差异大于
Figure C200510132703D00132
的电极部分B的边缘的情况下，由于研磨布因为台阶部分不能与台阶部分充分接触因此不能实现排列。而且，因为研磨布在经过该台阶部分时可能出现紊乱，因此排列结构可能不均匀。
因此，如图8B所示，对已经经过主排列工序的定向层执行采用掩模进行光照射的从排列工序。
这样，如果对第一定向层执行诸如光照射的从排列工序，则位于电极部分周围的台阶部分的排列可以变均匀。
此时，光照射能量为0.001-5J/cm2。
在由具有透光部分和遮光部分的掩模覆盖基板的同时执行从排列工序。
该掩模的透光部分对应于发生漏光的台阶部分。
这样，采用具有对应于发生漏光的台阶部分的透光部分的掩模向基板照射光。
因此，通过局部照射围绕于电极周围的台阶部分额外地执行从排列工序，该电极周围的台阶部分由于作为主排列工序的掩模工序导致排列不均匀，从而去除漏光。
此时，研磨方向与光定向层方向一致。
光照射可以使用线性偏振光、部分偏振光和非偏振UV光。
图9到图11所示为用于说明根据本发明的IPS模式LCD效果的照片。图9(a)和9(b)所示为当电极部分的台阶差异为
Figure C200510132703D00141
并且电极圆锥角为60°时在主、从排列工序后漏光程度的照片。
具体地，在图9(a)，由于当执行作为主排列工序的研磨工序时电极部分周围排列不均匀而出现漏光。相反，在图9(b)，当在主排列工序后围绕电极部分局部执行作为从排列工序的光照射时漏光得到明显降低。
图10(a)和10(b)所示为当电极部分的台阶差异为
Figure C200510132703D00142
并且电极圆锥角为35°时在主、从排列工序后漏光程度的照片。
在图10(a)，由于当执行作为主排列工序的研磨工序时电极部分周围排列不均匀出现漏光。相反，在图10(b)，当在主排列工序后围绕电极部分局部执行作为从排列工序的光照射时漏光得到明显降低。
图11(a)和11(b)所示为当电极部分的台阶差异为并且电极圆锥角为75°时在主、从定向工序后漏光程度的照片。
在图11(a)，由于当执行作为主排列工序的研磨工序时电极部分周围排列不均匀出现漏光。相反，在图11(b)，当在主排列工序后围绕电极部分局部执行作为从排列工序的光照射时漏光得到明显降低。
如上所述，在IPS模式LCD的定向层的整个表面上执行研磨工序后，通过采用掩模在电极周围的台阶部分上局部执行偏振和非偏振光照射。因此，可以防止漏光并提高对比度。而且，可以获得很高的图像质量，从而提高产品的可靠性。
此外，当在研磨后的定向层上照射非偏振光时，不需要任何单独的偏振装置即可获得很高的图像质量。因此，可以简化制造工序并降低制造成本。
而且，通过采用掩模向漏光区域照射UV光，可以最小化侧面缺陷并防止图像残留。
显然，对于熟悉本领域的技术人员来说可以对本发明进行各种改进和变型。因而，本发明意在覆盖落入由所附权利要求及其等效物限定的本发明的改进和变型。

Claims (19)

1、一种共平面模式液晶显示器的制造方法，该方法包括：
在第一基板上形成栅线和公共线，所述栅线和所述公共线沿水平方向彼此间隔预定距离；
形成垂直于所述栅线的数据线；
形成平行于所述数据线的多个公共电极，并形成与所述公共电极相交叉的像素电极；
在包括所述像素电极的所述第一基板上形成第一定向层；
通过采用研磨工序对所述第一定向层执行主排列工序；
用掩模覆盖所述第一定向层，所述掩模具有透光部分和遮光部分；
通过在所述掩模上对所述第一定向层照射具有预定能量的光束在所述栅线、数据线、公共电极和像素电极的台阶部分的至少其中之一执行从排列工序；
在与所述第一基板相对的第二基板上形成滤色片层和黑矩阵；以及
在所述第一基板和第二基板之间形成液晶层。
2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述第二基板上形成第二定向层；
通过采用研磨工序对所述第二定向层执行主排列工序；
用掩模覆盖所述第二定向层，所述掩模具有透光部分和遮光部分；
通过对所述掩模照射具有预定能量的光束在所述第二定向层的整个表面上执行从排列工序。
3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述从排列工序中所述具有预定能量的光束为线性偏振光、部分偏振光或非偏振光。
4、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对应于所述台阶部分的位置处形成所述掩模的透光部分。
5、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，掩模中所述透光部分的宽度a为a＝L+2M＝d/tanθ+2×M，其中M、d和θ分别表示掩模边缘的宽度、台阶高度和电极圆锥角。
6、根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述掩模边缘的宽度M为M≤10μm。
7、根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述台阶高度d为
Figure C200510132703C00031
Figure C200510132703C00032
8、根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电极圆锥角为45°<θ≤90°。
9、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光束的照射能量为0.001-5J/cm2。
10、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述定向层具有2到5的介电常数。
11、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述定向层具有1到2的折射率。
12、一种形成定向层的方法，包括：
在具有台阶部分的基板上形成定向层；
研磨所述定向层；
用掩模覆盖所述定向层；以及
向所述掩模照射光。
13、根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述掩模具有透光部分和遮光部分。
14、根据权利要求12或者13所述的方法，其特征在于，所述掩模的透光部分对应于所述台阶部分。
15、根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述定向层由选自由聚酰亚胺酸、聚乙烯亚胺、聚乙烯醇、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚亚苯基邻苯二酰胺、聚酯、聚亚安酯、聚异丁烯酸甲酯组成的组中的材料形成。
16、根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述照射光为线性偏振光、部分偏振光或非偏振光。
17、根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述光照射的能量为0.001-5J/cm2。
18、根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述定向层具有2到5的介电常数。
19、根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述定向层具有1到2的折射率。
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