CN100505304C - 一种氮化镓基场效应管及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种GaN基场效应管，该GaN基场效应管包括：栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通过退火合金形成欧姆接触；在源极和漏极之间的AlGaN外延层上通过刻蚀形成有细的栅槽，在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上淀积有AlN或Al2O3薄膜，所述栅极通过光刻和蒸发形成在栅槽上淀积的AlN或Al2O3薄膜上。本发明同时公开了一种GaN基场效应管的制作方法。利用本发明，有效地解决了AlGaN表面态存在导致器件产生电流崩塌以及栅反向漏电增大的问题。
Description
技术领域
本发明涉及宽禁带半导体材料中场效应管(FET)技术领域，尤其涉及一种氮化镓基场效应管及其制作方法。
背景技术
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料，以其禁带宽度大(3.4eV)、击穿电压高(3.3MV/cm)、二维电子气浓度高(>1013cm2)、饱和电子速度大(2.8 X 107cm/s)等特性在国际上受到广泛关注。目前，AlGaN/GaN HEMT器件的高频、高压、高温以及大功率特性使之在微波功率器件方面有着巨大的前景。
对于常规的用于X波段的GaN HEMT器件，通常的工艺步骤为：
步骤1、电子束直写光刻或者普通光学光刻，形成电子束对准标记，蒸发标记金属；
步骤2、电子束直写或者直接普通光学光刻源漏图形，并蒸发源漏金属；
步骤3、退火，使源漏金属与衬底材料形成良好的欧姆接触；
步骤4、有源区隔离；
步骤5、电子束直写制作栅线条；
步骤6、蒸发栅金属；
步骤7、金属布线；
步骤8、制作空气桥；
步骤9、测试分析。
虽然铝镓氮/氮化镓(AlGaN/GaN)HEMT器件的性能近年来得到了长足的进展，尤其在高频大功率方面，但是仍有很多问题没有解决，关键的两个问题是电流崩塌效应和栅反向漏电增大。
研究发现，这两个现象都和AlGaN的表面态有直接的关系。由于材料生长的限制，AlGaN的表面态问题一直没有得到完善的理论支持与很好的工艺手段抑制，这严重影响了了器件的可靠性；同时，由于表面态的存在大大增加了器件的栅漏电，栅漏电不仅会导致击穿电压降低、跨导、截止频率和最大频率的降低；同时，由于引入了很大的噪声，会带来大的功率损耗以及效率的降低，影响器件的可靠性。在材料生长尚不能解决这个问题的情况下，只能引入特殊的工艺来改善。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的一个目的在于提供一种GaN基场效应管，以解决AlGaN表面态存在导致器件产生电流崩塌以及栅反向漏电增大的问题。
本发明的另一个目的在于提供一种GaN基场效应管的制作方法，以解决AlGaN表面态存在导致器件产生电流崩塌以及栅反向漏电增大的问题。
(二)技术方案
为达到上述一个目的，本发明提供了一种氮化镓基场效应管，该氮化镓基场效应管包括：
栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，
栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层铝镓氮AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通过退火合金形成欧姆接触；
在源极和漏极之间的AlGaN外延层上通过刻蚀形成细的栅槽，在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上淀积有氮化铝AlN或氧化铝Al2O3薄膜，所述栅极通过光刻和蒸发形成在栅槽上淀积的AlN或Al2O3薄膜上。
所述衬底材料由下至上依次包括蓝宝石衬底、氮化镓GaN和AlGaN外延层三层结构；其中，蓝宝石衬底，用于作为生长GaN外延层的衬底材料；AlGaN/GaN外延层结构，AlGaN外延层和GaN外延层间形成异质结，产生高浓度的二维电子气，提供大的电流密度和功率输出能力。
所述栅极为T型栅极。
为达到上述另一个目的，本发明提供了一种GaN基场效应管的制作方法，该方法包括：
A、对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成电子束对准标记，蒸发标记金属；
B、对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成源漏图形，并蒸发源漏金属；
C、退火合金，将源漏金属与衬底材料形成欧姆接触，形成源极和漏极；
D、有源区离子注入隔离；
E、刻蚀衬底材料顶层的AlGaN外延层形成栅槽；
F、在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上生长AlN或Al2O3薄膜；
G、光学光刻栅极图形，蒸发栅极金属，形成栅极；
H、金属布线，形成GaN基场效应管。
步骤A中所述采用的光刻方法为电子束直写光刻，或为普通光学光刻；
步骤B中所述采用的光刻方法为普通光学光刻方法。
步骤C中所述退火温度为750至830℃。
步骤E中所述栅槽尺寸为0.25μm。
步骤F中所述AlN或Al2O3薄膜的厚度为10。
该方法进一步包括：I、对形成的GaN基场效应管进行测试分析。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
1、利用本发明，由于栅极金属与AlGaN外延层之间有一层AlN或Al2O3薄膜，AlN或Al2O3薄膜起到了钝化表面态的作用，使得GaN基场效应管工作时，由表面态俘获电子的缺陷辅助隧穿几率减少，同时也降低了材料位错导致的漏电渠道，消除了栅——漏区域的虚栅，减小了表面态的密度，该GaN基场效应管在X波段连续波输出时基本没有电流崩塌现象，有效地解决了AlGaN表面态存在导致器件产生电流崩塌以及栅反向漏电增大的问题。
2、由于在制作GaN基场效应管时首先采用了挖栅槽的工艺，淀积介质后在在栅槽上形成了T型栅，该种结构减小了栅边缘的电场，有效提高了击穿电压；AlGaN层厚度的减小，提高了器件的增益。
3、由于AlN或者Al2O3介质层的引入增大了栅—源电阻，该GaN基场效应管的线性度明显优于AlGaN/GaN HEMT器件。
4、电流崩塌现象的消除提高了GaN基场效应管工作的可靠性。
5、本发明提供的这种GaN基场效应管的制作方法适用于各种衬底的AlGaN/GaN外延材料体系。
附图说明
图1为本发明提供的GaN基场效应管的结构示意图；
图2为本发明提供的制作GaN基场效应管总体技术方案的实现流程图；
图3为依照本发明实施例制作GaN基场效应管工艺流程的示意图；
图4为依照本发明实施例制作的GaN基场效应管的能带示意图；
图5为依照本发明实施例制作的GaN基场效应管的肖特基特性示意图；
图6为依照本发明实施例制作的GaN基场效应管的击穿特性示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图1所示，图1为本发明提供的GaN基场效应管的结构示意图，该GaN基场效应管包括：栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层铝镓氮(AlGaN)外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通过退火合金形成欧姆接触。在源极和漏极之间的AlGaN外延层上通过刻蚀形成细的栅槽，在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上淀积有氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)薄膜，所述栅极通过光刻和蒸发形成在栅槽上淀积的AlN或Al2O3薄膜上。
所述衬底材料由下至上依次包括蓝宝石衬底、GaN和AlGaN外延层三层结构；其中，蓝宝石衬底用于作为生长GaN外延层的衬底材料，AlGaN外延层和GaN外延层间形成异质结，产生高浓度的二维电子气，提供大的电流密度和功率输出能力。对于蓝宝石衬底，由于GaN单晶生长困难，无法进行同质外延，采用蓝宝石作为GaN外延片的衬底材料。
所述栅极为T型栅极。
基于图1所示的GaN基场效应管的结构示意图，图2示出了为本发明提供的制作GaN基场效应管总体技术方案的实现流程图，该方法包括以下步骤：
步骤201：对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成电子束对准标记，蒸发标记金属；
步骤202：对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成源漏图形，并蒸发源漏金属；
步骤203：退火合金，将源漏金属与衬底材料形成欧姆接触，形成源极和漏极；
步骤204：有源区离子注入隔离；
步骤205：刻蚀衬底材料顶层的AlGaN外延层形成栅槽；
步骤206：在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上生长AlN或Al2O3薄膜；
步骤207：光学光刻栅极图形，蒸发栅极金属，形成栅极；
步骤208：金属布线，形成GaN基场效应管。
上述步骤201中所述采用的光刻方法为电子束直写光刻，或为普通光学光刻。
上述步骤202中所述采用的光刻方法一般为普通光学光刻方法。
上述步骤203中所述退火温度为750至830℃。
上述步骤205中所述栅槽尺寸为0.25μm。
上述步骤206中所述AlN或Al2O3薄膜的厚度为10。
上述步骤207中所述栅极图形的尺寸为0.8μm。
该方法在步骤208形成微波功率器件之后还进一步包括：
步骤209：对形成的GaN基场效应管进行测试分析。
基于图1所示的GaN基场效应管的结构示意图，以及图2所示的制作GaN基场效应管总体技术方案的实现流程图，以下结合具体的实施例对本发明制作GaN基场效应管的方法进一步详细说明。
实施例
如图3所示，图3为依照本发明实施例制作GaN基场效应管工艺流程的示意图，该方法包括以下步骤：
步骤301：采用电子束直写光刻或普通光学光刻对衬底材料进行光刻，形成电子束对准标记，蒸发标记金属。
步骤302：采用普通光学光刻方法对衬底材料进行光刻，形成源漏图形，并蒸发源漏金属。
步骤303：在750至830℃条件下退火合金，将源漏金属与衬底材料形成良好的欧姆接触，形成源极和漏极。
上述步骤302和303的具体工艺流程如图3中(a)所示。
步骤304：有源区离子注入隔离；
本步骤的具体工艺流程如图3中(b)所示。
步骤305：干法刻蚀衬底材料顶层的AlGaN外延层形成栅槽；
本步骤的具体工艺流程如图3中(c)所示。
步骤306：在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上生长厚度为10AlN或Al2O3薄膜；
本步骤的具体工艺流程如图3中(d)所示。
步骤307：光学光刻0.8μm栅极图形，蒸发栅极金属，形成栅极；
本步骤的具体工艺流程如图3中(e)所示。
步骤308：金属布线，形成GaN基场效应管。
步骤309：对形成的GaN基场效应管进行测试分析。
在对形成的GaN基场效应管进行测试分析时，对该GaN基场效应管进行直流测试，从图5所示的肖特基特性测试曲线可以看出，肖特基反向漏电明显减少，其数值比相同外延材料的AlGaN/GaN HEMT器件肖特基反向漏电下降了3个数量级。同时，提高了肖特基的势垒高度，正向开启电压增加。这是由于AlN层或者Al2O3层起到了钝化表面态的作用，使得GaN基场效应管工作时，由表面态俘获电子的缺陷辅助隧穿几率减少，同时也降低了材料位错导致的漏电渠道。
栅——漏间的栅结构类似于场版结构，减小了栅边缘的电场，有效提高了器件的击穿电压。从图6所示的击穿电压测试可以看出，在沟道被夹断的情况下，GaN基场效应管的栅——漏击穿电压大于100V。这一特性可以使得GaN基场效应管可以在更大的电压下工作，提高了功率输出的潜力。
由于在制作GaN基场效应管时采用了挖栅槽的工艺，减小了栅下AlGaN层的厚度，提高了器件的增益。
在功率输出方面，由于AlN或者Al2O3介质层的引入增大了栅—源电阻，该GaN基场效应管的线性度明显优于AlGaN/GaN HEMT器件。象上面提到的，这一层AlN或者Al2O3介质层起到了钝化的作用，消除了栅—漏区域的虚栅，减小了表面态的密度，该GaN基场效应管在X波段连续波输出时基本没有电流崩塌现象，提高了GaN基场效应管工作的可靠性。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1、一种氮化镓基场效应管，其特征在于，该氮化镓基场效应管包括：
栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，
栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层铝镓氮AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通过退火合金形成欧姆接触；
在源极和漏极之间的AlGaN外延层上通过刻蚀形成0.25μm的栅槽，在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上淀积有氮化铝AlN或氧化铝Al2O3薄膜，所述栅极通过光刻和蒸发形成在栅槽上淀积的AlN或Al2O3薄膜上。
2、根据权利要求1所述的氮化镓基场效应管，其特征在于，所述衬底材料由下至上依次包括蓝宝石衬底、氮化镓GaN外延层和AlGaN外延层三层结构；其中，
蓝宝石衬底，用于作为生长GaN外延层的衬底材料；
AlGaN/GaN外延层结构，AlGaN外延层和GaN外延层间形成异质结。
3、根据权利要求1所述的GaN基场效应管，其特征在于，所述栅极为T型栅极。
4、一种GaN基场效应管的制作方法，其特征在于，该方法包括：
A、对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成电子束对准标记，蒸发标记金属；
B、对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成源漏图形，并蒸发源漏金属；
C、退火合金，将源漏金属与衬底材料形成欧姆接触，形成源极和漏极；
D、有源区离子注入隔离；
E、刻蚀衬底材料顶层的AlGaN外延层形成栅槽；
F、在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上生长AlN或Al2O3薄膜；
G、光学光刻栅极图形，蒸发栅极金属，形成栅极；
H、金属布线，形成GaN基场效应管。
5、根据权利要求4所述的GaN基场效应管的制作方法，其特征在于，
步骤A中所述采用的光刻方法为电子束直写光刻，或为普通光学光刻；
步骤B中所述采用的光刻方法为普通光学光刻方法。
6、根据权利要求4所述的GaN基场效应管的制作方法，其特征在于，步骤C中所述退火温度为750至830℃。
7、根据权利要求4所述的GaN基场效应管的制作方法，其特征在于，步骤E中所述栅槽尺寸为0.25μm。
8、根据权利要求4所述的GaN基场效应管的制作方法，其特征在于，步骤F中所述AlN或Al2O3薄膜的厚度为
。
9、根据权利要求4所述的GaN基场效应管的制作方法，其特征在于，该方法进一步包括：
I、对形成的GaN基场效应管进行测试分析。
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Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5506036B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-05-28 | 古河電気工業株式会社 | 半導体トランジスタ |
| CN103681831B (zh) * | 2012-09-14 | 2017-02-08 | 中国科学院微电子研究所 | 高电子迁移率晶体管及其制造方法 |
| CN107230620A (zh) * | 2016-03-25 | 2017-10-03 | 北京大学 | 氮化镓晶体管的制备方法 |
| CN107230707A (zh) * | 2016-03-25 | 2017-10-03 | 北京大学 | 半导体器件及制造方法 |
| CN106409921A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-02-15 | 电子科技大学 | 一种横向恒流二极管 |
| CN106784073A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 苏州爱彼光电材料有限公司 | 电光器件 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1419713A (zh) * | 2000-02-04 | 2003-05-21 | 美商克立光学公司 | 具减低捕捉之三族氮化物基础场效晶体管和高电子移动晶体管及其制造方法 |
| WO2006012293A1 (en) * | 2004-06-28 | 2006-02-02 | Nitronex Corporation | Gallium nitride structures includiing isolation regions |
| CN1748320A (zh) * | 2002-12-16 | 2006-03-15 | 日本电气株式会社 | 场效应晶体管 |
-
2006
- 2006-09-22 CN CNB2006101278679A patent/CN100505304C/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1419713A (zh) * | 2000-02-04 | 2003-05-21 | 美商克立光学公司 | 具减低捕捉之三族氮化物基础场效晶体管和高电子移动晶体管及其制造方法 |
| CN1748320A (zh) * | 2002-12-16 | 2006-03-15 | 日本电气株式会社 | 场效应晶体管 |
| WO2006012293A1 (en) * | 2004-06-28 | 2006-02-02 | Nitronex Corporation | Gallium nitride structures includiing isolation regions |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 0.25μm Gate-Length AlGaN/GaN Power HEMTs onSapphire with ft of 77 GHz. 郑英奎，刘果果，和致经，刘新宇，吴德馨.半导体学报，第27卷第6期. 2006 * |
| 10-W/mm AlGaN–GaN HFET With a Field Modulating Plate. Y. Ando,Y. Okamoto, H. Miyamoto, T. Nakayama, T. Inoue,and M. Kuzuhara.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,Vol.24 No.5. 2003 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101150144A (zh) | 2008-03-26 |
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