CN100498537C - 光刻装置，器件制造方法 - Google Patents

Abstract

一种光刻装置，包括用于提供辐射投影束的照明系统，用于支撑将图案传给投影束的构图结构的支撑结构，用于支持晶片的基板台和用于将构图射束投影到晶片的目标部位的投影系统。为了控制在晶片上的辐射剂量以提高晶片的生产量，提供可变衰减器，以便改变投影束的强度而不改变射束的位置。可变衰减器包括两个平行设置的反射镜，使得辐射输入射束入射到第一反射镜，辐射被第一反射镜朝第二反射镜反射，辐射被第二反射镜反射以产生所需强度的辐射输出射束以输入到照明系统；以及包括用于倾斜反射镜的机制，使得反射镜保持彼此平行，并且改变射束在反射镜上的入射角，以便改变输出射束的强度。这允许连续改变投影束的强度而不改变射束的位置。

Description

光刻装置，器件制造方法

技术领域

本发明总体而言涉及光刻装置、器件制造方法，更具体地涉及具有可变衰减器的光刻装置。

背景技术

光刻装置是一种将期望图案施加到基板目标部位的机器。例如，光刻装置能够用于制造集成电路(IC)。在这种情况下，构图结构(另称为掩模或分划板(reticle))可以用于形成对应于IC各层的电路图案，这个图案能够成像到具有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的基板(例如，硅晶片)的目标部位(例如，包括一个或几个小片部分)。通常，单基板(single substrate)包含由相邻目标部位构成的网络，这些目标部位相继被曝光。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部位而辐射每个目标部位，还包括所谓的扫描仪，其中通过投影束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基板，辐射每个目标部位。

提供照明系统，用于接收来自辐射源的辐射束并供给调节的辐射束(称为投影束)，辐射束在其横截面具有期望的均匀性和强度分布，用于由分划板构图。例如当源是等离子体放电源时，该源和光刻装置可以整体分开。在这种情况下，不认为源形成部分光刻装置，并借助于例如包括合适的聚集反射镜和/或光谱纯度滤光器的辐射聚集器，辐射束通常从源传到照明系统。在另一种情况下，例如当源是水银灯时，源可以是装置的整体部分。

照明系统可以包括用于调整射束角度强度分布的元件。通常，至少能够调整在照明器光瞳面中强度分布的外部和/或内部辐射延伸(通常分别称为σ—外部和σ—内部)。照明系统也可以包括用于改变投影束整个强度的衰减器，以便控制在晶片上的辐射剂量，例如，当在多重扫描过程中源的强度偏移时，能够使在晶片上的剂量保持不变，或当保持扫描速度不变时，在扫描图像过程中改变在晶片上的剂量。但是，用于该应用的公知衰减器趋于不利地影响照明系统的其余操作，例如通过改变照明光束的位置，和/或难以用这种方式控制以便精确调整在晶片上的剂量，和控制辐射剂量的调整速度，从而不利地影响晶片的生产量和收益。

提供具有三个分离区的叶片形成的衰减器是公知的，三个分离区的每一个具有不同透射性能，衰减器可调整以便每次移动一个区进入辐射路径，以便根据叶片的位置允许三个不同离散水平的衰减。但是，基于这种剂量的变化，仅仅使用三个不同衰减水平以及对应于移出辐射路径的叶片提供没有衰减器的第四水平，不足以保持在晶片上要求的高剂量精度和晶片的高产量。除了这种衰减器不提供连续可变的衰减水平之外，因为衰减器叶片的复杂性或气体单元很差的冷却能力，它们具有冷却复杂的缺陷。而且，在射束中使用的叶片不利地影响确定系统性能的某些因素，例如投影束的均匀性。

发明内容

根据本发明的一个方面提供一种光刻装置，包括用于提供辐射投影束的照明系统，用于支撑将图案传给投影束的构图结构的支撑结构，用于支持基板的基板台，和用于将构图射束投影到基板的目标部位的投影系统，其中照明系统包括可变衰减器，可变衰减器包括两个平行的反射表面，定位成使得辐射输入射束入射到第一反射表面，再被第一反射表面朝第二反射表面反射，辐射被第二反射表面反射以产生所需强度的辐射输出射束；和用于倾斜反射表面的倾斜装置，使得反射表面保持彼此平行，并且改变射束在反射表面的入射角，以便在不改变输出射束的位置的情况下，改变输出射束的强度。

使用这种可变衰减器使得在晶片上的辐射剂量被精确地控制，而基本上没有不利地影响其它性能参数，例如，装置的均匀性和/或远心性，同时保持晶片的高生产量。更具体地说，无论输入射束是会聚、发散或平行，衰减器都允许投影系统不改变射束位置地连续改变投影束的强度。而且，根据来自定位成监视晶片接收剂量的剂量监视传感器的输出，能够控制衰减器。另外，反射镜的背面可以简单方式冷却，以抵消高衰减率的热吸收。这样让大部分热负荷相对较简单地被吸收，并因此降低光学成本，这样使得装置的设计更简单并且成本更有效。

在一个实施例中，反射表面具有反射射束的平面反射表面。但是，其它形状的反射镜的反射表面也在本发明的范围内，例如在输入射束传播方向弯曲的表面。

在本发明的一个实施例中，反射表面相对输入射束设置，使得辐射以大约25和60度之间的角度入射到反射表面。这个实施例可以用于要求相当高衰减程度的应用。

在本发明的另一实施例中，反射表面相对输入射束设置，使得辐射以高达25度的相切入射角入射到反射表面。在这个实施例中，与比前述实施例较大入射角的情况相比，具有更少的辐射衰减，但是，可以获得例如高达96％的较高的最大透射。

而且，反射表面相对入射射束设置，使得辐射聚焦在反射表面之间的点。与聚焦不在两个反射表面之间的情况相比，它让反射表面尺寸减小，这是有利的，特别是当利用小相切入射角时或当射束具有大的横截面时。可替换地，反射表面相对输入射束设置，使得辐射聚焦在第二反射表面之外的点或在第一反射表面前面的点。

为了提高它们的反射率，反射表面可以具有单层涂层或可能具有分级的多层涂层。在许多情况下，单层涂层是有用的，因为在小入射角下有相当较高的反射。

在有些实施例中，设置致动器，以对于不同衰减设置，在倾斜反射表面的同时，沿相反方向实现反射表面的移动，以便保持输出射束基本上在相同的位置。在衰减器调整过程中，这种移动可以抵消虚焦点的任何移动。可以使用多个不同的机制来一致地实现反射表面的倾斜和移动。

在另一实施例中，设置照明系统以接收来自辐射源的辐射，和当反射表面倾斜时，提供致动器用于移动源的位置，以便对于不同的衰减设置保持射束聚焦的虚焦点基本上在相同的位置。

当投影束中的辐射具有在EUV范围(即，在大约5nm和大约20nm之间)中的波长时，发现上述的结构特别有益，但是也应该明白本发明可以结合任何波长的辐射使用。

根据本发明的另一方面，提供一种器件的制造方法，包括提供基板，利用照明系统提供辐射投影束，利用构图结构将图案传给投影束，传输辐射构图射束经过投影系统，从而将它投影到基板的目标部位，和通过设置两个平行反射表面来改变由照明系统供应的辐射投影束的强度，使得辐射输入射束入射到第一反射表面，再被第一反射表面朝第二反射表面反射，辐射被第二反射表面反射以产生所需强度的辐射输出射束，和倾斜反射表面，使得反射表面基本保持彼此平行，并且改变在反射表面上的辐射入射角，从而不改变输出射束的位置地改变输出射束的强度。

本发明还提供可变衰减器，衰减器包括两个平行设置的反射表面，使得辐射输入射束入射到第一反射表面，再被第一反射表面朝第二反射表面反射，辐射被第二反射表面反射以产生所需强度的辐射输出射束，以及包括致动器，该致动器构造和设置成倾斜反射表面，使得反射表面保持彼此平行，并且改变在反射表面上的射束入射角，从而不改变输出射束的位置地改变输出射束的强度。

尽管在本文中具体涉及在制造IC时光刻装置的使用，应该理解在此描述的光刻装置有其它应用，例如，集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的导向和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域的技术人员明白，在这些可替换应用的上下文中，这里使用的术语“晶片”或“小片(die)”可以被认为是分别与更常用的“基板”或“目标部位”同义。这里所称的基板可以在曝光前或曝光后处理，例如在轨道(一般施加抗蚀剂层到基板并显影曝光的抗蚀剂的工具)或者计量或检查工具中。在可应用之处，在此的公开可以应用到这种和其它的基板处理工具。另外，例如基板可以处理不止一次，以便形成多层IC，这里使用的术语基板也是指已经包含多层处理层的基板。

这里使用的术语“辐射”和“射束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，波长为365、248、193、157或126nm)和极紫外线(EUV)辐射(例如，波长在5—20nm范围内)，以及粒子束，例如离子束或电子束。

这里使用的术语“构图装置”或“构图结构”应广义地解释为是指能够用于对投影束在其横截面上传给图案以便在基板的目标部位产生图案的器件。应该注意，传给投影束的图案可能不是非常符合在基板目标部位的期望图案。通常，传给投影束的图案符合目标部位中产生的器件中的特殊功能层，例如，集成电路。

构图结构可以是透射的或反射的。构图结构的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，并包括掩模的类型，例如，二元的、交替相移和衰减相移，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜矩阵排列，每个小反射镜能单独倾斜，以便沿不同方向反射入射辐射束；以这种方式，反射射束被构图。

支撑结构支撑构图结构，即，承受构图结构的重量。它以取决于构图结构的方向、光刻装置的设计和其它条件(例如，构图结构是否保持在真空环境中)的方式来支撑构图结构。支撑可以使用机械箝位、真空或其它箝位技术，例如在真空条件下的静电箝位。例如，支撑结构可以是架或台，其按要求可以是固定的或可移动的，并且可以保证构图结构在期望的位置，例如相对投影系统。这里使用的术语“分划板”或“掩模”被认为与更常用的术语“构图结构”同义。

这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括各种类型的投影系统，包括折射光学系统、反射光学系统和反射折射光学系统，例如，适于使用的曝光辐射或适于其它因素，例如浸入液体的使用或真空的使用。这里使用术语“透镜”被认为与更常用的术语“投影系统”同义。

照明系统还包括各种类型的光学元件，包括折射、反射和反射折射光学元件，用于导向、成形或控制辐射投影束，这种元件在下面总地或单独地也称为“透镜”。

光刻装置可以是具有两个(双级)或多个基板台(和/或两个或多个掩模台)的类型。在这种“多级”机器中可以平行使用附加台，或者当一个或多个其它台用于曝光时，在一个或多个台上进行预备步骤。

光刻装置还可以是这种类型，其中基板浸入具有相对较高折射率的液体中(例如，水)，以便充满投影系统的最后元件与基板之间的空间。浸入液体还可以施加到光刻装置中的其它空间，例如在掩模和投影系统的第一元件之间。浸入技术在本领域公知用于增加投影系统的数值孔径。

附图说明

现在，仅仅通过示例参照附图来描述本发明的实施例，其中相同的附图标记表示相同的部件，其中：

图1示意性地示出典型的光刻装置；

图2和图3示意性地示出本发明用于极紫外线(EUV)辐射的两个实施例；

图4(a)和4(b)和5(a)和5(b)是说明图；

图6示出可以用于本发明实施例的反射镜调整机制；和

图7是对于不同涂层反射率作为角度函数的曲线图。

具体实施方式

虽然下列描述涉及本发明的具体实施例，但应该理解除了下面描述的实施例之外，也可以实现本发明。描述并不限定本发明。

图1示意性地描述典型的光刻装置。该光刻装置包括：

-用于提供辐射(例如，UV或EUV辐射)投影束PB的照明系统IL。

-第一支撑结构(例如，掩模台)MT，用于支撑构图结构(例如，掩模)MA和连接第一定位装置PM以用于相对项目PL精确定位构图结构；

-基板台(例如，晶片台)WT，用于支持基板(例如，涂敷抗蚀剂的晶片)W和连接第二定位装置PW以用于相对项目PL精确定位基板；和

-投影系统(例如，反射投影透镜)PL，用于将通过构图结构MA将传给投影束PB的图案成像到基板W的目标部位C(例如，包括一个或多个小片)上。

如上所述，该装置是反射型的(例如，采用上面所述类型的反射掩模或可编程反射镜阵列)。可替换地，该装置可以是透射型的(例如，采用透射掩模)。

照明系统IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如，当源是等离子体放电源时，该源和光刻装置可以是单独实体。在这种情况下，不认为源形成部分光刻装置，并且借助于例如包括合适的聚集反射镜和/或光谱纯度滤光器的辐射聚集器，辐射束通常从源SO传输到照明系统IL。在另一种情况下，例如当源是水银灯时，源可以是装置的组成部分。源SO和照明系统IL可以称为辐射系统。

照明系统IL可以包括用于调整射束角度强度分布的元件。通常，至少能够调整在照明器光瞳面中强度分布的外部和/或内部径向延伸(通常分别称为σ—外部和σ—内部)。照明系统提供调节的辐射束(称为投影束PB)，辐射束在它的横截面具有期望的均匀性和强度分布。

投影束PB入射到支持在掩模台MT上的掩模MA上。被掩模MA反射后，投影束PB通过透镜PL，透镜PL将射束聚焦到基板W的目标部位C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉测量器件)，基板台WT能精确地移动，例如，以便在射束PB的路径上设置不同的目标部位C。类似地，第一定位装置PM和位置传感器IF1能用于相对射束PB的路径精确定位掩模MA，例如，在从掩模库中机械检索之后或在扫描期间。通常，借助于长冲程模块(粗定位)和短冲程模块(精确定位)来实现对象台MT和WT的移动，长冲程模块和短冲程模块形成定位装置PM和PW的部件。但是，在步进器(与扫描器相反)的情况下，掩模台MT仅连接短冲程致动器或被固定。掩模MA和基板W利用掩模对准掩模M1、M2和基板对准掩模P1、P2对准。

描述的装置能够用于下列优选模式：

1.步进模式，当传给投影束的整个图案一次(即，单静态曝光)投影到目标部位C上时，掩模台MT和基板台WT基本保持不动。然后，基板台WT沿X和/或Y方向移动，使得不同目标部位C能被曝光。在步进模式中，曝光范围的最大尺寸限制在单静态曝光中成像的目标部位的尺寸。

2.扫描模式，当传给投影束的图案投影到目标部位C上(即，单动态曝光)时，掩模台MT和基板台WT被同步扫描。基板台WT相对掩模台MT的速度和方向取决于投影系统PL的放大率(缩小率)和图像反转特性。在扫描模式中，曝光范围的最大尺寸限制单动态曝光中的目标部位宽度(沿非扫描方向)，而扫描动作的长度决定目标部位的高度(沿扫描方向)。

3.另一种模式，当传给投影束的图案投影到目标部位C上时，掩模台MT基本保持不动地支持可编程构图结构，并且基板台WT被移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在基板台WT的每次移动之后或在扫描期间连续辐射脉冲之间，可编程构图结构按要求更新。这种工作模式容易应用于利用可编程构图结构的无掩模光刻，例如上面所述类型的可编程反射镜阵列。

也可以采用对上述使用模式的组合和/或变化或者完全不同的使用模式。

图2示出根据本发明实施例的EUV光刻装置的侧视图。应该注意，尽管结构不同于图1所示装置的结构，但工作原理相似。该装置包括源聚集器模块或辐射单元3、照明系统IL和投影系统PL。辐射单元3具有利用气体或蒸汽的辐射源LA，例如其中产生非常热的放电等离子体的Xe气体或Li蒸汽，以便在电磁辐射光谱的EUV范围内发射辐射。通过使部分电离的放电等离子体塌陷到光轴O上来产生放电等离子体。要求0.1mbar部分压力的Xe、Li蒸汽或任何其它合适的气体或蒸汽，以用于有效生成辐射。从辐射源LA发射的辐射通过气体屏障结构或“箔陷阱”9从源腔7进入聚集腔8。气体屏障结构包括例如在EP-A-1 233 468和EP-A-1 057 079中详细描述的通道结构，其在此并入作为参考。

聚集腔8包括例如由相切入射聚集器形成的辐射聚集器10。经过聚集器10的辐射被可变衰减器A的两个平行反射镜21和22反射，以在聚集腔8的孔处的虚源点12处聚焦。从聚集腔8，投影束16被照明系统IL内的普通入射反射器13、14反射到位于掩模台MT上的分划板或掩模上。构图射束17被形成，其通过投影系统PL的反射元件18、19成像到基板台WT上。在照明系统IL和投影系统PL中可以有比示出元件更多的元件。

当输入到可变衰减器A的辐射束发散时，衰减器A的反射镜21和22用于将辐射聚焦在第二反射镜22之外的虚源点12。在未示出的实施例中，辐射束聚焦在两个反射镜前面的点上。另外，图3示出一个可替换实施例，其中输入辐射束的发散使得射束聚焦在反射镜21和22之间的点12，因为它允许使用的反射镜的较小的反射表面，所以这是有利的，从而简化反射镜的生产并使它们能更便宜。

能够以一种方式改变衰减器A的射束衰减程度，这种方式现在将参照图4(a)和4(b)的示例性视图更详细描述，示出衰减器在4(a)的第一衰减位置，以及在调整衰减器A之后，在4(b)的第二衰减位置。由于射束以更大的角度入射到反射镜21和22的反射表面、使得更少比例的辐射被反射镜反射(和更大比例被反射镜吸收和作为热量弥散)的事实，因此射束被衰减器A衰减的程度在第二衰减位置4(b)大于第一衰减位置4(a)。在4(b)的虚线还示出在所述调整前反射镜21和22的位置，从而能够清楚地看到反射镜在两个位置之间的移动程度。在这点上能够看出每个反射镜21和22均沿逆时针方向旋转角度α，同时每个反射镜21和22均移动距离x，反射镜沿相对于输出射束传播方向的不同方向移动。在两个调整位置4(a)和4(b)中，射束聚焦在反射镜21和22之间的相同点12，并且输出射束沿基本上相同的路径传输。因此，在没有不利地影响照明系统的其它性能的情况下，能够调整衰减器A的衰减程度。同样，在图4(b)中示出的是虚焦点23，从照明系统来看，其是射束聚焦的视在点(apparent point)。对于所有衰减器设置(具有不同倾斜角α和位置移动x)，虚焦点23和照明系统的下一个反射镜13之间的距离应该不变。

上述射束的聚焦依赖于输入射束的发散(或会聚)。在射束是平行射束的情况下，不存在焦点12和虚焦点23。

作为通过倾斜和移动反射镜21和22以改变衰减而对衰减器A的调整结果，有可能补偿在虚焦点23的位置变化。图5(a)和5(b)示出反射镜21和22的两种调整设置的示意图，调整被放大以便强调通过两个调整位置之间的衰减器的射束的路径长度差异。从图中可以看出，在两个衰减设置之间存在路径长度差异，因为L₄<L₁+L₂+L₃。结果，如果输入射束不平行，虚焦点在位置23′和23″之间移动，如图5(a)的详细放大图5(b)所示。为了保证对应于两个衰减设置的两个虚焦点23′和23″位置一致，可能提供补偿结构，用于通过源LA沿图1和图2所示光轴O的移动，来保证这些点基本保持在不变的位置。在这种结构中的源的移动优选地通过移动放电源的阴极和阳极来实现。这种结构保证当在两个调整位置之间移动实焦点12时，虚焦点23′和23″一致。如果源LA沿光轴O移动距离Δv，将造成焦点12移动M²×Δv，其中M是辐射聚集器10的放大率，并且焦点12沿光路的移动将导致虚焦点相等的位移。这可以用简单的理想透镜公式来表示：

$\frac{1}{v}+\frac{1}{b}=\frac{1}{f}$

其中：

v是物距(即，源位置)

b是像距(即，焦点12的位置)

f是聚集器模块(在图3中的10)的焦距

当需要小位移(Δb)时，可以应用源的小位移(Δv)，这导致下列等式：

$\frac{1}{(v+\mathrm{\&Delta;v})}+\frac{1}{(b+\mathrm{\&Delta;b})}=\frac{1}{f}$ 其可以简化，假定

(v+Δv-f)≈(v-f)(其对于小位移Δv是真实的)

$\mathrm{\&Delta;b}=-{\left(\frac{b}{v}\right)}^2\mathrm{\&Delta;v}\&DoubleRightArrow;\mathrm{\&Delta;b}=-M^2\mathrm{\&Delta;v}$ 其中M是聚集器模块的放大率

图6示出用于在这种衰减器中用于倾斜和移动反射镜21和22的可能结构。为了这个目的，反射镜21和22通过倾斜轴承23和24安装到滑块25和26上。反射镜21和22在滑块25和26的轴承23和24中可倾斜，以便相对输入射束能够调整反射镜21和22的角度，而同时反射镜21和22通过滑块25和26沿导轨27和28的滑动在相反方向上可移动，滑块25和26安装到导轨27和28上。用线性电机可以实现滑块25和26的移动，用电动倾斜台可以实现反射镜21和22的倾斜。

应该明白，衰减器的衰减特性不仅取决于射束与反射镜反射表面的入射角，而且还取决于反射表面的反射率，如上所述，这个反射率可以通过在反射表面提供特殊的涂层来提高。

图7是对于波长为13.5nm的辐射，每个反射表面的反射率作为射束相对于衰减器A的反射镜表面的主光线角的函数的曲线图。在这个曲线图中示出对应四种不同涂层的四条曲线，即(i)曲线30(如实线所示)对应于单层涂层，(ii)曲线31(如虚线所示)对应于第一多层涂层，(iii)曲线32(如点线所示)对应于第二多层涂层，(iv)曲线33(如点划线所示)对应于第三多层涂层。根据照明系统光学布置和所需的衰减器输出射束的辐射强度曲线，不同涂层可以应用于反射表面。在多数情况下，优选单层涂层，因为其在小角度(约5度)的高反射率(高达96％)导致整个衰减器的92％的总透射。每个反射镜在25度角具有典型的10％的反射率，因而整个衰减器具有1％(10％×10％)的总透射，其意味着这种衰减器的总透射范围从92％(在5度)延伸到1％(在25度)。

应该明白，可以利用不同涂层的宽范围，包括分级多层涂层和随机多层涂层(如在《应用光学(Applied Optics)》Vol.35 No.19，1996年7月由P.vanLoevenstain等人所述)。普通的多层涂层一般认为是每个双层具有相等厚度的重复结构。但是，分级多层可以包括在涂层顶部的双层，与在涂层底部的双层的厚度相比，其具有增加的厚度，或者反之亦然。也可能使用随机多层，其中双层厚度在双层叠层厚度上随机变化。在这种随机多层中，双层厚度可以在12nm和30nm之间变化。

在图7形成的曲线示例的情况下，对应于曲线30的单层涂层是40nm的钼(Mo)涂层。对应于曲线31的第一多层涂层是30nm的钼/硅(Mo/Si)多层涂层，其包括12nm的Mo层在18nm的Si层上，而18nm的Si层又在12nm的Mo层上。对应于曲线32和33的第二和第三多层涂层也是Mo/Si多层涂层，其具有厚度为17nm(对于32)和13nm(对于33)的双层厚度。双层厚度是一层Mo和一层Si层一起的厚度。对于形成曲线32和33的多层涂层，双层的数量分别是10和40。

上述实施例的许多变化落入本发明的范围内。例如，所述的光刻装置包括反射分划板和包括反射元件的投影系统，但是，在投影系统中的透射分划板和/或元件也可以使用。另外，已经描述了用于EUV辐射的装置，但是应该明白它也可以用于其它波长的辐射。

Claims (21)

1.一种光刻装置，包括：

照明系统，其用于提供辐射投影束；

支撑构图结构的支撑结构，所述构图结构构造和设置成将图案传给投影束；

基板台，其用于支持基板；和

投影系统，其用于将构图射束投影到基板的目标部位；

可变衰减器，其形成部分照明系统，并包括：

两个平行的反射表面，定位成使得辐射输入射束入射到第一反射表面，再被第一反射表面朝第二反射表面反射，辐射被第二反射表面反射以产生所需强度的辐射输出射束，和

倾斜反射表面的致动器，使得反射表面保持彼此平行，并且改变输入射束在第一反射表面的入射角和反射射束在第二反射表面的入射角，从而改变输出射束的强度，而保持输出射束的位置。

2.一种如权利要求1所述的装置，其中反射表面相对输入射束设置，使得辐射以在20和60度之间的角度入射到反射表面。

3.一种如权利要求1所述的装置，其中反射表面相对输入射束设置，使得辐射以高达30度的相切入射角入射到反射表面。

4.一种如权利要求1所述的装置，其中反射表面相对输入射束设置，使得辐射聚焦在反射表面之间的点。

5.一种如权利要求1所述的装置，其中反射表面相对输入射束设置，使得辐射聚焦在第二反射表面之外的点。

6.一种如权利要求1所述的装置，其中反射表面相对输入射束设置，使得辐射聚焦在第一反射表面前面的点。

7.一种如权利要求1所述的装置，其中反射表面包括用于提高其反射率的单层涂层。

8.一种如权利要求1所述的装置，其中反射表面包括用于提高其反射率的多层涂层。

9.一种如权利要求1所述的装置，其中反射表面包括随机多层涂层，随机多层涂层包括双层厚度在叠层厚度上随机变化的双层叠层。

10.一种如权利要求1所述的装置，其中当反射表面倾斜时，致动器设置成沿相反方向移动反射表面，从而对于不同的衰减设置保持输出射束在相同的位置。

11.一种如权利要求1所述的装置，其中辐射具有在5nm和20nm之间的波长。

12.一种如权利要求1所述的装置，其中照明系统设置成接收来自辐射源的辐射，并且其中当反射表面倾斜时，源的位置可移动，从而对于不同的衰减设置保持辐射聚焦的虚焦点在相同的位置。

13.一种器件制造方法，包括：

通过下列步骤改变要被构图并投影到具有辐射敏感表面的基板上的辐射投影束的强度：

定位两个平行的反射表面，使得辐射输入射束入射到第一反射表面，再被第一反射表面朝第二反射表面反射，辐射被第二反射表面反射以产生所需强度的辐射输出射束，和

倾斜反射表面，使得反射表面保持彼此平行，并且改变辐射在反射表面的入射角，从而改变输出射束的强度，而保持输出射束的位置。

14.一种如权利要求13所述的方法，其中反射表面相对输入射束设置，使得辐射以在20和60度之间的角度入射到反射表面。

15.一种如权利要求13所述的方法，其中反射表面相对输入射束设置，使得辐射以高达30度的相切入射角入射到反射表面。

16.一种如权利要求13所述的方法，其中反射表面相对输入射束设置，使得辐射聚焦在反射表面之间的点。

17.一种如权利要求13所述的方法，其中反射表面相对输入射束设置，使得辐射聚焦在第二反射表面之外的点。

18.一种如权利要求13所述的方法，其中反射表面相对输入射束设置，使得辐射聚焦在第一反射表面前面的点。

19.一种如权利要求13所述的方法，其中在反射表面倾斜的同时，反射表面沿相反方向移动，以便对于不同的衰减设置保持输出射束在相同的位置。

20.一种如权利要求13所述的方法，其中辐射具有在5nm和20nm之间的波长。

21.一种如权利要求13所述的方法，还包括：

接收来自辐射源的辐射；

当反射表面倾斜时移动源的位置，以便对于不同的衰减设置保持辐射聚焦的虚焦点在相同的位置。

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