CN100425532C - 多晶硅炉的喷嘴 - Google Patents

多晶硅炉的喷嘴 Download PDF

Info

Publication number
CN100425532C
CN100425532C CNB2005101114301A CN200510111430A CN100425532C CN 100425532 C CN100425532 C CN 100425532C CN B2005101114301 A CNB2005101114301 A CN B2005101114301A CN 200510111430 A CN200510111430 A CN 200510111430A CN 100425532 C CN100425532 C CN 100425532C
Authority
CN
China
Prior art keywords
nozzle
stove
polycrystalline silicon
difference
silicon furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005101114301A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1982213A (zh
Inventor
董颖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd filed Critical Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority to CNB2005101114301A priority Critical patent/CN100425532C/zh
Publication of CN1982213A publication Critical patent/CN1982213A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100425532C publication Critical patent/CN100425532C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种多晶硅炉的喷嘴，在所述喷嘴的端部增加一延长部，延长部与喷嘴之间的夹角为直角，在所述延长部上等距离分布多个出气口。本发明通过对通入炉内硅烷的气体喷嘴进行加长，并在其延长部分的管壁上增加一些出气口，使参与反应的硅烷气体的分压比在炉内各个位置保持不变。最终实现炉内各个位置在相同温度下，其淀积速率保持一致。本发明可控制多晶硅炉内晶粒直径差，减小高电阻产品中多晶硅装置的炉内阻值差，提高产品的成品率。

Description

多晶硅炉的喷嘴
技术领域
本发明涉及一种用于多晶硅生长的多晶硅炉，特别是涉及一种多晶硅炉的喷嘴。
背景技术
如图2所示，目前多晶硅成长的装置多数采用气体单侧流入的供气方式。随着气体不断的消耗，在炉内各个位置的硅烷的分压比不完全一致。若要保持炉内各个位置的淀积速率保持一致，必须调整炉内各个位置的淀积温度。但是这样就会造成多晶硅成长的晶粒大小的差别，从而导致其炉内各个位置的电阻值的差异。
为了保持炉内各个位置的淀积速率一致，则炉内各个位置的淀积温度就各不相同。而多晶硅成长工艺中，多晶硅晶粒的大小主要是由其成长温度所决定的。在其他工艺条件均相同的情况下，温度越高，则其多晶硅晶粒的直径就越大。
多晶硅晶粒直径越大，则在同样厚度及面积中，多晶硅的晶粒数就越少，而影响载流子迁移速度的主要因素是晶粒与晶粒之间的晶界的影响(尤其是在杂质浓度较低的情况下)。多晶硅晶粒大小将直接影响到多晶硅薄膜内的杂质的载流子迁移速度。多晶硅晶粒越大，其载流子迁移速度越快，最后导致晶粒偏大的多晶硅薄膜的电阻率偏低。
所以目前进行多晶硅成长的工艺在应用于高电阻产品上时，会存在同一多晶硅成长装置，炉内各个位置的电阻值相差悬殊。在高阻情况下，电阻的变化会达到40％以上。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种多晶硅炉的喷嘴，它可控制多晶硅炉内晶粒直径差，减小高电阻产品中多晶硅装置的炉内阻值差，提高产品的成品率。
为解决上述技术问题，本发明多晶硅炉的喷嘴是采用如下技术方案实现的，在所述喷嘴的端部增加一延长部，延长部与喷嘴之间的夹角为直角，在所述延长部上等距离分布多个出气口。
由于采用上述结构，对目前使用的通入炉内硅烷的气体喷嘴进行加长，并在其延长部分的管壁上增加一些出气口，通过对出气口的位置和开口大小及数量的控制，使参与反应的硅烷气体的分压比在炉内各个位置保持不变。最终实现炉内各个位置在相同温度下，其淀积速率保持一致。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是电阻与膜厚关系图；
图2是采用现有的多晶硅炉气体单侧流入的供气方式示意图；
图3是现有的喷嘴示意图；
图4是本发明多晶硅炉的喷嘴示意图；
图5是图4的喷嘴延长部分截面图。
具体实施方式
解决炉内各个位置的电阻值的差异问题的关键在于，在保证炉内各个位置的淀积速率一致的同时，保证炉体内各个位置的淀积温度相同。如果随着炉内气体反应消耗的同时，增加硅烷的气体供给，则会使参与反应的硅烷气体的分压比保持不变。实现炉内各个位置在相同温度下，其淀积速率保持一致，最终使炉内电阻及膜厚的差异都降到最小。
本发明的多晶硅炉的喷嘴如图4所示，在现有的多晶硅炉的喷嘴(参见图3所示)基础上对通入炉内硅烷的气体喷嘴进行加长，并在其延长部分的管壁上增加一些出气口，通过对出气口的位置和开口大小及数量的控制，避免硅烷气体直接喷到硅片上，防止造成硅片面内成膜的不均匀。
具体结构是在现有喷嘴1的端部2(结合图3)，与喷嘴1垂直增加一延长部3，在所述延长部3上等距离分布多个出气口4。
如图5所示，在延长部3的同一截面上开设有两个出气口4，两个出气口4之间的夹角为90°～120°。优选的夹角为120°。
在目前现有的设备情况下，若通过温度的调整进行炉内膜厚的调整，其炉内的膜厚差异可以达到1～2％左右。但是在低掺杂(高阻)的条件下，其炉内各个位置由于温度的差异，造成的多晶硅晶粒大小上的差异，最后反应到电阻上的差异在20～30％左右。
在没有将气体喷嘴加长的情况下，若保证炉体内各个位置的淀积温度的相同，在低掺杂(高阻)的条件下，可以发现其反应出来的电阻基本接近。炉内各个位置的电阻值差异在1～2％。但由于未利用温度进行淀积速率的补正，其炉内各个位置的膜厚差异达到了5～10％左右(参见图1所示)。
采用本发明后，通过加长硅烷喷嘴的长度，使炉内硅烷气体的分压比在炉内各个位置保持一致。在保持炉内各个位置温度一致的前提下，可以使炉内电阻及膜厚的差异都降到最小。即炉内电阻差异在1～2％，膜厚差异在1～2％左右。

Claims (3)

1、一种多晶硅炉的喷嘴，其特征在于：在所述喷嘴的端部增加一延长部，延长部与喷嘴之间的夹角为直角，在所述延长部上等距离分布多个出气口。
2、根据权利要求1所述的多晶硅炉的喷嘴，其特征在于：在延长部的同一截面上开设有两个出气口，两个出气口之间的夹角为90°～150°。
3、根据权利要求1所述的多晶硅炉的喷嘴，其特征在于：在延长部的同一截面上开设有两个出气口，两个出气口之间的夹角为120°。
CNB2005101114301A 2005-12-13 2005-12-13 多晶硅炉的喷嘴 Expired - Fee Related CN100425532C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101114301A CN100425532C (zh) 2005-12-13 2005-12-13 多晶硅炉的喷嘴

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101114301A CN100425532C (zh) 2005-12-13 2005-12-13 多晶硅炉的喷嘴

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1982213A CN1982213A (zh) 2007-06-20
CN100425532C true CN100425532C (zh) 2008-10-15

Family

ID=38165115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101114301A Expired - Fee Related CN100425532C (zh) 2005-12-13 2005-12-13 多晶硅炉的喷嘴

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100425532C (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015219925A1 (de) 2015-10-14 2017-04-20 Wacker Chemie Ag Reaktor zur Abscheidung von polykristallinem Silicium

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1087843A (zh) * 1992-09-29 1994-06-15 泊灵格英格尔海姆国际有限公司 雾化喷嘴和过滤器和产生喷雾的装置
CN1415927A (zh) * 2002-11-01 2003-05-07 同济大学 多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1087843A (zh) * 1992-09-29 1994-06-15 泊灵格英格尔海姆国际有限公司 雾化喷嘴和过滤器和产生喷雾的装置
CN1415927A (zh) * 2002-11-01 2003-05-07 同济大学 多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015219925A1 (de) 2015-10-14 2017-04-20 Wacker Chemie Ag Reaktor zur Abscheidung von polykristallinem Silicium
WO2017064048A1 (de) 2015-10-14 2017-04-20 Wacker Chemie Ag Reaktor zur abscheidung von polykristallinem silicium

Also Published As

Publication number Publication date
CN1982213A (zh) 2007-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1809794A (zh) 从具有流量控制装置的气体供给设备向容器分流地供给气体的气体分流供给装置及气体分流供给方法
CN101906664B (zh) 碳化硅单晶的制造装置
WO2009040973A1 (ja) 半導体製造設備用のガス供給装置
CN100425532C (zh) 多晶硅炉的喷嘴
BR102014011116B1 (pt) Dispositivo de calibração para calibrar um tubo de filme extrudado
CN102312198A (zh) 一种蒸镀源及蒸镀镀膜装置
CN103305817B (zh) 一种管式炉外延系统
CN205797156U (zh) 用于氨化氧化反应的流化床反应器的进料分布器
CN206887226U (zh) 反应炉
CN102209592B (zh) 用于分布流体的装置和方法
CN105858229A (zh) 一种防堵塞化工物料分配器
CN204325493U (zh) 一种lpcvd沉积装置
CN202380075U (zh) 一种低压化学气相淀积装置
JP2019007048A (ja) 成膜装置
CN113088928A (zh) 内筒壁吹扫装置
CN101083906B (zh) 用于给定流体剂量的装置和方法
CN203284467U (zh) 一种管式炉外延系统
CN108754457A (zh) 管状反应器的补气装置
CN205802200U (zh) 一种硅胶管的输送装置
CN102939405A (zh) 流化床热解碳涂覆
CN214830785U (zh) 一种气管结构
CN202766615U (zh) 双通道均化低压化学气相沉积系统
JP5045033B2 (ja) 気相成長装置及び化合物半導体膜の成長方法
CN210543397U (zh) 一种惰性粒子流化床用液体分布器
CN102191484A (zh) 反应气体源喷射管、炉管以及半导体制造装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

Free format text: FORMER OWNER: HUAHONG NEC ELECTRONICS CO LTD, SHANGHAI

Effective date: 20140115

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201206 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140115

Address after: 201203 Shanghai city Zuchongzhi road Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park No. 1399

Patentee after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

Address before: 201206, Shanghai, Pudong New Area, Sichuan Road, No. 1188 Bridge

Patentee before: Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081015

Termination date: 20181213

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee