CN202766615U - 双通道均化低压化学气相沉积系统 - Google Patents
双通道均化低压化学气相沉积系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202766615U CN202766615U CN 201220387002 CN201220387002U CN202766615U CN 202766615 U CN202766615 U CN 202766615U CN 201220387002 CN201220387002 CN 201220387002 CN 201220387002 U CN201220387002 U CN 201220387002U CN 202766615 U CN202766615 U CN 202766615U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- inlet pipe
- sediment chamber
- chemical vapor
- vapor deposition
- pressure chemical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Abstract
本实用新型公开了一种双通道均化低压化学气相沉积系统,包括沉积室、设在沉积室内的石英舟、若干个插装在石英舟上的基片和设在沉积室底部的加热系统;沉积室的一端设有抽气口,其特征在于:所述沉积室内设有进气管,进气管的两端口分别穿出沉积室的两端,位于沉积室内的进气管的管壁上均匀设置有若干个透气孔。所述进气管的数目为两个。所述进气管的两个端口中,至少有一个端口处安装有流量调节阀。本实用新型的沉积室内的气流均匀,可保证理想的沉积效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及无机合成化学技术领域,具体地说,涉及一种化学气相沉积系统。
背景技术
化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应,生成固态物质沉积在加热的固态基体表面,进而制得固体材料的工艺技术,已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物,而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。
目前,利用化学气相沉积技术,在沉积室内的基片上制得SiO2或者多晶硅,是生产电子元件的重要环节。现有技术中,用来制得SiO2或者多晶硅的化学气相沉积系统,如图1所示,主要包括沉积室11、设在沉积室11内的石英舟12、若干个插装在石英舟12上的基片13和设在沉积室11底部的加热系统15;沉积室11的一端设有一号进气口16和二号进气口17,分别用于向沉积室11内充入SiH4、O2两种气体;沉积室11的另一端设有抽气口14。其缺点是:进入沉积室11内的气流不均匀,导致沉积效果差。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术的缺陷,提供一种沉积室内气流均匀、可保证理想沉积效果的双通道均化低压化学气相沉积系统。
为解决上述问题,本实用新型所采用的技术方案是:
一种双通道均化低压化学气相沉积系统,包括沉积室、设在沉积室内的石英舟、若干个插装在石英舟上的基片和设在沉积室底部的加热系统;沉积室的一端设有抽气口,其特征在于:所述沉积室内设有进气管,进气管的两端口分别穿出沉积室的两端,位于沉积室内的进气管的管壁上均匀设置有若干个透气孔。
进一步地说,所述进气管的数目为两个。
作为上述技术方案的改进:所述进气管的两个端口中,至少有一个端口处安装有流量调节阀。
进一步地说,所述进气管的两个端口处都安装有带有调节流量大小的刻度阀。
由于采用了上述技术方案,与现有技术相比,本实用新型的沉积室内的气流均匀,可保证理想的沉积效果。
附图说明
图1为现有技术中化学气相沉积系统的一种结构示意图;
图2为本实用新型一种是实施例的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示进一步阐述本实用新型。
如图2所示,一种双通道均化低压化学气相沉积系统,包括沉积室21、设在沉积室21内的石英舟22、若干个插装在石英舟22上的基片23和设在沉积室21底部的加热系统25,沉积室21的一端设有抽气口24。所述沉积室内设有两个进气管,分别是:一号进气管26和二号进气管27。两个进气管的两端口分别穿出沉积室21的两端,位于沉积室21内的一号进气管26的管壁上均匀设置有若干个一号管透气孔26a,位于沉积室21内的二号进气管27的管壁上均匀设置有若干个二号管透气孔27a。一号进气管26的两个端口处分别安装有第一流量调节阀26b和第二流量调节阀26c。二号进气管27的两个端口处分别安装有第三流量调节阀27b和第四流量调节阀27c。
所述的第一流量调节阀26b、第二流量调节阀26c、第三流量调节阀27b和第四流量调节阀27c均为带有调节流量大小的刻度阀。
当然,作为本实用新型的其他实施例,也可以仅在一号进气管26任意一端的端口处和二号进气管27任意一端的端口处安装流量调节阀。
使用时,从一号进气管26的两个端口向一号进气管26内充入SiH4(或者O2)气体,SiH4(或者O2)气体通过一号进气管26管壁上的各个一号管透气孔27a进入沉积室21内;从二号进气管27的两个端口向二号进气管27内充入O2(或者SiH4)气体,O2(或者SiH4)气体通过二号进气管24管壁上的各个二号管透气孔27a进入沉积室21内。这样,可使沉积室21内的气流均匀,保证沉积的效果更加理想。通过两个进气管端口处安装的流量调节阀可对进入沉积室21内的气体流量进行适当的调节,以便达到最佳效果。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.一种双通道均化低压化学气相沉积系统,包括沉积室、设在沉积室内的石英舟、若干个插装在石英舟上的基片和设在沉积室底部的加热系统;沉积室的一端设有抽气口,其特征在于:所述沉积室内设有进气管,进气管的两端口分别穿出沉积室的两端,位于沉积室内的进气管的管壁上均匀设置有若干个透气孔。
2.根据权利要求1所述的双通道均化低压化学气相沉积系统,其特征在于:所述进气管的数目为两个。
3.根据权利要求1或2所述的双通道均化低压化学气相沉积系统,其特征在于:所述进气管的两个端口中,至少有一个端口处安装有流量调节阀。
4.根据权利要求3所述的双通道均化低压化学气相沉积系统,其特征在于:所述进气管的两个端口处都安装有流量调节阀。
5.根据权利要求3所述的双通道均化低压化学气相沉积系统,其特征在于:所述流量调节阀为带有调节流量大小的刻度阀。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201220387002 CN202766615U (zh) | 2012-08-06 | 2012-08-06 | 双通道均化低压化学气相沉积系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201220387002 CN202766615U (zh) | 2012-08-06 | 2012-08-06 | 双通道均化低压化学气相沉积系统 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN202766615U true CN202766615U (zh) | 2013-03-06 |
Family
ID=47773201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201220387002 Expired - Fee Related CN202766615U (zh) | 2012-08-06 | 2012-08-06 | 双通道均化低压化学气相沉积系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN202766615U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108866515A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-23 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种薄膜太阳能电池吸收层的沉积掺杂装置 |
CN116404073A (zh) * | 2023-06-09 | 2023-07-07 | 无锡松煜科技有限公司 | 一种制备TOPCon电池中非晶硅薄膜的方法及装置 |
-
2012
- 2012-08-06 CN CN 201220387002 patent/CN202766615U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108866515A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-23 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种薄膜太阳能电池吸收层的沉积掺杂装置 |
CN108866515B (zh) * | 2018-06-25 | 2021-04-06 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种薄膜太阳能电池吸收层的沉积掺杂装置 |
CN116404073A (zh) * | 2023-06-09 | 2023-07-07 | 无锡松煜科技有限公司 | 一种制备TOPCon电池中非晶硅薄膜的方法及装置 |
CN116404073B (zh) * | 2023-06-09 | 2023-08-15 | 无锡松煜科技有限公司 | 一种制备TOPCon电池中非晶硅薄膜的方法及装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201030840A (en) | Gas mixture supplying method and apparatus | |
CN202766615U (zh) | 双通道均化低压化学气相沉积系统 | |
CN104233221B (zh) | 一种碳化硅化学气相沉积设备及方法 | |
CN106435527B (zh) | 一种碳化硅沉积设备及其进气装置 | |
CN202558933U (zh) | 一种气液混合供料精确控制装置 | |
CN104843988A (zh) | 多喷灯的疏松体光纤预制棒ovd沉积制备装置 | |
CN103663457B (zh) | 多晶硅反应炉 | |
CN203307432U (zh) | 特气管路装置和pecvd设备 | |
CN106756872A (zh) | 一种高通量cvd制备硅碳氧薄膜的装置 | |
CN108179468A (zh) | 一种用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置和方法 | |
CN204325493U (zh) | 一种lpcvd沉积装置 | |
CN202380075U (zh) | 一种低压化学气相淀积装置 | |
CN206751918U (zh) | 一种热丝化学气相沉积金刚石薄膜的装置 | |
CN204325494U (zh) | 一种lpcvd沉积炉管 | |
CN101956183A (zh) | 化学气相沉积炉 | |
CN104032283A (zh) | 一种大面积平板式pecvd设备反应腔压力的控制装置 | |
US9478440B2 (en) | Low-pressure chemical vapor deposition apparatus and thin-film deposition method thereof | |
CN104419909A (zh) | 一种镀膜炉管 | |
CN103160809B (zh) | 一种用于晶圆多晶硅膜生长过程中气体弥散装置及生长工艺 | |
CN103397308A (zh) | 用于mocvd设备的喷淋头 | |
CN103904158A (zh) | 一种改善管式pecvd系统镀膜均匀性的方法 | |
CN113373422A (zh) | 一种改善poly-si化学气象沉积的装置及其使用方法 | |
CN104674184A (zh) | 用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置及沉积方法 | |
CN105088192A (zh) | 多管路液体气化反应成膜设备气流控制方法 | |
CN107841730A (zh) | 一种延长ald真空计使用寿命的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130306 Termination date: 20130806 |