CN100422365C - Lsic用引线框架铜带及其制作工艺方法 - Google Patents
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Abstract
一种大规模集成电路用引线框架铜带,以铜材料为基料,加入少量多种元素,在保证一定导电率的情况下,提高合金强度和综合性能指标,利用固溶强化和析出强化原理,达到高强度、高导电率的合金引线框架铜带材料;其特征在于:所述的引线框架铜带具体材料组份为,按照重量比:铜材料为96.1%-98.85%,镍为1.0%-3.5%,硅为0.1%-1.0%,混合稀土原料做添加剂:0.05%-0.4%,以及不可避免的≯0.15%的杂质,首先浇注成锭坯,经高精度轧制,反复进行500℃4小时时效,再经精密分剪-成品卷取而成。
Description
技术领域:
本发明涉及金属加工技术领域,特别是一种LSIC(大规模集成电路)用引线框架铜带及其制作工艺方法。
背景技术:
LSIC(大规模集成电路)用引线框架铜带是在IC集成电路引线框架铜带基础上,根据不同集成电路对导电率指标的不同要求,综合力学性能指标要求的不同,而研究和开发的系列铜合金引线框架铜带,国内替代进口产品的一种不断升级的产品;目前,正在向着高强度、高导电率要求方向发展,因而势必对铜基框架材料的综合适用条件提出更高要求,在保证一定导电率的前提下,提高合金强度和综合力学指标是各生产企业和研究开发人员所面临的紧迫问题。
发明内容:
本发明的目的就是为了满足集成电路生产企业的实际需要,开发研制了一种LSIC用引线框架铜带及其制作工艺方法,节约外汇,降低生产成本,保证质量和技术性能指标,满足集成电路生产企业的合理要求。
本发明采用如下技术方案,来实现上述发明目的:
本发明大规模集成电路用引线框架铜带,是一种向铜材料中加入少量多种元素,在保证一定导电率的前提下,提高合金强度和综合性能指标,利用固溶强化和析出强化原理,达到高强度、高导电率的合金引线框架铜带材料;具体材料组份为:按照重量比:铜材料为96.1%-98.85%,镍为:1.0%-3.5%,硅为:0.1%-1.0%,混合稀土材料作添加剂:0.05%-0.4%,以及不可避免的≯0.2%的杂质;
所述的大规模集成电路用引线框架铜带的制作工艺方法,其制作工艺流程中的热轧淬水,采用的是900-950℃热轧处理,并在线淬水,进行固溶处理。
所述的大规模集成电路用引线框架铜带的制作工艺方法,其制作工艺流程中的高精轧制处理,采用高精轧制-分级时效反复进行;高精轧制后进行500℃4小时时效,再经高精轧制,再次500℃4小时时效,充分分级时效析出。
由于采用了如上所述技术方案,本发明具有如下优越性:
本发明大规模集成电路用引线框架铜带的生产,使我们国家节约了外汇支出,降低了各生产企业的成本,保证了质量和技术性能指标的实施,满足了集成电路生产企业的合理要求。
本发明的制作工艺流程中采用了拉弯矫直设备进行拉弯矫直,经拉弯矫直后,能较好地消除铜带内的残余应力。
本发明的制作工艺流程中采用了精密分剪-成品卷取,其使铜带具有良好的形状和表面质量。
图面说明
图1是LSIC用引线框架铜带制作工艺流程图:
实施例一:
制作一种规格为0.10mm(厚度)×32mm(宽度)的铜合金引线框架铜带,首先,将3.2%的镍,0.75%的硅,0.3%的混合稀土材料做添加剂,以及95.7%的铜,分别按比例称重,后投入感应炉内,在大气中将炉温升至1300-1350℃,待金属完全熔化后,投入混合稀土材料做添加剂,经充分搅拌后,作炉前化学分析,合格后浇注成锭坯;采用非真空熔铸-热轧淬水-高精轧制-反复分级时效-拉弯矫直-精密分剪-成品卷取等工艺处理;其各性能指标为:导电率为44-59.5%IACS,合金强度可达546-750Mpa,延伸率7%,维氏硬度HV171-260;热轧淬水采用900-950℃热轧,并在线用常温水淬水进行固溶处理;高精轧制后,进行500℃时效4小时;再次精轧制,再次500℃4小时分级时效,拉弯矫直,有效消除铜带内残余应力;再经精密分剪-成品卷取而成;经检测,铜带材料强度达646Mpa,延伸率7%,维氏硬度HV210,导电率59.5%IASC,完全可以满足大规模集成电路生产企业对引线框架铜带的合理要求。
Claims (4)
1. 一种大规模集成电路用引线框架铜带,以铜材料为基料,加入少量多种元素,在保证一定导电性能的前提下,提高合金强度和综合性能指标,利用固溶强化和析出强化原理,达到高强度、高导电率的合金引线框架铜带材料;其特征在于:所述的引线框架铜带具体原料组份为,按照重量比:铜材料为96.1%-98.85%,镍为1.0%-3.5%,硅为0.1%-1.0%,混合稀土材料做添加剂0.05%-0.4%,以及不可避免≯0.2%的杂质,采用非真空熔铸-热轧淬水-高精轧制-分级时效-拉弯矫直-精密分剪-成品卷取而成;其中所述的高精轧制-分级时效,反复进行;所述的引线框架铜带的各性能指标为:导电率59.5%IASC,合金强度546-750Mpa,延伸率7%,维氏硬度HV171-260。
2. 如权利要求1所述的大规模集成电路用引线框架铜带的制备方法,其特征在于:该引线框架铜带按原料组份配比称重后,采用非真空熔铸-热轧淬水-高精轧制-分级时效-拉弯矫直-精密分剪-成品卷取而成;其中所述的高精轧制-分级时效,反复进行。
3. 如权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述的热轧淬水,采用的是900-950℃热轧处理,并在线淬水进行固溶处理。
4. 如权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述的高精轧制-分级时效,反复进行,是指高精轧制后进行500℃ 4小时时效,再经高精轧制,再次500℃ 4小时时效,充分分级时效析出。
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