CN100416953C - 半导体激光装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种半导体激光装置(1)，其特征在于包括：具有结合金属部件构成的冷却器本体(21)、在冷却器本体(21)的内部形成的流体流路(30)、外壁面(22)上的冷却区域(23)、以及保留冷却区域(23)并连续地覆盖在外壁面(22)上和内壁面(33)上的树脂层(40)的散热片(20)；以及在与外壁面(22)保持热接触的状态下被配置在冷却区域(23)中的半导体激光元件(80)。保留冷却区域(23)，用树脂层40连续地覆盖在外壁面(22)上和内壁面(33)上，实现防止内壁面与外壁面接触的部分附近的腐蚀。
Description
技术领域
本发明涉及具有散热片的半导体激光装置。
背景技术
为了使输出功率大的半导体激光元件等发热体冷却，作为必要而不可缺少的散热片，公知有这样一种结构的散热片：其具有通过将铜制的部件等金属部件结合起来形成的流体流路，使冷却发热体用的流体在该流体流路内循环流动。
为了使半导体激光元件冷却，如图5所示，采用利用散热片将半导体激光元件夹在中间装配起来，再将其层积起来的结构。在此情况下，各散热片不仅进行各半导体激光元件的冷却，而且具有各半导体激光元件之间的导电通路的作用，所以在上述流体和散热片之间发生电位差。
因此，如图7所示，由于发生10000小时左右长时间的环流，所以通过与液体接触部分的电化学机理的作用，在散热片的阳极侧发生容量减少，或者在阴极侧发生铜的腐蚀生成物的堆积以及附着现象。
通过降低流体的导电率而能够抑制这样的腐蚀。可是，在降低导电率(就是说增大电阻)的情况下，活性增大，所以反之腐蚀性增大。另外，由于降低导电率的装置大型化、高成本化，所以降低流体的导电率不适合防止腐蚀。另外，即使在降低了导电率的情况下，由于存在漏电流，所以如果发生数年(实际工作数万小时)期间的环流，则会产生腐蚀的影响。
为了防止这样的腐蚀而进行了不会使热特性恶化地在金属部件的内壁面上形成防止该内壁面与流体接触的隔离层的尝试。例如，在下述的专利文献1中，采用Au或者Au合金等金属作为上述隔离层。另外，在下述的专利文献2中，采用树脂制的隔离层作为金属管的上述隔离层。所获得的金属管的内壁面预先用树脂制的隔离层覆盖。
专利文献1：日本特开2003-273441号公报
专利文献2：日本特开平5-118473号公报
发明内容
发明要解决的问题
可是，在使用作为隔离层采用上述金属的散热片的半导体激光装置中，由于作为隔离层的Au等的电镀，难以完全没有针孔，所以在存在该针孔的情况下，产生由此引起的腐蚀(孔蚀)。
另外，由于只在散热片的内壁面上形成隔离层，而在外壁面上不形成隔离层，所以在内壁面与外壁面衔接的部分附近不形成隔离层，在其附近发生腐蚀。
而且，上述金属管的内壁面预先用树脂制的隔离层覆盖。因此，当结合金属管时，在该金属管结合的部分连接隔离层而不被覆盖，有可能产生由此引起的腐蚀。
而且，在覆盖散热片的隔离层是树脂制的情况下，即使将半导体激光元件放置在该隔离层上，树脂制的隔离层导热性低而不能有效地冷却。
本发明是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于提供一种用减少了针孔的隔离层进行覆盖，能够防止内壁面与外壁面衔接的部分附近的腐蚀，具有使半导体激光元件有效地冷却的散热片的半导体激光装置及其制造方法。
为了解决上述课题，本发明的半导体激光装置包括散热片和半导体激光元件，其特征在于：散热片包括结合金属部件构成的冷却器本体；在冷却器本体的内部形成的具有流体的流入口以及流出口的流体流路；在冷却器本体的外壁面上进行冷却的冷却区域；和保留冷却区域，连续地覆盖在外壁面上和冷却器本体的内壁面上，防止金属部件和流体接触的树脂层，其中，半导体激光元件在与外壁面保持热接触的状态下被配置在冷却区域中。
这里，用上述树脂层覆盖散热片。因此，与用金属制的隔离层覆盖的情况相比，能够大幅度地降低针孔的形成。
另外，在散热片中，由于保留冷却区域，用树脂层连续地覆盖在冷却器本体的外壁面上和内壁面上，所以能够实现防止内壁面与外壁面衔接部分附近的腐蚀。
而且，并不用树脂层覆盖冷却区域。这是因为在与外壁面保持热接触的状态下，将半导体激光元件配置在冷却区域中。由此，能狗有效地冷却半导体激光元件。
另外，金属部件是流体流路的一部分，同时也可以具有结合时形成流体流路的贯通孔和槽部。在采用了这样的结构的情况下，由于采用接合的方法来结合金属部件，所以能够容易地构成在内部形成有流体流路的冷却器。
另外，半导体激光元件也可以在与外壁面保持导电性接触的状态下、或者在用焊料焊接起来的状态下而配置在冷却区域中。由此，在将散热片夹在多个半导体激光元件中配置的情况下，能够将该散热片作为半导体激光元件之间的导电性通路。
另外，本发明的半导体激光装置的制造方法的特征在于，包括下列工序：(1)结合金属部件而作为冷却器本体的部件结合工序，(2)保留冷却区域，用树脂层连续地覆盖在冷却器本体的外壁面上和内壁面上的树脂层覆盖工序，和(3)在与冷却器本体的外壁面保持热接触的状态下，将半导体激光元件配置在冷却区域中的激光器配置工序。
在该方法中，首先，在最初的工序中，结合金属部件作为冷却器本体。在下一个工序中，保留冷却区域，用树脂层连续地覆盖在冷却器本体的外壁面上和内壁面上。由此，连续地覆盖作为隔离层的树脂层而能够防止该树脂层处的腐蚀发生。
而且，外壁面上的冷却区域不用树脂层覆盖，在保持热接触的状态下将半导体激光元件配置在该冷却区域中，实现了半导体激光元件的有效地冷却。
另外，上述树脂层覆盖工序优选从流体流路的一端导入树脂、从另一端引出来用树脂层覆盖内壁面。由此，与将树脂管插入流体流路内，通过加热膨胀来覆盖内壁面的情况相比，能够更有效地进行覆盖。
另外，在具有散热片和半导体激光元件的半导体激光装置中，也可以制成这样的半导体激光装置，其特征在于：散热片包括微通道散热片、流体流路、在微通道散热片的外壁面上进行冷却的冷却区域、以及防止微通道散热片和流体接触的树脂层，其中，半导体激光元件在与外壁面保持热接触的状态下配置在冷却区域中。
这里，在微通道散热片的内部形成有流体流路，其具有流体的流入口以及流出口。另外，保留冷却区域，将树脂层被连续地覆盖在外壁面上和微通道散热片的内壁面上。
发明效果
如果采用本发明，则能够提供一种使用减少了针孔和边界的隔离层进行覆盖，能够防止内壁面与外壁面衔接的部分附近的腐蚀，具有使半导体激光元件有效地冷却的散热片的半导体激光装置及其制造方法。
附图说明
图1是实施方式的半导体激光装置的截面图。
图2是冷却器本体的分解立体图。
图3是表示由冷却水流量变化时的隔离层的不同而引起的热阻的变化的曲线图。
图4是作为用于树脂层的材料而考虑的材料的性能评价表。
图5是将半导体激光装置层积起来的情况下的结构图。
图6是单一以及多个层积的半导体激光装置的立体图。
图7是表示铜的腐蚀机理的说明图。
图8是具有微通道散热片的半导体激光装置的立体图。
图9是表示树脂层覆盖工序的说明图。
附图标号
1：半导体激光装置 20：散热片 20a：最上层的散热片 20b：最下层的散热片 21：冷却器本体 21a：第一金属部件 21b：第二金属部件 21c：第三金属部件 21d、21e、21f、21g、21h：金属部件22：外壁面 23：冷却区域 24：结合界面 24a、24b、24c、24d、24e、24f、24g、24h、25a、25b、25c、25d、25e、25f、25g、25h：贯通孔 26a、26c：槽部 27a：固定用螺钉 27b：螺钉孔 28：微通道散热片 29：散热基板 30：流体流路 30a：流入流路 30b：联络流路 30c：流出流路 31：流入口 32：流出口 33：内壁面 34a、34b、34c、35a、35b、35c、36a、36b、36c：白箭头 40：树脂层 50：焊料 80：半导体激光元件 81：n侧电极 82：虚拟隔离片(dummyspacer) 83：硅酮橡胶 90：电池 100：具有微通道散热片(microchannel heat sink)的半导体激光装置
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式的半导体激光装置。另外，对同一要素标注同一标记，并省略重复的说明。此外，图中的尺寸比率不一定与说明的一致。而且，本发明不限定于此。
首先，说明半导体激光装置的结构。
图1是实施方式的半导体激光装置1的截面图。
半导体激光装置1包括射出激光的半导体激光元件80、以及使其冷却的散热片20。
半导体激光元件80在与外壁面22保持热接触的状态下而被配置在冷却区域23中。通过施加电压，半导体激光元件80射出激光。
散热片20包括：冷却器本体21；在冷却器本体21的内部形成的具有流体的流入口31以及流出口32的流体流路30；在冷却器本体21的外壁面22上进行冷却的冷却区域23；以及防止金属部件和流体接触的树脂层40。冷却器本体21是将第一金属部件21a、第二金属部件21b、第三金属部件21c结合起来构成的。另外，树脂层40保留冷却区域23而连续地覆盖在外壁面22上和冷却器本体21的内壁面33上。
这里，金属部件优选是导热性高的部件，更优选是铜制的或者铜合金制的。流体流路30横断作为金属部件的结合面的结合界面24而延伸。流入口31以及流出口32由供给流体的流入流路30a、使流体流出的流出流路30c、以及连结流入流路30a和流出流路30c的联络流路30b构成。
这样，通过用树脂层40连续地覆盖，而能够实现防止内壁面33与外壁面22接触的部分附近、即边缘部分的腐蚀。而且，在上述边缘部分发生了漏水等情况下还能够实现防止电气短路(short)。为了防止短路，在流体的流入口31和供给流体的供给部分的接触部分中存在夹杂物的情况下，树脂层40与该夹杂物接触的区域更大。
另外，半导体激光元件80也可以与外壁面22保持导电性接触的状态，或者用焊料50焊接在冷却区域23上。由此，在将散热片20夹在多个半导体激光元件中配置的情况下，能够使散热片20成为导电性通路。
而且，为了有效地冷却半导体激光元件80，在与外壁面22保持热接触的状态下配置在冷却区域23中。因此，并不用树脂层40覆盖冷却区域23。
接着，说明冷却器本体21的结构。
图2是冷却器本体21的分解立体图。
如图2(a)所示，冷却器本体21是将第一金属部件21a、第二金属部件21b、第三金属部件21c结合起来而构成的。另外，如图2(b)所示，冷却器本体21也可以将五个金属部件21d、21e、21f、21g、21h结合起来构成。
而且，如图2(a)及2(b)所示，金属部件是流体流路的一部分，同时也可以分别具有结合时形成流体流路的贯通孔和槽部(凹部)。在此情况下，通过结合金属部件而能容易地构成在内部形成有流体流路的冷却器本体21。通过将金属部件层积起来进行接触的面的扩散结合、或者用焊料或钎料进行的结合，来进行上述结合。
以下，对图2(a)进行说明。
第一金属部件21a具有两个贯通孔24a、25a、以及槽部26a。槽部26a的深度大约是金属部件21a的厚度的一半左右，一部分与贯通孔25a连接，槽部26a的宽度以贯通孔25a的位置为起点，沿着第一金属部件21a的长度方向变宽。
第三金属部件21c在分别重叠在第一金属部件21a的贯通孔24a、25a上的位置上，具有两个贯通孔24c、25c。此外，第三金属部件21c具有深度大约为第三金属部件21c的厚度的一半左右的槽部26c，一部分与贯通孔24c连接。槽部26c的宽度以贯通孔24c的位置为起点，沿着第三金属部件21c的长度方向呈圆弧状变宽，比贯通孔25c更靠近联络流路30b一侧，槽部26c的宽度收敛为一定值。这里，槽部26c的一部分与第一金属部件21a的槽部26a重叠。
第二金属部件21b在分别重叠在第一金属部件21a的贯通孔24a、25a上的位置处，具有两个贯通孔24b、25b。另外，在第一金属部件21a的槽部26a和第三金属部件21c的槽部26c重叠的部分上，形成有多个联络流路30b。
通过将第一金属部件21a的上表面和第二金属部件21b的下表面、以及第二金属部件21b的上表面和第三金属部件21c的下表面接合起来，利用第一金属部件21a的槽部26a和第二金属部件21b的下表面，而能够形成供给流体的流入流路30a(参照图1)。另外，同样第三金属部件21c的槽部26c和第二金属部件21b的上表面，能够形成使流体流出的流出流路30c(参照图1)。
第一金属部件21a的贯通孔25a、第二金属部件21b的贯通孔25b、以及第三金属部件21c的贯通孔25c连接起来，形成将流体供给流入流路30a用的流入口31(参照图1)。另外，第一金属部件21a的贯通孔24a、第二金属部件21b的贯通孔24b、以及第三金属部件21c的贯通孔24c连接起来，形成使流体从流出流路30c(参照图1)流出用的流出口32(参照图1)。
如上所述，通过流入流路30a、联络流路30b(参照图1)、以及流出流路30c构成流体流路30(参照图1)。另外，流体流路30具有流入口31以及流出口32。
以下，对流体的流动情况进行说明。
从贯通孔25a或者贯通孔25c流入的流体沿着白箭头的方向，从贯通孔24a或者贯通孔24c流出。即，流进流入口31的流体经由流入流路30a而流入联络流路30b。接着，该流体经由流出流路30c流入流出口32。而且，该流体在贯通孔24c附近向图中的上方或者下方分支后流出。最后，该流体从贯通孔24a或者贯通孔24c流出。
在图2(b)所示的散热片的情况下，金属部件21e具有开口部25e和贯通孔24e，金属部件21d具有两个贯通孔25d、24d，将它们结合起来后呈与第一金属部件21a相同的形状。金属部件21f具有贯通孔25f、24f，呈与第二金属部件21b相同的形状。金属部件21g在开口部24g内有具有开口部24g和贯通孔26g的板，金属部件21h有两个贯通孔25h、24h，将它们结合起来后呈与第三金属部件21c相同的形状。它们结合的散热片有同一功能。
其次，对覆盖散热片的树脂层进行说明。
图3是表示作为隔离层使用树脂制的隔离层的情况、以及使用上述专利文献1的制品(现有制品)的情况下改变了冷却水流量时热阻变化的曲线图。
覆盖散热片的隔离层采用树脂制的隔离层。由此，与采用金属制的隔离层的情况相比，能够大幅度地降低针孔。此外，作为隔离层采用了树脂制的隔离层的情况下的热阻，如图3所示，与作为隔离层采用了现有制品的情况下的热阻没有太大差别，因使用树脂制的隔离层所产生的不良影响极小。
其次，对树脂层中使用的材料进行说明。
图4是作为树脂层中使用的材料所能考虑的材料的性能评价表。
作为树脂层中使用的材料，根据形成容易性、紧密接触性、耐水性、致密度(针孔的不存在性)、绝缘性、成本低等方面的评价，优选环氧树脂。此外，树脂层的厚度优选为7微米～30微米。这是因为比7微米薄的厚度不能降低针孔的生成概率，另一方面，比30微米厚的厚度会发生热阻增大以及由膜应力引起的剥离现象。作为树脂材料，可以列举出环氧(epoxy)树脂、丙烯酸(acrylic)树脂、有机硅(silicone)树脂、聚氨酯(urethane)树脂、聚酰亚胺(polyimide)树脂、氟系树脂，但其中环氧系树脂的特性好。
其次，说明将多个本发明的半导体激光装置层积起来的装置。
图5是将半导体激光装置层积起来的情况下的结构图。
也可以构成将多个半导体激光装置1层积起来的结构。例如，如图5所示，用四个散热片20、20、20a、20b夹住三个半导体激光元件80而装配起来，呈层积结构。另外，最上层的散热片20a连接在电池90的负极上，最下层的散热片20b连接在电池90的正极上。
这里，在用焊料50使半导体激光元件80与外壁面保持导电性接触的状态下配置在冷却区域23中的情况下，散热片20、20、20a、20b不仅进行半导体激光元件80的冷却，而且还具有半导体激光元件80之间的导电通路的作用，所以流体和散热片之间发生电位差。
其次，对另一实施方式的半导体激光装置进行说明。
图6是单一以及多个层积的半导体激光装置的立体图。
图6(a)是单一的半导体激光装置1的立体图。半导体激光装置1除了半导体激光元件80以及散热片20以外，还包括：半导体激光元件80上的n侧电极81、埋在n侧电极81和散热片20之间的虚拟隔离片82、以及散热片20上密封用的硅酮橡胶83。也可以用O形环代替密封用的硅酮橡胶83。
另外，图6(b)是将多个上述的单一的半导体激光装置1层积起来的情况下的立体图。也可以将图6(b)中的最上层的散热片20a连接在电池的负极上，将最下层的散热片20b连接在电池的正极上。这样连接在电池上，能够从半导体激光元件80射出激光。这里，为了将多个半导体激光装置层积起来固定，优选具有固定用螺钉27a及其螺钉孔27b。
其次，说明铜的腐蚀机理、以及至少适合采用本发明的结构。
图7是表示铜的腐蚀机理的说明图。
在现有的装置中，根据上述电位差成为原因的铜的腐蚀机理，会发生腐蚀。即，在散热片的阳极(正电极)侧发生铜的减少，在阴极(负电极)侧发生铜的腐蚀生成物的堆积以及附着现象。例如，在层积装置中的最上层以及最下层的散热片20a、20b(参照图5)上发生铜的腐蚀。其原因可以认为是流体和上述部件的上述反应。在此情况下，将本发明的结构至少用于最上层以及最下层的散热片20a、20b(参照图5)即可。
接着，在具有散热片和半导体激光元件的半导体激光装置中，说明这样一种半导体激光装置，其特征在于散热片包括：微通道散热片、流体流路、在微通道散热片的外壁面上进行冷却的冷却区域、以及防止微通道散热片和流体接触的树脂层，其中，半导体激光元件在与外壁面保持热接触的状态下配置在冷却区域中。
这里，在微通道散热片的内部形成流体流路，其具有流体的流入口以及流出口。另外，保留冷却区域，将树脂层被连续地覆盖在外壁面上和微通道散热片的内壁面上。
图8是具有微通道散热片28的半导体激光装置100的立体图。
散热片20也可以包括：微通道散热片28、在微通道散热片28的内部形成的流体流路30、在微通道散热片28的外壁面22上进行冷却的冷却区域23、以及树脂层40。由此，能够有效地冷却半导体激光元件80。此外，具有微通道散热片28的半导体激光装置100也可以通过散热基板29而配置在冷却区域23中。
其次，对半导体激光装置1的制造方法进行说明。依次实施下述的工序(1)～(3)，能够制造半导体激光装置1。
工序(1)部件结合工序
首先，如图2(a)所示，将第一金属部件21a、第二金属部件21b、第三金属部件21c结合起来，构成冷却器本体21。通过将金属部件层积起来进行接触的面的扩散结合、或者用焊料或钎料进行的结合，来进行上述结合。由于该工序在高温环境下进行，所以在用树脂层进行覆盖的情况下，会熔融。因此，在结合前不用树脂层覆盖内壁面。通过上述结合，在冷却器本体21内，形成具有流体的流入口31(参照图1)以及流出口32(参照图1)的流体流路。
工序(2)树脂层覆盖工序
图9是表示树脂层覆盖工序的说明图。
其次，保留冷却区域23，用树脂层40连续地覆盖在冷却器本体21的外壁面22上和内壁面33上。由此，连续地覆盖作为隔离层的树脂层40，能够防止树脂层处的腐蚀发生。
首先，如图9(a)所示，沿着图中所示的白箭头的方向，从流入口31流入、并从流出口32排出防止金属部件和流体接触的树脂。由于将包围供给树脂的部分和流入口31的接触部分的O形环等配置在外壁面22上，所以使树脂流入时，也可以防止树脂的泄漏。另外，使树脂流入的方向也可以与白箭头的方向相反。如图9(b)所示，进行上述的流入工序，直至树脂被填充在流体流路30内。
这里，该树脂由主剂、硬化剂、以及溶剂构成。树脂的主剂，作为例子可以列举出环氧树脂。另外，树脂的硬化剂，可以列举出聚酰亚胺、苯酚、或者尿素。
上述的流入工序也可以作为吸引工序，将树脂从作为流体流路30的一端的流入口31导入，从另一端的流出口32吸出。由此，能够用树脂层有效地覆盖内壁面。
其次，如图9(c)所示，沿着图中所示的白箭头的方向，从流入口31吹入、并从流出口32排出氮气。这里，吹入氮气的方向也可以相反。此后，通过100℃1小时、以及150℃30分钟的热处理进行硬化。多次反复进行这些图9(a)中的从流入到热处理导致的硬化的一系列工序。
而且，如图9(d)所示，保留冷却区域23，将树脂涂敷在冷却器本体21的外壁面22上。由于将包围供给树脂的部分和涂敷的部分的连接部分的O形环等配置在外壁面22上，所以，在涂敷树脂时，也可以防止树脂的泄漏。此后，通过T1(80℃～120℃，优选为100℃)1小时、以及T2(130℃～170℃，优选为150℃)30分钟的热处理，来进行树脂的硬化。这里，使用了环氧树脂。如上，能够保留冷却区域23，用树脂层40连续地覆盖在外壁面22上和内壁面33上。
这里，虽然进行了内壁面的覆盖工序和外壁面的覆盖工序这两个工序，但是，在图9(a)所示的工序中，也可以作为使流入的树脂的量为能够覆盖外壁面和内壁面的量，通过一次流入来进行覆盖的工序。
工序(3)激光器配置工序
接着，如图1所示，在与冷却器本体21的外壁面22保持热接触的状态下，将半导体激光元件80配置在冷却区域23中。上述的配置也可以用焊料50进行焊接。由于用焊料50进行焊接的情况，是在保留冷却区域23，用树脂层40覆盖在外壁面22上和内壁面33上之后，所以有必要在比树脂层40的熔融温度低的温度下，使焊料50熔融。另外，还有必要在比结合上述的金属部件21a、21b、21c所需要的温度低的温度下，使焊料50熔融。
工业上利用的可能性
本发明能够作为具有散热片的半导体激光装置而利用。
Claims (10)
1. 一种半导体激光装置，其具有散热片(20)和半导体激光元件(80)，其特征在于：
所述散热片包括：
结合金属部件构成的冷却器本体(21)；
在所述冷却器本体的内部形成的具有流体的流入口(31)以及流出口(32)的流体流路(30)；
在所述冷却器本体的外壁面上进行冷却的冷却区域(23)；以及
保留所述冷却区域，连续地覆盖在所述外壁面上和所述冷却器本体的内壁面上，防止所述金属部件和所述流体接触的树脂层(40)，其中，
所述半导体激光元件(80)在与所述外壁面保持热接触的状态下被配置在所述冷却区域(23)中，
所述冷却器本体(21)包括：
第一金属部件(21a)；
第二金属部件(21b)；以及
第三金属部件(21c)，其中，
所述第一金属部件(21a)具有两个贯通孔(24a、25a)以及与所述贯通孔(24a、25a)中的一个连接的槽部(26a)，
所述第三金属部件(21c)在分别重叠在所述第一金属部件(21a)的两个贯通孔(24a、25a)上的位置上，具有两个贯通孔(24c、25c)，还具有与重叠在所述第一金属部件(21a)的另一个贯通孔(24a)上的贯通孔(24c)连接的槽部(26c)，
所述第二金属部件(21b)在分别重叠在所述第一金属部件(21a)的两个贯通孔(24a、25a)上的位置上，具有两个贯通孔(24b、25b)，还在所述第一金属部件(21a)的槽部(26a)和所述第三金属部件(21c)的槽部(26c)相重叠的位置上，具有多个联络流路(30b)，
通过将所述第一金属部件的上表面和所述第二金属部件的下表面接合起来，并将所述第二金属部件的上表面和所述第三金属部件的下表面接合起来，使得
所述第一金属部件(21a)、所述第二金属部件(21b)、以及所述第三金属部件(21c)的各自的一个贯通孔(25a、25b、25c)连接起来，构成所述流入口(31)，
所述第一金属部件(21a)、所述第二金属部件(21b)、以及所述第三金属部件(21c)的各自的另一个贯通孔(24a、24b、24c)连接起来，构成所述流出口(32)，
所述流入口(31)、所述流出口(32)、全部的所述槽部(26a、26c)以及所述联络流路(30b)的表面被所述树脂层(40)覆盖。
2. 根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述半导体激光元件在与所述外壁面保持导电性接触的状态下，被配置在所述冷却区域中。
3. 根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述半导体激光元件利用所述外壁面和焊料而焊接在所述冷却区域中。
4. 根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述树脂层由环氧树脂形成。
5. 一种半导体激光装置的制造方法，是如权利要求1所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，包括下列工序：
结合所述金属部件，成为所述冷却器本体的部件结合工序；
保留所述冷却区域，用所述树脂层连续地覆盖在所述外壁面上和所述内壁面上，从所述流入口或所述流出口吹入氮气的树脂层覆盖工序；以及
在与所述外壁面保持热接触的状态下，将所述半导体激光元件配置在所述冷却区域中的激光器配置工序。
6. 根据权利要求5所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：
所述树脂层覆盖工序，从所述流体流路的一端导入树脂，从另一端引出，用所述树脂层覆盖所述内壁面。
7. 根据权利要求5所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：
包括使所述树脂层硬化的工序。
8. 根据权利要求7所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：
所述树脂层由环氧树脂形成，在T1＜T2的情况下，该硬化时，用温度T1℃加热树脂层后，再用温度T2℃加热树脂层。
9. 一种半导体激光装置，具有散热片和半导体激光元件，其特征在于：
所述散热片包括
微通道散热片；
在所述微通道散热片的内部形成的具有流体的流入口以及流出口的流体流路；
在所述微通道散热片的外壁面上进行冷却的冷却区域；以及
保留所述冷却区域，连续地覆盖在所述外壁面上和所述微通道散热片的内壁面上，防止所述微通道散热片和所述流体接触的树脂层，其中，
所述半导体激光元件
在与所述外壁面保持热接触的状态下配置在所述冷却区域中。
10. 根据权利要求9所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述树脂层由环氧树脂形成。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20080903 Termination date: 20121216 |