发明内容
本申请发明,鉴于上述问题而作出,目的在于提供能够对每一制品收集环境负载数据的电子器件制造系统、电子器件的制造方法、电子器件及电光装置.
本发明,为了解决上述问题,其特征在于,具备:处理多个由多个工件构成的批,具有:按每批单位计测构成上述多个批的各批的上述多个工件的处理时间的时间计测部,计测对应于按上述每批单位所计测到的上述多个工件的上述处理时间的环境信息的环境信息计测部,和可以发送接收的通信部的处理单元;和对应于上述多个批的各批而设置,可以与上述处理单元的上述通信部进行发送接收,具有接收、存储上述批的上述多个工件的上述处理时间、环境信息的存储部的工件信息管理单元.
依照该构成,能够按每个收存有多个工件的批单位地,计测处理单元的处理时间,并计测对应于处理时间的环境信息。然后,能够将计测到的按每批单位的处理时间、环境信息,发送到对应于每个批单位而设置的工件信息管理单元中,使之存储到工件信息管理单元的存储部中.即,能够使计测到的批的固有的信息,以1对1相关联地存储到附带于批的工件信息管理单元中.
因此,依照本申请发明,能够例如以下地利用存储于工件信息管理单元中的处理时间、环境信息作为环境负载数据.还有,在本申请发明中环境负载数据,指的是“环境信息”.另外,上述“批识别号码”、“基板数量”及“处理时间”,是用于计算环境负载数据的参数.
(1)能够以批为单位、一件制品为单位、装置为单位取得每天的环境负载数据.由此,例如,在每天的环境负载数据,按每批单位不相同的情况下,能够解析、分析原因,能够谋求制造工序的最优化。
(2)能够以一件制品为单位等,比较新制品和老制品的环境负载数据。由此,能够对用户公开与老制品相比较的新制品的性能.
(3)能够谋求工艺的改善.例如,能够分析、解析在省略了制造工艺的一个工序时、或者、追加制造工艺时环境负载数据怎样地变化,而谋求工艺的改善.
(4)能够进行在不同地域的环境信息的比较.例如,能够在日本的工厂、和外国的工厂引进相同装置并进行处理的情况下,以一个制品为单位等收集各工厂中的各装置的环境负载数据.从而,能够解析、分析因地域差别所产生的问题,能够谋求工艺的改善、环境负载的降低化。
另外本发明的电子器件制造系统,优选:上述工件信息管理单元的上述存储部,存储固有的批识别信息和收存于上述批中的上述多个工件的工件数量信息.
依照该构成,能够对多个批的各批,分配与其他的批不重复的固有的批识别信息.从而,处理单元,即使在将多个批或者收存于批中的工件同时送入到处理单元的情况下,照样能够根据分配给各批的批识别信息,识别出各批或者工件所属的属性.另外,可以在多个处理单元的处理结束之后,以各批为单位整理从处理单元收集到的信息而对其进行管理.进而,根据收存于各批中的工件的数量信息,能够把握最终剩余的工件的数量。由此,能够计算出每工件单位的处理时间、环境信息等.
另外本发明的电子器件制造系统,优选:在上述处理单元的工件送入口和工件送出口处分别设置检测工件的送入或者送出的传感器。
依照该构成,由工件送入口的传感器检测工件向处理单元的送入,及由工件送出口的传感器检测从处理单元的送出.由此,能够由时间计测部计测各批的最初的工件送入到处理单元中的送入时间以及各批的最后的工件从处理单元中送出的送出时间。从而,能够根据送入时间和送出时间,计算出对应于各批的各处理单元的处理时间.同样地,例如,能够以根据上述传感器的检测作为基准,计测使用功率、药品消耗量、使用水量。
另外本发明的电子器件制造系统,优选:上述处理单元的上述通信部,在由上述传感器检测到上述批的最初的工件已经送入到了上述处理单元中之后,向上述工件信息管理单元发送工件检测信息;上述工件信息管理单元,在接收到上述工件检测信息之后,向上述处理单元发送上述批识别信息和上述工件数量信息.
依照该构成,处理单元,能够在开始处理之前,取得已经送入到了处理单元中的工件所属的批识别信息和该批的工件数量信息.从而,处理单元,即使在收存于多个批中的多个工件已经连续地送入到了处理单元中的情况下,照样能够根据批识别信息和工件数量信息,识别出各工件所属的批.
另外本发明的电子器件制造系统,优选:上述处理单元,具备对处理后的上述工件的数量计数的工件数量计数部,上述处理单元的上述通信部,在由上述传感器检测到上述批的最后的工件已经从上述处理单元中送出之后,将上述批识别信息、处理后的上述工件数量信息、上述环境信息及上述处理时间在上述处理单元中发送,发送到上述工件信息管理单元;上述工件信息管理单元,接收上述批识别信息、处理后的上述工件数量信息、上述环境信息及上述处理时间,存储到上述存储部中.
依照该构成,能够将由工件数量计数部计数的处理后的工件数量及按每批单位地计测到的环境信息、处理时间,发送给对应于各批的工件信息管理单元使之存储.由此,能够按各批单位每一个地管理环境负载数据.
另外,因为处理单元,与环境信息一同发送批识别号码,所以能够在接收侧的工件信息管理单元中,根据该批识别号码,判断与分配给自身的批识别号码是否一致。由此,能够进行仅在批与对应于该批的工件信息管理单元间的发送接收,能够避免误发送.
另外本发明的电子器件制造系统,优选:上述处理单元的上述环境信息计测部,具备以上述批为单位计测上述处理时间内的使用功率的功率计、计测使用水量的水量计、计测药品消耗量的药品计测计之中的至少多于或等于1种。
依照该构成,能够计测各处理单元中的每批单位的使用功率、使用水量、药品消耗量.由此,能够从各种途径收集各处理单元中的每批单位的环境负载数据.
另外本发明的电子器件制造系统,也优选:由进行相同或者不同的处理的多个处理单元构成.
电子器件由多个处理单元处理而形成.从而,依照本发明,能够使在多个处理单元中计测到的每批单位的环境负载数据,存储到对应于每批单位而设置的工件信息管理单元中.即,能够使1个电子器件的直到制造完成所必需的环境负载数据按各处理单元地分类而存储到工件信息管理单元中.由此,可以收集电子器件直到制造完成的环境负载数据.
另外本发明的电子器件制造系统,也优选:上述工件信息管理单元,设置在附带于上述批的各批的流动单或者夹具上.
依照该构成,因为流动单或者夹具跟随于批运送到各处理单元中,所以设置于流动单等上的工件信息管理单元也同样地跟着批运送到各处理单元中.由此,能够对应于各批的每一个,管理工件信息管理单元.优选:在本发明中,在工件信息管理单元中,使用例如IC标签、IC卡.
本申请发明的电子器件的制造方法,特征在于:由上述电子器件制造系统制造电子器件.
另外本申请发明的电子器件,特征在于:根据上述电子器件的制造方法制造.
而且本申请发明的电光装置,特征在于:具备上述电子器件.
依照本申请发明的电子器件的制造方法,能够谋求制造工序管理的最优化,能够有效率地制造电光装置.另外依照本申请发明的电子器件及电光装置,同样地,能够谋求制造工序管理的最优化,能够有效率地制造电子器件及电光装置。
还有,在本申请发明中,所谓电光装置,是除了具有通过电场改变物质的折射率而使光的透射率改变的电光效应的装置之外,还包括将电能变换成光能的装置等的装置的总称。具体地,有使用液晶作为电光物质的液晶显示装置、使用有机EL(Electro-Luminescence,电致发光)的有机EL装置、使用无机EL的无机EL装置、使用等离子体用气体作为电光物质的等离子体显示装置等.而且,有电泳显示装置(EPD:ElectrophoreticDisplay,电泳显示)、场致发射显示装置(FED:Field Emission Display,场致发射显示)等.
具体实施方式
以下,关于本发明的实施方式,参照附图进行说明.
在本实施方式中,关于收集制造用于例如液晶显示装置的薄膜二极管(TFD)元件的情况下的环境负载数据的TFD元件制造系统(电子器件制造系统)进行说明。另外,虽然在实际的制造TFD元件的情况下,使用多个处理装置进行预定的处理而制造,但是在本实施方式中为了使发明的理解容易些,对1台处理装置(蚀刻装置)中的情况下的TFD制造系统进行说明。而且,虽然在TFD制造系统中,在上述各处理装置中,实施送入多个批的基板的预定处理,但是在本实施方式中对送入1个批的基板到处理装置中的情况进行说明.还有,在用于以下的说明的各附图中,为了使各构件为可以识别的大小,适当变更了各构件的比例尺.
图1,用框图表示了本实施方式的TFD元件制造系统.
如图1中所示地,TFD元件制造系统10,具备蚀刻装置80,批L1,和流动单28.并且,蚀刻装置80,具备多个传感器12,无线部14(通信部),功率计16,计数部20(工件数量计数部),时间计测部18,和处理部22.并且,流动单28,具备IC标签30(工件信息管理单元)。
以下,关于蚀刻装置80的框构成参照图1进行说明.
传感器12a设置在蚀刻装置80的送入口的顶部,传感器12b设置在蚀刻装置80的送出口的顶部.在本实施方式中传感器12a、传感器12b,是例如红外线传感器.设置在送入口的传感器12a,当基板26(工件)送入到蚀刻装置80内时,传感器12a的受光部就接受基板26的红外线(光)将其变换成检测信号。设置在送出口的传感器12b也是同样.而且,传感器12a、传感器12b,电连接于无线部14、功率计16、时间计测部18及计数部20,将上述检测信号供给到无线部14、功率计16、时间计测部18及及计数部20.
功率计16,设置在蚀刻装置80的外部,计测批L1的使用功率.另外,功率计16,电连接于上述传感器12a、传感器12b及无线部14。功率计16,根据设置在送入口的传感器12a的基板26送入的检测信号,开始进行使用功率的计测;根据设置在送出口的传感器12b的基板26送出的检测信号,结束使用功率的计测.由此,能够计测批L1的使用功率量.还有,在本实施方式中,功率计16,计测用于高频电源、真空泵、温度等的控制的全部的功率.
时间计测部18,设置在蚀刻装置80内,与传感器12a、传感器12b及无线部14电连接.时间计测部18,计测被蚀刻装置80处理的批L1的处理时间.即,当传感器12a检测到批L1的最初的基板26,并将检测信号供给到时间计测部18中时,则时间计测部18,计测供给检测信号的时间作为送入时间.然后,当传感器12b检测到批L1的最后的基板26,并将检测信号供给到时间计测部18中时,则时间计测部18,计测供给检测信号的时间作为送出时间.然后,时间计测部18,根据计测到的送入时间和送出时间计算出批L1被蚀刻装置80处理的处理时间.
计数部20,设置在蚀刻装置80内,与无线部14和处理部22电连接。计数部20,当从设置于送出口的传感器12b供给检测信号(从蚀刻装置80送出基板26时检测的信号)时,就对该供给的检测信号计数.这样一来,计数部20,能够对属于各批的基板26的数量计数.另外,计数部20,当从处理部22供给在蚀刻处理中废弃等的基板26的废弃信号时,则对该废弃信号计数.
无线部14,设置在蚀刻装置80内部,与传感器12a、传感器12b,功率计16,计数部20及时间计测部18电连接.无线部14,具备天线电路、控制电路、电源电路、解调电路、调制电路.从而,无线部14,可以与设置在蚀刻装置80的外部的IC标签30,进行近距离无线的无线通信,发送接收各种信息.在此所谓近距离,指:与通过移动体通信进行的移动机和基地站间的距离相比较,非常近的距离;指的着:以RF-ID(RadioFrequency Identification,无线射频识别)、无线LAN(Local Area Network,局域网)、蓝牙(Bluetooth,蓝牙,注册商标)、红外线等提供的近距离通信所提供的可以通信的距离.在本实施方式中,如后述地,因为IC标签30安装在附带于批L1上的流动单28上,所以与蚀刻装置80的无线部14处于充分近的距离.
接着,关于批L1、流动单28及IC标签30参照图1进行说明.
在批L1中,如图1中所示地,多个基板26收置于内部.另外,在批L1上,附带着流动单28。在流动单28上,记载着批L1的批识别号码、和以与按各装置每一个所设定的控制参数(温度,压力,气体的种类和流量,时间等的控制目标值)相关的处理程序为内容的预定的制法(处理顺序、处理内容)的制法号码等.
IC标签30,安装在流动单28上.该IC标签30,是根据电磁感应方式或微波方式等非接触通信方式的R/W单元可以读出及写入数据(信息)的IC(集成电路)标签,一般称为RF-ID.
图2,是表示IC标签30的概略构成的框图.
IC标签30,如图2中所示地,具备控制电路40,存储器42(存储部),天线电路32,电源电路34,解调电路36,和调制电路38。控制电路40,是接受来自上述蚀刻装置的无线部14的电波而控制IC标签30的工作的控制装置,与存储器42、解调电路36、调制电路38分别连接.还有,存储器42,是由控制电路40读出或写入各种数据的不易失的可以改写的存储装置.本实施方式的IC标签30,采用能够确保通信距离最大数米程度的电磁感应方式的IC标签30.具体地,蚀刻装置80的无线部14和IC标签30的通信频率,例如,能够利用135KHz、13.56MHz、2.45GHz等频带.还有,通过使用UHF带的频率,也可以使蚀刻装置80的无线部14和IC标签30的通信距离为较宽范围.
接着,关于上述IC标签30的存储器42的数据结构的一例,参照图3进行说明.
在存储器42中,设定了直到制造TFD元件为止所使用的装置的项目。设定成,使用例如使TaW在基板26上溅射成膜的“溅射装置”,使已溅射成膜的TaW按预定形状图形化的“蚀刻装置”…等的顺序。然后,对应于各装置(“溅射装置”等),设定“批识别号码”、“基板数量”、“处理时间”及“使用功率”的项目。在此,“批识别号码”,是与多个批Li之中的其他的批L不重复的固有的识别号码,该固有的识别号码被分配给多个批Li的各批.“基板数量”,是收置于多个批Li的各批中的基板26的数量。关于“处理时间”、“使用功率”,与上述中所说明过的相同。由此,能够对每批单位,把握在各装置中所需要的“处理时间”、“使用功率”.
其次,关于利用本实施方式的TFD元件制造系统,制造TFD元件的方法,参照图4、图5详细地说明.
图4,是在流程图中表示本实施方式中的TFD元件的制造工序的图.关于TFD元件的制造方法,因为采用与现有的方法同样的方法,所以在本实施方式中省略而进行说明.并且,关于TFD元件的一部分的制造工序(图4中所示的TaW光刻工序(步骤S53))的TFD元件制造系统进行说明。而且,在各处理装置中,虽然送入多个批Li,但是在本实施方式中关于送入了多个批Li之中的批L1的情况进行说明.
图5,是在流程图中表示本实施方式的蚀刻装置80和IC标签30的工作的图.
首先,结束图4中所示的前工序(步骤S52)的由TaW溅射装置进行的处理的批L1,被运送到蚀刻装置80的装载机中.然后,被收存在批L1中的多个基板26,由装载机从批L1顺序送入到蚀刻装置80中.设置在蚀刻装置80中的送入口传感器12a,当检测到最初送入到蚀刻装置80中的批L1的基板26时,就将检测信号供给到无线部14.无线部14,将被供给的检测信号发送给IC标签30(步骤S20).
IC标签30,当接收到来自蚀刻装置80的检测信号时(步骤S50),就读入存储在存储器42中的“批识别号码”、“基板数量”,再次发送给蚀刻装置80(步骤S70).具体地,当前,在蚀刻装置80中因为处理中的批L1的属性是“1”所以“批识别号码”为“1”。并且,因为批L1中存放着20块基板26,所以“基板数量”为“20”.从而,IC标签30,将“批识别号码1”、“基板数量20”发送给蚀刻装置80.
蚀刻装置80,接收从IC标签30发送的“批识别号码1”、“基板数量20”(步骤S80),并供给到计数部20.
蚀刻装置80的时间计测部18,当从送入口传感器12a供给检测信号时,就计测检测到的时间.在本实施方式中,以检测到的时间作为送入时间(步骤S30).另外,同样地,功率计16,当从送入口传感器12a供给检测信号时,就计测蚀刻装置80的使用功率(步骤S30).即,功率计16,以批L1的最初的基板26的送入时间作为基准,开始蚀刻装置80的使用功率的计测.
图6,是表示对应于本实施方式的蚀刻装置80的各批Li(i=1、2、3…)的处理时间和基于处理时间的使用功率的关系的坐标图.图6的横轴表示蚀刻装置80的处理时间.详细地,Tin表示各批L的送入时间,Ton表示各批L的送出时间。图6的纵轴表示蚀刻装置80的使用功率.
如图6中所示地,功率计16,以送入口传感器12a检测到属于批L1的最初的基板26的送入时间Ti1作为基准,开始进行使用功率的计测。在图6中所示的R1的区间,表示虽然基板26已经送入到蚀刻装置80内,但是对于基板26还未开始处理的状态.在该R1区间稍微消耗点功率,是因为驱动对蚀刻装置80内进行排气的真空泵、运送基板26的运送单元等的缘故.
其次,当基板26被送入到蚀刻装置80内时,蚀刻装置80的处理部22,就将构图为预定形状的光敏抗蚀剂作为掩模进行干法蚀刻处理(步骤S40)。此时,功率计16即使在蚀刻处理中也继续计测使用功率。如图6中所示地,一开始对基板26的蚀刻处理,则由于对电极部的高频电压的施加等更加消耗功率,在R2的区间使用功率就上升.
另外,处理部22,在上述蚀刻处理之外,在蚀刻处理工序中例如一块基板26已破损的情况下,就废弃该破损掉的基板26.然后,处理部22将该破弃信号供给到计数部20.计数部20,若由处理部22供给废弃信号,则从所接收的来自IC标签30的“基板数量”的值中,减去废弃掉的基板数量。即,计数部20,从“基板数量20”改写成“基板数量19”而更新为最新的信息。由此,计数部20,能够一直把握在蚀刻装置80内所处理的基板26的块数.
然后,若由上述处理部22结束蚀刻处理,则属于批L1的多个基板26,就从蚀刻装置80中顺序送出.送出口传感器12b,按每块地检测被送出来的基板26,并将该检测信号顺序供给计数部20(步骤S100)。然后,计数部20,对从送出口传感器12b供给的检测信号计数.此时,计数部20,根据在蚀刻处理中从处理部22供给的废弃信号,识别出“基板数量”为“19”.从而,计数部20,根据从送出口传感器12b供给的检测信号,在对检测信号计数、并19次检测到检测信号之后,将检测信号分别供给到时间计测器18及功率计16.即,计数部20,在收存于批L1中的基板26的处理全部结束之后,对时间计测器18及功率计16通知:批L1的由蚀刻装置80进行的处理已结束.
若送出口传感器12b检测到属于批L1的最后的基板26的送出,则从计数部20供给检测信号到时间计测部18.时间计测部18对供给检测信号的时间计测(步骤S120).在本实施方式中,以检测到的时间作为送出时间.然后,时间计测部18,由上述送入时间和送出时间,计算出批L1的由蚀刻装置80进行的处理时间,并将计算出的处理时间供给到无线部。
另外,同样地,若送出口的传感器12b检测到批L1的最后的基板26的送出,则从计数部20供给检测信号到功率计16。功率计16,停止对蚀刻装置80的使用功率的计测(步骤S120).即,功率计16,以批L1的最后的基板26的送出时间作为基准,结束对蚀刻装置80的使用功率的计测。然后,计算出每段批L1的处理时间的总使用功率,并将计算出的总使用功率供给到无线部.
如图6中所示地,功率计16,以送出口传感器12b检测到属于批L1的最后的基板26的送出时间To1作为基准,停止使用功率的计测.在图6中所示的R3的区间,表示虽然已经结束由蚀刻装置80进行的处理,但是基板26仍然滞留在蚀刻装置80内,由于起动真空泵等而稍微消耗些功率的状态.然后,由于功率计16的计测的停止,使用功率变成零。在此,处理时间T,如图6中所示地,以T=To1-Ti1表示。根据以上,批L1的蚀刻装置80中的使用功率,为从送入时间Ti1到送出时间To1的功率的总和.这样一来,在本实施方式中,能够以批为单位计测由蚀刻装置80进行的处理时间的使用功率.
另外,计数部20,在从送出口传感器供给的检测信号的计数数值,与从IC标签发送来的“基板数量”(当在处理中数量被更新的情况下,为更新后的“基板数量”)的值一致的情况下,将接着送入进蚀刻装置80中的基板26,识别为是属于批L1之外的新的批的基板26.
具体地,若属于批L2的基板26送入到蚀刻装置80中,则送入口传感器12a,就检测基板26的送入,并将检测信号供给到无线部14。无线部14,将检测信号发送给安装于批L2的流动单28上的IC标签30.批L2的IC标签30,当接收到检测信号时,就从存储器42中读出“批识别号码2”、“基板数量20”,并将该信息发送给蚀刻装置80.蚀刻装置80接收“批识别号码2”、“基板数量20”,并将该信息供给到计数部20.这样一来,计数部20,识别送入进蚀刻装置80中的新的批的属性.
接着,蚀刻装置80的无线部14,将批L1的“批识别号码”、计测到的“基板数量”、“处理时间”及“使用功率”发送给IC标签30(步骤S130)。
IC标签30,接收“批识别号码”、批L1的“基板数量”、“处理时间”、“使用功率”(步骤S140).此时,IC标签30,判断分配给自身的固有的“批识别号码”,与接收到的“批识别号码”是否一致。在“批识别号码”互相一致的情况下,就将接收到的上述各种信息存储到存储器42中。另一方面,在“批识别号码”互相不一致的情况下,就丢弃上述接收到的信息.在本实施方式中,因为分配给IC标签30的“批识别号码”是“1”,接收到的“批识别号码”是“1”而一致,所以接收上述信息.
IC标签30,将批L1的“基板数量20”、“处理时间”、“使用功率”分别存储到图3中所示的存储器42的对应于“蚀刻装置”的属性中.在此,在IC标签30的存储器42中,已经存储了在图4中所示的TaW溅射工序(步骤S53)的溅射装置中计测到的环境负载数据.
其次,若结束由蚀刻装置80进行的处理,则基板26,就进行到图4中所示的阳极氧化工序(图4中所示的步骤S54)中。然后,根据上述方法,阳极氧化装置,计测与批L1相关的各种信息(“使用功率”等),并将计测到的信息发送给对应于批L1的IC标签30中.然后.IC标签30,将与上述批L1相关的各种信息存储到存储器42中.在本实施方式的TFD元件制造系统中,对用于TFD元件的制造工序(图4中所示的步骤S55~步骤S61)的各装置反复执行这样的工作.由此,能够使与批L1有关的全部工序的处理装置中的环境负载数据存储到IC标签30中.
其次,如图5中所示地,在结束TFD元件的全部的制造工序之后,由R/W单元50读入安装于批L1的流动单28上的IC标签30(步骤S170)。R/W单元50,与在图4中所示的TFD元件制造工序的步骤S61的退火B装置并列设置,结束退火B工序后,即结束TFD元件制造工序之后,其读入IC标签30的存储器42的各种信息.
在此,首先,对读入存储于IC标签30中的信息的R/W单元50的构成简略化进行说明.
图7,是表示R/W单元50的概略构成的框图.如图7中所示地,R/W单元50,具备CPU58,ROM60,RAM62,输入输出电路56,电源电路64,解调电路66,和调制电路68.CPU58、ROM60及RAM62通过总线相互连接.该总线,进而,连接到输入输出电路56,通过电缆54而将天线元件52连接到该输入输出电路56上.
CPU58,是控制R/W单元50的各部分的运算装置,ROM60,是存储通过该R/W单元50运行的控制程序、各种固定值数据的不可改写的非易失性存储器42.RAM62,是为了在R/W单元的各工作的执行时暂时存储各种数据的可改写的易失性存储器42,暂时存储从IC标签30读取的环境负载数据.还有,在R/W单元中设置一直接受供电的电源电路64,由该电源电路64供给各部分平常所需要的功率.解调电路36,将通过天线元件22接收的电磁波信号(模拟信号)解调成识别码等的原数据(数字信号),调制电路68,将向IC标签30发送的环境负载数据的各数据(数字信号)调制成电磁波信号(模拟信号)向天线元件22输出.
其次,对使存储于IC标签30中的信息读入到R/W单元50中的工作进行说明。
首先,使附带于批L1的流动单28,非接触/接触R/W单元50,读入存储于IC标签30中的环境负载数据。该读入工作,既可以由操作员进行,也可以由机械自动进行.详细而言,R/W单元50,从天线元件22使之发送预定频率(例如13.56MHz)的电磁波.若安装于流动单28上的IC标签30接收到电磁波,则接受电磁波而在天线电路32中产生感应电压,由该感应电压起动IC标签30.然后,IC标签30,从存储器42中读出“批识别号码”、“基板数量”、“处理时间”及“使用功率”,并发送给R/W单元50。
RAM62,存储从IC标签30无线发送的对应批L1的“批识别号码”、“基板数量”、“处理时间”及“使用功率”.图8,是表示R/W单元50的RAM62的数据结构的一例的图.在本实施方式中,在存储器42的“批识别号码”中预先顺序存储“1”~“100”.从而,RAM62,在接收到的“批识别号码”是“1”的情况下,在RAM62的对应于“批识别号码”的“1”的“蚀刻装置”的“基板数量”、“处理时间”、及“使用功率”中,存储接收到的信息。例如在“蚀刻装置”的“基板数量”中存储着“19”。
CPU58,由接收到的批L1中的“基板数量”和“使用功率”,计算出各处理装置的“每块基板的使用功率”.同样地,从“基板数量”和“处理时间”,计算出各处理装置的“每块基板的处理时间”.然后,CPU58,由各处理装置的“每块基板的使用功率”,对批L1的全部处理装置的“每块基板的使用功率”进行总计,计算出为了制造TFD元件的一个制品所必需的“使用功率”。同样,计算出为了制造批L1的TFD元件的一个制品所必需的“处理时间”.并且,CPU58,既可以计算出各处理装置的一天的“使用功率”、“处理时间”,也可以计算出工厂的一天的“使用功率”、“处理时间”.然后,CPU58,将计算出的各种信息存储到RAM62的预定区域中.
依照本实施方式,能够按收存多个基板26的批单位每个地,计测由蚀刻装置80进行的“处理时间”,并计测对应于处理时间的“使用功率”等。然后,能够将计测到的每批单位的“处理时间”、“使用功率”等,发送给对应于每批而设置的IC标签30,使之存储到IC标签30的存储器42中。即,能够使计测到的批L的固有的信息,1对1地相关联地存储到附带于批L的IC标签30中.
因此,依照本实施方式,能够例如以下地利用存储于IC标签30中的“处理时间”、“使用功率”等作为环境负载数据.还有,在本实施方式中环境负载数据,作为包括上述“批识别号码”、“基板数量”、“处理时间”及“使用功率”等的广的概念使用.
(1)能够以批为单位、以装置为单位、以一件制品为单位取得每天的环境负载数据。由此,例如,在每天的环境负载数据,按每一制品等不相同的情况下,能够解析、分析原因,能够谋求工艺的最优化.
(2)能够以批为单位、装置为单位、一件制品为单位,比较新制品和老制品的环境负载数据.由此,能够对用户公开与老制品相比较的新制品的性能.
(3)能够谋求工艺的改善.例如,能够分析、解析在省略了制造工艺的一个工序时、或者、追加制造工艺时环境负载数据怎样地变化,并谋求工艺的改善.
(4)能够进行在不同地域的环境信息的比较.例如,能够在日本的工厂、和外国的工厂引进相同装置并进行处理的情况下,以一个制品为单位收集各工厂中的各装置的环境负载数据.从而,能够解析、分析因地域差别所产生的问题,能够谋求工艺的改善、环境负载的降低化.
<TFD元件>
通过利用上述的TFD元件制造系统,制造是非线性阻抗元件的TFD元件。TFD元件,由根据在图4中所示的流程的制造工序而制造.关于制造工序的详细内容,因为能够采用公知的制造工序,所以在本实施方式中省略说明.图9,是表示TFD元件的概略构成的立体图.如图9中所示地,每个TFD元件33,通过串联连接第1TFD要素33a和第2TFD要素33b而形成,采用背对背结构.并且各TFD元件33,具有第1金属层82(Metal,金属)-绝缘层84(Insulator,绝缘层)-第2金属层86(Metal,金属)的叠层结构、所谓MIM结构,且电压-电流特性具有非线性。而且,TFD元件33,第1金属层82由TaW(钽和钨)形成,绝缘层84由阳极氧化膜形成,第2金属层86由铬(铬)形成.在图1中,第1TFD要素33a的第2金属层86从线(line)布线31的第3层31c延伸.并且,不重叠到第2TFD要素33b的第2金属层86的前端上地,形成点电极88。即,第2金属层86,如图1中所示地,接触于像素电极88的上面的一部分而形成。若认为电信号从线布线31流向像素电极88,则沿该电流方向,在第1TFD要素33a中电信号按第2电极86→绝缘膜84→第1金属层82的顺序流动,另一方面,在第2TFD要素33b中电信号按第1金属层82→绝缘膜84→第2金属层86→像素电极88的顺序流动。
<电光装置>
其次,参照附图,对具备根据上述的TFD元件制造系统而制造的TFD元件的液晶显示装置进行说明.即,本实施方式中的液晶显示装置,利用TFD元件作为驱动各像素的开关元件.
图10,是对本发明的液晶显示装置,从与各构成要素一同表示的对向基板侧所看到的平面图.图11是沿图10的H-H′线的剖面图.还有,在用于以下的说明的各图中,为了使各层、各构件为在附图上可以识别的程度的大小,对各层、各构件,使比例尺不同。
在图10及图11中,本实施方式的液晶显示装置(电光装置)160,通过作为光固化性的密封材料的密封材料94粘合成对的TFT阵列基板90和对向基板92,在被该密封材料94划分的区域内封入、保持液晶98.密封材料94,形成在基板面内的区域中封闭的框状,成为不具备液晶注入口,没有用密封材料密封后的痕迹的构成.
在密封材料94的形成区域的内侧的区域中,形成由遮光性材料构成的周边隔断构件96.在密封材料94的外侧的区域中,沿TFT阵列基板90的一条边形成数据线驱动电路201及安装端子202,沿与该条边相邻的两条边形成扫描线驱动电路204.在TFT阵列基板90的剩下的一条边上,设置用于连接设置于图像显示区域的两侧的扫描线驱动电路204之间的多条布线205.另外,在对向基板92的角部的至少1处,配设用于在TFT阵列基板90和对向基板92之间取得电导通的基板间导通件206。多个像素电极88在TFT阵列基板90内面侧形成为矩阵状(图示省略)。另一方面,在对向基板92的内面侧形成薄长方形状的条状电极23.并且,在各像素电极88上连接TFD元件33作为开关元件(图示省略).
还有,虽然在液晶显示装置160中,相应于使用的液晶98的种类,即,TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式模式等的工作模式,或常白模式/常黑模式的不同,按预定的朝向配置相位差板,偏振板等,但是在此省略图示.
另外,在构成液晶显示装置160作为彩色显示用的情况下,在对向基板92中,在与TFT阵列基板90的后述的各像素电极88对向的区域中,与其保护膜121一同形成例如,红(R)、绿(G)、蓝(B)的滤色器。
<电子设备>
其次,对本发明的电子设备的一例进行说明.
图12,是表示具备有以上述的TFD元件作为开关元件的液晶显示装置的便携电话机的一例的立体图.图12,表示是本申请发明的电子设备的一例的便携电话机.于此所示的便携电话机600,具有可以以铰接部122为中心折叠的第1机身102a和第2机身102b.而且,在第1机身102a上,设置液晶显示装置601、多个操作按钮127,受话口124,天线126.另外,在第2机身102b上,设置送话口128.
还有,虽然本实施方式的电子设备为具备液晶装置的设备,但是也能够为具备有机电致发光显示装置、等离子体型显示装置等的其他的电光装置的电子设备.
还有,由本实施方式的TFD元件制造系统制造的TFD元件,还能够适用于除了上述便携电话机之外的各种电子设备中.例如,还可以适用于液晶投影机、多媒体对应的个人计算机(PC)及工程工作站(EWS)、呼机、文字处理机、电视机、取景器型或监视器直视型的磁带录像机、电子笔记本、电子台式计算器、车辆导航装置、POS终端、具备触摸面板的装置等电子设备中.
依照本实施方式的TFD元件等电子器件、液晶显示装置等电光装置、便携电话机等电子设备,因为由上述的TFD元件(电子器件)制造系统制造,所以能够谋求制造工序管理的最优化,能够有效地制造电子器件、电光装置及电子设备.
还有,本申请发明,并不限定于上述之例,在不脱离本申请发明的要旨的范围内能够加以各种变更.并且,还可以在不脱离本申请发明的要旨的范围内组合上述的各例.
例如,在上述实施方式中,虽然将IC标签30安装在附带于批L的流动单28上,但并不限定于此.只要是与蚀刻装置80的无线部14可以近距离通信的距离,可以将IC标签30安装在任何部位。具体地,能举出运送批L的夹具等.
另外,在上述实施方式中,虽然使计测到的各装置的环境负载数据存储在了IC标签30中,但是只要能够与蚀刻装置80的无线部14近距离通信,并可以存储接收到的信息,也可以采用IC卡等存储介质。另外,还可以使以各批为单位计测到的各装置的环境负载数据,存储在多个IC标签30中.
另外,在上述实施方式中,作为环境负载数据的一例,虽然设置了计测各批L的各处理装置中的“使用功率”的功率计16,但是并不限定于此。例如,也可以在各处理装置中设置计测“使用水量”的水量计、计测“药品消耗量”的药品计测计等。由此,能够从各种方面进行工艺等的分析、解析,能够谋求工艺的最优化.