CN100410987C

CN100410987C - 配备了适合执行快速电荷均衡操作的驱动装置的等离子显示装置

Info

Publication number: CN100410987C
Application number: CNB2004100048577A
Authority: CN
Inventors: 帕斯卡尔·德努瓦耶勒; 克洛德·梅森; 阿桑内·盖尔穆德
Original assignee: Thomson Plasma SAS
Current assignee: Thomson Plasma SAS
Priority date: 2003-02-06
Filing date: 2004-02-06
Publication date: 2008-08-13
Anticipated expiration: 2024-02-06
Also published as: FR2851073A1; JP2004240430A; CN1521716A; EP1445756A2; TW200428331A; EP1445756A3; KR20040071627A; JP4838983B2; KR101049866B1

Abstract

一种配备了适合执行快速电荷均衡操作的驱动装置的等离子显示装置。按常规，驱动装置适合产生电荷均衡或重置操作，然后是寻址操作和保持操作；本发明涉及将重置操作划分为两个连续步骤：亚稳定空间电荷产生步骤P1；和在系统以至少用于寻址的电极E1，E2之间的弱放电模式操作期间的加速电荷产生结束步骤P2。由于这种划分，可以缩短重置操作并且提高面板的发光性能和/或等离子面板的产量。

Description

配备了适合执行快速电荷均衡操作的驱动装置的等离子显示装置

技术领域

本发明涉及包括等离子面板、具有至少用于寻址的相交电极的带记忆效应的AC型显示设备，所述设备可以任选配备至少用于保持该面板的共面电极，和驱动该面板的装置，该设备适合于在该面板的放电区中执行电荷均衡(或重置)、寻址和保持操作。

背景技术

具有记忆效应的AC等离子显示面板(PDP)通常包括两块中间留有包含放电气体的空间的平行板；在两块板之间，通常在这些板的内表面，这样的面板带有一些电极阵列：

-通常两个相交电极的阵列分别位于不同板上，因此是非共面的，用于寻址放电，在两块板之间的电极相交处，定义光放电区；并且

-至少两个平行共面电极阵列位于同一块板上并且用作保持放电；这些阵列被覆盖了一层介电层，特别提供了记忆效应；这个介电层本身覆盖了一层通常是基于氧化镁的起保护作用的二次电子发射层。

保持阵列的每个电极与另一个保持阵列的电极形成一对规定它们之间连续光放电区的电极，通常沿着面板放电区的行分布。

光放电区在面板上形成二维矩阵；每个区域能够发光使得矩阵显示要显示的图像。

通常，其中一个共面电极的矩阵既用作寻址也用作保持。在这种特定情况下，这个电极阵列以下被称作Y，第二个共面电极阵列被称作X，并且位于另一块板上与Y和X正交的地址电极阵列被称作A。因此电极阵列X和Y提供放电区的行，而只用于寻址的电极阵列A提供放电区的列。

相邻放电区，至少是那些发射不同颜色的区，通常用隔离肋围住；这些肋通常作为板之间的隔片。

光放电区的侧壁通常被局部地涂覆对来自光放电的紫外线辐射敏感的磷光物质；相邻放电区配备了发射不同原色的磷光物质，通过这种方式组合的三个相邻区域形成一个图像元素或象素。

实际上，这些磷光物质覆盖隔离肋的斜侧壁并且板支撑这些肋，通常板支撑只用于寻址的电极阵列；因此地址电极覆盖有磷光物质。

在等离子面板工作时，为了显示图像，利用放电区矩阵执行连续显示或子分区显示操作；每个分区显示操作通常包括下列步骤：

-首先，可选择的地址步骤，它的目的是通过在这些区中的相交地址电极之间施加至少1个电压脉冲，改变要被激活的每个放电区中的介电层上的电荷；

-其次，非选择的保持步骤，在此期间在保持电极对之间施加连续电压脉冲，以便只在已预先激活的放电区中产生连续光放电。

分区显示操作之后，根据这些区域在分区显示操作期间是否已经被激活，放电区可以处在非常不同的内部电压状态；导致内部电压这种离散状态的还有其它因素，如对应这些区域的磷光物质的自然特征，这些放电区维数特征不可避免的波动和这些区域侧壁表面成分的波动，这些都与面板的生产过程有关。

为了使要寻址的所有放电区的内部电压状态相同，由均衡这些区域的步骤执行大部分寻址步骤，目的是无论它们在进行分区显示操作期间是否已经被激活，所有放电区都将重置为具有相同的内部电压状态；该重置步骤常规上包括电荷形成或起动操作，其后是电荷调整操作，也叫电荷消除操作，理想情况下，每个放电区的内部电压接近地址电极之间和保持电极之间的点火阈值。

对于放电区的每一对地址或保持电极，可以将施加在这些电极之间的外部电压和用来分隔覆盖这些电极的材料的气体空间中的内部电压相关联。由于在这些介电材料与放电区内气体之间的界面，覆盖电极的绝缘材料的表面上的表面电荷，因此内部电压通常不同于外部电压。

这些表面电荷一方面是因限定放电区的材料的介电特性引起的电容效应引起的，另一方面，是由这些放电区的气体中前面的放电产生的、被称作“存储器”电荷的积累引起的。

放电区的内部点火阈值在给定方向上对应沿着该方向上的内部电压限制值，在该阈值之上，该区域中的气体电离。该值依赖于该区域内气体的特性、与该区域内气体接触的材料的特性，和越过该区域到达该区域外部的电极的几何结构。

在上述三个电极阵列X、Y、A的特定情况下，通常有六个内部阈值值与每个放电区相关联：

·用于阳极X和阴极Y之间点火的内部阈值V_{IT_XY}；

·用于阴极X和阳极Y之间点火的内部阈值V_{IT_YX}；

·用于阳极X和阴极A之间点火的内部阈值V_{IT_XA}；

·用于阴极X和阳极A之间点火的内部阈值V_{IT_AX}；

·用于阳极Y和阴极A之间点火的内部阈值V_{IT_YA}；

·用于阴极Y和阳极A之间点火的内部阈值V_{IT_AY}；

术语“阳极”和“阴极”是相对于越过该区域电极附近的放电区的气体中的内部电位：如果接近它的气体中的电势高于接近其它电极附近的电位，那么该电极相对于另一个电极则是阳极，而另一个电极则是阴极。

因为它们以由同一个板携带的、并且通常彼此对称放置的电极产生的，共面模式的放电为特征，所以接下来的两个内部阈值具有相同的值：

V_{IT_S}表示V_{IT_XY}＝V_{IT_YX}。

然而，以矩阵模式并且因此位于两块不同板之间的放电为特征的接下来的两个内部阈值根据所述的那个电极是作为阳极还是阴极而不同：

V_{IT_A_ca}表示V_{IT_XA}＝V_{IT_YA}

V_{IT_A_an}表示V_{IT_AX}＝V_{IT_AY}。

这是因为，当地址电极A的列作为阴极时，由于来自携带它的磷光物质的二次发射小于从覆盖电极X或Y行的介电质表面的氧化镁的二次发射，因此在比它作为阳极时的电压高的地方产生放电。

通常：

-在电荷形成或起动操作期间，用于寻址和保持的每个电极Y相对于另两个电极X和A是阳极；

-在电荷调整或消除操作期间，用于寻址和保持的每个电极Y相对于另两个电极X和A是阴极；

通常，通过一方面缓慢增加两个共面保持电荷之间的电势差，和另一方面缓慢增加用来寻址所有要寻址的一组放电区的两个矩阵电极之间的电势差来执行这些操作；文献FR 2417848(THOMSON-1978)和US5745086(PLASMACO-1998)描述了在其它只作寻址或只作保持的电极应用连续电压信号过程中，对电极或既用于寻址也用于保持的电极采用斜波电压信号的应用。

专利US 5745086显示了当施加的斜波信号斜率不超过10V/μs时，在每个区域，不用强放电而只用电极之间一系列被称作“弱”放电的，有利于执行面板区的重置操作。这些“弱”放电通过这些电极提供的、储蓄在区域侧壁的表面放电来补偿施加到电极的外部电压的增加，并且由于这里没有“强”放电，因此这些区域气体中的内部电压保持等于或略低于上面定义的内部点火阈值。

由弱放电重置，也称作“正向电阻”重置的已知优点在于，它们允许通过产生弱光发射精确地调整放电区内的内部电压。精确调整主要相对于后继地址操作的性能和效率。限制这种光发射主要是为了显示装置的对比度性能。

在放电区内产生弱放电的斜波信号的最大斜率主要依赖覆盖该区域阴极的材料特征，特别是这些材料的二次发射系数和该区域中气体内空间电荷和亚稳定元素的数量。当Y电极相对于X和A电极作为阳极时，起动操作一般使用的斜率值不超过5V/μs。由于斜波的总振幅通常覆盖200V，因此起动操作的时长达到了几十个微秒。该时长表示在扫描和再扫描期间执行的其它操作，即地址和保持操作方面浪费的时间，因而限制了显示装置的性能，特别是它的最大发射。另外，利用标准斜波值，当起动斜波期间面板表现出与强放电的存在有关的缺点时，可以在生产线的末端丢弃某个面板，进一步增加面板的生产成本。

发明内容

本发明的一个目的是限制这些缺陷；本发明的另一个目的是在不降低效率的情况下缩短这些放电区重置操作的时长，也就是说仍然保持各种放电区的均衡水平。

为了这个目的，本发明的显示装置包括：

具有记忆效应的AC等离子面板，包括两个板，在两个板之间留有包含放电气体的空间，和两个至少用于寻址的相交电极的阵列，在板之间的空间中的电极交叉处定义了光放电区；

适合对所述电极施加电压信号的驱动装置，该电压信号适合执行均衡电荷或重置所述放电区的操作；

其特征在于设计所述驱动装置，使其在重置一组放电区的特定操作期间，

如果面板的每个放电区在至少用于寻址和相交所述区域的电极之间具有外部矩阵点火阈值电压V_{ET_E2E1}，如果Min[V_{ET_E2E1}]和Max[V_{ET_E2E1}]分别作为所述组的区域的矩阵点火阈值电压V_{ET_E2E1}的最小值和最大值，那么

只要在所述重置操作期间，在至少用于寻址和相交该组的所述区域的电极之间施加的电势差V_E2E1已超过1.1×Max[V_{ET_E2E1}]的值，V_E2E1就增加被称作操作结束的斜率，该斜率比在当V_E2E1在Min[V_{ET_E2E1}]和Max[V_{ET_E2E1}]之间时的瞬时期间V_E2E1增长的最大斜率陡。

下面进一步详细描述对应第一种情况的发明或第一个实施例。

根据同样的原理，本发明的显示装置包括：

一种显示装置，包括：

具有记忆效应的AC等离子面板，包括两个板，在两个板之间留有的包含放电气体的空间，两个至少用于寻址的相交电极的阵列，在板之间的空间中电极的交叉处定义光放电区；至少两个至少用于保持的电极的阵列，并且这样放置使得这些阵列中的每一个阵列的电极之一越过每个放电区；

适合对所述用于寻址的相交电极和用于保持的电极施加电压信号的驱动装置，该电压信号适合执行均衡电荷或重置所述放电区的重置操作；

如果面板的每个放电区在至少用于寻址和相交所述区域的电极之间具有外部矩阵点火阈值电压V_{ET_EA2EA1}，如果Min[V_{ET_EA2EA1}]和Max[V_{ET_EA2EA1}]分别作为所述组的区域的矩阵点火阈值电压V_{ET_EA2EA1}的最小值和最大值，如果面板的每个放电区在至少用于保持和越过所述区域的电极之间具有外部共面点火阈值电压V_{ET_ES2ES1}，并且如果Min[V_{ET_ES2ES1}]和Max[V_{ET_ES2SE1}]分别作为所述组的区域的共面点火阈值电压V_{ET_ES2ES1}的最小值和最大值，那么

在至少用于寻址和相交该组的所述区域的电极之间施加的电势差V_EA2EA1不超过值Min[V_{ET_EA2EA1}]，而在至少用于保持和越过该组的所述区域的电极之间施加的电势差V_ES2ES1不超过值Max[V_{ET_ES2ES1}]，并且只要在至少用于保持的电极之间施加的电势差V_ES2ES1已超过值Max[V_{ET_ES2ES1}]，就增加被称作正向操作结束的斜率；

或者只要至少用于保持和越过所述区域的电极之间施加的电势差V_ES2ES1已超过值Max[V_{ET_ES2ES1}]，至少用于寻址和相交该组的所述区域的电极之间施加的电势差V_EA2EA1就增加被称作正向操作结束的斜率，该斜率比当V_ES2ES1在Min[V_{ET_ES2ES1}]和Max[V_{ET_ES2ES1}]之间时的瞬时期间，V_ES2ES1增长的最大斜率陡。

因此下面更详细地描述对应第二种情况或第二个实施例，或者更详细地描述对应本发明第三种情况或第三个实施例的本发明。

通常，驱动装置还适合执行：

-有选择地激活或解除放电区的选择地址操作；通过在至少用于寻址的电极之间施加电压脉冲来执行；

-只在面板的预激活放电区初始化放电的非选择保持操作；通过在至少用于保持的电极之间施加电压脉冲来执行；

因为在保持期间，放电只在那些预先激活的区域产生，所以这种面板被称作具有“记忆效应”；为了这个目的，在每一个放电区，至少一个至少用于保持的电极被用于覆盖其本身作为保护的介电层和二次电子发射层覆盖。

介电质层提供记忆效应，使其在保持操作期间只可以在激活的区域初始化放电；保护层通常是基于氧化镁的，并且具有较高的二次电子发射系数，该系数高于每个放电区中涂覆至少用于寻址的电极的材料的二次电子发射系数，这种材料通常为磷光物质。

最好，设计驱动装置，使其在所述特定电荷均衡或重置操作期间，在所述组的每一个区内，覆盖有保护层的电极作为阳极；慝定重置操作是电荷形成或起动操作；在这种情况下，没有电荷调整或清除操作，相反，覆盖有保护层的电极通常作为阴极。

每个重置操作通常涉及面板放电区的一组行，或者甚至所有行；通常在选择地址操作之前初始化这些操作。

术语“矩阵点火”被理解为是指在至少用于寻址的电极之间的初始化放电，而术语“共面点火”被理解为是指至少用于保持的电极之间的初始化放电。

如果面板包括由同一板携带的共面电极阵列，那么这些电极至少用于保持；另一块板通常携带主要用于寻址的电极阵列，或者甚至是附加的初始化保持放电；在这种情况下，至少用于寻址的电极阵列之一最好与至少用于保持的电极阵列之一合并，并形成共面电极阵列之一；因此在起动操作期间，该电极阵列作为阳极。然后使用常规的现有技术的共面等离子面板。

如果面板没有共面电极阵列，那么通常通过在同样用于寻址的电极之间施加电压脉冲来执行保持操作；面板则通常有两个电极阵列，每个版上一个阵列；作为变体，可以通过在放电区施加射频场来执行保持操作，在这种情况下，阵列的电极只用于寻址。

根据本发明，可以缩短重置操作所需的周期，将这些额外的时间用于保持操作，从而提高面板的发光性能。

根据本发明，可以通过减少废金属量明显来提高等离子面板的生产量。

用来增加至少用于寻址的电极之间电势差的操作结束斜率最好大于5V/μs。

这样，只要已超过了情况1中的所有矩阵点火阈值，并且只要已超过情况2或情况3中的所有共面点火阈值，那么在不损失这些操作质量和没有任何损害对比度的强放电风险的情况下，重置操作比现有技术要快得多；可以因此有更多时间用于其它驱动操作，特别是保持操作，于是可以提高显示性能，特别是视频图像显示的情况下。

用来增加至少用于寻址的电极之间电势差的操作结束斜率最好大于10V/μs。这样可以进一步提高显示器的性能和本发明的优势。

在情况2或情况3中，优选的是，在所述重置操作期间，当V_ES2ES1在Min[V_{ET_ES2ES1}]和Max[V_{ET_ES2ES1}]之间时，至少用于保持的电极之间施加的电势差V_ES2ES1最好增加大于5V/μs、被称作操作开始斜率，最好是大于10V/μs。这样可以进一步提高显示器的性能和本发明的优势。

在每个所述指定重置操作期间，优选的是，当Min[V_{ET_E2E1}]＜V_E2E1＜Max[V_{ET_E2E1}]，或者当Min[V_{ET_EA2EA1}]＜V_EA2EA1＜Max[V_{ET_EA2EA1}]时，至少用于寻址的电极之间施加的电势差(V_E2E1，V_EA2EA1)最好均匀并精确地增长。“均匀并精确地增长”被理解是指为非零增长。这种增长最好是随时间线性增长；这可以通过施加到电极阵列之一的线性电压斜波来获得，这样更容易实现。

在情况2或3中，优选的是，在每个所述指定重置操作期间，当Min[V_{ET_ES2ES1}]＜V_ES2ES1＜Max[V_{ET_ES2ES1}]时，在至少用于保持的电极之间施加的电势差(V_ES2ES1)最好均匀并精确地增长。

“均匀并精确地增长”被理解为是指非零增长。这种增长最好是随时间线性增长；这可以通过施加到电极阵列之一的线性电压斜波来获得，这样更容易实现。

下面给出的是有关应用到起动操作的本发明原理的概括，它根据：

·获得具有用作寻址的两个电极E1和E2，或者EA1和EA2之间最高可能斜率值的弱放电模式，E1或EA1作为阴极，在这些电极之间施加陡斜率信号之前升高作为放电区条件的初始化水平。

·本发明因此涉及在一个和相同重置操作中的两个连续步骤：

^о产生由放电获得的亚稳定空间电荷的步骤P1；

^о加速的电荷产生结束步骤P2，系统在至少用于寻址的电极E1和E2或者EA1和EA2之间存在弱放电的模式下操作期间，使所有这些电荷具有相同的最高可能的斜率，通常大于10V/μs。

·本发明可以应用于具有各种单元或放电区结构的等离子面板，例如，那些“ACM”、“ACC”或“ACC3E”类型。

·在情况1中，可应用于每个单元上具有两个电极E1、E2的“ACM”型矩阵面板，或者在每个单元上具有3个或更多电极(包括EA1和EA2)的ACC面板的任何类型，步骤P1包括无论单元前面的状态，在足够长的时间施加和缓的斜率斜波以产生两个电极E1和E2(或EA1和EA2)之间的放电。该和缓的斜率值实际上对应现有技术中正常使用的斜率，即小于10V/μs。这样产生的E1-E2(或EA1-EA2)放电既用来使单元处于良好状态也用于电极E1和E2(或EA1和EA2)之间的单元内部的电压的部分均衡。

·在情况2和3中，可应用于每个单元包括至少三个电极EA1，EA2＝ES2、ES1的“ACC”型共面面板，步骤P1包括在单元的共面电极之间施加比现有技术的斜率陡的斜波，通常大于10V/μs，ES1作为阴极，它被具有第二发射系数的材料覆盖，该第二发射系数比覆盖在EA1和也可以是EA2的ES2(标准的“ACC”情况：EA1：列，EA2＝ES2＝“扫描/保持”行，ES1＝“公共”行)的材料的发射系数达。这样产生的ES1-ES2共面放电既用来使单元处于良好状态，也用于电极ES1和ES2之间的内部电压的部分均衡。情况2和情况3的区别如下：

情况2：在步骤P1期间EA1和EA2之间没有产生放电，没有超过这些电极之间的内部点火电压。如果没有超过点火阈值，那么这可以利用EA1和EA2(连续信号、斜波信号或其它信号)之间的各种信号来实现。在步骤1的过程中，初始化弱共面放电并且纺织弱矩阵放电，施加的矩阵方式的斜波信号的振幅在任何时候都不超过矩阵阈值电压。

情况3：在步骤1期间ES1和ES2之间共面放电的同时，在EA1和EA2之间产生矩阵放电。在这种情况下，为了允许在弱放电模式下操作，EA1和EA2之间的斜率必须小，直到作用在每个单元的条件达到足够的水平。在这种情况下，EA1和EA2之间信号的斜率小于ES1和ES2之间的斜率。

·步骤P2的特征在于在EA1和EA2之间应用斜率比现有技术的更高的斜波信号，通常大于10V/μs，在这个阶段中，发生在其它电极之间的情况并不重要。

·可以按在单元中没有任何放电的周期任选地分开步骤P1和P2(例如，临时施加的电压停止增加)。为了P1产生的良好效应在P2仍有效，因此该周期不得超过20μs。

·描述的实施例是从这些通用原理和在指定给面板的每个单元的电极之间产生放电的条件得到的，这是由于它们与以下情况有关：

^о点火阈值根据单元变化；

^о表面存储电荷的状态依赖于单元的历史(以前点燃或未点燃)。

附图说明

通过阅读下面非限定的范例和参考附图的描述将更清楚地理解本发明：

图1描述了根据本发明第一个实施例在电荷产生操作期间在矩阵面板的电极之间施加电势差的时序图；

图2描述了根据本发明第二个实施例在电荷产生操作期间在共面面板的地址电极之间和保持电极之间施加电势差的时序图；

图3描述了根据本发明第三个实施例在电荷产生操作期间在共面面板的地址电极之间和保持电极之间施加电势差的时序图；

图4描述了根据描述中给出的详细范例，为了解释本发明与现有技术的时序图相比的优点，在电荷产生操作期间在常规共面面板的三个电极阵列施加电压的通用时序图；

图5到7描述了根据快速时序图，当电压施加在三个电极阵列时不幸获得的强放电，快速时序图不在本发明规定的范围内；

图8解释了本发明提供的优点，即根据快速时序图，当电压施加在三个电极阵列时不会获得强放电。

具体实施方式

现在描述本发明的各种通用实施例；第一实施例应用于在每个板上仅有用于寻址和保持放电的两个电极E1、E2阵列的矩阵型等离子面板；其它实施例应用于共面型等离子面板，它在同一板上、也叫共面板，具有两个保持电极ES1、ES2阵列，并且在与共面板相对的、叫作地址板上具有两个地址电极EA1阵列，EA2在共面板上。这些其它的实施例应用于常规的共面电极阵列，其中共面电极阵列用于寻址和保持，意思是EA2与ES2合并。

保持电极E2或ES1和ES2涂覆有介电质涂层，该本身涂覆有诸如氧化镁之类的材料、具有高的二次电子发射系数，并且在任何情况下都高于覆盖地址板的电极E1或EA1的材料；磷光物质通常作为覆盖电极E1或EA1的材料；通过扩展，承担这些电极和氧化镁层的板被称作保持板，在共面面板的情况下，则被称作共面板。

矩阵面板包括大量的放电区；当图像扫描或辅助扫描后，面板的每个区域具有外部点火阈值电压V_{ET_E2E1}，当电荷产生操作时，E2在保持板上作为阳极。面板上所有区域的点火电压的最小值用Min[V_{ET_E2E1}]表示，面板上所有区域的点火电压的最大值用Max[V_{ET_E2E1}]表示。

共面面板包括大量放电区；当图像扫描或辅助扫描后，面板的每个区域具有一个外部矩阵点火阈值电压V_{ET_EA2EA1}，和一个外部共面点火阈值电压V_{ET_ES2ES1}，当在电荷产生操作中共面板上的EA2和ES2作为阳极时会这样。面板上所有区域的矩阵点火电压和共面点火电压的最小值分别用Min[V_{ET_EA2EA1}]和Min[V_{ET_ES2ES1}]表示，而面板上所有区域的矩阵点火电压和共面点火电压的最大值分别用Max[V_{ET_EA2EA1}]和Max[V_{ET_ES2ES1}]表示。

下面给出的本发明所有实施例都涉及电荷产生或起动操作；根据本发明的主要特征，这些操作中的每一步都包括时长为τ1的被称作电荷产生和条件开始步骤的步骤P1，后面是时长为τ2的被称作加速电荷产生结束步骤的步骤P2，如果要从第二步P2中放电区的作用条件获得全部利益，那么划分第一步结束和第二步开始的时间必须不超过20μs。

在描述矩阵面板的电荷产生或起动操作的图1中，下面的电极E2(阳极)和E1(阴极)之间的外部电压可以被连续区别出来：

-V_{E2E1_P1_ST}在步骤P1的开始；

-V_{E2E1_P1_ND}在步骤P1的结束；

-V_{E2E1_P2_ST}在步骤P2的开始；和

-V_{E2E1_P2_ND}在步骤P2的结束。

在描述共面面板的电荷产生或起动操作的图2和3中，下列地址电极EA2(阳极)和EA1(阴极)之间的外部电压和保持电极ES2(阳极)和ES1(阴极)之间的外部电压可以连续被区别出来：

-V_{EA2EA1_P1_ST}和V_{ES2ES1_P1_ST}在步骤P1的开始；

-V_{EA2EA1_P1_ND}和V_{ES2ES1_P1_ND}在步骤P1的结束；

-V_{EA2EA1_P2_ST}和V_{ES2ES1_P2_ST}在步骤P2的开始；和

-V_{EA2EA1_P2_ND}和V_{ES2ES1_P2_ND}在步骤P2的结束。

为了便于描述，各种实施例中实现相同功能的元素使用相同的标识参考号。

第一实施例：矩阵或共面面板的情况

参见图1，步骤P1和P2如下定义：

V_{E2E1_P1_ST}＜Min[V_{ET_E2E1}]；这样在步骤P1的开始，无论它们在扫描和辅助扫描操作期间产生的电荷状态如何，面板上的任何一个单元都不超过放电点火阈值；最好是，V_{E2E1_P1_ST} 0.9×Min[V_{ET_E2E1}]，以使步骤P1的条件一开始就在面板区域启动弱放电的初始化；

V_{E2E1_P1_ND}＞Max[V_{ET_E2E1}]；这样在条件步骤P1后，无论从在前的操作得到何种电荷状态，面板上的每个单元都超过放电点火阈值，从而产生初始条件状态；最好是，V_{E2E1_P1_ND} 1.1×Max[V_{ET_E2E1}]，从而不需要扩展电势缓慢增长的P1周期，而尽快开始电势快速增长的P2周期；

V_{E2E1_P2_ST}＝V_{E2E1_P1_ND}，使得步骤P1和P2链接在一起而不用转换；和

用与现有技术相同的方式定义V_{E2E1_P2_ND}，即以便在步骤P2的结束使得在面板所有放电区都获得希望的起动水平。

在步骤P1期间，电极之间电势V_E2E1的增长率，或者斜率dV_E2E1/dτ的瞬时值与现有技术一致，也就是说，在该步骤的整个时长τ1它都小于5V/μs；相反，根据本发明，在步骤P2期间，电极之间电势V_E2E1的增长率，或者斜率dV_E2E1/dτ的瞬时值在该步骤的整个时长τ2实际上大于现有技术，最好大于10V/μs。

总的来说，根据本发明，电极之间的电势增长在步骤P2的电荷产生周期的结束比在步骤P1该周期开始时快得多；不用损失这些操作的任何质量，起动操作的时间可以因此显著减少。

第二实施例：共面面板的情况

参见图2，步骤P1和P2如下定义：

V_{ES2ES1_P1_ST}＜Min[V_{ET_ES2ES1}]；这样在步骤P1的开始，无论它们从在前的操作得到何种电荷状态，面板上的任何一个单元都不超过共面放电点火阈值；最好是，V_{ES2ES1_P1_ST} 0.9×Min[V_{ET_ES2ES1}]，以使从步骤P1-开始就在面板区域启动弱共面放电的初始化；

V_{ES2ES1_P1_ND}＞Max[V_{ET_ES2ES1}]；这样在步骤P1的结束，无论从在前操作得到何种电荷状态，面板上的每个单元都超过共面放电点火阈值，从而产生初始化条件状态；最好是，V_{ES2ES1_P1_ND} 1.1×Max[V_{ET_ES2ES1}]，从而不需要扩展P1周期，而只要尽快开始P2周期；

V_{EA2EA1_P1}＜Min[V_{ET_EA2EA1}]；意思是在条件步骤P1的每个瞬时τ，地址电极之间的电势差V_{EA2EA1_P1}保持在Min[V_{ET_EA2EA1}]之下，以便在该步骤期间在面板上不产生矩阵放电；应该注意的是该不等式对于P1的任何瞬时都满足，V_{ET_EA2EA1}可以根据P1期间在电极附近产生的电荷而改变。

V_{EA2EA1_P2_ST}＜Min[V_{ET_EA2EA1}]；这样在步骤P2的开始，无论它们从在前操作期间得到何种电荷状态，面板上的任何一个单元都不超过矩阵放电点火阈值；最好是，V_{EA2EA1_P2_ST} 0.9×Min[V_{ET_EA2EA1}]，以使从步骤P2一开始就在面板区域启动弱矩阵放电的初始化；和

用与现有技术相同的方式定义V_{EA2EA1_P2_ND}，以便在面板所有放电区都获得希望的起动水平。

在步骤P1期间，电极之间的电势V_ES2ES1的增长率，或者斜率dV_ES2ES1/dτ的瞬时值实际上比现有技术中的大，最好是大于10V/μs；在步骤P1期间，如果该电势保持低于Min[V_{ET_EA2EA1}]，那么电极之间电势V_EA2EA1的增长率可以为零、低或高。

在步骤P2期间，地址电极之间的电势V_EA2EA1的增长率，或者斜率dV_EA2EA1/dτ的瞬时值实际上比现有技术中的大，最好是大于10V/μs；在步骤P2期间，电势V_ES2ES1的增长率可以为零、低或高。

总的来说，根据本发明，通过在超过第一矩阵放电阈值之前超过所有共面放电阈值来执行电荷产生操作，用这种方式，气体在矩阵放电开始前处于良好状态；这是有利的，因为共面放电发生在具有高二次电子发射系数的、覆盖共面板的电极的材料上，于是可以在步骤P1期间产生斜率很陡的弱共面放电ES1-ES2；这样在该步骤P1获得的条件使它可以在步骤P2产生斜率比现有技术和缓的弱矩阵放电EA1-EA2，即使是一般覆盖地址板的电极的材料，通常是磷光物质，的普通二次发射特性，该材料在这里用作阴极；根据本发明，起动操作的时间可以显著降低并且不用损失这些操作的任何质量就可以获得对具有不良磷光物质的二次发射的面板的实现纠正操作。

第三实施例：共面面板的情况

该实施例与前面的实施例的区别在于在共面状况期间“容忍”限制矩阵放电的。

参见图3，步骤P1和P2如下定义：

V_{ES2ES1_P1_ST}＜Min[V_{ET_ES2ES1}]并且V_{EA2EA1_P1_ST}＜Min[V_{ET_EA2EA1}]；这样在步骤P1的开始，无论它们从在前的操作期间得到何种电荷状态，面板上的任何一个单元都不超过共面或矩阵放电点火阈值；最好是，V_{ES2ES1_P1_ST} 0.9×Min[V_{ET_ES2ES1}]和/或V_{EA2EA1_P1_ST} 0.9×Min[V_{ET_EA2EA1}]，以使从步骤P1一开始就启动共面或矩阵放电的初始化；

V_{ES2ES1_P1_ND}＞Max[V_{ET_ES2ES1}]并且V_{EA2EA1_P1_ND}＞Max[V_{ET_EA2EA1}]；这样在步骤P1的结束，无论从在前操作得到何种电荷状态，面板上的每个单元都超过共面放电点火阈值，还有这些单元的所有或部分中的矩阵放电点火阈值，从而产生初始化条件状态；

用与现有技术相同的方式定义V_{EA2EA1_P2_ND}，以便在面板的所有放电区中都获得理想的起动水平。

在步骤P1期间，保持电极之间的电势V_ES2ES1的增长率，或者斜率dV_ES2ES1/dτ的瞬时值实际上比现有技术中的大，最好是大于10V/μs；在步骤P1期间，电势V_EA2EA1的增长率与现有技术的一致，也就是说低于5V/μs。

在步骤P2期间，地址电极之间的电势V_EA2EA1的增长率，或者斜率dV_EA2EA1/dτ的瞬时值实际上比现有技术中的大，最好是大于10V/μs；在步骤P2期间，电势V_ES2ES1的增长率可以为零，低或高。

根据本发明，起动操作的时间可以显著降低并且不用损失这些操作的任何质量就可以获得对具有不良二次发射特性的磷光物质的面板的实现纠正操作。

第四实施例：共面或矩阵面板的情况

本实施例提供了在P1期间产生的条件，通过强放电在所有或部分单元执行，通过弱放电在其余单元执行。除非保持放电是强放电，否则它不是优选实施例。

第五实施例：共面或矩阵面板的情况

第五实施例在前面四个实施例中添加了包括，在步骤P1和P2之间，在所有或部分单元中没有任何放电的周期的可能性，该周期不超过20μs的时间，使得P1的条件效应在P2期间的放电开始时仍然有效。实际应用的不放电的周期在现有技术中是已知技术，在这里不作详细描述：内部电压必须保持低于点火阈值。

通过上面作为本发明非限制性的说明描述的各种实施例，在面板重置操作期间，能够使在电极之间施加的电势的增长率与现有技术相比增加；因此本发明可以：

·减少分配给起动操作的时间，并且将它用于寻址或保持，从而可以提高面板的保真度和峰值亮度；

·或者通过不丢弃在标准斜率的起动期间具有强放电的面板来提高面板生产效率。

最后，很明显，在不脱离所附权利要求的范围的前提下，将本发明应用于用斜波信号驱动等离子面板的其它可能的情况对本领域技术人员来说是显而易见的。

本发明的实例和对比实例

利用具有三个电极阵列的、包括在前板上的两个共面电极X和Y和后板上的用于寻址的电极A的相同共面型等离子面板，可以应用各种类型的电荷均衡或重置信号，并且评估在应用这些信号期间对放电的影响。

这种共面面板可从现有技术得知并且在本文献的介绍中进行了描述，电极具有相同的参考标记X、Y和A。

图4示出了在起动操作期间施加到面板的各种电极X、Y和A的电压信号的时序图：将特征在于斜波峰值V_pY，在此是400V，的线性电压斜波施加到保持和地址电极Y(这里对应与在上面描述的通用实施例中的ES2一致的电极EA2)；过了这段时间，只对用于保持的X电极(常被称作“公共”电极)施加恒定信号V_pX，和对位于另一块板的地址电极A施加恒定信号V_A＝0。这些信号用于解释在使用和不用本发明时，面板对过于陡的斜波的响应。

在每次起动操作期间，利用位于屏幕的一组放电区前面的光敏传感器记录可能偶然发生的并且在正常使用中是临界的强放电D_S的强度。

获得的记录对应于图5到7；所有这些记录都是在相同的起动操作条件下产生的，特别是除了共面电极X的恒定偏置信号V_pX的值以外，线性斜波信号的应用。

图5：V_pX＝+100V：到达至少用于保持的电极Y和X之间的内部点火阈值比到达地址电极Y和A之间的内部点火阈值晚；因此给予矩阵放电优先；在缺乏单元的在先条件时，可以观察到由于过度的高斜率值引起的许多强放电D_S；

图8：V_pX＝-120V：到达地址电极Y和A之间的内部点火阈值比到达至少用于保持的电极Y和X之间的内部点火阈值晚；因此共面放电的初始被给予优先；该图示出了由于单元的在先条件导致缺乏强放电D_S的弱共面放电；这种配置解释了本发明。

图6和7对应中间状态，其中V_pX分别等于0V和-80V，并且可以观察到不可接受的残留的强放电D_S。

在每个起动操作期间，至少用于保持的电极Y和X之间的电势差，和地址电极Y和A之间的电势差以相同的线性斜率增加，并且发生图2中所示的，与上述本发明第二通用实施例对应的情况之一类似的情况；根据图8所示的本发明，起动操作因此在给定共面放电足够优先的第一步P1，通过相对于地址电极A的充分地负向偏置共面电极X来启动；在地址电极Y和A之间的特定电压水平之上，因为超过矩阵点火阈值，不可避免地产生矩阵放电，因为放电区已经由共面放电在之前作为“条件”，所以没有在该时间产生的强放电。X和A上各自的偏置电压因此确定步骤P1，其特征在于仅由共面放电产生每个单元初始化条件状态。图6和7所示的中间状况对应于在特定单元中共面和矩阵放电同时激活。由于Y和A之间采用的斜率与Y和X之间采用的斜率一样高，没有足够的条件导致强放电。为阻止强放电D_S，根据本发明的解决方案会在电极Y和A之间采用如上述本发明第三个通用实施例中的较和缓的初始化斜率。

Claims

1. 一种显示装置，包括：

2. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于用来增加至少用于寻址的电极之间的电势差的所述操作结束斜率大于5V/μs。

3. 根据权利要求2所述的装置，其特征在于用来增加至少用于寻址的电极之间的电势差的所述操作结束斜率大于10V/μs。

4. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于在每个所述特定重置操作期间，当Min[V_{ET_E2E1}]＜V_E2E1＜Max[V_{ET_E2E1}]时，在至少用于寻址的电极之间施加的所述电势差V_E2E1连续且严格递增。

5. 一种显示装置，包括：

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于用来增加至少用于寻址的电极之间电势差的所述操作结束斜率大于5V/μs。

7. 根据权利要求6所述的装置，其特征在于用来增加至少用于寻址的电极之间电势差的所述操作结束斜率大于10V/μs。

8. 根据权利要求5所述的装置，其特征在于当V_ES2ES1在Min[V_{ET_ES2ES1}]和Max[V_{ET_ES2ES1}]之间时，在至少用于保持的电极之间施加的电势差V_ES2ES1增加被称作操作开始斜率，该斜率大于5V/μs。

9. 根据权利要求8所述的装置，其特征在于用来增加至少用于保持的电极之间电势差的所述操作开始斜率大于10V/μs。

10. 根据权利要求5所述的装置，其特征在于在每个所述特定重置操作期间，当Min[V_{ET_EA2EA1}]＜V_EA2EA1＜Max[V_{ET_EA2EA1}]时，在至少用于寻址的电极之间施加的所述电势差V_EA2EA1连续且严格递增。

11. 根据权利要求5所述的装置，其特征在于在每个所述特定的电荷均衡或重置操作期间，当Min[V_{ET_ES2ES1}]＜V_ES2ES1＜Max[V_{ET_ES2ES1}]时，在至少用于保持的电极之间施加的所述电势差V_ES2ES1连续且严格递增。