CN100408615C - 一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法 - Google Patents

一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100408615C
CN100408615C CNB2005100708891A CN200510070889A CN100408615C CN 100408615 C CN100408615 C CN 100408615C CN B2005100708891 A CNB2005100708891 A CN B2005100708891A CN 200510070889 A CN200510070889 A CN 200510070889A CN 100408615 C CN100408615 C CN 100408615C
Authority
CN
China
Prior art keywords
diacetylene base
preparation
diacetylene
base
phenyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CNB2005100708891A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1865320A (zh
Inventor
颜梅
张志杰
谭永霞
谢择民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Chemistry CAS
Original Assignee
Institute of Chemistry CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Chemistry CAS filed Critical Institute of Chemistry CAS
Priority to CNB2005100708891A priority Critical patent/CN100408615C/zh
Publication of CN1865320A publication Critical patent/CN1865320A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100408615C publication Critical patent/CN100408615C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法。本发明所提供的含丁二炔基聚硅氮烷,其结构式如式I所示,其中,R、R′为H,芳香基,碳原子数为1-6的烷基或烯烃基,n为1-20的整数,m为1-100的整数。本发明含丁二炔基聚硅氮烷具有良好的热稳定性,可发出一定强度的荧光,具有良好的导电性,其制备方法产率高,可达80-98%,可用作陶瓷前驱体,发光材料,导电材料等,具有广泛的应用前景。

Description

一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法
技术领域
本发明涉及共轭聚合物及其制备方法,特别是涉及一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法。
背景技术
共轭聚合物因具有独特的电子结构共轭的大∏体系而具有一些特殊的性质,尤其是具有独特的光电性能,可以制成大面积平面显示器和发光二极管,导电涂层,化学和生物传感器,非线性光学材料,发光材料和电池等。自从1990年第一次报道基于聚苯乙烯制成的发光二极管以来,基于有机聚合物制备的电致发光材料已经引起了极大的关注(Burroughes,J.H.;Bradley,D.D.C.;Brown,A.R.;Marks,R.N.;Mackay,K.;Friend,R.H.;Burns,P.L.;Holmes,A.B.Nature 1990,34,539.)。目前共轭主链全部为碳结构的聚合物研究得比较广泛,例如PPV及其系列衍生物。这类聚合物主要应用于光电材料、半导体材料,但是存在刚性大,溶解度差,难加工的缺点。目前有人在共轭主链中引入有机硅单元来改善性能,主要是引入Si-O,Si-Si链节。由于硅原子的引入,有效的弥补了以往共轭材料的不足,改善光学性能,在共轭主链中引入硅,可观察到蓝移;极大地改善了链段的柔韧性,降低了玻璃化转变温度,使得链段柔软易于加工,可溶于多种有机溶剂,同时具有良好的稳定性和耐高低温性能。这类聚合物材料除可应用于光电及半导体材料外,还可以作为陶瓷前躯体材料(Giseop Kwak andToshio Masuda.Macromolecules 2002,35,4138),应用范围广泛。
发明内容
本发明的目的是提供一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法。
本发明所提供的含丁二炔基聚硅氮烷,其结构式如式I所示,
Figure C20051007088900041
(式I)
其中,R、R′为H,芳香基,碳原子数为1-6的烷基或烯烃基,n为1-20的整数,m为1-100的整数。
更具体的,R为甲基,R′为H,甲基,乙基,乙烯基,苯基或甲苯基;R为乙基,R′为乙基,乙烯基,苯基或甲苯基;或者所述R为苯基,R′为H,乙烯基或苯基。
该含丁二炔基聚硅氮烷的制备方法,包括如下步骤:
1)制备丁二炔基二锂盐:在惰性气体保护下,将正丁基锂与有机溶剂按体积比为1;1~8的比例混合后,滴加到有机溶剂与六氯丁二烯按体积比为5~40;1的比例混合的溶液中,搅拌反应,得到丁二炔基二锂盐溶液;
2)制备丁二炔基氯硅烷齐聚物:在惰性气体保护下,将所得丁二炔基二锂盐溶液在搅拌下缓慢地滴加到结构式如式II的二有机基二氯硅烷的有机溶液中,反应得到丁二炔基氯硅烷齐聚物;所述有机溶液中所述二有机基二氯硅烷和有机溶剂的体积比为1;2~20;
Figure C20051007088900051
(式I)
其中,R、R′为H,芳香基,碳原子数为1-6的烷基或烯烃基;
3)含丁二炔基聚硅氮烷:将所得丁二炔基氯硅烷齐聚物与有机溶剂按重量比为1∶10~100的比例溶解,通入氨气搅拌反应,得到所述含丁二炔基聚硅氮烷。
其中,有机溶剂选自碳原子数为6-12的烷烃、芳香烃、四氢呋喃和乙醚中的一种或几种。常用惰性气体为N2或Ar。
步骤1)的反应是先在-90--40℃下搅拌反应1-10小时,然后在-10~50℃继续搅拌反应1-24小时。步骤2)的反应是先在-70-30℃下搅拌1~10小时,然后在0-120℃继续搅拌反应2~36小时。步骤3)的反应是先在0-30℃下搅拌通氨气反应1~12小时,然后在25℃-200℃继续搅拌反应1~36小时。
本发明通过含丁二炔基氯硅烷氨解和缩聚反应从而将丁二炔基引入到有机硅氮链中,所得含丁二炔基聚硅氮烷溶解性好,可溶于烷烃、芳香烃、乙醚、四氢呋喃或氯仿等多种有机溶剂,性能优良,用途广泛:作为陶瓷前驱体材料,具有良好的可加工性,可纺丝,可拉成纤维,主链中的炔基结构可以作为反应性基团在热作用下产生交联,有利于提高陶瓷产率,主链上同时含有Si-C键和Si-N键,可以使先驱体裂解产物中同时含有SiC和Si3N4成分,形成复相陶瓷;另外,由于N原子上具有一对孤对电子,可以与主链上的Si原子及丁二炔基形成大π键离域体系,而使此类共轭聚合物具有良好的光电性能,因而可以作为具有良好热稳定性的光电材料来应用。
本发明含丁二炔基聚硅氮烷具有良好的热稳定性,可发出一定强度的荧光,具有良好的导电性,其制备方法产率高,可达80-98%,可用作陶瓷前驱体,发光材料,导电材料等,具有广泛的应用前景。
具体实施方式
实施例1、制备含丁二炔基聚硅氮烷(式I中R、R’为甲基,m、n为1.4、4.0)
在250ml三口瓶中,加入50ml四氢呋喃,和20ml n-BuLi(2.5mol/L),在N2气保护下,在-78℃将50ml四氢呋喃与2.0ml六氯丁二烯的混合溶液缓慢滴加到三口瓶中。滴加完毕保持低温继续搅拌反应2小时,逐渐升至20℃继续搅拌反应10小时,得到灰白色的混浊丁二炔基二锂盐溶液。
在500ml三口瓶中加入100ml四氢呋喃和0.125mol Me2SiCl2,用低温浴槽保持体系-5℃,N2保护下将丁二炔基二锂盐混浊液缓慢滴入,滴加完毕在-5℃下继续搅拌2小时后,将体系升至20℃继续搅拌反应10小时,静置分层,上层为棕红色清液,下层为白色沉淀,N2保护下用玻璃砂芯管将上层清夜转移至另一洁净干燥250ml三口瓶中,沉淀用四氢呋喃洗涤三次,合并滤液,减压除去溶剂及过量单体,得到棕红色粘稠液体——含丁二炔基氯硅烷齐聚物,产率为95%。
含丁二炔基氯硅烷齐聚物的表征:
29Si-NMR(ppm):-37.4ppm(C≡C-C≡C-SiMe2-C≡C-C≡C),0.4ppm,6.8ppm(SiMe2-Cl).
IR(υcm-1):2964(Me),2072(C≡C),1262(Si-Me)
通过测定氯含量,得到式I中n平均为4.0。
将3.0g丁二炔基氯硅烷齐聚物用150ml甲苯溶解,30℃下搅拌通氨气反应12小时至体系不再吸收氨气后,再继续通氨2小时。静置沉降,将上层清液转移至另一洁净干燥250ml三口瓶中,沉淀用甲苯洗涤三次,合并滤液,蒸出溶剂,得到棕红色粘稠液体,即为产物,产率95%。
含丁二炔基聚硅氮烷的表征:
Mn:706,Mw/Mn:1.37
29Si-NMR(ppm):-15.0,-17.8(HN-SiMe2),-36.5(C≡C-C≡C-SiMe2-C≡C-C≡C).
IR(υcm-1):2962(Me),2074(C≡C),1185,3303(NH),939(Si-NH),1259(Si-Me).
通过测定的分子量计算得到式I中m平均为1.4。
表明所得产物结构正确。
将得到的含丁二炔基聚硅氮烷采用热失重分析仪进行热失重分析,升温速度10℃/min,Tonset:215℃,900℃下残重:33%。
将样品溶解在氯仿中,配成0.4mmol/L的溶液,采用F4500荧光光谱仪对其进行荧光发射光谱分析,其最大荧光发射峰为350nm处。
实施例2、制备含丁二炔基聚硅氮烷(式I中R、R’分别为苯基、甲基,m、n为2.3、2.7)
在250ml三口瓶中,加入50ml甲苯,和20ml n-BuLi(2.5mol/L),在N2气保护下,在-40℃将50ml甲苯与2.0ml六氯丁二烯的混合溶液缓慢滴加到三口瓶中。滴加完毕保持低温继续搅拌反应2小时,逐渐升至20℃继续搅拌反应10小时,得到灰白色的混浊丁二炔基二锂盐溶液。
在500ml三口瓶中加入100ml甲苯和0.125mol MePhSiCl2,,用低温浴槽保持体系-70℃,N2保护下将丁二炔基二锂盐混浊液缓慢滴入,滴加完毕在-70℃下搅拌反应10小时后,将体系升至0℃继续搅拌反应36小时,静置分层,上层为棕红色清液,下层为白色沉淀,N2保护下用玻璃砂芯管将上层清夜转移至另一洁净干燥250ml三口瓶中,沉淀用四氢呋喃洗涤三次,合并滤液,减压除去溶剂及过量单体,得到棕红色粘稠液体——含丁二炔基氯硅烷齐聚物,产率为94%。
含丁二炔基氯硅烷齐聚物的表征:
29Si-NMR(ppm):-42.7(C≡C-C≡C-SiMePh-C≡C-C≡C),-0.4,-6.4,-9.7(SiMePh-Cl).
IR(υcm-1):2962(Me),1261(Si-Me),2073(C≡C),696,733,780(Ph),1430,1122(Si-Ph).
通过测定氯含量,得到式I中n平均为2.7。
将3.0g丁二炔基氯硅烷齐聚物用150ml甲苯溶解,20℃下搅拌通氨气反应2小时后,将体系升温至100℃继续搅拌反应10小时,体系不再吸收氨气后,再继续通氨2小时。静置沉降,将上层清液转移至另一250ml三口瓶中,沉淀用甲苯洗涤三次,合并滤液,蒸出溶剂,得到棕红色粘稠液体,即为产物,产率87%。
含丁二炔基聚硅氮烷的表征:
Mn:1350,Mw/Mn:1.33.
29Si-NMR(ppm):-21.1,-27.8(HN-SiMePh),-42.2(C≡C-C≡C-SiMePh-C≡C-C≡C).
IR(υcm-1):2071(C≡C),1123,3148(NH),928(Si-NH),700,736,(phenyl CH),1428(Si-Ph).
通过测定的分子量计算得到式I中m平均为2.3。
表明所得产物结构正确。
将得到的含丁二炔基聚硅氮烷采用热失重分析仪进行热失重分析,升温速度10℃/min,Tonset:203℃,900℃下残重:53%。
将样品溶解在氯仿中,配成0.4mmol/L的溶液,采用F4500荧光光谱仪对其进行荧光发射光谱分析,其最大荧光发射峰为355nm处。
实施例3、制备含丁二炔基聚硅氮烷(式I中R、R’为苯基,m、n为4.9、1.6)
在250ml三口瓶中,加入50ml乙醚,和20ml n-BuLi(2.5mol/L),在N2气保护下,在-78℃将50ml四氢呋喃与2.0ml六氯丁二烯的混合溶液缓慢滴加到三口瓶中。滴加完毕保持低温继续搅拌反应2小时,逐渐升至-10℃继续搅拌反应20小时,得到灰白色的混浊丁二炔基二锂盐溶液。
在500ml三口瓶中加入100ml四氢呋喃和0.125mol Ph2SiCl2,用低温浴槽保持体系-5℃,N2保护下将丁二炔基二锂盐混浊液缓慢滴入,滴加完毕在-5℃下搅拌反应2小时后,将体系升至100℃继续搅拌反应3小时,静置分层,上层为棕红色清液,下层为白色沉淀,N2保护下用玻璃砂芯管将上层清夜转移至另一洁净干燥250ml三口瓶中,沉淀用四氢呋喃洗涤三次,合并滤液,减压除去溶剂及过量单体,得到棕红色粘稠液体,产率为89%。
含丁二炔基氯硅烷齐聚物的表征:
29Si-NMR(ppm):-47.8(C≡C-C≡C-SiPh2-C≡C-C≡C),-13.7,-15.4(SiPh2-Cl).
IR(υcm-1):2074(C≡C),697,719,741(Ph),1430,1121(Si-Ph).
通过测定氯含量,得到式I中n为2.7。
将3.0g丁二炔基氯硅烷齐聚物用150ml甲苯溶解,20℃下搅拌通氨气反应2小时后,将体系升温至140℃继续搅拌反应10小时,至体系不再吸收氨气后,再继续通氨2小时。静置沉降,将上层清液转移至另一250ml三口瓶中,沉淀用甲苯洗涤三次,合并滤液,蒸出溶剂,得到棕红色粘稠液体,即为产物,产率84%。
含丁二炔基聚硅氮烷的表征:
Mn:2754,Mw/Mn:1.02.
29Si-NMR(ppm):-47.6(C≡C-C≡C-SiPh2-C≡C-C≡C),-23.3,-31.6(HN-SiPh2).
IR(υcm-1):2073(C≡C),1161,3273(NH),930(Si-NH),700,740(phenyl CH),1429(Si-Ph)
通过测定的分子量计算得到式I中m为4.9。
表明所得产物结构正确。
将得到的含丁二炔基聚硅氮烷采用热失重分析仪进行热失重分析,升温速度10℃/min,Tonset:459℃,900℃下残重:64%。
将样品溶解在氯仿中,配成0.4mmol/L的溶液,采用F4500荧光光谱仪对其进行荧光发射光谱分析,其最大荧光发射峰为358nm处。
实施例4、制备含丁二炔基聚硅氮烷(式I中R甲基、R’为乙烯基,m、n为6.3、2.0)
在250ml三口瓶中,加入50ml己烷,和20ml n-BuLi(2.5mol/L),在Ar气保护下,在-78℃将50ml己烷与2.0ml六氯丁二烯的混合溶液缓慢滴加到三口瓶中。滴加完毕保持低温继续搅拌反应2小时,逐渐升至50℃继续搅拌反应5小时,得到灰白色的混浊丁二炔基二锂盐溶液。
在500ml三口瓶中加入100ml四氢呋喃和0.125mol MeViSiCl2,用低温浴槽保持体系-5℃,Ar保护下将丁二炔基二锂盐混浊液缓慢滴入,滴加完毕在-5℃下搅拌反应2小时后,将体系升至20℃继续搅拌反应10小时,静置分层,上层为棕红色清液,下层为白色沉淀,Ar保护下用玻璃砂芯管将上层清夜转移至另一洁净干燥250ml三口瓶中,沉淀用四氢呋喃洗涤三次,合并滤液,减压除去溶剂及过量单体,得到棕红色粘稠液体,产率为90%。
含丁二炔基氯硅烷齐聚物的表征:
29Si-NMR(ppm):-45.1(C≡C-C≡C-SiMeVi-C≡C-C≡C),-8.0,-12.0(SiMeVi-Cl).
通过测定氯含量,得到式I中n平均为2.0。
将3.0g丁二炔基氯硅烷齐聚物用150ml甲苯溶解,20℃下搅拌通氨气反应10小时后,至体系不再吸收氨气后,再继续通氨2小时。静置沉降,将上层清液转移至另一250ml三口瓶中,沉淀用甲苯洗涤三次,合并滤液,蒸出溶剂,得到棕红色粘稠液体,即为产物,产率89%。
含丁二炔基聚硅氮烷的表征:
Mn:2031,Mw/Mn:1.05.
29Si-NMR(ppm):-45.6(C≡C-C≡C-SiMeVi-C≡C-C≡C),-23.7,-27.6(HN-SiMeVi).
通过测定的分子量计算得到式I中m平均为6.3。
表明所得产物结构正确。
将得到的含丁二炔基聚硅氮烷采用热失重分析仪进行热失重分析,升温速度10℃/min,Tonset:496℃,900℃下残重:74%。
将样品溶解在氯仿中,配成0.4mmol/L的溶液,采用F4500荧光光谱仪对其进行荧光发射光谱分析,其最大荧光发射峰为352nm处。
实施例5、制备含丁二炔基聚硅氮烷(式I中R、R’为乙基,m、n为9.4、3.2)
在250ml三口瓶中,加入50ml庚烷,和20ml n-BuLi(2.5mol/L),在N2气保护下,在-78℃将50ml庚烷与2.0ml六氯丁二烯的混合溶液缓慢滴加到三口瓶中。滴加完毕保持低温继续搅拌反应2小时,逐渐升至20℃继续搅拌反应10小时,得到灰白色的混浊丁二炔基二锂盐溶液。
在500ml三口瓶中加入100ml四氢呋喃和0.125mol Et2SiCl2,用低温浴槽保持体系-5℃,N2保护下将丁二炔基二锂盐混浊液缓慢滴入,滴加完毕在-5℃下继续搅拌2小时后,将体系升至20℃继续搅拌反应10小时,静置分层,上层为棕红色清液,下层为白色沉淀,N2保护下用玻璃砂芯管将上层清夜转移至另一洁净干燥250ml三口瓶中,沉淀用四氢呋喃洗涤三次,合并滤液,减压除去溶剂及过量单体,得到棕红色粘稠液体,产率为98%。
将3.0g丁二炔基氯硅烷齐聚物用150ml甲苯溶解,20℃下搅拌通氨气反应12小时至体系不再吸收氨气后,再继续通氨2小时。静置沉降,将上层清液转移至另一洁净干燥250ml三口瓶中,沉淀用甲苯洗涤三次,合并滤液,蒸出溶剂,得到棕红色粘稠液体,即为产物,产率97%。
含丁二炔基氯硅烷齐聚物的表征:
29Si-NMR(ppm):-28.7ppm  (C≡C-C≡C-SiEt2-C≡C-C≡C),0.3ppm,1.5ppm(SiEt2-Cl).
通过测定氯含量,得到式I中n平均为3.2。
含丁二炔基聚硅氮烷的表征:
Mn:5010,Mw/Mn:1.45
29Si-NMR(ppm):-12.2,-13.2(HN-SiEt2),-28.3(C≡C-C≡C-SiEt2-C≡C-C≡C).
通过测定的分子量计算得到式I中m平均为9.4。
表明所得产物结构正确。
将得到的含丁二炔基聚硅氮烷采用热失重分析仪进行热失重分析,升温速度10℃/min,Tonset:235℃,900℃下残重:45%。
将样品溶解在氯仿中,配成0.4mmol/L的溶液,采用F4500荧光光谱仪对其进行荧光发射光谱分析,其最大荧光发射峰为349nm处。
实施例6、制备含丁二炔基聚硅氮烷(式I中R、R’为H、苯基,m、n为5.0、2.1)
在250ml三口瓶中,加入50ml四氢呋喃,和20ml n-BuLi(2.5mol/L),在N2气保护下,在-78℃将50ml四氢呋喃与2.0ml六氯丁二烯的混合溶液缓慢滴加到三口瓶中。滴加完毕保持低温继续搅拌反应2小时,逐渐升至20℃继续搅拌反应10小时,得到灰白色的混浊丁二炔基二锂盐溶液。
在500ml三口瓶中加入100ml四氢呋喃和0.125mol PhHSiCl2,用低温浴槽保持体系-5℃,N2保护下将丁二炔基二锂盐混浊液缓慢滴入,滴加完毕在-5℃下搅拌反应2小时后,将体系升至20℃继续搅拌反应10小时,静置分层,上层为棕红色清液,下层为白色沉淀,N2保护下用玻璃砂芯管将上层清夜转移至另一洁净干燥250ml三口瓶中,沉淀用四氢呋喃洗涤三次,合并滤液,减压除去溶剂及过量单体,得到棕红色粘稠液体,产率为90%。
将3.0g丁二炔基氯硅烷齐聚物用150ml甲苯溶解,20℃下搅拌通氨气反应2小时后,将体系升温至100℃继续搅拌反应10小时,体系不再吸收氨气后,再继续通氨2小时。静置沉降,将上层清液转移至另一250ml三口瓶中,沉淀用甲苯洗涤三次,合并滤液,蒸出溶剂,得到棕红色粘稠液体,即为产物,产率88%。
含丁二炔基氯硅烷齐聚物的表征:
29Si-NMR(ppm):-62.5(C≡C-C≡C-SiPhH-C≡C-C≡C),-0.3,-5.1(SiPhH-Cl).
通过测定氯含量,得到式I中n平均为2.1。
含丁二炔基聚硅氮烷的表征:
Mn:2231,Mw/Mn:1.82.
29Si-NMR(ppm):-18.4,-25.2(HN-SiPhH),-62.2(C≡C-C≡C-SiPhH-C≡C-C≡C).
通过测定的分子量计算得到式I中m平均为5.0。
表明所得产物结构正确。
将得到的含丁二炔基聚硅氮烷采用热失重分析仪进行热失重分析,升温速度10℃/min,Tonset:213℃,900℃下残重:60%。
将样品溶解在氯仿中,配成0.4mmol/L的溶液,采用F4500荧光光谱仪对其进行荧光发射光谱分析,其最大荧光发射峰为350nm处。
实施例7、制备含丁二炔基聚硅氮烷(式I中R、R’为甲苯基、甲基,m、n为6.4、1.5)
在250ml三口瓶中,加入50ml四氢呋喃,和20ml n-BuLi(2.5mol/L),在N2气保护下,在-78℃将50ml四氢呋喃与2.0ml六氯丁二烯的混合溶液缓慢滴加到三口瓶中。滴加完毕保持低温继续搅拌反应2小时,逐渐升至20℃继续搅拌反应10小时,得到灰白色的混浊丁二炔基二锂盐溶液。
在500ml三口瓶中加入100ml四氢呋喃和0.25mol p-MeC6H4MeSiCl2,用低温浴槽保持体系-5℃,N2保护下将丁二炔基二锂盐混浊液缓慢滴入,滴加完毕在-5℃下搅拌反应2小时后,将体系升至20℃继续搅拌反应10小时,静置分层,上层为棕红色清液,下层为白色沉淀,N2保护下用玻璃砂芯管将上层清夜转移至另一洁净干燥250ml三口瓶中,沉淀用四氢呋喃洗涤三次,合并滤液,减压除去溶剂及过量单体,得到棕红色粘稠液体,产率为90%。
将3.0g丁二炔基氯硅烷齐聚物用150ml甲苯溶解,20℃下搅拌通氨气反应2小时后,将体系升温至160℃继续搅拌反应10小时,至体系不再吸收氨气后,再继续通氨2小时。静置沉降,将上层清液转移至另一250ml三口瓶中,沉淀用甲苯洗涤三次,合并滤液,蒸出溶剂,得到棕红色粘稠液体,即为产物,产率96%。
含丁二炔基氯硅烷齐聚物的表征:
29Si-NMR(ppm):-42.0(C≡C-C≡C-p-MeC6H4MeSi-C≡C-C≡C),-13.5,-15.0(p-MeC6H4MeSi-Cl).
通过测定氯含量,得到式I中n平均为1.5。
含丁二炔基聚硅氮烷的表征:
Mn:2711,Mw/Mn:1.25.
29Si-NMR(ppm):-42.2(C≡C-C≡C-p-MeC6H4MeSi-C≡C-C≡C),-22.1,-30.1(HN-p-MeC6H4MeSi).
通过测定的分子量计算得到式I中m平均为6.4。
表明所得产物结构正确。
将得到的含丁二炔基聚硅氮烷采用热失重分析仪进行热失重分析,升温速度10℃/min,Tonset:459℃,900℃下残重:75%。
将样品溶解在氯仿中,配成0.4mmol/L的溶液,采用F4500荧光光谱仪对其进行荧光发射光谱分析,其最大荧光发射峰为357nm处。

Claims (9)

1.一种含丁二炔基聚硅氮烷,其结构式如式I所示,
Figure C2005100708890002C1
(式I)
其中,R、R′为H,芳香基,碳原子数为1-6的烷基或烯烃基,n为1-20的整数,m为1-100的整数。
2. 根据权利要求1所述的含丁二炔基聚硅氮烷,其特征在于:所述R为甲基,R′为H,甲基,乙基,乙烯基,苯基或甲苯基;R为乙基,R′为乙基,乙烯基,苯基或甲苯基;或者所述R为苯基,R′为H,乙烯基或苯基。
3. 权利要求1所述含丁二炔基聚硅氮烷的制备方法,包括如下步骤:
1)制备丁二炔基二锂盐:在惰性气体保护下,将正丁基锂与有机溶剂按体积比为1∶1~8的比例混合后,滴加到有机溶剂与六氯丁二烯按体积比为5~40∶1的比例混合的溶液中,搅拌反应,得到丁二炔基二锂盐溶液;
2)制备丁二炔基氯硅烷齐聚物:在惰性气体保护下,将所得丁二炔基二锂盐溶液在搅拌下缓慢地滴加到结构式如式II的二有机基二氯硅烷的有机溶液中,反应得到丁二炔基氯硅烷齐聚物;所述有机溶液中所述二有机基二氯硅烷和有机溶剂的体积比为1∶2~20;
Figure C2005100708890002C2
(式II)
其中,R、R′为H,芳香基,碳原子数为1-6的烷基或烯烃基;
3)含丁二炔基聚硅氮烷:将所得丁二炔基氯硅烷齐聚物与有机溶剂按重量比为1∶10~100的比例溶解,通入氨气搅拌反应,得到所述含丁二炔基聚硅氮烷。
4. 根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述R为甲基,R′为H,甲基,乙基,乙烯基,苯基或甲苯基;R为乙基,R′为乙基,乙烯基,苯基或甲苯基;或者所述R为苯基,R′为H,乙烯基或苯基。
5. 根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述有机溶剂选自碳原子数为6-12的烷烃、芳香烃、四氢呋喃和乙醚中的一种或几种。
6. 根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述惰性气体为N2或Ar。
7. 根据权利要求3-6任一所述的制备方法,其特征在于:步骤1)所述反应是先在-90--40℃下搅拌反应1-10小时,然后在-10~50℃继续搅拌反应1-24小时。
8. 根据权利要求3-6任一所述的制备方法,其特征在于:步骤2)所述反应是先在-70-30℃下搅拌1~10小时,然后在0-120℃继续搅拌反应2~36小时。
9. 根据权利要求3-6任一所述的制备方法,其特征在于:步骤3)所述反应是先在0-30℃下搅拌通氨气反应1~12小时,然后在25℃-200℃继续搅拌反应1~36小时。
CNB2005100708891A 2005-05-20 2005-05-20 一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法 Active CN100408615C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100708891A CN100408615C (zh) 2005-05-20 2005-05-20 一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100708891A CN100408615C (zh) 2005-05-20 2005-05-20 一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1865320A CN1865320A (zh) 2006-11-22
CN100408615C true CN100408615C (zh) 2008-08-06

Family

ID=37424476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100708891A Active CN100408615C (zh) 2005-05-20 2005-05-20 一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100408615C (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013152619A1 (en) * 2012-04-12 2013-10-17 The Hong Kong University Of Science And Technology Thermosetting poly(siloxane-diphenylbutadiyne) with readily tunable glass transition temperature and high thermal stability
CN105622119A (zh) * 2015-12-31 2016-06-01 中物功能材料研究院有限公司 陶瓷基复合涂层及其制备方法
CN114456391B (zh) * 2022-01-26 2023-03-21 江西信达航科新材料科技有限公司 一种疏水疏油有机聚硅氮烷及其制备方法
CN114456389B (zh) * 2022-01-26 2023-04-28 江西信达航科新材料科技有限公司 一种改性有机聚硅氮烷及其制备方法
CN114456390B (zh) * 2022-01-26 2023-04-14 江西信达航科新材料科技有限公司 一种含氟聚硅氮烷及其制备方法
CN114456392B (zh) * 2022-03-14 2022-12-30 江西信达航科新材料科技有限公司 一种苯甲酰聚硅氮烷及其制备方法
CN114561016B (zh) * 2022-03-14 2022-12-30 江西信达航科新材料科技有限公司 一种含苯聚硅氮烷及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1989000342A1 (en) * 1987-07-08 1989-01-12 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells with silicon nitride coating

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1989000342A1 (en) * 1987-07-08 1989-01-12 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells with silicon nitride coating

Also Published As

Publication number Publication date
CN1865320A (zh) 2006-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100408615C (zh) 一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法
CN101333328B (zh) 含有咔唑的共轭聚合物和掺和物及其制备和用途
CN1283686C (zh) 制备芳基-芳基偶联化合物的方法
KR101151967B1 (ko) 다이벤조실롤 중합체, 이의 제조방법 및 용도
CN101535319B (zh) 环状硅氧烷化合物、有机电致发光元件及其用途
TW200819474A (en) Electroluminescent polymers and the use thereof
Sun et al. A versatile hybrid polyphenylsilane host for highly efficient solution-processed blue and deep blue electrophosphorescence
CN111187399B (zh) 一种近红外光控双稳态场效应晶体管聚合物及其制备方法与应用
Wang et al. High‐efficiency blue light‐emitting polymers based on 3, 6‐silafluorene and 2, 7‐silafluorene
Zhao et al. Novel Red Phosphorescent Polymers Bearing Both Ambipolar and Functionalized IrIII Phosphorescent Moieties for Highly Efficient Organic Light‐Emitting Diodes
CN101809058A (zh) 高分子化合物及其制造方法以及含有该高分子化合物的组合物
Xu et al. Deep-blue emitting poly (2′, 3′, 6′, 7′-tetraoctyl-2, 7-spirosilabifluorene) simultaneously with good color purity and high external quantum efficiency
JP2970391B2 (ja) 導電性重合体組成物
CN110408007B (zh) 一种poss杂化共轭聚合物的制备方法
CN1281661C (zh) 一种含炔基聚硅氮烷及其制备方法
WO2003092334A1 (en) Phosphorescent polymer compound, light emitting material and organic electroluminescent (el) device using the compound
US10227363B2 (en) Polymer with alternating phenylene silicon and siloxane structure and method of producing precursor of the same
JP4307925B2 (ja) ケイ素含有ポリマーの製造方法およびケイ素含有ポリマー
EP0576300B1 (en) Silicon-containing organic compounds and process for preparing same
JP3951479B2 (ja) 光伝導性ケイ素系高分子およびその製造方法
WO2023100914A1 (ja) オリゴフラン骨格含有ポリカルボシランの製造方法、及びオリゴフラン骨格含有ポリカルボシラン
Kumar Reinforcing silicon-silicon bonds using bridges
Huang et al. Platinum (ii) polymetallayne-based phosphorescent polymers with enhanced triplet energy-transfer: synthesis, photophysical, electrochemistry, and electrophosphorescent investigation
JP2007063489A (ja) 湿式製膜可能な有機el素子製造用材料及び有機el素子
JP4178666B2 (ja) ケイ素系高分子およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant