CN100403133C - 无机氧化物膜的处理方法、电子设备用基板及其制造方法、液晶面板及电子机器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够使醇不仅与无机氧化物膜的表面,而且与细孔的内面也可靠地化学结合的无机氧化物膜的处理方法、例如液晶分子等的取向性不易随时间延长而降低的电子设备用基板、能够制造此种电子设备用基板的电子设备用基板的制造方法、可靠性高的液晶面板及电子机器。本发明的电子设备用基板的制造方法具有:通过在基板一面侧利用斜向蒸镀法形成具有多个细孔的无机氧化物膜的工序、将形成了无机氧化物膜的基板浸渍于至少含有第1醇和分子量比该第1醇小的第2醇的处理液中的工序、通过将设置有处理液的空间减压而使处理液浸透至所述细孔内的工序、使处理液中的醇与无机氧化物膜的表面及细孔的内面化学结合而获得取向膜的工序。
Description
技术领域
本发明涉及无机氧化物膜的处理方法、电子设备用基板、电子设备用基板的制造方法、液晶面板及电子机器。
背景技术
近年来,垂直取向型的液晶显示元件已在液晶电视(直视型显示装置)、液晶投影仪(投射型显示装置)等中被实用化。
作为这些垂直取向型的液晶显示元件中所使用的垂直取向膜,例如在液晶电视中多使用聚亚酰胺等有机取向膜,在液晶投影仪中多使用SiO2等斜向蒸镀膜(无机取向膜)。
无机氧化物的斜向蒸镀膜具有多个细孔,在其表面及细孔的内面,存在有多个极化了的羟基。该羟基作为布朗斯泰德酸点具有活性,容易将液晶分子或液晶显示元件中所含的杂质,特别是具有极性基的化合物吸附或与之反应。
这里,在杂质中,含有密封剂中的杂质及未反应成分、液晶层中的杂质及水分、制造过程中附着的污物等。
已知当杂质在斜向蒸镀膜表面吸附或反应时,表面的形状或极性即发生变化,垂直锚定力降低,引起液晶分子的异常取向。另外,还已知液晶分子会直接与羟基进行化学反应。
所以,作为斜向蒸镀膜(无机氧化物膜)的表面改性法,提出过将无机取向膜的表面的羟基用高级醇或硅烷耦合剂处理的方法(例如参照专利文献1、2。)。
专利文献1中所记载的方法中,将SiO2的斜向蒸镀膜暴露于高级醇的蒸气中。
但是,该方法中,由于处理温度低,因此高级醇只是物理地吸附于斜向蒸镀膜的表面,结合力极弱。由此,因使之与液晶分子接触,高级醇就很容易从斜向蒸镀膜的表面脱离,从而有在初期无法获得稳定的垂直取向力的问题。
另外,专利文献2中所记载的方法中,用离子束在辅助的同时蒸镀的SiO2的斜向蒸镀膜上,作为垂直取向剂,涂布(使之接触)了作为硅烷耦合剂的十八烷基二甲基[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]氯化铵后,在110℃下进行1小时烧成。
但是,斜向蒸镀膜的细孔(空孔)直径小,仅简单地使硅烷耦合剂与斜向蒸镀膜接触,只能使之与处于表面的羟基化学结合。即,无法使硅烷耦合剂与存在于空孔内的羟基化学结合。
由此,在专利文献2中所记载的方法中,因存在于斜向蒸镀膜的细孔内的羟基的影响,有液晶分子的取向性在比较短的时间内降低的问题。
[专利文献1]特开平11-160711号公报
[专利文献2]特开平5-203958号公报
发明内容
本发明的目的在于,提供能够使醇不仅与无机氧化物膜的表面,而且与其所具有的细孔的内面也可靠地化学结合的无机氧化物膜的处理方法、例如液晶分子等的取向性不易随时间延长而降低的电子设备用基板、能够制造此种电子设备用基板的电子设备用基板的制造方法、可靠性高的液晶面板及电子机器。
此种目的被利用下述的本发明达成。
本发明的无机氧化物膜的处理方法的特征是,具有:
将利用斜向蒸镀法形成并具有多个细孔的无机氧化物膜浸渍在至少含有第1醇、与该第1醇相比分子量更小的第2醇的处理液中的工序、
通过将设置了该处理液的空间减压而使所述处理液浸透所述无机氧化物膜的细孔内的工序、
使所述处理液中的醇与所述无机氧化物膜的表面及细孔的内面化学结合的工序。
这样,就可以使醇不仅与无机氧化物膜的表面,而且与其所具有的细孔的内面可靠地化学结合。
本发明的无机氧化物膜的处理方法的特征是,具有:
使至少含有第1醇的第1处理液与利用斜向蒸镀法形成并具有多个细孔的无机氧化物膜接触的工序、
使所述第1处理液中的醇与所述无机氧化物膜的表面化学结合的工序、
将所述无机氧化物膜浸渍于至少含有比所述第1醇的分子量更小的第2醇的第2处理液中的工序、
通过将设置了该第2处理液的空间减压而使所述第2处理液浸透所述无机氧化物膜的细孔内的工序、
使所述第2处理液中的醇与所述无机氧化物膜的表面及细孔的内面化学结合的工序。
这样,就可以使醇不仅与无机氧化物膜的表面,而且与其所具有的细孔的内面可靠地化学结合。
本发明的电子设备用基板是具有基板、设于该基板一面侧的取向膜的电子设备用基板,其特征是,
所述取向膜是至少使第1醇、比该第1醇的分子量更小的第2醇与利用斜向蒸镀法形成并具有多个细孔的无机氧化物膜的表面及细孔的内面化学结合而成。
这样,例如就可以获得液晶分子等的取向性优良、该取向性不容易随时间延长而降低的电子设备用基板。
本发明的电子设备用基板中,所述无机氧化物膜的表面附近的所述第1醇与所述第2醇的摩尔比率优选50∶50~95∶5。
这样,例如就可以进一步提高液晶分子等的取向性。
本发明的电子设备用基板的制造方法是制造具有基板、设于该基板一面侧的取向膜的电子设备用基板,其特征是,具有:
在所述基板一面侧,利用斜向蒸镀法,形成具有多个细孔的无机氧化物膜的工序、
将形成了该无机氧化物膜的基板浸渍于至少含有第1醇、比该第1醇的分子量更小的第2醇的处理液中的工序、
通过将设置了该处理液的空间减压而使所述处理液浸透所述无机氧化物膜的细孔内的工序、
使所述处理液中的醇与所述无机氧化物膜的表面及细孔的内面接触而获得所述取向膜的工序。
这样,就可以使醇不仅与无机氧化物膜的表面,而且还与其所具有的细孔的内面可靠地化学结合,从而可以获得例如具有液晶分子等的取向性优良、该取向性不易随时间延长而降低的取向膜的电子设备用基板。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,所述处理液中的所述第1醇与所述第2醇的比率以摩尔比表示优选70∶30~90∶10。
通过设为此种范围的配合比,就可以使第1醇可靠地化学结合至细孔的深处,并且在无机氧化物膜的表面附近,可以将第1醇和第2醇的比率更为可靠地调整为如前所述的范围。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,在使所述处理液浸透的工序中,所述空间的真空度优选10-4~104Pa。
这样,就可以从无机氧化物膜的细孔内充分地去除空气,使处理液充分地浸透细孔内。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,使所述处理液中的醇化学结合的工序最好通过将所述基板加热来进行。
通过使用利用加热的方法,就可以比较容易并且可靠地进行与存在于无机氧化物膜的表面及细孔的内面的羟基的反应。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,所述基板的加热温度优选80~250℃。
这样,无论醇的种类、无机氧化物的种类等如何,都可以使醇充分地与无机氧化物膜化学结合。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,所述基板的加热时间优选20~180分钟。
这样,无论加热温度等其他的条件如何,都可以使醇充分地与无机氧化物膜化学结合。
本发明的电子设备用基板的制造方法是制造具有基板、设于该基板一面侧的取向膜的电子设备用基板的方法,其特征是,具有:
在所述基板一面侧,利用斜向蒸镀法,形成具有多个细孔的无机氧化物膜的工序、
使至少含有第1醇的第1处理液与所述无机氧化物膜接触的工序、
使所述第1处理液中的醇与所述无机氧化物膜的表面化学结合的工序、
将形成了所述无机氧化物膜的基板浸渍于至少含有比所述第1醇的分子量更小的第2醇的处理液中的工序、
通过将设置了该第2处理液的空间减压而使所述第2处理液浸透所述无机氧化物膜的细孔内的工序、
使所述第2处理液中的醇与所述无机氧化物膜的表面及细孔的内面化学结合而获得所述取向膜的工序。
这样,就可以使醇不仅与无机氧化物膜的表面,而且还与其所具有的细孔的内面可靠地化学结合,从而可以获得例如具有液晶分子等的取向性优良、该取向性不易随时间延长而降低的取向膜的电子设备用基板。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,所述第1处理液最好还含有比所述第2醇的分子量更大并且与所述第1醇及所述第2醇种类不同的第3醇。
这样,对于液晶分子的垂直锚定力就进一步增大,可以使液晶分子更为可靠地垂直取向。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,使所述第1处理液中的醇化学结合的工序最好通过将所述基板加热来进行。
通过使用利用加热的方法,就可以比较容易并且可靠地进行与存在于无机氧化物膜的表面及细孔的内面的羟基的反应。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,所述基板的加热温度优选80~250℃。
这样,无论醇的种类、无机氧化物的种类等如何,都可以使醇充分地与无机氧化物膜化学结合。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,所述基板的加热时间优选20~180分钟。
这样,无论加热温度等其他的条件如何,都可以使醇充分地与无机氧化物膜化学结合。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,在使所述第2处理液浸透的工序中,所述空间的真空度优选10-4~104Pa。
这样,就可以从无机氧化物膜的细孔内充分地去除空气,使处理液充分地浸透细孔内。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,使所述第2处理液中的醇化学结合的工序最好通过将所述基板加热来进行。
这样,就可以使无机氧化物膜所具有的羟基与醇更为可靠地反应。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,所述基板的加热温度优选80~250℃。
通过使用利用加热的方法,就可以比较容易并且可靠地进行与存在于无机氧化物膜的表面及细孔的内面的羟基的反应。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,所述基板的加热时间优选20~180分钟。
这样,无论醇的种类、无机氧化物的种类等如何,都可以使醇充分地与无机氧化物膜化学结合。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,所述第1醇优选其碳数为5~30的醇。
可以是常温下为液状,或者即使为半固体形状(固体形状),也可以在比较低的温度下形成液状。由此,在利用后述的处理液处理无机氧化物膜时的操作就很容易。另外,此种碳数的醇由于对液晶分子的亲和性更高,因此可以可靠地增大对液晶分子的垂直锚定力。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,所述第1醇优选脂肪族醇、脂环醇或它们的氟取代物。
通过使用脂肪族醇、脂环醇或它们的氟取代物,对液晶分子的垂直锚定力就会进一步增大,可以使液晶分子更为可靠地垂直取向。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,所述脂环醇最好具有甾体类骨架。
具有甾体类骨架的脂环醇或其氟取代物由于具有平面性高的构造,因此在对液晶分子进行取向控制的功能方面特别优良。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,所述第2醇优选其碳数为1~4的醇。
此种碳数的第2醇由于分子尺寸小,因此可以可靠地浸透至细孔的深处。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,所述第2醇优选脂肪族醇或其氟取代物。
脂肪族醇或其氟取代物由于其分子构造接近直线,因此可以更为可靠地浸透至细孔的深处。
本发明的电子设备用基板的制造方法中,在将所述第1醇的碳数设为A,将第2醇的碳数设为B时,最好满足A-B达到3以上的关系。
例如可以使液晶分子等的取向性进一步提高,其取向性不易随时间延长而降低。
本发明的液晶面板的特征是,具备本发明的电子设备用基板、设于所述取向膜的与所述基板相反一侧的液晶层。
这样就可以获得可靠性高的液晶面板。
本发明的液晶面板的特征是,具备一对本发明的电子设备用基板,在一对所述电子设备用基板的所述取向膜之间,具备液晶层。
这样就可以获得可靠性高的液晶面板。
本发明的电子机器的特征是,具备本发明的液晶面板。
这样就可以获得可靠性高的电子机器。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的液晶面板的实施方式1的纵剖面图。
图2是示意性地表示图1所示的液晶面板所具备的取向膜的构成的纵剖面图。
图3是表示本发明的电子设备用基板的制造方法中所使用的处理装置的构成的示意图。
图4是示意性地表示本发明的液晶面板的实施方式2的纵剖面图。
图5是表示使用了本发明的电子机器的移动型(或笔记本型)的个人电脑的构成的立体图。
图6是表示使用了本发明的电子机器的携带电话(也包括PHS)的构成的立体图。
图7是表示使用了本发明的电子机器的数字型照相机的构成的立体图。
图8是示意性地表示使用了本发明的电子机器的投射型显示装置的光学系统的图。
其中,1A、1B……液晶面板,2……液晶层,3A、3B……取向膜,30……细孔,31……无机氧化物膜,32……覆盖膜,4A、4B……取向膜,5……透明导电膜,6……透明导电膜,7A、7B……偏光膜,8A、8B……偏光膜,9……基板,10……基板,100……基材,101……基材,11……微透镜基板,111……带有微透镜用凹部的基板,112……凹部,113……微透镜,114……表层,115……树脂层,12……液晶面板用对置基板,13……黑矩阵,131……开口,14……透明导电膜,17……TFT基板,171……玻璃基板,172……象素电极,173……薄膜晶体管,900……处理装置,910……小室,920……容器,930……排气机构,931……排气管线,932……泵,933……阀,940……排液机构,941……排液管线,942……泵,943……阀,944……回收罐,950……台架,960……供液机构,961……供液管线,962……泵,963……阀,964……贮留罐,S……处理液,S1……第1处理液,S2……第2处理液,1100……个人电脑,1102……键盘,1104……主体部,1106……显示组件,1200……携带电话,1202……操作按钮,1204……耳承,1206……送话口,1300……数字型照相机,1302……外壳(机身),1304……受光组件,1306……快门按钮,1308……电路基板,1312……影像信号输出端子,1314……数字通信用的输入输出端子,1430……电视机监视器,1440……个人电脑,300……投射型显示装置,301……光源,302、303……积分透镜,304、306、309……反射镜,305、307、308……分色镜,310~314……聚光透镜,320……屏幕,20……光学组,21……分色棱镜,211、212……分色镜面,213~215……面,216……出射面,22……投射透镜,23……显示组件,24~26……液晶光阀
具体实施方式
下面将在参照附图的同时,对本发明的无机氧化物膜的处理方法、电子设备用基板、电子设备用基板的制造方法、液晶面板及电子机器进行详细说明。
首先,对本发明的液晶面板进行说明。
<实施方式1>
图1是示意性地表示本发明的液晶面板的实施方式1的纵剖面图,图2是示意性地表示图1所示的液晶面板所具备的取向膜的构成的纵剖面图。而且,图1中,将密封材料、配线等的记载省略。另外,以下的说明中,将图1及图2中的上侧称为「上」,将下侧称为「下」。
图1所示的液晶面板1A具有液晶层2、取向膜3A、4A、透明导电膜5、6、偏光膜7A、8A、基板9、10。
在此种构成中,由基板9、透明导电膜5(电极)及取向膜3A,另外由基板10、透明导电膜6(电极)及取向膜4A分别构成本发明的电子设备用基板。
而且,图示的构成中,虽然透明导电膜5、6都未被分割,但是通常来说,它们当中的至少一方被分割,构成独立电极(象素电极)。
液晶层2含有液晶分子(液晶材料)。
作为液晶分子,例如可以举出苯基环己烷衍生物、联苯衍生物、联苯环己烷衍生物、三联苯衍生物、苯基醚衍生物、苯基酯衍生物、二环己烷衍生物、甲亚胺衍生物、氧化偶氮衍生物、嘧啶衍生物、二氧杂环乙烷衍生物、立方烷衍生物以及在这些衍生物中导入了氟基、三氟甲基、三氟甲氧基、二氟甲氧基等氟类取代基的物质。
而且,当如后述所示,使用了取向膜3A、4A时,液晶分子容易垂直取向,而作为适于垂直取向的液晶分子,例如可以举出以下述化1~化3表示的化合物等。
[化1]
[化2]
[化3]
[式中,环A~I各自独立,表示环己烷环或苯环,R1~R6各自独立,表示烷基、烷氧基或氟原子的任意一种,X1~X10各自独立,表示氢原子或氟原子。]
在液晶层2的两面,配置有取向膜3A、4A。
另外,取向膜3A被形成于由透明导电膜5和基板9构成的基材100上,取向膜4A被形成于由透明导电膜6和基板10构成的基材101上。
取向膜(垂直取向膜)3A、4A具有限制构成液晶层2的液晶分子的(未施加电压时的)取向状态的功能。
而且,由于取向膜3A、4A都是相同的构成,因此以下将以取向膜3A为代表进行说明。
取向膜3A如图2所示,由利用斜向蒸镀法形成的无机氧化物膜31、在该无机氧化物膜31上通过利用如后所述的方法实施处理而形成的覆盖膜32构成。
无机氧化物膜31由于被利用斜向蒸镀法形成,因此如图2所示,形成具有多个细孔30的构造,各细孔30的轴以相对于基材100的上面(形成有取向膜3A的面)倾斜的状态单向取向。
这里,所谓各细孔的轴单向取向是指,大多数的细孔30的轴朝向大致上等同的方向(细孔30的轴的平均方向被控制),在多个细孔30之中,也可以含有轴的方向朝向与大多数的细孔不同的方向的细孔30。
像这样,因各细孔30规则地排列,无机氧化物膜31(取向膜3A)就具有高的构造规则性。
利用此种构成,液晶层2所含的液晶分子就容易垂直取向(homeotropic取向)。所以,此种构成的取向膜3A对于VA(Vertical Alignment)型的液晶面板的构建十分有用。
另外,由于取向膜3A具有高的构造规则性,因此液晶分子的取向方向也会更为正确地统一为一定方向(垂直方向)。其结果是,可以实现液晶面板1A的性能(特性)的提高。
而且,细孔30和基材100的上面所成的角度(图2中角度θ)虽然没有特别限定,然而优选30~70°左右,更优选40~60°左右。这样,就可以更为可靠地使液晶分子垂直取向。
无机氧化物膜31是将无机氧化物作为主材料构成的膜。一般来说,无机材料与有机材料相比,具有更为优良的化学稳定性(光稳定性)。由此,无机氧化物膜31(取向膜3A)与由有机材料构成的取向膜相比,成为具有特别优良的耐光性的膜。
另外,构成无机氧化物膜31的无机氧化物优选介电常数较低的材料。这样,就可以更为有效地防止在液晶面板1A中产生图像的粘附等情况。
作为此种无机氧化物,例如可以举出SiO2、SiO之类的硅氧化物、Al2O3、MgO、TiO、TiO2、In2O3、Sb2O3、Ta2O5、Y2O3、CeO2、WO3、CrO3、GaO3、HfO2、Ti3O5、NiO、ZnO、Nb2O5、ZrO2、Ta2O5等金属氧化物,可以将它们当中的1种或2种以上组合使用,然而特别优选以SiO2为主成分的材料。SiO2的介电常数特别低,并且具有很高的光稳定性。
沿着此种无机氧化物膜31的表面及细孔30的内面,形成有覆盖膜32。
该覆盖膜32是通过使用后述的处理液对无机氧化物膜31进行处理而形成的膜,即,是存在于无机氧化物膜31的表面及细孔30的内面的活性的羟基与醇所具有的羟基发生化学反应(醚化反应)而形成的膜,是以醇的主骨架部分为主而成的膜。
本发明中具有如下特征,即,作为醇,使用分子量不同的多种醇。
当作为醇例如使用含有第1醇、与第1醇相比分子量更小的第2醇这2种醇的材料时,则可以获得如下的效果。
第一,分子量比较低的第2醇将渗透并化学结合至无机氧化物膜31的细孔30的深处。这样,就可以减少存在于细孔30的内面的活性的羟基的数目。
第二,分子量比较高的第1醇在无机氧化物膜31的表面,将作为主骨架部分的烃部分朝向液晶层2侧,与无机氧化物膜31化学结合,而该部分由于与液晶分子的亲和性比较高,因此可以得到对于液晶分子的很高的垂直锚定力。
第三,分子量比较高的第1醇由于主骨架部分的构造大,因此因该部分的立体阻碍等,在无机氧化物膜31的表面附近以疏松的状态化学结合,然而在第1醇之间的羟基上,将会化学结合第2醇,从而可以减少存在于无机氧化物膜31中的活性的羟基的数目。
由于此种情况,在使用了本发明的电子设备用基板的液晶面板1A中,就可以可靠地使液晶分子垂直取向。另外,可以防止由活性的羟基的存在引起的各种杂质附着于无机氧化物膜31上的情况、无机氧化物膜31与液晶分子反应等情况。这样,例如可以防止取向膜3A的对液晶分子的垂直锚定力的降低等,从而可以防止在液晶分子中产生取向异常的情况。
即,根据本发明,由于使用分子量不同的多种醇来处理无机氧化物膜31,因此利用多种醇的协同效应,可以实现液晶面板1A的特性及耐光性(耐久性)两方面的提高。
第1醇优选其碳数为5~30的醇,更优选8~30的醇。此种碳数的醇在常温下为液状,或者即使为半固体形状(固体形状),也可以在比较低的温度下形成液状。由此,利用后述的处理液对无机氧化物膜31进行处理时的操作就很容易。
另外,此种碳数的醇由于对液晶分子的亲和性更高,因此可以可靠地增大对液晶分子的垂直锚定力。
另外,作为该第1醇,可以举出脂肪族醇、芳香族醇、脂环醇、杂环醇、多元醇或它们的卤素取代物(特别是氟取代物),然而它们当中,更优选脂肪族醇、脂环醇或其氟取代物(氟代醇)。通过使用脂肪族醇、脂环醇或其氟取代物,对液晶分子的垂直锚定力就会进一步增大,从而可以更为可靠地使液晶分子垂直取向。
另外,脂环醇或其氟取代物更优选具有甾体类骨架的物质。具有甾体类骨架的脂环醇或其氟取代物由于具有平面性高的构造,因此在对液晶分子进行取向控制的功能方面特别优良。
当考虑这些情况时,作为第1醇,优选辛醇、壬醇、癸醇、十一醇、十二醇、十三醇、十四醇、十五醇、十六醇、十七醇、十八醇、二十醇、二十一醇、二十二醇、二十三醇、二十四醇等脂肪族醇、胆固醇、表胆固醇、二氢胆固醇、表二氢胆固醇、麦角烷醇、表麦角烷醇、粪甾醇(coprostanol)、表粪甾醇、α-麦角固醇、β-谷甾醇、豆甾醇、菜油甾醇等脂环醇或它们的氟取代物。
另外,脂肪族醇或其氟取代物的烃部分或氟化碳部分(主骨架部分)无论是形成直链状的、形成分支状的哪一种都可以。
此外,作为第1醇,例如可以使用己醇、庚醇、正三十醇等脂肪族醇、环己醇、4-甲基-环己醇、环戊醇等脂环醇、苯酚、苯甲醇、p-氯苯甲醇等芳香族醇、糠醇等杂环醇、乙二醇、甘油等多元醇或它们的氟取代物。
另一方面,第2醇优选其碳数为1~4的醇,更优选1~3的醇。此种碳数的第2醇由于分子尺寸小,因此可以可靠地浸透至细孔30的深处。
另外,作为该第2醇,可以举出脂肪族醇、多元醇或它们的卤素取代物(特别是氟取代物),然而它们当中,更优选脂肪族醇或其氟取代物(氟代醇)。脂肪族醇或其氟取代物由于其分子构造接近直线,因此可以更为可靠地浸透至细孔30的深处。
作为此种第2醇,优选甲醇、乙醇、丙醇或它们的氟取代物。
此外,在第2醇中,例如可以使用乙二醇、甘油等多元醇或其氟取代物。
而且,在液晶分子中,由于经常被氟化,因此通过使用氟取代物,与液晶分子的亲和性提高,使液晶分子垂直取向的效果进一步提高。
另外,当将第1醇的碳数设为A,将第2醇的碳数设为B时,最好满足A-B达到3以上的关系,更优选满足达到5以上的关系。通过将满足此种碳数的关系的2种醇组合使用,就可以实现液晶面板1A的特性及耐光性(耐久性)两方面的进一步的提高。
另外,此时,在无机氧化物膜31的表面附近化学结合了的第1醇和第2醇的摩尔比优选50∶50~95∶5左右,更优选60∶40~90∶10左右。这样,就可以更为显著地发挥使液晶分子可靠地垂直取向的效果及防止随时间延长在液晶分子中产生异常的效果。
而且,在无机氧化物膜31的表面附近化学结合了的第1醇与第2醇的比率例如可以通过在后述的制造方法1中适当地设定处理液中的第1醇和第2醇的配合比、第1醇及第2醇的种类或分子量、使醇与无机氧化物膜31化学结合时的条件等来调整。
此种取向膜3A的平均膜厚虽然没有特别限定,然而优选20~300nm左右,更优选20~150nm左右,进一步优选20~80nm左右。当取向膜3A的厚度过薄时,则液晶分子直接与透明导电膜5、6接触,有可能无法充分地防止短路。另一方面,当取向膜3A的厚度过厚时,则液晶面板1A的驱动电压变高,有可能消耗电能增大。
在取向膜3A的外表面(图1中上面)侧,配置有透明导电膜5。同样地,在取向膜4A的外表面(图1中下面)侧,配置有透明导电膜6。
透明导电膜5、6具有通过在它们之间进行充放电,来改变液晶层2所含有的液晶分子的取向的功能。
透明导电膜5、6之间的充放电的控制可以通过控制从与透明导电膜5、6连接的控制电路(未图示)供给的电流来进行。
透明导电膜5、6具有导电性,例如由铟锡氧化物(ITO)、铟氧化物(IO)、氧化锡(SnO2)等构成。
在透明导电膜5的外表面(图1中上面)侧,配置有基板9。同样地,在透明导电膜6的外表面(图1中下面)侧,配置有基板10。
基板9、10具有支撑前述的液晶层2、取向膜3A、4A、透明导电膜5、6及后述的偏光膜7A、8A的功能。
作为基板9、10的构成材料,例如可以举出石英玻璃之类的各种玻璃材料、聚对苯二甲酸乙二醇酯之类的各种塑料材料等,然而,它们当中,特别优选各种玻璃材料。这样,就难以产生翘曲、弯曲等,可以获得稳定性更为优良的液晶面板1A。
在基板9的外表面(图1中上面)侧,配置有偏光膜(偏光片、偏光薄膜)7A。同样地,在基板10的外表面(图1中下面)侧,配置有偏光膜(偏光片、偏光薄膜)8A。
作为偏光膜7A、8A的构成材料,例如可以举出聚乙烯醇(PVA)等。另外,作为偏光膜,也可以使用在前面所述材料中掺杂了碘的材料。
作为偏光膜,例如可以使用将由所述材料构成的膜单向延伸的膜。
通过配置此种偏光膜7A、8A,就可以更为可靠地进行利用通电量的调节的光的透过率的控制。
偏光膜7A、8A的偏光轴的方向通常来说要根据取向膜3A、4A的取向方向(本实施方式中是在施加电压时)来决定。
下面,对使用了本发明的无机氧化物膜的处理方法的电子设备用基板的制造方法进行说明。
<制造方法1>
首先,对本发明的电子设备用基板的制造方法的实施方式1(制造方法1)进行说明。
电子设备用基板的制造方法1具有:[1A]无机氧化物膜形成工序、[2A]向处理液S中的浸渍工序、[3A]处理液S的浸透工序、[4A]醇的反应工序。
而且,工序[2A]~[4A]及后述的工序[4B]~[6B]中,例如可以使用如图3所示的处理装置900。
图3所示的处理装置900具有小室910、设于小室910内的台架950、配置于台架950上的容器920、向容器920内供给处理液S的供液机构960、将容器920内的处理液S排出的排液机构940、进行小室910内的排气的排气机构930。
另外,在台架950上,例如设有加热器等加热机构(未图示)。
排气机构930由泵932、将泵932和小室910连通的排气管线931、设于排气管线931的途中的阀933构成。
另外,排液机构940由回收处理液S的回收罐944、将回收罐944和容器920连通的排液管线941、设于排液管线941的途中的泵942及阀943构成。
另外,供液机构960由贮留处理液S的贮留罐964、从贮留罐964将处理液S导向容器920的供液管线961、设于供液管线961的途中的泵962及阀963构成。
另外,在排液机构940及供液机构960中,分别设有未图示的加热机构(例如加热器等),从而能够将处理液S加热。
以下,将对各工序依次进行说明。
[1A]无机氧化物膜形成工序
首先,在基材100上(基板9的一面侧),利用斜向蒸镀法形成无机氧化物膜31。通过使用斜向蒸镀法,就可以得到具有多个细孔30的无机氧化物膜31。
这里,通过适当地设定从蒸发源中气化了的无机氧化物到达基材100的上面的角度,就可以调节细孔30的相对于基材100的上面的角度。
另外,基材100和蒸发源最好尽可能地分离。通过使基材100和蒸发源充分地分离,从蒸发源中气化了的无机氧化物就会从大致等同的方向到达基材100的表面。这样,就可以形成取向性更高的无机氧化物膜31。
[2A]向处理液S中的浸渍工序
然后,将形成了无机氧化物膜31的基材100浸渍于如前所述的含有第1醇及第2醇的处理液S中。
具体来说,将小室910敞开,搬入形成了无机氧化物膜31的基材100,设于容器920内。
然后,将小室910设为密闭的状态,使泵962动作,该状态下,通过打开阀963,就会将处理液S经过供液管线961,从贮留罐964向容器920内供给。
此后,当向容器920内供给了给定量的处理液S,即供给了基材100被完全地浸渍的量的处理液时,即停止泵962,并且关闭阀963。
这里,作为醇,无论是常温下为液状的醇,还是在常温下为固体形状或半固体形状的醇都可以。
当使用在常温下为液状的醇时,在处理液S中,除了可以使用该醇本身(醇的含量大致为100%的液体)以外,还可以在适当的溶剂中混合醇而使用。
另外,当使用常温下为固体形状或半固体形状的醇时,在处理液S中,除了可以使用通过将该醇加热而形成液状的物质以外,还可以在适当的溶剂中溶解醇而使用。
当将醇混合或溶解于溶剂中时,对于溶剂,可以选择能够混合或溶解醇并且与醇相比极性更低的溶剂。这样,就可以防止溶剂妨碍后面工序[4A]中的无机氧化物膜31的羟基与醇的反应的情况,从而可以可靠地发生化学反应。
另外,当作为醇使用含有第1醇和第2醇的物质时,它们的混合比以摩尔比表示优选70∶30~90∶10左右,更优选75∶25~85∶15左右。通过设为此种范围的配合比,就可以更为可靠地使第1醇化学结合至细孔30的深处,并且在无机氧化物膜31的表面附近,可以更为可靠地将第1醇和第2醇的比率调整为如前所述的范围。
[3A]处理液S的浸透工序
然后,通过将小室910内(设置了处理液S的空间)减压,使处理液S浸透无机氧化物膜31的细孔30内。
具体来说,将小室910设为密闭的状态,使泵932动作,在该状态下,通过将阀933打开,经过排气管线931,将小室910内的气体向处理装置900外排出。
因小室910内的压力慢慢地降低,处理液S中及无机氧化物膜31的细孔30内的气体(例如空气等)被去除,处理液S浸透到细孔30内。
此后,当小室910达到给定的压力时,则停止泵932,并且将阀933关闭。
该小室910内(空间)的给定的压力,即小室910内的真空度优选10-4~104Pa左右,更优选10-2~103Pa左右。这样,就可以从无机氧化物膜31的细孔30内充分地去除空气,使处理液S充分地浸透细孔30内。
然后,使泵942动作,在该状态下,通过将阀943打开,将容器920内的剩余的处理液S经过排液管线941回收到回收罐944中。
此后,当处理液S的大致全部被从容器920内回收时,即停止泵942,并且将阀943关闭。
[4A]醇的反应工序
然后,在无机氧化物膜31的表面及细孔30的内面,化学结合(醚键)醇。
具体来说,通过使设于台架950上的加热机构动作,对形成了无机氧化物膜31的基材100加热。
这样,在存在于无机氧化物膜31的表面及细孔30的内面的羟基、醇所具有的羟基之间产生醚化反应,在无机氧化物膜31的表面及细孔30的内面,化学结合醇。
其结果是,沿着无机氧化物膜31的表面及细孔30的内面,形成以醇的主骨架部分为主而成的覆盖膜32,得到取向膜3A。
而且,在进行该加热之前,根据需要,也可以再次将小室910内减压。
基材100的加热温度虽然没有特别限定,然而优选80~250℃左右,更优选100~200℃左右。当加热温度过低时,根据醇的种类、无机氧化物的种类等,有可能无法使醇充分地与无机氧化物膜31化学结合,另一方面,即使超过所述上限值地升高所述加热温度,也无法体现出在其以上程度的效果的增大。
另外,基材100的加热时间虽然也没有特别限定,但是优选20~180分钟左右,更优选40~100分钟左右。当加热时间过短时,根据加热温度等其他的条件,有可能无法使醇充分地与无机氧化物膜31化学结合,另一方面,即使超过所述上限值地延长所述加热时间,也无法体现出在其以上程度的效果的增大。
如上所述,作为使存在于无机氧化物膜31的表面及细孔30的内面的羟基与醇反应的方法,通过使用利用加热的方法,就可以比较容易并且可靠地进行所述反应。
而且,所述反应并不限定于利用加热的方法,例如也可以利用紫外线的照射、红外线的照射等来进行。这些情况下,在处理装置900上设置进行各处理所必需的机构(装置)。
而且,制造方法1中,处理液S由于含有第1醇和第2醇,因此第1醇和第2醇优选相溶性高的醇,具体来说,最好都使用脂肪族醇或其氟取代物。
<制造方法2>
下面,对本发明的电子设备用基板的制造方法的实施方式2(制造方法2)进行说明。
以下,对于制造方法2,将以与所述制造方法1的不同点为中心进行说明,对于相同的事项,将省略其说明。
电子设备用基板的制造方法2具有:[1B]无机氧化物膜形成工序、[2B]第1处理液S1的接触工序、[3B]醇的反应工序、[4B]向第2处理液S2中的浸渍工序、[5B]第2处理液S2的浸透工序、[6B]醇的反应工序。
以下将对各工序依次进行说明。
[1B]无机氧化物膜形成工序
本工序[1B]在与所述工序[1A]相同的条件下进行。
[2B]第1处理液S1的接触工序
然后,在常压下,使如前所述的含有第1醇的第1处理液S1与无机氧化物膜31接触。
作为使第1处理液S1与无机氧化物膜31接触的方法,例如可以举出在无机氧化物膜31上涂布第1处理液S1的方法(涂布法)、将形成了无机氧化物膜31的基材100浸渍于第1处理液S1中的方法(浸渍法)、将无机氧化物膜31暴露于第1处理液S1的蒸气中的方法等,可以将它们当中的1种或2种以上组合使用。
而且,在涂布法中,例如可以使用旋转涂覆法、浇注法、微型凹版印刷法、凹版印刷法、棒涂覆法、滚筒涂覆法、拉丝锭涂覆法、浸渍涂覆法、喷雾涂覆法、网板印刷法、柔性印刷法、平版印刷法、喷墨印刷法等。
另外,作为第1处理液S1,可以使用与所述处理液S相同的处理液。
[3B]醇的反应工序
本工序[3B]在与所述工序[4A]相同的条件下进行。
[4B]向第2处理液S2中的浸渍工序
本工序[4B]在与所述工序[2A]相同的条件下进行。
另外,作为第2处理液S2,可以使用与所述处理液S相同的物质,第2处理液S2中的醇的浓度优选70vol%以上,更优选85vol%以上。
[5B]第2处理液S2的浸透工序
本工序[5B]在与所述工序[3A]相同的条件下进行。
[6B]醇的反应工序
本工序[6B]在与所述工序[4A]相同的条件下进行。
利用此种制造方法2,也可以获得与所述制造方法1相同的效果。
而且,根据制造方法2,由于分别使用第1处理液S1、第2处理液S2处理无机氧化物膜31,因此可以不考虑第1醇和第2醇的相溶性等,来选择所使用的第1醇的种类和第2醇的种类。即,具有第1醇和第2醇的选择的幅度宽的优点。
另外,该情况下,第1处理液S1最好还含有比所述第2醇分子量更大并且与所述第1醇及所述第2醇种类不同的第3醇。
具体来说,最好作为第1醇,使用脂肪族醇或其氟取代物,作为第3醇,组合使用其碳数为5~30(优选8~30)的脂环醇或其氟取代物。这样,利用此种第3醇,就可以提高第1醇的取向稳定性。
而且,制造方法2中,利用第1处理液S1的处理和利用第2处理液S2的处理也可以倒置进行。
以上虽然对形成取向膜3A的情况进行了说明,然而对于形成取向膜4A的情况也相同。
<实施方式2>
下面,对本发明的液晶面板的实施方式2进行说明。
图4是示意性地表示本发明的液晶面板的实施方式2的纵剖面图。而且,图4中,将密封材料、配线等的记载省略。另外,以下的说明中,将图4中的上侧称为「上」,将下侧称为「下」。
以下,对于实施方式2,将以与所述实施方式1的不同点为中心进行说明,对于相同的事项,将省略其说明。
图4所示的液晶面板(TFT液晶面板)1B具有:TFT基板(液晶驱动基板)17、与TFT基板17接合了的取向膜3B、液晶面板用对置基板12、与液晶面板用对置基板12接合了的取向膜4B、被封入了取向膜3B和取向膜4B的空隙中的含有液晶分子的液晶层2、与TFT基板(液晶驱动基板)17的外表面(上面)侧接合了的偏光膜7B、与液晶面板用对置基板12的外表面(下面)侧接合了的偏光膜8B。
此种构成中,由TFT基板17和取向膜3B,另外由液晶面板用对置基板12和取向膜4B分别构成本发明的电子设备用基板。
而且,取向膜3B、4B是与所述实施方式1中说明了的取向膜3A、4A相同的构成的膜,偏光膜7B、8B是与所述实施方式1中说明了的偏光膜7A、8A相同的构成的膜。
液晶面板用对置基板12具有:微透镜基板11、设于该微透镜基板11的表层114上并形成了开口131的黑矩阵13、在表层114上被按照覆盖黑矩阵13的方式设置的透明导电膜(公共电极)14。
微透镜基板11具有:设置了具有凹曲面的多个凹部(微透镜用凹部)112的带有微透镜用凹部的基板111、在该带有微透镜用凹部的基板111的设置了凹部112的面上借助树脂层(粘结剂层)115接合的表层114。
另外,树脂层115中,由填充于凹部112内的树脂形成微透镜113。
带有微透镜用凹部的基板111利用平板状的母材(透明基板)制造,在其表面上,形成有多个凹部112。
凹部112例如可以利用使用了掩模的干式蚀刻法、湿式蚀刻法等形成。
该带有微透镜用凹部的基板111例如由玻璃等构成。
所述母材的热膨胀系数最好与玻璃基板171的热膨胀系数相等(例如两者的热膨胀系数的比为1/10~10左右)。这样,就可以防止在所得的液晶面板1B中,在温度变化时因两者的热膨胀系数不同而产生的翘曲、弯曲、剥离等。
根据此种观点,带有微透镜用凹部的基板111、玻璃基板171最好由相同种类的材质构成。这样,就可以有效地防止温度变化时的由热膨胀系数的差造成的翘曲、弯曲、剥离等。
特别是在将微透镜基板11用于高温多晶硅的TFT液晶面板中时,带有微透镜用凹部的基板111最好由石英玻璃构成。TFT液晶面板作为液晶驱动基板具有TFT基板。在此种TFT基板中,最好使用特性难以因制造时的环境而变化的石英玻璃。由此,通过与之对应地用石英玻璃构成带有微透镜用凹部的基板111,就可以获得难以产生翘曲、弯曲等的、稳定性优良的TFT液晶面板1B。
在带有微透镜用凹部的基板111的上面,设有覆盖凹部112的树脂层(粘结剂层)115。
在凹部112内,通过填充树脂层115的构成材料,形成微透镜113。
树脂层115例如可以用与带有微透镜用凹部的基板111的构成材料的折射率相比折射率更高的树脂(粘结剂)构成,可以用丙烯酸类树脂、环氧类树脂、丙烯酸环氧类那样的紫外线固化树脂等理想地构成。
在树脂层115的上面,设有平板状的表层114。
表层(玻璃层)114例如可以用玻璃构成。此时,表层114的热膨胀系数最好设为与带有微透镜用凹部的基板111的热膨胀系数大致相等(例如两者的热膨胀系数的比为1/10~10左右)。这样,就可以防止因带有微透镜用凹部的基板111与表层114的热膨胀系数的不同而产生的翘曲、弯曲、剥离等。此种效果在用相同种类的材料构成带有微透镜用凹部的基板111和表层114时,将被更为有效地获得。
表层114的平均厚度在微透镜基板11被用于液晶面板中的情况下,从获得必需的光学特性的观点考虑,通常来说被设为5~1000μm左右,更优选设为10~150μm左右。
而且,表层(阻挡层)114也可以用陶瓷构成。而且,作为陶瓷,例如可以举出AlN、SiN、TiN、BN等氮化物类陶瓷、Al2O3、TiO2等氧化物类陶瓷、WC、TiC、ZrC、TaC等碳化物类陶瓷等。
当将表层114用陶瓷构成时,表层114的平均厚度虽然没有特别限定,但是优选设为20nm~20μm左右,更优选设为40nm~1μm左右。
而且,此种表层114根据需要可以省略。
黑矩阵13具有遮光功能,例如由Cr、Al、Al合金、Ni、Zn、Ti等金属、分散了碳或钛等的树脂等构成。
透明导电膜14具有导电性,例如由铟锡氧化物(ITO)、铟氧化物(IO)、氧化锡(SnO2)等构成。
TFT基板17是对液晶层2所含的液晶分子进行驱动(取向控制)的基板,具有玻璃基板171、设于该玻璃基板171上并被配设为矩阵状(行列状)的多个象素电极172、与各象素电极172对应的多个薄膜晶体管(TFT)173。
根据如前所述的理由,玻璃基板171最好由石英玻璃构成。
象素电极172通过在与透明导电膜(公共电极)14之间进行充放电,来驱动液晶层2的液晶分子。该象素电极172例如由与所述的透明导电膜14相同的材料构成。
薄膜晶体管173与附近的对应的象素电极172连接。另外,薄膜晶体管173与未图示的控制电路连接,控制向象素电极172供给的电流。这样,象素电极172的充放电就被控制。
取向膜3B与TFT基板17的象素电极172接合,取向膜4B与液晶面板用对置基板12的透明导电膜14接合。
液晶层2含有液晶分子(液晶材料),此种液晶分子的取向与象素电极172的充放电对应地变化。
此种液晶面板1B中,通常来说,1个微透镜113、与该微透镜113的光轴Q对应的黑矩阵13的1个开口131、1个象素电极172、与该象素电极172连接的1个薄膜晶体管172对应于1个象素。
从液晶面板用对置基板12侧射入的入射光L穿过带有微透镜用凹部的基板111,在穿过微透镜113时被聚光,同时透过树脂层115、表层114、黑矩阵13的开口131、透明导电膜14、液晶层2、象素电极172、玻璃基板171。
此时,由于在微透镜基板11的入射侧设有偏光膜8B,因此在入射光L透过液晶层2时,入射光L成为直线偏光。
此时,该入射光L的偏光方向被与液晶层2的液晶分子的取向状态对应地控制。所以,通过使透过了液晶面板1B的入射光L透过偏光膜7B,就可以控制出射光的亮度。
像这样,液晶面板1B具有微透镜113,而且穿过了微透镜113的入射光L被聚光而穿过黑矩阵13的开口131。
另一方面,在黑矩阵13的未形成有开口131的部分中,入射光L被遮挡。所以,液晶面板1B中,就可以防止从象素以外的部分漏入不需要的光,并且可以抑制象素部分的入射光L的衰减。由此,液晶面板1B在象素部具有很高的光的透过率。
该液晶面板1B例如可以如下所示地制造。
首先,准备利用公知的方法制造的TFT基板17和液晶面板用对置基板12。
然后,使用它们,利用本发明的电子设备用基板的制造方法,分别形成取向膜3B、4B,得到本发明的电子设备用基板。
然后,借助密封材料(未图示)将两者接合,在从由此形成的空隙部的封入孔(未图示)将液晶注入了空隙部内后,将该封入孔堵住。
而且,所述液晶面板1B中,虽然作为液晶驱动基板使用了TFT基板,但是在液晶驱动基板中也可以使用TFT基板以外的其他的液晶驱动基板,例如TFD基板、STN基板等。
下面,将基于图5~图7所示的实施方式,对具备了如前所述的液晶面板1A的本发明的电子机器(液晶显示装置)进行详细说明。
图5是表示使用了本发明的电子机器的移动型(或笔记本型)个人电脑的构成的立体图。
该图中,个人电脑1100由具备了键盘1102的主体部1104、显示组件1106构成,显示组件1106被借助合页构造部相对于主体部1104可以转动地支撑。
在该个人电脑1100中,显示组件1106具备所述的液晶面板1A、未图示的背光灯。通过使来自背光灯的光透过液晶面板1A,就可以显示图像(信息)。
图6是表示使用了本发明的电子机器的携带电话(也包括PHS)的构成的立体图。
该图中,携带电话1200具备多个操作按钮1202、耳承1204及送话口1206,并且还具备所述的液晶面板1A、未图示的背光灯。
图7是表示使用了本发明的电子机器的数字型照相机的构成的立体图。而且,该图中,对于与外部机器的连接也被简单地表示。
这里,通常的照相机是利用被拍摄体的光像将银盐照片底片感光,而数字型照相机1300则利用CCD(Charge Coupled Device)等拍摄元件对被拍摄体的光像进行光电转换而生成拍摄信号(图像信号)。
在数字型照相机1300的外壳(机身)1302的背面,设有所述的液晶面板1A、未图示的背光灯,形成基于利用CCD得到的拍摄信号进行显示的构成,液晶面板1A作为将被拍摄体作为电子图像显示的取景器发挥作用。
在外壳的内部,设有电路基板1308。该电路基板1308设有能够收纳(储存)拍摄信号的存储器。
另外,在外壳1302的正面侧(图示的构成中为背面侧),设有包括光学透镜(拍摄光学元件)或CCD等的受光组件1304。
当拍摄者确认显示于液晶面板1A中的被拍摄体像,按下快门按钮1306时,该时刻的CCD拍摄信号就被向电路基板1308的存储器转送·储存。
另外,在该数字型照相机1300中,在外壳1302的侧面,设有影像信号输出端子1312、数据通信用的输入输出端子1314。此外,如图所示,在影像信号输出端子1312上及数据通信用的输入输出端子1314上,根据需要分别连接有电视监视器1430及个人电脑1440。另外,利用给定的操作,储存于电路基板1308的存储器中的拍摄信号被向电视监视器1430、个人电脑1440输出。
下面,作为本发明的电子机器的一个例子,对使用了所述液晶面板1B的电子机器(液晶投影仪)进行说明。
图8是示意性地表示本发明的电子机器(投射型显示装置)的光学系统的图。
如同图所示,投射型显示装置300具有:光源301、具备了多个积分透镜(integrator lens)的照明光学系统、具备了多个分色镜等的色分离光学系统(导光光学系统)、对应于红色的(红色用的)液晶光阀(液晶光快门阵列)24、对应于绿色的(绿色用的)液晶光阀(液晶光快门阵列)25、对应于蓝色的(蓝色用的)液晶光阀(液晶光快门阵列)26、形成了仅反射红色光的分色镜面211及仅反射蓝色光的分色镜面212的分色棱镜(色合成光学系统)21、投射透镜(投射光学系统)22。
另外,照明光学系统具有积分透镜302及303。色分离光学系统具有反射镜304、306、309、反射蓝色光及绿色光的(仅透过红色光的)分色镜305、仅反射绿色光的分色镜307、仅反射蓝色光的分色镜(或反射蓝色光的反射镜)308、聚光透镜310、311、312、313及314。
液晶光阀25具备所述的液晶面板1B。液晶光阀24及26也形成与液晶光阀25相同的构成。这些液晶光阀24、25及26所具备的液晶面板1B被与未图示的驱动电路分别连接。
而且,投射型显示装置300中,由分色镜21和投射透镜22构成光学组20。另外,由该光学组20、被固定地设于分散棱镜21上的液晶光阀24、25及26构成显示组件23。
以下,将对投射型显示装置300的作用进行说明。
从光源301中射出的白色光(白色光束)透过积分透镜302及303。该白色光的光强度(亮度分布)被积分透镜302及303均一化。从光源301中射出的白色光最好其光强度比较大。这样,就可以使形成于屏幕320上的图像更为鲜明。另外,投射型显示装置300中,由于使用耐光性优良的液晶面板1B,因此即使当从光源301中射出的光的强度很大时,也可以获得优良的长期稳定性。
透过了积分透镜302及303的白色光被反射镜304向图8中左侧反射,其反射光当中的蓝色光(B)及绿色光(G)分别被分色镜305向图8中下侧反射,红色光(R)透过分色镜305。
透过了分色镜305的红色光被反射镜306向图8中下侧反射,该反射光被聚光透镜310整形,输入红色用的液晶光阀24中。
被分色镜305反射的蓝色光及绿色光当中的绿色光被分色镜307向图8中左侧反射,蓝色光透过分色镜307。
被分色镜307反射的绿色光被聚光透镜311整形,射入绿色用的液晶光阀25。
另外,透过了分色镜307的蓝色光被分色镜(或反射镜)308向图8中左侧反射,其反射光被反射镜309向图8中上侧反射。所述蓝色光被聚光透镜312、313及314整形,射入蓝色用的液晶光阀26。
像这样,从光源301中射出的白色光被色分离光学系统分离为红色、绿色及蓝色这三原色,分别被导向、射入所对应的液晶光阀。
此时,液晶光阀24所具有的液晶面板1B的各象素(薄膜晶体管173和与之连接的象素电极172)被基于红色用的图像信号动作的驱动电路(驱动机构)进行开关控制(ON/OFF),即被进行变频。
同样地,绿色光及蓝色光分别射入液晶光阀25及26,被各自的液晶面板1B变频,这样就形成绿色用的图像及蓝色用的图像。此时,液晶光阀25所具有的液晶面板1B的各象素被基于绿色用的图像信号动作的驱动电路进行开关控制,液晶光阀26所具有的液晶面板1B的各象素被基于蓝色用的图像信号动作的驱动电路进行开关控制。
这样,红色光、绿色光及蓝色光分别被液晶光阀24、25及26变频,分别形成红色用的图像、绿色用的图像及蓝色用的图像。
由所述液晶光阀24形成的红色用的图像,即来自液晶光阀24的红色光从面213向分色棱镜21射入,被分色镜面211向图8中左侧反射,透过分色镜面212,从出射面216中射出。
另外,由所述液晶光阀25形成的绿色用的图像,即来自液晶光阀25的绿色光从面214向分色棱镜21射入,分别透过分色镜面211及212,从出射面216中射出。
另外,由所述液晶光阀26形成的蓝色用的图像,即来自液晶光阀26的蓝色光从面215向分色棱镜21射入,被分色镜面211向图8中左侧反射,透过分色镜面211,从出射面216中射出。
像这样,来自所述液晶光阀24、25及26的各色的光,即由液晶光阀24、25及26形成的各图像被分色棱镜21合成,这样就形成彩色的图像。该图像被投射透镜22向设于给定的位置上的屏幕320上投影(放大投射)。
本实施方式的投射型显示装置300是具有3个液晶光阀的装置,虽然对在它们的全部中使用了液晶面板1B的装置进行了说明,然而只要它们当中的至少1个为液晶面板1B即可。此时,最好至少在蓝色用的液晶光阀中使用液晶面板1B。
而且,本发明的电子机器除了图5的个人电脑(移动型个人电脑)、图6的携带电话、图7的数字型照相机、图8的投射型显示装置以外,例如还可以举出电视、摄影机、取景器型、监视器直视型的录像机、导航装置、寻呼机、电子记事簿(也包括带有通信功能的)、电子辞典、电子计算器、电子游戏机、文字处理器、工作站、电视电话、防止犯罪用电视监视器、电子双筒望远镜、POS终端、具备了触摸面板的机器(例如金融机构的自动提款机、自动售票机)、医疗机器(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电显示装置、超声波诊断装置、内窥镜用显示装置)、鱼群探测仪、各种测定机器、计测仪类(例如车辆、飞机、船舶的计测仪类)、飞行模拟器等。此外,作为这些各种电子机器的显示部、监视器部,当然可以使用所述的本发明的液晶面板。
以上虽然基于图示的实施方式,对本发明的无机氧化物膜的处理方法、电子设备用基板、电子设备用基板的制造方法、液晶面板及电子机器进行了说明,然而本发明并不限定于此。
例如,在本发明的无机氧化物膜的处理方法及电子设备用基板的制造方法中,也可以追加1或2个以上的任意的目的的工序。
另外,本发明的无机氧化物膜的处理方法可以适用于各种用途的无机氧化物膜的处理中。
另外,例如在本发明的电子设备用基板、液晶面板及电子机器中,各部的构成可以置换为发挥相同的功能的任意的构成的部分,另外,也可以附加任意的构成。
另外,本发明的电子设备用基板并不限定于向所述实施方式中所说明的构成的液晶面板中的应用,例如还可以适用于在相同基板上设置了向液晶层施加电压的一对电极的构成的液晶面板。
另外,本发明的电子设备用基板并不限定于向液晶面板中的应用,例如也可以适用于有机晶体管等中。此时,通过使用此种电子设备用基板,就可以限制有机半导体层的取向方向,实现载流子迁移度的提高。
[实施例]
下面,对本发明的具体的实施例进行说明。
1.电子设备用基板的制造
(样品No.1)
<1A>首先,准备玻璃基板(2.5cm×2.5cm的正方形),按照使基板面相对于蒸镀源达到50°的方式固定于真空蒸镀装置上。
此后,将蒸镀装置内减压(10-4Pa),斜向蒸镀SiO2,制作了带有斜向蒸镀膜(无机氧化物膜)的基板。
而且,所得的斜向蒸镀膜的细孔相对于玻璃基板的上面的角度约为70°。
<2A>然后,将带有斜向蒸镀膜的基板在洁净烤炉中,在200℃下加热90分钟,加热结束后立即移动到干燥氮气气氛中,在该状态下放置。
<3A>然后,准备1-辛醇(第1醇)和2-丙醇(第2醇)的混合液(重量比=80∶20),使用过滤器将离子性杂质除去后,利用氮气鼓泡将所含微量水分除去,调整了处理液。
<4A>然后,向图3所示的处理装置内,搬入带有斜向蒸镀膜的基板,设于容器(聚四氟乙烯制)内,使得斜向蒸镀膜向上。
此后,在将小室密闭后,将所准备的处理液向容器内供给,将带有斜向蒸镀膜的基板浸渍于处理液中。
<5A>然后,在所述工序<4A>的状态下,将小室内减压至100Pa。
这样,就将斜向蒸镀膜的细孔内的气体置换为处理液。即,使处理液浸透了细孔内。
<6A>然后,在将多余的处理液从容器中排出后,再次将小室内减压至133Pa(1Torr),将基板在150℃下加热1小时。
这样,在斜向蒸镀膜的表面及细孔的内面,就化学结合了1-辛醇及2-丙醇。
<7A>加热结束后,在维持减压状态的同时,放置冷却。
如上所示,即得到了电子设备用基板。
而且,所得的取向膜的平均厚度为45nm。
另外,化学结合在斜向蒸镀膜的表面附近的1-辛醇和2-丙醇的摩尔比为70∶30。这是利用飞行时间型二次离子质量分析(TOF-SIMS分析)确认的(以下说明中相同)。
(样品No.2)
<1B>首先,进行了与所述工序<1A>相同的工序。
<2B>然后,进行了与所述工序<2A>相同的工序。
<3B>然后,将1-十八醇(第1醇)溶解于二乙基醚(溶剂)中,使用过滤器将离子性杂质除去后,利用氮气鼓泡将所含微量水分除去,调整了第1处理液。
而且,第1处理液中的1-十八醇的浓度设为90vol%。
<4B>然后,在利用旋转涂覆法将第1处理液涂布于斜向蒸镀膜上后,进行干燥。
<5B>然后,在大气压下,将基板在150℃下加热1小时。
这样,就使1-十八醇化学结合于斜向蒸镀膜的表面附近。
<6B>然后,准备2-丙醇(第2醇),在使用过滤器将离子性杂质除去后,利用氮气鼓泡将所含微量水分除去,调整了第2处理液。
<7B>然后,进行了与所述工序<4A>相同的工序。
<8B>然后,进行了与所述工序<5A>相同的工序。
这样,就将斜向蒸镀膜的细孔内的气体置换为第2处理液。即,使第2处理液浸透了细孔内。
<9B>然后,进行了与所述工序<6A>相同的工序。
这样,就使2-丙醇化学结合于斜向蒸镀膜的表面及细孔的内面。
<10B>然后,进行与所述工序<7A>相同的工序。
如上所示,即得到了电子设备用基板。
而且,所得的取向膜的平均厚度为45nm。
另外,化学结合在斜向蒸镀膜的表面附近的1-十八醇和2-丙醇的比率以摩尔比表示为80∶20。
(样品No.3)
除了作为第1醇使用了胆固醇,作为溶剂使用了甲苯以外,与所述样品No.2相同地制造了电子设备用基板。
而且,所得的取向膜的平均厚度为46nm。
另外,化学结合在斜向蒸镀膜的表面附近的胆固醇和2-丙醇的比率以摩尔比表示为75∶25。
(样品No.4)
除了作为第1醇使用了1-十八醇及胆固醇,作为溶剂使用了甲苯以外,与所述样品No.2相同地制造了电子设备用基板。
而且,1-十八醇和胆固醇按照以摩尔比表示达到50∶50的方式使用。
另外,所得的取向膜的平均厚度为48nm。
另外,化学结合在斜向蒸镀膜的表面附近的1-十八醇和胆固醇和2-丙醇的比率以摩尔比表示为40∶35∶25。
(样品No.5)
除了取代SiO2,斜向蒸镀了Al2O3,制作了带有斜向蒸镀膜(无机氧化物膜)的基板以外,与所述样品No.1相同地制造了电子设备用基板。
而且,所得的取向膜的平均厚度为45nm。
另外,化学结合在斜向蒸镀膜的表面附近的1-辛醇和2-丙醇的摩尔比为70∶30。
(样品No.6)
除了作为醇,单独使用了1-辛醇以外,与所述样品No.1相同地制造了电子设备用基板。
而且,所得的取向膜的平均厚度为45nm。
(样品No.7)
除了作为醇,单独使用了2-丙醇以外,与所述样品No.1相同地制造了电子设备用基板。
而且,所得的取向膜的平均厚度为42nm。
(样品No.8)
除了在所述工序<5A>中将减压省略,另外将所述工序<6A>省略以外,与所述样品No.1相同地制造了电子设备用基板。
而且,所得的取向膜的平均厚度为40nm。
(样品No.9)
除了在所述工序<5A>中将减压省略以外,与所述样品No.1相同地制造了电子设备用基板。
而且,所得的取向膜的平均厚度为45nm。
(样品No.10)
除了在所述工序<5A>中将减压省略,另外将所述工序<6A>省略以外,与所述样品No.5相同地制造了电子设备用基板。
而且,所得的取向膜的平均厚度为40nm。
(样品No.11)
除了在所述工序<5A>中将减压省略以外,与所述样品No.5相同地制造了电子设备用基板。
而且,所得的取向膜的平均厚度为45nm。
2.醇结合量的评价
将样品No.1、5及样品No.8~11的电子设备用基板分别加热到200℃,利用GC-MS(株式会社岛津制作所制,「GC-MS QP5050A」)分析了所产生的气体。
此后,根据所得的GC-MS的图表,对来源于丙烯的峰的面积进行时间积分,求得了在各样品No.的电子设备用基板中产生的丙烯及辛烯的量。
而且,所产生的丙烯及辛烯的量分别与化学结合于斜向蒸镀膜上的2-丙醇及1-辛醇的量成比例。
将其结果表示于下述表1中。
[表1]
而且,表1中,将在样品No.9的电子设备用基板中产生的丙烯及辛烯的量设为「1.0」,将在样品No.1及8的电子设备用基板中产生的丙烯及辛烯的量分别用相对值表示。
另外,将在样品No.11的电子设备用基板中产生的丙烯及辛烯的量设为「1.0」,将在样品No.5及10的电子设备用基板中产生的丙烯及辛烯的量分别用相对值表示。
如表1所示,相对于将斜向蒸镀膜简单地浸渍于处理液(样品No.8及10)的情况,通过进行热处理(样品No.9及11),可以增大与斜向蒸镀膜化学结合的醇的量。
另外,通过在将斜向蒸镀膜浸渍于醇中时进行减压(样品No.1及5),可以进一步增大与斜向蒸镀膜化学结合的醇的量。这表明如下的结果,即,由于减压,醇浸透至斜向蒸镀膜的细孔的深处,与斜向蒸镀膜的细孔的内面化学结合的醇的量增大。
3.液晶面板的制造
(实施例1)
首先,准备与样品No.1相同地制造的电子设备用基板2片。
然后,向一方的电子设备用基板,沿着形成了取向膜的面的外周部,空出成为液晶注入口的部分,印刷热固化型粘接剂(日本化药公司制,「ML3804P」),在80℃下加热10分钟,将溶剂除去。
而且,热固化型粘接剂是混合了直径约为3μm的氧化硅球的环氧树脂。
然后,通过将另一方的电子设备用基板的形成了取向膜的面作为内侧,在将2片基板压接的同时,在140℃下加热1小时,而将其贴合。
而且,2片电子设备用基板是按照使取向膜的取向相互达到180°的方式配置的。
然后,向将2片基板贴合而形成的内侧的空间中,从液晶注入口,利用真空注入法注入了氟类的负的介电各向异性液晶(MERCK公司,「MLC-6610」)。
然后,使用丙烯酸类的UV粘接剂(HENKEL JAPAN公司制、「LPD-204」),以3000mJ/cm2照射波长365nm的UV而固化,将液晶注入口密封。
如上所示,制造了液晶面板。
(实施例2)
除了使用样品No.2的电子设备用基板以外,与所述实施例1相同地制造了液晶面板。
(实施例3)
除了使用样品No.3的电子设备用基板以外,与所述实施例1相同地制造了液晶面板。
(实施例4)
除了使用样品No.4的电子设备用基板以外,与所述实施例1相同地制造了液晶面板。
(实施例5)
除了使用样品No.5的电子设备用基板以外,与所述实施例1相同地制造了液晶面板。
(比较例1)
除了使用样品No.6的电子设备用基板以外,与所述实施例1相同地制造了液晶面板。
(比较例2)
除了使用样品No.7的电子设备用基板以外,与所述实施例1相同地制造了液晶面板。
(比较例3)
除了使用样品No.8的电子设备用基板以外,与所述实施例1相同地制造了液晶面板。
(比较例4)
除了使用样品No.9的电子设备用基板以外,与所述实施例1相同地制造了液晶面板。
(比较例5)
除了使用样品No.10的电子设备用基板以外,与所述实施例1相同地制造了液晶面板。
(比较例6)
除了使用样品No.11的电子设备用基板以外,与所述实施例1相同地制造了液晶面板。
4.液晶面板的耐光性试验及取向稳定性试验
作为耐光性试验,将在各实施例及比较例中制造的液晶面板分别作为图8所示的投射型显示装置的蓝色用的液晶光阀而固定,在将液晶面板的表面温度保持在55℃的同时,将光源连续点亮,测定直至发生显示异常的时间。
而且,在光源中,使用了130WUHP灯(PHILIP公司制)。
另外,作为取向稳定性试验,将在各实施例及比较例中制造的液晶面板放置于80℃的恒温槽内,每经过100小时,测定密封时的液晶取向异常区域的宽度,将初期的液晶取向异常区域的宽度设为「1.0」,计测放置于恒温槽内后的异常区域的宽度达到「2.0」的时间。
将其结果表示于下述表2中。
[表2]
而且,表2中,将在比较例4的液晶面板中直至发生显示异常的时间设为「1.0」,将在实施例1~4及比较例1~3的液晶面板中直至发生显示异常的时间分别用相对值表示。
另外,将在比较例6的液晶面板中直至发生显示异常的时间设为「1.0」,将在实施例5及比较例5的液晶面板中直至发生显示异常的时间分别用相对值表示。
如表2所示,实施例1~4的液晶面板与比较例1、3及4的液晶面板相比,直至发生显示异常的时间都变长,另外,实施例5的液晶面板与比较例5及6的液晶面板相比,直至发生显示异常的时间变长。
这表明如下的结果,即,低分子量的醇浸透至斜向蒸镀膜的细孔的深处,与斜向蒸镀膜的细孔的内面化学结合的醇的量增大。
另外,表2的取向稳定性的试验结果中,对于放置于恒温槽内后的异常区域的宽度达到「2.0」的时间,将小于300小时的设为「×」,将在300小时以上而小于600小时的设为「△」,将600小时以上而小于1000小时的设为「○」,将放置1000小时以上宽度也不扩大的设为「◎」。
比较实施例1~4的液晶面板、比较例2的液晶面板,通过使用高分子量的醇,显示出取向稳定性提高的倾向。这被认为是由如下原因造成的结果,即,高分子量的醇对液晶分子的垂直锚定力上升。
另外,在作为醇,使用如前所述的各种醇的氟取代物,制造与所述相同的电子设备用基板及液晶面板,与所述相同地进行了评价后,得到了相同的结果。
Claims (28)
1.一种无机氧化物膜的处理方法,其特征是,具有:
将通过斜向蒸镀法形成并具有多个细孔的无机氧化物膜浸渍在至少含有第1醇和分子量比该第1醇小的第2醇的处理液中的工序、
通过对设置有该处理液的空间减压而使所述处理液浸透至所述无机氧化物膜的细孔内的工序、
使所述处理液中的醇与所述无机氧化物膜的表面及细孔的内面化学结合的工序。
2.一种无机氧化物膜的处理方法,其特征是,具有:
使至少含有第1醇的第1处理液与通过斜向蒸镀法形成并具有多个细孔的无机氧化物膜接触的工序、
使所述第1处理液中的醇与所述无机氧化物膜的表面化学结合的工序、
将所述无机氧化物膜浸渍在至少含有分子量比所述第1醇小的第2醇的第2处理液中的工序、
通过对设置有该第2处理液的空间减压而使所述第2处理液浸透至所述无机氧化物膜的细孔内的工序、
使所述第2处理液中的醇与所述无机氧化物膜的表面及细孔的内面化学结合的工序。
3.一种电子设备用基板,是具有基板以及设置于该基板一面侧的取向膜的电子设备用基板,其特征是,
所述取向膜是至少使第1醇、分子量比该第1醇小的第2醇与通过斜向蒸镀法形成并具有多个细孔的无机氧化物膜的表面及细孔的内面化学结合而成。
4.根据权利要求3所述的电子设备用基板,其中,所述无机氧化物膜的表面附近的所述第1醇与所述第2醇的摩尔比率为50∶50~95∶5。
5.一种电子设备用基板的制造方法,是制造具有基板以及设置于该基板一面侧的取向膜的电子设备用基板的方法,其特征是,具有:
在所述基板一面侧,通过斜向蒸镀法形成具有多个细孔的无机氧化物膜的工序、
将形成了该无机氧化物膜的基板浸渍在至少含有第1醇、分子量比该第1醇小的第2醇的处理液中的工序、
通过对设置有该处理液的空间减压而使所述处理液浸透至所述无机氧化物膜的细孔内的工序、
使所述处理液中的醇与所述无机氧化物膜的表面及细孔的内面化学结合而获得所述取向膜的工序。
6.根据权利要求5所述的电子设备用基板的制造方法,其中,所述处理液中的所述第1醇与所述第2醇的比率,以摩尔比计为70∶30~90∶10。
7.根据权利要求5或6所述的电子设备用基板的制造方法,其中,在使所述处理液浸透的工序中,所述空间的真空度为10-4~104Pa。
8.根据权利要求5或6所述的电子设备用基板的制造方法,其中,使所述处理液中的醇化学结合的工序,是通过对所述基板加热来进行的。
9.根据权利要求8所述的电子设备用基板的制造方法,其中,所述基板的加热温度为80~250℃。
10.根据权利要求8所述的电子设备用基板的制造方法,其中,所述基板的加热时间为20~180分钟。
11.一种电子设备用基板的制造方法,是制造具有基板以及设置于该基板一面侧的取向膜的电子设备用基板的方法,其特征是,具有:
在所述基板一面侧,通过斜向蒸镀法形成具有多个细孔的无机氧化物膜的工序、
使至少含有第1醇的第1处理液与所述无机氧化物膜接触的工序、
使所述第1处理液中的醇与所述无机氧化物膜的表面化学结合的工序、
将形成了所述无机氧化物膜的基板浸渍在至少含有分子量比所述第1醇小的第2醇的第2处理液中的工序、
通过对设置有该第2处理液的空间减压而使所述第2处理液浸透至所述无机氧化物膜的细孔内的工序、
使所述第2处理液中的醇与所述无机氧化物膜的表面及细孔的内面化学结合而获得所述取向膜的工序。
12.根据权利要求11所述的电子设备用基板的制造方法,其中,所述第1处理液还含有分子量比所述第2醇大并且与所述第1醇及所述第2醇种类不同的第3醇。
13.根据权利要求11或12所述的电子设备用基板的制造方法,其中,使所述第1处理液中的醇化学结合的工序,是通过对所述基板加热来进行的。
14.根据权利要求13所述的电子设备用基板的制造方法,其中,所述基板的加热温度为80~250℃。
15.根据权利要求13所述的电子设备用基板的制造方法,其中,所述基板的加热时间为20~180分钟。
16.根据权利要求11或12所述的电子设备用基板的制造方法,其中,在使所述第2处理液浸透的工序中,所述空间的真空度为10-4~104Pa。
17.根据权利要求11或12所述的电子设备用基板的制造方法,其中,使所述第2处理液中的醇化学结合的工序,是通过对所述基板加热来进行的。
18.根据权利要求17所述的电子设备用基板的制造方法,其中,所述基板的加热温度为80~250℃。
19.根据权利要求17所述的电子设备用基板的制造方法,其中,所述基板的加热时间为20~180分钟。
20.根据权利要求5或11所述的电子设备用基板的制造方法,其中,所述第1醇是碳数为5~30的醇。
21.根据权利要求5或11所述的电子设备用基板的制造方法,其中,所述第1醇为脂肪族醇、脂环醇或它们的氟取代物。
22.根据权利要求21所述的电子设备用基板的制造方法,其中,所述脂环醇具有甾体类骨架。
23.根据权利要求5或11所述的电子设备用基板的制造方法,其中,所述第2醇是碳数为1~4的醇。
24.根据权利要求5或11所述的电子设备用基板的制造方法,其中,所述第2醇为脂肪族醇或其氟取代物。
25.根据权利要求5或11所述的电子设备用基板的制造方法,其中,在将所述第1醇的碳数设为A,将第2醇的碳数设为B时,满足A-B为3以上的关系。
26.一种液晶面板,其特征是,具备:
权利要求3或4所述的电子设备用基板、
设置于所述取向膜的与所述基板相反一侧的液晶层。
27.一种液晶面板,其特征是,具备一对权利要求3或4所述的电子设备用基板,在一对所述电子设备用基板的所述取向膜之间具备液晶层。
28.一种电子机器,其特征是,具备权利要求26或27所述的液晶面板。
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