CN100379890C - 蒸镀二氧化硅保护膜方法 - Google Patents
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Abstract
一种蒸镀二氧化硅保护膜方法，在蒸镀过程中，在基片上SiO2生长厚度达到50之前，使SiO2在基片上的生长速率低于1.0/s，还可使该生长速率逐渐变化；另外在蒸镀全过程，使沉积室中的温度在400～100℃范围内变化。与现有技术相比，本发明蒸镀二氧化硅保护膜方法，在蒸镀前期的SiO2生长速率比较低，使沉积的薄膜致密，从而有效减少保护膜上的“针孔”，低速下的变速使减少“针孔”的效果更好；在蒸镀全过程中的沉积室变温，在不同的温度下沉积的SiO2薄膜由于含氧不同，SiOx网络结构受到影响，使其膨胀系数也随之改变，缓冲了薄膜的内应力所引起的破坏作用，防止保护膜脱落。
Description
技术领域
本发明涉及一种蒸镀方法，具体涉及一种蒸镀二氧化硅保护膜方法，主要用于发光二极管透明电极保护层蒸镀。
背景技术
现有技术中，常用蒸镀的方法在发光二极管透明电极上沉积SiO2保护膜，蒸镀原理为，SiO2薄膜保护层用蒸发台蒸镀，在电子束发射装置施加高的电压，使其发射电子束，经磁场偏转270度后轰击SiO2材料，SiO2升华后在二极管透明电极上形成薄膜，腔体内配有加热装置，温度可通过加热电源单独调节。用蒸镀的方法在发光二极管透明电极上沉积SiO2保护膜，有两个常见的问题，一是薄膜产生“针孔”问题，即由于薄膜表面疏松，高低不平，在显微镜下观察如同针孔一样；另一个是薄膜脱落问题。
关于“针孔”问题，其形成大致分为两种情况，一是待镀基板不清洁引起沉积薄膜产生“针孔”，在沉积前将基板彻底清洁一般可消除这类“针孔”。二是沉积速率过快，薄膜过分疏松构成。
关于薄膜从基板上脱落，一般出现两种典型特征：一为大块卷曲状脱落，并伴有开裂现象；另一种为粉末状脱落，伴有爆裂弹离过程；这两种现象都与薄膜和基板之间的应力不匹配相关。前者为薄膜受张破坏，后者则为受压破坏。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术存在的上述缺陷，提供一种蒸镀二氧化硅保护膜方法，使用该方法蒸镀二氧化硅保护膜，可以有效减少保护膜上产生“针孔”；进一步要解决的技术问题在于，可以有效防止保护膜脱落。
本发明采用的技术方案是，一种蒸镀二氧化硅保护膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、将清洗干净的待镀基片放入抽至真空的蒸发台沉积室中，
b、将沉积室预加热，使沉积室中的温度为300～400℃，
c、蒸镀，将SiO2沉积到待镀基片上，在基片上SiO2生长厚度达到50之前，最好在100之前，使SiO2在基片上的生长速率低于1.0/s。
上述蒸镀二氧化硅保护膜方法，所述步骤c中，在基片上SiO2生长厚度达到100之前，所述SiO2的生长速率由0.2/s到1.0/s逐渐增加。
上述蒸镀二氧化硅保护膜方法，在蒸镀过程中，基片上SiO2生长厚度在50～100，使SiO2在基片上的生长速率低于1.0/s。
上述蒸镀二氧化硅保护膜方法，在基片上SiO2生长厚度达到50之后，将SiO2的生长速率控制在1.0～1.5/s范围内。
上述蒸镀二氧化硅保护膜方法，在所述步骤c的蒸镀过程中，使沉积室中的温度在400～100℃范围内变化。
上述蒸镀二氧化硅保护膜方法，在蒸镀全过程，使沉积室中的温度从预加热温度逐渐降低至100℃。
上述蒸镀二氧化硅保护膜方法，在步骤b中，将沉积室预加热350℃，蒸镀过程中，在基片上SiO2生长厚度达到50之前，使SiO2的生长速率由0.2→0.4→0.6→0.8/s逐渐增加；在基片上SiO2生长厚度达到50之后，使SiO2的生长速率保持在1.0～1.2/s，直到基片上SiO2生长厚度达到所需厚度；在蒸镀全过程，使沉积室中的温度逐渐降低至200℃，并给沉积室中以20sccm的流率通入高纯氧气。
与现有技术相比，本发明蒸镀二氧化硅保护膜方法，在蒸镀前期的SiO2生长速率比较低，使沉积的薄膜致密，从而有效减少保护膜上的“针孔”，低速下的变速使减少“针孔”的效果更好；在蒸镀全过程中的沉积室变温，在不同的温度下沉积的SiO2薄膜由于含氧不同，SiOx网络结构受到影响，使其膨胀系数也随之改变，缓冲了薄膜的内应力所引起的破坏作用，防止保护膜脱落。
具体实施方式
实施例一
一种蒸镀二氧化硅保护膜方法，包括以下步骤：
a、将清洗干净的待镀基片放入抽至真空的蒸发台沉积室中，
b、将沉积室预加热，使沉积室中的温度为350℃，
c、蒸镀，将SiO2沉积到待镀基片上，在基片上SiO2生长厚度达到50之前，通过改变电流来改变电子束发射装置发射的电子束的功率，使SiO2的生长速率由0.2→0.4→0.6→0.8/s逐渐增加；在基片上SiO2生长厚度达到50之后，使SiO2的生长速率保持在1.2～1.5/s，直到基片上SiO2生长厚度达到所需厚度；在蒸镀全过程，通过加热电源来控制加热装置的功率来使沉积室中的温度逐渐从350℃降低至200℃。
上述步骤c中，沉积室的预加热温度可以是300-400℃中的任意温度，如300℃，320℃、370℃或400℃。
实施例二
一种蒸镀二氧化硅保护膜方法，在蒸镀全过程，使沉积室中的温度高低反复变化，其余同实施例一。
实施例三
一种蒸镀二氧化硅保护膜方法，在蒸镀全过程，在基片上SiO2生长厚度达到50之后，使SiO2的生长速率保持在1.5/s，其余同实施例一。
在基片上SiO2生长厚度达到50之后，也可使SiO2的生长速率保持在1.0/s。
实施例四
在蒸镀全过程，使沉积室中的温度从预加热温度逐渐降低至100℃，其余同实施例一。
用上述蒸镀二氧化硅保护膜方法，给发光二极管透明电极蒸镀的保护膜，通过显微镜放大1000倍进行观察，SiO2薄膜表面均匀致密，无“针孔”，另外也能有效防止SiO2薄膜的脱落。
Claims (7)
1.一种蒸镀二氧化硅保护膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、将清洗干净的待镀基片放入抽至真空的蒸发台沉积室中，
b、将沉积室预加热，使沉积室中的温度为300～400℃，
c、蒸镀，将SiO 2沉积到待镀基片上，在基片上SiO 2生长厚度达到50之前，使SiO2在基片上的生长速率低于1.0/s。
2.根据权利要求1所述蒸镀二氧化硅保护膜方法，其特征在于，所述步骤c中，在基片上SiO 2生长厚度达到50之前，所述SiO2的生长速率由0.2/s到1.0/s逐渐增加。
3.根据权利要求1所述蒸镀二氧化硅保护膜方法，其特征在于，在蒸镀过程中，基片上SiO 2生长厚度在50～100，使SiO 2在基片上的生长速率低于1.0/s。
4.根据权利要求1或2所述蒸镀二氧化硅保护膜方法，其特征在于，在基片上SiO2生长厚度达到50之后，将SiO2的生长速率控制在1.0～1.5/s范围内。
5.根据权利要求1或2所述蒸镀二氧化硅保护膜方法，其特征在于，在所述步骤c的蒸镀过程中，使沉积室中的温度在400～100℃范围内变化。
6.根据权利要求5所述蒸镀二氧化硅保护膜方法，其特征在于，在蒸镀全过程，使沉积室中的温度从预加热温度逐渐降低至100℃。
7.根据权利要求1所述蒸镀二氧化硅保护膜方法，其特征在于，在步骤b中，将沉积室预加热350℃，蒸镀过程中，在基片上SiO 2生长厚度达到50之前，使SiO2的生长速率由0.2→0.4→0.6→0.8/s逐渐增加；在基片上SiO 2生长厚度达到50之后，使SiO2的生长速率保持在1.0～1.2/s，直到基片上SiO2生长厚度达到所需厚度；在蒸镀全过程，使沉积室中的温度逐渐降低至200℃，并给沉积室中以20sccm的流率通入高纯氧气。
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