CN100337331C - 包括具有esd保护电路的集成电路的数据载体 - Google Patents

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Abstract

在数据载体(1)或用于数据载体(1)的集成电路(5)的情况下，ESD保护电路(8)利用包括第一保护二极管(10)和保护极(11)的串联连接(9)以及与串联连接(9)并联连接的第二保护二极管(21)来形成，并且提供与ESD保护电路(8)相连接的整流器电路(13)，该整流器电路包括与ESD保护电路(8)并联连接的整流二极管，其中整流二极管采用具有寄生p/n结(26)的肖特基二极管(21)的形式，并且其中具有寄生p/n结(26)的肖特基二极管(21)形成ESD保护电路(8)的第二保护二极管。

Description

包括具有ESD保护电路的集成电路的数据载体
技术领域
本发明涉及用于数据载体的集成电路，该集成电路包括下列装置：第一端子和第二端子，其中这两个端子用于与数据载体的传输装置连接；和ESD保护电路，其连接在这两个端子之间，并且包括由第一保护二极管和保护级构成的串联连接，如果超过电压门限可以使该保护级从截止状态进入导通状态，而且该ESD保护电路还包括与串联连接并联连接并且与串联连接的第一保护二极管反向的第二保护二极管；和整流器电路，其连接到ESD保护电路，并且包括与ESD保护电路并联连接的整流二极管。
本发明还涉及用于与通信站进行非接触式通信的数据载体，该数据载体包括传输装置和与传输装置相连接的集成电路，该集成电路包括下列装置：第一端子和第二端子，其中这两个端子与传输装置相连接；和ESD保护电路，该ESD保护电路被连接在这两个端子之间并且包括由第一保护二极管和保护级构成的串联连接，如果超过电压门限可以使该保护级从截止状态进入导通状态，并且该ESD保护电路还包括第二保护二极管，其与串联连接并联连接并且与串联连接的第一保护二极管反向；和整流器电路，其连接到ESD保护电路，并且包括与ESD保护电路并联连接的整流二极管。
背景技术
上面在第一段落中所述类型的集成电路由申请人开发用于数据载体中并且是公知的。在公知的解决办法中，ESD保护电路的两个保护二极管中的每一个采用简单二极管的形式，即p/n结的形式，其中这两个保护二极管呈现高的载流量，因为在例如按照2000伏的“Human BodyModel(人体模型)(HBM)”的“ESD电压脉冲”(静电放电脉冲)的情况中，这两个保护二极管不得不承受具有大约1.2安培电流的负荷。对于在集成电路中的实现，这样的二极管要求相对大的空间量，这是不适宜的。另外，这样的二极管对两个端子之间的输入电容作了相对大的贡献，这在用于在MHz范围或GHz范围中通信的数据载体的集成电路的情况下是尤其不利的，因为高的输入电容对这样的所谓的RFID数据载体的范围具有不利影响。
发明内容
本发明的目标是避免上述情况和提供改进的集成电路与改进的数据载体。
为了达到上述目标，依照本发明的特征被提供给依照本发明的集成电路，因此依照本发明的集成电路的特征可以如下：
用于数据载体的集成电路，该集成电路包括下列装置：第一端子和第二端子，其中这两个端子被用于与数据载体的传输装置连接；和ESD保护电路，该ESD保护电路被连接在这两个端子之间，并且包括由第一保护二极管和保护级构成的串联连接，如果超过电压门限可以使该保护级从截止状态进入导通状态；和整流器电路，其被连接到ESD保护电路，并且包括与ESD保护电路并联连接的整流二极管，其中整流器电路的整流二极管采用具有寄生p/n结的肖特基二极管的形式，并且其中具有寄生p/n结的肖特基二极管构成ESD保护电路的第二保护二极管，以及其中第二保护二极管与串联连接并联连接，并与串联连接的第一保护二极管反向。
为了达到上述目标，依照本发明的特征被提供给依照本发明的数据载体，因此依照本发明的数据载体的特征可以如下：
数据载体，用于与通信站进行非接触式通信，该数据载体包括传输装置和与传输装置相连接的集成电路，该集成电路包括下列装置：第一端子和第二端子，这两个端子与传输装置相连接；ESD保护电路，其被连接在这两个端子之间，并且包括由第一保护二极管和保护级构成的串联连接，如果超过电压门限可以使该保护级从截止状态进入导通状态；和整流器电路，其被连接到ESD保护电路，并且包括与ESD保护电路并联连接的整流二极管，其中整流器电路的整流二极管采用具有寄生p/n结的肖特基二极管的形式，并且其中具有寄生p/n结的肖特基二极管构成ESD保护电路的第二保护二极管，以及其中第二保护二极管与串联连接并联连接，并与串联连接的第一保护二极管反向。
通过提供按照本发明的特征，有可能相当简单地并且实际上没有附加影响地保证：对于整流器电路来说，无论如何是必需的并且在此采用具有寄生p/n结的肖特基二极管形式的整流二极管同时用作ESD保护电路的保护二极管，从而可以从ESD保护电路中省略一个具有p/n结的二极管。这具有显著减少集成电路的两个端子之间的输入电容和在ESD保护电路以集成技术实现时获得空间节省的效果。
在按照本发明的解决方法中，整流器电路可以采用各种形式，例如，可以采用电压乘法器电路的形式。对于整流器电路采用倍压器电路的形式已经证明是特别有利的，这从最简单可能的结构的观点出发是有利的。
上面所述的本发明的方面及其其他方面从下面描述的实施例的例子中显现，并且参照这个实施例例子进行解释。
附图说明
本发明将进一步参照附图中所示的实施例的例子进行进一步描述，然而，本发明并不限于此。
图1是根据现有技术的数据载体的、在本上下文中是基本的一部分的示意性表示。
图2类似于图1表示根据本发明的一个实施例例子的数据载体。
图3表示根据图2的数据载体的整流二极管。
具体实施方式
图1显示了一个已知的数据载体1，该数据载体被提供并被设计用于与通信站(未显示出)进行非接触式通信。这种通信基于所谓的RFID技术而进行，其中非接触式数据传输发生在例如869MHz的载波频率上。
在此，数据载体1包括电磁有源的传输装置2，其包括偶极子3。
另外，数据载体1包括集成电路5，它由第一端子6和第二端子7组成。传输装置2即偶极子3与两个端子6和7相连。因此，这两个端子6和7用于与数据载体1的传输装置2连接。
已知的数据载体1的集成电路5包括ESD保护电路8。ESD保护电路8连接在两个端子6和7之间。ESD保护电路8包括由第一保护二极管10和保护级11构成的串联连接9。保护级11被如此设计，以致于在超过保护级11内固定的电压门限时，可以使该保护级11从截止状态进入导通状态。这样的保护级11在专家圈中已经知道很久了，因为这个原因，详细的电路设计在此就不全面进行检查了。当保护级11处于截止状态中时，它实际上显示无穷大的电阻，因此第一保护二极管10被连接而没有任何影响。当保护级11处于导通状态中时，它显示几乎可以忽略的电阻，因此第一保护二极管10为了实际的用途而与参考电位G相连。ESD保护电路8还包括第二保护二极管12，其与串联连接9并联连接，并且第二保护二极管12相对于串联连接9的第一保护二极管10反向连接，如从图1中看清楚的。两个保护二极管10和12中的每一个采用简单的、传统的二极管形式，即p/n结的形式。两个保护二极管10和12显示高的载流量，在每种情况下，两个保护二极管10和12中的每一个可以短暂地负载具有大约5安培的电流强度的电流而没有操作损坏或损伤。
集成电路5还包括整流器电路13，该整流器电路13与ESD保护电路相连，即与ESD保护电路8并联连接。在当前情况下，整流器电路13采用倍压器电路的形式。在此，整流器电路13包括与ESD保护电路8并联连接的第一整流二极管14和第二整流二极管15以及连接这两个整流二极管14与15的下游的存储电容器16。在数据载体1的工作的情况下，工作电压V出现在整流器电路13的第一输入上，而参考电位G出现在第二输入上。利用整流器电路13，电源电压VS可以在数据载体1的工作时产生，电压VS对应于工作电位值V的两倍并被输出到那些需要此电源电压VS的集成电路5的所有元件。
第三整流二极管17和第四整流二极管18也与整流器电路13的第一整流二极管14协作。未显示出的存储电容器被连接到这两个其他的整流二极管17和18之中的每一个。集成电路5的解调电路与第三整流二极管17相连，而集成电路5的调制电路连接到第四整流二极管18，这已经是长久公知的和传统的。集成电路5包括未在图1中显示出的一系列元件，例如时钟信号生成级、微计算机或替代微计算机的硬布线逻辑电路和存储芯片，然而，这些在此不再全面进行检查，因为这些在本文中是不重要的。
四个整流二极管14、15、17、18的每一个也都采用传统的二极管即p/n结的形式。
图2显示了依照本发明的数据载体1。至于所涉及的按照图2的数据载体1，下面主要参照与按照图1的公知数据载体1的不同之处。
按照图2的数据载体1被提供和被设计用于在显著比按照图1的数据载体1高的载波频率上通信。按照图2的数据载体1被提供和被设计用于在大约2.45GHz的载波频率上通信。然而，按照图2的数据载体1也可以被提供和被设计用于在869MHz的载波频率上或在902MHz与930MHz之间范围中的载波频率上通信。大约5.8GHz的载波频率也是可能的。
依照图2的数据载体1包括传输装置2，该传输装置2被设计为适于如此高的载波频率，在这种情况中传输装置2采用偶极子20的形式。偶极子20与按照图2的载体数据1的集成电路5的两个端子6和7相连，并且类似于按照图1的数据载体1的偶极子3，在此该偶极子20在两个端子6和7之间不形成直接的电连接。依照图2的数据载体1也包括ESD保护电路8和整流器电路13。
在这种情况下，整流器电路13利用肖特基二极管即第一肖特基二极管21和第二肖特基二极管22来实现。在这种情况下，附加的与第一肖特基二极管21协作的二极管23和24也采用肖特基二极管的形式。按照图2的数据载体1的集成电路5的肖特基二极管21的特别设计特性在于，作为第一整流二极管提供的第一肖特基二极管21采用具有寄生p/n结26的纯肖特基二极管25的形式，如对于第一肖特基二极管21可以从图3中推断的。如从图3中清楚的，第一肖特基二极管21包括纯肖特基二极管25和与纯肖特基二极管25协作的寄生p/n结26，p/n结26与基底反向，与集成电路5的参考电位G相连接，这实际上正是它为何是寄生p/n结的原因。然而，寄生p/n不一定必须与基底反向，而可以以某一其他方式来实现，例如将它放置为与纯肖特基二极管25并行。
包括寄生p/n结26的第一肖特基二极管21的优点，即包括纯肖特基二极管25和寄生p/n结26的第一肖特基二极管21的优点在于以下事实：纯肖特基二极管25呈现相对低的导通状态电压和相对高的正向直流电阻，并且至少大致对应于普通二极管的寄生p/n结呈现相对高的导通状态电压和相对低的正向直流电阻。
当数据载体1或集成电路5按照图2构造时，具有寄生p/n结26的第一肖特基二极管21同时形成ESD保护电路8的第二保护二极管，因此在ESD保护电路8中所要求的只是第一保护二极管10和保护级11。
因此，当数据载体1按照图2构造时，相对于按照图1的公知的数据载体1，在ESD保护电路8中省略了一个保护二极管，即p/n结，因为这个保护二极管的功能利用第一整流二极管即利用第一肖特基二极管21来完成。这随之而具有的优点是，可以省略载流二极管，即，不必提供这个载流二极管，从而在两个端子6与7之间获得显著减少的输入电容，并从而在集成处理过程期间节省空间。
在按照图2的数据载体1的正常工作中，即，如果利用偶极子20接收到载波信号，结果是获得近似1.0伏的工作电位V和近似2.0伏的电源电压VS。
在数据载体1或集成电路5的正常工作中，保护极11被导入其截至状态中，并因此致使第一保护二极管10不起作用。另外，第一肖特基二极管21的纯肖特基二极管25由于较低的导通状态电压而是激活的即导通的部分，而寄生p/n结26由于较高的导通状态电压而保持非激活，即不导通。
如果“ESD电压脉冲”即短期过电压出现，则不同可以分为两种情况。如果在端子6上出现正的高ESD电压脉冲，这导致保护极11被击穿，即进入其导通状态，因此正的高ESD电压脉冲产生的ESD电流随后可以流过第一保护二极管10，并因此对于后续的电路元件保证了保护功能。
如果在端子6上出现负的高ESD电压，第一肖特基二极管21的寄生p/n结26由于较低的正向直流电阻而是激活的即导通的部分，因此纯肖特基二极管25由于较高的正向直流电阻而保持非激活，即不导通。因此，在这种情况中利用寄生p/n结26来实现保护功能。
因此，利用第一肖特基二极管21、保护二极管10和保护极11，保证集成电路5的剩余部分的无问题保护，并因而保证数据载体1的剩余部分的无问题保护。然而，其中获得的实质好处是：在两个端子6与7之间只存在小的输入电容，这相对于数据载体1的最大可能范围是有利的。

Claims (4)

1.用于数据载体(1)的一种集成电路(5)，该集成电路(5)包括以下装置：
第一端子(6)和第二端子(7)，其中这两个端子(6，7)用于与数据载体(1)的传输装置(2)连接，和
ESD保护电路(8)，其被连接在这两个端子(6，7)之间，并且包括由第一保护二极管(10)和保护级(11)构成的串联连接(9)，该保护级(11)在超过电压门限时可以从截止状态进入导通状态，和
整流器电路(13)，其被连接到ESD保护电路(8)，并且包括与ESD保护电路(8)并联连接的整流二极管，
其中整流器电路(13)的整流二极管采用具有寄生p/n结(26)的肖特基二极管(21)的形式，并且其中具有寄生p/n结(26)的肖特基二极管(21)形成ESD保护电路(8)的第二保护二极管，以及其中第二保护二极管与串联连接(9)并联连接，并与串联连接(9)的第一保护二极管(10)反向。
2.根据权利要求1的集成电路(5)，其中整流器电路(13)采用倍压器电路的形式。
3.用于与通信站进行非接触式通信的一种数据载体(1)，该数据载体(1)包括传输装置(2)和与传输装置(2)相连接的集成电路(5)，该集成电路(5)包括以下装置：
第一端子(6)和第二端子(7)，其中这两个端子(6，7)与传输装置(2)连接，和
ESD保护电路(8)，其被连接在这两个端子(6，7)之间，并且包括由第一保护二极管(10)和保护级(11)构成的串联连接(9)，该保护级(11)在超过电压门限时可以从截止状态进入导通状态，和
整流器电路(13)，其被连接到ESD保护电路(8)，并且包括与ESD保护电路(8)并联连接的整流二极管，
其中整流器电路(13)的整流二极管采用具有寄生p/n结(26)的肖特基二极管(21)的形式，并且其中具有寄生p/n结(26)的肖特基二极管(21)形成ESD保护电路(8)的第二保护二极管，以及其中第二保护二极管与串联连接(9)并联连接，并与串联连接(9)的第一保护二极管(10)反向。
4.根据权利要求3的数据载体(1)，其中整流器电路(13)采用倍压器电路的形式。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0228032D0 (en) * 2002-11-30 2003-01-08 Koninkl Philips Electronics Nv Wireless activation system, method and device
EP1672563B1 (fr) * 2004-12-16 2007-10-10 EM Microelectronic-Marin SA Transpondeur à très haute fréquence, notamment UHF, comprenant une protection contre les décharges électrostatiques
US7489488B2 (en) * 2005-10-19 2009-02-10 Littelfuse, Inc. Integrated circuit providing overvoltage protection for low voltage lines
US7929265B2 (en) 2005-12-15 2011-04-19 Nxp B.V. Radio frequency interface circuit for a radio frequency identification tag
KR101320516B1 (ko) * 2007-07-20 2013-10-22 삼성전자주식회사 정전압 방전 보호 회로를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법
US8908334B1 (en) 2013-11-07 2014-12-09 International Business Machines Corporation Electrostatic discharge protection for a magnetoresistive sensor
US10008848B2 (en) 2015-03-02 2018-06-26 Globalfoundries Inc. Method to protect sensitive devices from electrostatic discharge damage

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5338964A (en) * 1992-03-26 1994-08-16 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. Integrated circuit comprising a protection diode array
US5731691A (en) * 1995-07-21 1998-03-24 Oki Electric Industry Co., Ltd. Power supply circuitry for a transponder and operable with infinitesimal power from receiving antenna
US6060752A (en) * 1997-12-31 2000-05-09 Siliconix, Incorporated Electrostatic discharge protection circuit
WO2001009640A1 (en) * 1999-07-29 2001-02-08 Marconi Data Systems Ltd Piezo-electric tag

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5514612A (en) * 1993-03-03 1996-05-07 California Micro Devices, Inc. Method of making a semiconductor device with integrated RC network and schottky diode
US5550728A (en) * 1994-04-18 1996-08-27 Analog Devices, Inc. Charge pump converter structure
US5493133A (en) * 1994-06-30 1996-02-20 Texas Instruments Incorporated PNP punchthrough-assisted protection device for special applications in CMOS technologies
US5606323A (en) * 1995-08-31 1997-02-25 International Business Machines Corporation Diode modulator for radio frequency transponder
US6400274B1 (en) * 1995-08-31 2002-06-04 Intermec Ip Corp. High-performance mobile power antennas
JP3646472B2 (ja) * 1997-05-19 2005-05-11 株式会社日立製作所 非接触型ｉｃカードおよび送受信回路
US6054925A (en) * 1997-08-27 2000-04-25 Data Investments Limited High impedance transponder with improved backscatter modulator for electronic identification system
SG79961A1 (en) * 1998-02-07 2001-04-17 Ct For Wireless Communications A rectifying antenna circuit
TW492202B (en) * 2001-06-05 2002-06-21 South Epitaxy Corp Structure of III-V light emitting diode (LED) arranged in flip chip configuration having structure for preventing electrostatic discharge

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5338964A (en) * 1992-03-26 1994-08-16 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. Integrated circuit comprising a protection diode array
US5731691A (en) * 1995-07-21 1998-03-24 Oki Electric Industry Co., Ltd. Power supply circuitry for a transponder and operable with infinitesimal power from receiving antenna
US6060752A (en) * 1997-12-31 2000-05-09 Siliconix, Incorporated Electrostatic discharge protection circuit
WO2001009640A1 (en) * 1999-07-29 2001-02-08 Marconi Data Systems Ltd Piezo-electric tag

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003105227A3 (en) 2004-10-14
EP1516363B1 (en) 2012-03-07
WO2003105227A2 (en) 2003-12-18
US7460345B2 (en) 2008-12-02
CN1659704A (zh) 2005-08-24
AU2003232981A1 (en) 2003-12-22
EP1516363A2 (en) 2005-03-23
JP2005529533A (ja) 2005-09-29
US20050231863A1 (en) 2005-10-20
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