CH689658A5 - Schaltungstraeger und Verfahren zu dessen Herstellung. - Google Patents

Schaltungstraeger und Verfahren zu dessen Herstellung. Download PDF

Info

Publication number
CH689658A5
CH689658A5 CH00789/95A CH78995A CH689658A5 CH 689658 A5 CH689658 A5 CH 689658A5 CH 00789/95 A CH00789/95 A CH 00789/95A CH 78995 A CH78995 A CH 78995A CH 689658 A5 CH689658 A5 CH 689658A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
metal
ceramic component
ceramic
circuit carrier
component
Prior art date
Application number
CH00789/95A
Other languages
English (en)
Inventor
Helmut Dr Nechansky
Original Assignee
Electrovac
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Electrovac filed Critical Electrovac
Publication of CH689658A5 publication Critical patent/CH689658A5/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/101Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by casting or moulding of conductive material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4857Multilayer substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3733Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • H01L2924/15172Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15174Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/053Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0104Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0116Porous, e.g. foam
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/0332Structure of the conductor
    • H05K2201/0364Conductor shape
    • H05K2201/0382Continuously deformed conductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/1059Connections made by press-fit insertion
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/12Using specific substances
    • H05K2203/128Molten metals, e.g. casting thereof, or melting by heating and excluding molten solder
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/107Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4092Integral conductive tabs, i.e. conductive parts partly detached from the substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/44Manufacturing insulated metal core circuits or other insulated electrically conductive core circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Control Of Vending Devices And Auxiliary Devices For Vending Devices (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Preparation Of Compounds By Using Micro-Organisms (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Description


  
 



  Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Schaltungsträger, der einen Keramikbauteil mit metallischen Leiterbahnen auf dessen Oberfläche umfasst. 



  Ebenfalls Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Schaltungsträger in Form eines Chip-Gehäuses, der einen Keramikbauteil mit einer elektrisch isolierenden Auflage für den Chip umfasst, wobei auf der Oberfläche des Keramikbauteils metallische Leiterbahnen zur elektrischen Versorgung des Chip und im Inneren des Keramikkörpers Metallbrücken zur Ableitung der durch den Chip gebildeten Wärme vorgesehen sind. 



  Schliesslich sind auch Verfahren zur Herstellung dieser Schaltungsträger bzw. Chip-Gehäuse Gegenstand der vorliegenden Erfindung. 



  Schaltungsträger, bei denen metallische Leiterbahnen auf der Oberfläche eines Keramikbauteils vorgesehen sind, werden häufig verwendet und sind bekannter Stand der Technik. Die Leiterbahnen werden in der Regel durch eine Art Siebdruckverfahren auf der keramischen Unterlage aufgebracht. Dabei wird eine elektrisch leitende Siebdruckpaste verwendet. 



  Die so hergestellten Leiterbahnen weisen jedoch vielfach Qualitätsmängel auf. Die Haftung der Leiterbahnen an ihrer Unterlage ist unzureichend und es besteht daher ein Bedarf an verbesserten Schaltungsträgern. 



  Im Zuge vielfältiger Forschungen konnte nun eine Möglichkeit zur Herstellung neuer Schaltungsträger entwickelt werden, wobei die Verbesserung eindeutig dadurch entsteht, dass das Metall schmelzflüssig auf die Oberfläche des Keramikbauteils aufgegossen wird. 



  Der erfindungsgemässe Schaltungsträger der eingangs genannten Art ist daher dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahnen aus einer aufgegossenen Metallschicht bestehen. 



  Es ist am fertigen Bauteil durch Schliffbilder erkennbar, dass sich das auf diese Weise aufgebrachte Metall in dichterer Form an die Oberfläche des Keramikbauteils anlegt und daher besser an diesem haftet als bei den üblichen Siebdruckverfahren. 



  Ein einfaches Aufgiessen des Metalls in Form der Leiterbahnen ist allerdings nur in wenigen Fällen möglich, da die Leiterbahnen häufig sehr fein und spinnennetzartig dicht sein müssen, was auf diese Weise schwer erzielbar ist. 



  In Weiterbildung der Erfindung kann vorgesehen sein, dass die Leiterbahnen in rillenförmigen Vertiefungen des Keramikbauteils vorgesehen sind. 



  Durch dieses Einbetten der Leiterbahnen in Rillen ist eine sehr gute Haftung der Leiterbahnen auf dem Keramikbauteil gewährleistet. 



  Nach einer anderen Variante der Erfindung kann vorgesehen sein, dass mit dem Keramikbauteil ein Bauteil aus Metall und/oder Metall-Matrix-Composite-(MMC)-Material verbunden ist. 



  Durch diese Massnahmen wird ein verbesserter Wärmeübergang erzielt, sodass auch höhere Verlustleistungen, die am Keramik-Bauteil auftreten, problemlos abgeleitet werden können. 



  Eine weitere Ausbildung der Erfindung kam darin bestehen, dass an wenigstens einer Seitenkante der Keramikbauteil zumindest bereichsweise von dem Bauteil aus Metall und/oder MMC-Material freigehalten ist. 



  Dies ist besonders vorteilhaft, wenn für einen erfindungsgemässen Schaltungsträger eine isolierende Auflagefläche vorgesehen werden soll. 



  Ein wesentlicher Aspekt der vorliegenden Erfindung liegt in der Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung der oben genannten Schaltungsträger. 



  Ein derartiges Verfahren ist erfindungsgemäss dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikbauteil, gegebenenfalls gemeinsam mit einer Vorform aus poröser Keramik oder aus der Verstärkung eines MMC-Materials und/oder gemeinsam mit einem Bauteil aus MMC-Material und/oder aus Metall, mit dem zur Herstellung der Leiterbahnen gewünschten Metall umgossen wird und die Leiterbahnen durch lokales Entfernen der oberflächlichen Metallschicht des Keramikbauteils herausgearbeitet werden. 



  Vorzugsweise werden die Leiterbahnen, ähnlich wie bei photolithographischen Verfahren, durch Abätzen, Wegbrennen oder Laserbehandlung freigelegt. 



  Dadurch können die benötigten sehr dünnen Strukturen mit sehr dichter Vernetzung an Leiterbahnen erzeugt werden. 



  Zur Herstellung derartiger Schaltungsträger kann so vorgegangen werden, dass bei Vorliegen rillenförmiger Vertiefungen im Keramikbauteil die Metallfüllung in denselben durch ein mit der Bauteiloberfläche fluchtendes Abarbeiten der oberflächlichen Metallschicht freigelegt wird. 



  Dadurch verbleibt die metallische Füllung lediglich in den vorgesehenen Rillen, wodurch auf einfache Weise Leiterbahnen hergestellt werden können, die durch ihre halb versenkte Lage im Keramikbauteil sehr gut mit diesem in Haftung sind. 



  In einer Weiterentwicklung der vorliegenden Erfindung hat sich nun gezeigt, dass diese Arbeitsweise auch zur Herstellung von Chip-Gehäusen äusserst vorteilhaft ist. 



  Chip-Gehäuse zur Verwendung in der Elektronik werden z.B. in der PCT-Anmeldung 91/13462 der Lanxide Technology Corporation beschrieben. Die bekannten Gehäuse bestehen aus einem Makroverbundkörper, der durch spontane Infiltration eines teilchenförmigen Füllmaterials mit einem schmelzflüssigen Matrixmetall und gleichzeitige Bindung des entstehenden Produkts an einen zweiten Körper, vorzugsweise einen Isolator, gebildet wird. Das Füllmaterial wird dabei als solches oder als Vorform in einer Form vorgelegt. Jedenfalls handelt es sich bei diesem Füllmaterial um eine teilchenförmige oder poröse Masse, die ein Eindringen des Metalls erlaubt. Das Füllmaterial besteht u.a. aus keramischem Material oder einem mit Keramik überzogenen Material. 



  Diese durch Metall verbundenen Füllstoffe sind bekannt und werden Matrix-Metall-Composites (MMC) genannt. Sie haben in der Technik auf verschiedenen Gebieten bereits Eingang gefunden. 



  Das MMC-Material wird beim Aufbau von Chip-Gehäusen als wärmeaufnehmendes Material verwendet, um die vom Chip entwickelte Hitze abzuleiten. 



  Die US-PS 5 039 577 beschreibt eine Unterlagsstruktur mit einer Doppelschicht, die eine Verstärkung einerseits mit teilchenförmigem Material, andererseits mit Graphitfasern enthält. Die Thermoleitfähigkeits-, Elastizitäts- und thermischen Eigenschaften der Doppelschicht lassen sich durch Variation dieser Verstärkungsmaterialien verändern. 



  In der EP 0 471 552 wird ein Chip-Gehäuse beschrieben, in dessen Unterlagsplatte ein Kühlmittelkanal angeordnet ist. Das hindurchstreichende Kühlmittel nimmt die überschüssige Wärme besser auf als das Material allein. 



  Bei der Entwicklung der neuen Schaltungsträger in Form von Chip-Gehäusen wurde von den bekannten Gehäusen ausgegangen, die einen Keramikbauteil mit einer elektrisch isolierenden Chip-Auflagestelle, oberflächlichen metallischen Leiterbahnen zur elektrischen Versorgung desselben und gegebenenfalls in seinem Inneren Metallbrücken zur Ableitung der durch den Chip gebildeten Wärme aufweisen. 



  Das erfindungsgemässe Chip-Gehäuse ist dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikbauteil aus dichtgebrannter Keramik mit durchgehenden, insbesonders röhrchenförmigen metallgefüllten Kanälen besteht und dass die Leiterbahnen aus einer aufgegossenen Metallschicht bestehen. 



  Durch diese Massnahmen wird einerseits eine bessere Wärmeverteilung oder Wärmeleitung im Chip-Gehäuse in über die durchgehenden Kanäle vorwählbarer Weise ermöglicht und andererseits eine gute Haftung der Leiterbahnen bewirkt. Weiters können die metallgefüllten Kanäle auch als elektrische Leitungen, insbesondere Anschlussleitungen, durch den Keramikbauteil hindurch benutzt werden. 



  Wesentlich ist auch hier wieder das Herstellungsverfahren für derartige Chip-Gehäuse, bei welchem erfindungsgemäss ein dichtgebrannter Keramikbauteil vorgesehen ist, der Durchbrechungen oder z.B. röhrchenförmige Kanäle aufweist, wobei beim Umgiessen diese gleichzeitig mit Metall gefüllt werden. Die erforderlichen Leiterbahnen werden dann durch lokales Entfernen der oberflächlichen Metallschicht herausgearbeitet. 



  Die Bohrungen oder röhrchenförmigen Kanäle haben Durchmesser im Bereich von Zehntel Millimetern, die Stege dazwischen haben eine Stärke von vorzugsweise etwa 0,5 mm. Die Anbringung der Bohrungen erfolgt im Zustand des ungebrannten "green tape", d.h. bevor die Keramikmasse ihren endgültigen Brand erfahren hat. 



  Wie bei den oben beschriebenen Schaltungsträgern können auch hier die metallischen Leiterbahnen mit Vorteil in rillenförmigen Vertiefungen des Keramikbauteils vorgesehen sein. 



  Um für den Chip eine isolierende Auflagefläche bereitzustellen, ist es günstig, wenn die Anordnung der Kanäle in dem Keramikbauteil einen Platz aus dichtgebrannter Keramik für den Chip freilässt. 



  Es kann aber auch ein eigenes Isolatorplättchen zu diesem Zweck auf dem mit Metallbrücken versehenen Keramikbauteil vorgesehen werden. 



  Bei einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist die Anordnung so getroffen, dass der Keramikbauteil an einer dem Chip gegenüberliegenden Seite eine erste Ausnehmung aufweist, in welcher eine Einlage aus Metall und/oder Metall-Matrix-Composite-(MMC)-Material vorgesehen ist. 



  Dadurch wird eine zusätzliche Verbesserung der Wärmeableitung erreicht. 



  Ferner kann eine zweite Ausnehmung im Keramikbauteil vorgesehen sein, und dass darin der Chip angeordnet ist. 



  Bevorzugt wird zu diesem Zweck in der ersten Ausnehmung eine ringförmige Einlage aus MMC-Material angebracht. 



  Wenn die Wärmeabfuhr noch immer nicht ausreicht, so können in der MMC-Einlage und gegebenenfalls auch in deren Metallhülle Kühlkanäle für ein Kühlmittel vorgesehen werden. Als Kühlmittel kommen Luft oder Kühlfüssigkeiten in Frage. 



  In manchen Fällen kann es günstig sein, den Keramikbauteil mehrlagig aufzubauen, wobei die röhrchenförmigen Kanäle zum Teil in der Ebene des Keramikbauteils und/oder wenigstens zum Teil senkrecht dazu angeordnet sein können. 



  Ein derartig in Schichten aufgebauter Keramikbauteil kann vorteilhaft zur Bewältigung von in einer Dimension auftretenden Überschneidungen einer grossen Anzahl von Anschlussleitungen angewendet werden. 



  Zur Verschweissung des Gehäuses mit einem Deckel ist es günstig, im Randbereich des Keramikbauteils eine Nut oder Stufe vorzusehen, die sich während des Metalldruckgusses mit Metall füllt. 



  Dadurch braucht kein eigener Produktionsschritt zur Herstellung einer solchen Verbindungsnut vorgesehen werden. 



  Das Umgiessen mit Metall kann drucklos oder unter Druck erfolgen. Letzteres wird insbesondere dann zweckmässig bzw. erforderlich sein, wenn es sich um poröse Keramik handelt, die zumindest bereichsweise mit Metall durchdrungen werden soll. Hiebei haben sich z.B. bei Siliziumkarbid Drucke im Bereich von 100-140 bar als besonders vorteilhaft erwiesen. 



  Als Wandstärken der gebildeten oberflächlichen Metallschichten haben sich solche im Bereich von Zehntel Millimetern als günstig erwiesen. 



  Wie bei den eingangs erwähnten Schaltungsträgern werden auch hier die Leiterbahnen bevorzugt wie bei photolithographischen Verfahren, durch Ätzen, Wegbrennen oder Laserbehandlung herausgearbeitet. 



  Bei der Anordnung rillenförmiger Vertiefungen im Keramikbauteil werden diese nach der Umgiessung mit Metall durch ein mit der Bauteiloberfläche fluchtendes Abarbeiten der oberflächlichen Metallschicht freigelegt. 



  Als Materialien für die einzelnen Bauteil-Komponenten haben sich folgende als günstig erwiesen: 



  Der Keramikbauteil besteht in der Regel aus dichtgebrannter Keramik, wobei unter "dichtgebrannt" stets "nicht porös" zu verstehen ist. 



  Gemäss einer vorteilhaften Ausbildung der Erfindung ist die Keramik des Keramikbauteils eine Oxid-, Karbid-, und/oder eine Nitrid-Keramik, z.B. Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder Berylliumoxid. 



  Das Infiltrationsmetall besteht meist aus Aluminium, Eisen, Nickel, Cobalt, Silizium, Kupfer, Molybdän oder Legierungen derselben. 



  Der MMC-Werkstoff kann als Verstärkermaterial eine Oxid-, Karbid- und/oder Nitrid-Keramik, z.B. Siliziumcarbid, Aluminiumnitrid, Berylliumoxid, Aluminiumoxid, Bornitrid oder Kohlenstoff enthalten. 



  Mit Vorteil wird ein derartiges Chip-Gehäuse auch zum Schutz von Multichipmodulen (MCM) verwendet. 



  Die vorliegende Erfindung wird nun anhand der beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen: 
 
   Fig. 1 eine Draufsicht auf einen erfindungsgemässen Schaltungsträger; 
   Fig. 2a einen Schnitt entlang I-I gemäss Fig. 1; 
   Fig. 2b eine weitere erfindungsgemässe Ausführungsform im Schnitt; 
   Fig. 2c eine weitere erfindungsgemässe Ausführungsform im Schnitt; 
   Fig. 2d eine weitere erfindungsgemässe Ausführungsform im Schnitt; 
   Fig. 2e eine weitere erfindungsgemässe Ausführungsform im Schnitt; 
   Fig. 3 eine weitere erfindungsgemässe Ausführungsform im Schnitt; 
   Fig. 4 eine weitere erfindungsgemässe Ausführungsform im Schnitt gemäss Fig. 5; 
   Fig. 5 eine Draufsicht auf einen erfindungsgemässen Schaltungsträger mit Chip; 
   Fig. 6 eine weitere erfindungsgemässe Ausführungsform mit Chip im Schnitt;

   
   Fig. 7 eine weitere erfindungsgemässe Ausführungsform mit Chip im Schnitt; 
   Fig. 8 eine weitere erfindungsgemässe Ausführungsform mit Chip im Schnitt; 
   Fig. 9 eine weitere erfindungsgemässe Ausführungsform mit Chip im Schnitt; 
   Fig. 10 eine weitere erfindungsgemässe Ausführungsform mit Chip im Schnitt; 
   Fig. 11 eine weitere erfindungsgemässe Ausführungsform mit Chip im Schnitt. 
 



  Zur Herstellung eines erfindungsgemässen Schaltungsträgers bzw. Chip-Gehäuses kann ein Verfahren angewendet werden, bei dem ein Keramikbauteil, gegebenenfalls gemeinsam mit einer Vorform, mit dem zur Herstellung der Leiterbahnen gewünschten Metall umgossen wird. Die Leiterbahnen werden danach durch lokales Entfernen der oberflächlichen Metallschicht des Keramikbauteils herausgearbeitet. Die in diesem Zusammenhang eingesetzte Vorform kann etwa aus poröser Keramik oder aus der Verstärkung eines Metall-Matrix-Composite-(MMC)-Materials bestehen, sodass beim Giessvorgang neben der Oberflächenschicht auch ein MMC-Verbundwerkstoff gebildet wird. Zusätzlich kann ein Bauteil aus MMC-Material und/oder aus Metall vorgesehen sein, der dann gemeinsam mit der porösen Keramik oder der Verstärkung vergossen wird.

   Alternativ kann aber auch nur der Keramikbauteil mit einem Bauteil aus MMC-Material und/oder aus Metall gemeinsam vergossen werden. Die Keramik des Keramikbauteils kann eine Oxid-, Karbid- und/oder eine Nitrid-Keramik, z.B. Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder Berylliumoxid sein, das Infiltrationsmetall beispielsweise aus Aluminium, Eisen, Cobalt, Silizium, Kupfer, Molybdän oder Legierungen derselben bestehen und der MMC-Werkstoff als Verstärkermaterial eine Oxid-, Karbid-, und/oder Nitrid-Keramik, z.B. Siliziumcarbid, Aluminiumitrid, Berylliumoxid, Aluminiumoxid, Bornitrid oder Kohlenstoff enthalten. 



  In Fig. 1 ist ein erfindungsgemässer Schaltungsträger in seiner einfachsten Form in der Draufsicht dargestellt. Der Keramikbauteil 1 trägt an seiner Oberfläche eine aufgegossene Metallschicht, die durch Umgiessen des Keramikkörpers entstanden ist und aus der durch lokales Entfernen der oberflächlichen Metallschicht Leiterbahnen 2 herausgearbeitet wurden. Das lokale Entfernen kann beispielsweise durch ein photolithographisches Verfahren, Ätzen, Wegbrennen oder Laserbehandlung ausgeführt werden. 



  Fig. 2a stellt einen Schnitt durch den Schaltungsträger von Fig. 1 entlang der Ebene I-I dieser Figur dar, Dabei ist die Leiterbahn 2 als von der Oberfläche des Schaltungsträgers erhaben zu sehen. 



  Fig. 2b zeigt in einem Schnitt durch eine andere erfindungsgemässe Ausführungsform dagegen die Leiterbahn 2 in einer rillenförmigen Vertiefung 3 auf der Oberfläche des Keramikbauteils 1. Dies wird so realisiert, dass in die Oberfläche des Keramikteils 1 Rillen 3 entsprechend dem gewünschten Verlauf der Leiterbahnen 2 eingearbeitet werden und darauf der Keramikkörper 1 durch Umgiessen mit einer Metallschicht mit dem zur Herstellung der Leiterbahnen gewünschten Metall umgeben wird. Danach wird diese Schicht flächig bis mit der Keramikoberfläche fluchtend abgearbeitet, sodass nur noch Metall in den Rillen 3 verbleibt. 



  In Fig. 2c ist in einer weiteren Ausführungsform ein Keramikbauteil 1 mit einem Bauteil 10 aus Metall-Matrix-Composite-Material (MMC) verbunden, welcher auch noch zusätzlich zum Teil aus reinem Metall bestehen kann. Auf der Oberfläche des Keramikbauteils 1 sind Leiterbahnen 2 erhaben geführt, die wie im Beispiel aus Fig. 1 und 2 produziert werden. Die Leiterbahnen 2 können aber auch wie in Fig. 2b in rillenförmigen Vertiefungen geführt sein. 



  Fig. 2d stellt eine weitere Variante dar, wobei auf einem Keramikbauteil 1 ein Bauteil aus Metall und/oder MMC-Material aufgebracht ist und dabei an der Verbindungsfläche ein Bereich freigehalten ist. Auf diesem Bereich sind Leiterbahnen 2 erhaben ausgeführt. Dies kann aber durchaus wieder in dafür vorgesehenen Rillen geschehen. Fig. 2e zeigt hiezu eine Weiterbildung, bei welcher die Leiterbahnen 2 min  bis auf die Unterseite des Keramikbauteils geführt sind. 



  Fig. 3 zeigt einen erfindungsgemässen Schaltungsträger in Form eines Chip-Gehäuses mit einem Keramikbauteil 1, der eine elektrisch isolierende Auflage für einen Chip 5 bildet und in dem senkrecht durchgehende als Bohrungen 4 ausgeführte Kanäle vorgesehen sind. Dabei besteht der Keramikbauteil aus nichtporösem, dichtgebranntem Keramikmaterial. Die Bohrungen 4 werden durch das Umgiessen mit Metall gefüllt und stellen eine wärmeleitende bzw. elektrisch leitende Verbindung der beiden horizontalen Flächen des Gehäuses dar. Dadurch kann einerseits die Wärmeableitung erhöht und auftretende durch Temperaturunterschiede hervorgerufene Spannungen vermieden bzw. eine Kontaktierung zur Unterseite vorgenommen werden.

   Auf der Oberseite des Keramikbauteils 1 ist der Chip 5 aufgesetzt, wobei die Anordnung der Kanäle 4 derart ist, dass der Chip auf einem Teil der Keramikbauteiloberfläche zu liegen kommt, in dem keine Bohrungen vorgesehen sind. Wiederum sind Leiterbahnen 2 vorgesehen, die aus einer aufgegossenen Metallschicht bestehen. 



  Fig. 4 zeigt eine weitere erfindungsgemässe Ausführungsform eines Schaltungsträgers in der Form eines Chip-Gehäuses, wobei ein Chip 5 an der Oberfläche des Keramikbauteils 1 angeordnet ist und an der dem Chip 5 gegenüberliegenden Seite des Keramikbauteils 1 eine Ausnehmung 6 vorgesehen ist, in der sich eine ringförmige Einlage 7 aus MMC-Material befindet. Benachbart dazu verlaufen metallgefüllte Kanäle als Bohrungen 4 durch den Keramikbauteil 1 hindurch. Die MMC-Einlage dient zur Abführung der vom Chip entwickelten Abwärme und kann zu Kühlzwecken noch Kühlkanäle für ein Kühlmittel, oder Oberflächenstruktrierungen z.B. in Form von Kühlrippen der Metallhülle, in die das MMC-Material hineinreichen kann, aufweisen.

   Im Randbereich des Keramikbauteils 1 ist eine umlaufende Stufe 8 zu erkennen, mit deren Hilfe nach ihrer Füllung durch den Umgiessungsvorgang mit Metall die mechanische Verbindung zu einem Dekkel des Chip-Gehäuses z.B. durch Schweissen her gestellt werden kann. In diesem Ausführungsbeispiel sind weiters Leiterbahnen 2 in einer Vertiefung 3 zu erkennen. 



  Fig. 5 ist eine Draufsicht auf das Ausführungsbeispiel aus Fig. 4, wobei die Mündungen der als Bohrungen 4 ausgeführten Kanäle, die Leiterbahnen 2, der Chip 5 und die umlaufende Stufe 8 zum Aufschweissen eines Deckels erkennbar sind. 



  Fig. 6 zeigt eine weitere erfindungsgemässe Variante mit einem Keramikbauteil 1 und einem Chip 5, der über die aufgegossenen Leiterbahnen 2 und vertikalen, metallgefüllten Bohrungen 4 mit Anschluss-Pins 13 elektrisch verbunden ist, wobei die Anschluss-Pins 13 auf die metallgefüllten Bohrungen aufgelötet oder anstelle der Anschlusspins Lötkugeln (ball grid arrays) vorgesehen sind. Somit ist eine sowohl thermische Ableitung als auch eine gegenseitig isolierte elektrische Verbindung von den Anschluss-Pins 13 zum Chip 5 hergestellt. Dadurch erübrigen sich komplizierte mechanische Verdrahtungseinrichtungen. Eine Ausnehmung 6 ist durch das Umgiessen mit Metall gefüllt und beinhaltet noch MMC-Bauteile 14 zur Ableitung der vom Chip 5 produzierten Abwärme sowie zur Anpassung der thermischen Ausdehnung von Keramik und Metall.

   Eine mit Metall gefüllte Stufe 8 ist wieder als Verbindungselement für einen Deckel vorgesehen. Die Leiterbahnen 2 können gemäss der Erfindung auch in Rinnen geführt sein. 



  Die Keramik des Keramikbauteils kann in allen Ausführungsbeispielen eine Oxid-, Karbid- und/oder eine Nitrid-Keramik, z.B. Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder Berylliumoxid sein, das Infiltrationsmetall beispielsweise aus Aluminium, Eisen, Cobalt, Silizium, Kupfer, Molybdän oder Legierungen derselben bestehen und der MMC-Werkstoff als Verstärkermaterial eine Oxid-, Karbid-, und/oder Nitrid-Keramik, z.B. Siliziumcarbid, Aluminiumnitrid, Berylliumoxid, Aluminiumoxid, Bornitrid oder Kohlenstoff enthalten. 



  In Fig. 7 ist ein Ausführungsbeispiel zu sehen, in welchem ein Chip 5 in einer Ausnehmung 15 angebracht ist, die an der gegenüberliegenden Seite der Ausnehmung 6 vorgesehen ist, welche analog zu Fig. 7 einen MMC-Bauteil 14 aufnimmt und mit dem Umgiessungsmetall oder einem anderen Metall aufgefüllt ist. Anschluss-Pins 13 sind mit mit Metall gefüllten Kanälen 4, welche in diesem Beispiel nicht senkrecht sondern schräg verlaufen, und über Leiterbahnen 2 mit dem Chip 5 in elektrischer Verbindung stehen. 



  Ähnlich zu Fig. 7 sind die Verhältnisse in Fig. 8. Jedoch ist in dieser Variante der Erfindung eine Bohrung 4 an eine zur Chip-Seite benachbarten Seite des Keramik-Bauteils 1 geführt, sodass eine elektrische Verbindung vom in einer Ausnehmung 15 untergebrachten Chip 5 über eine horizontale Leiterbahn 2 über die metallgefüllte Bohrung 4 und über eine an der Seite des Keramik-Bauteils 1 senkrecht geführte weitere Leiterbahn 2 besteht, wodurch eine seitliche Kontaktannahme erfolgen kann, etwa über ein in diesem Zusammenhang bekanntes "plug in-Gehäuse". Der MMC-Bauteil 14 dient wieder der besseren Wärme-Ableitung sowie zur thermischen Anpassung von Keramik und Metall, und ist in einer metallgefüllten Ausnehmung 6 untergebracht. 



  Hinsichtlich der Anzahl oder der Anordnung der Kanäle oder Bohrungen bestehen keine Beschränkungen, sodass auch eine Anordnung wie sie in Fig. 9 zu sehen ist, im Rahmen der Erfindung ist. In diesem Ausführungsbeispiel ist ein Chip 5 in einer Ausnehmung 15 an der relativ zur späteren Einbauorientierung nach unten zeigenden Seite des Keramikbauteils 1 an geordnet und die Kontaktierung nach aussen hin erfolgt über waagrechte Bohrungen 4, die mit Metall gefüllt sind und an der Seite über Leiterbahnen 2 weitergeführt sind. Auch hier kann - wie strichliert angedeutet - eine mit Metall gefüllte Stufe 8 als ein nach unten weisendes Verbindungselement vorgesehen sein. 



  In Fig. 10 ist ein Keramikbauteil 1 dargestellt, welcher mit einem MMC-Bauteil 17 verbunden ist, welcher an einer Seite mit Kühlrippen 16 zur besseren Wärmeabfuhr in wärmeleitender Verbindung steht. Ein Chip 5 ist in einer Ausnehmung 15 wieder nach unten weisend angeordnet und über schräg verlaufende, metallgefüllte Bohrungen 4 mit Anschluss-Pins 13 elektrisch kontaktiert. 



  Fig. 11 stellt eine besondere Variante dar, wobei ein Keramikbauteil 1 mehrlagig aufgebaut ist und die röhrchenförmigen Kanäle 4 zum Teil in der Ebene des Keramikbauteils 1 und zum Teil senkrecht dazu angeordnet sind. Es sind in diesem Beispiel insgesamt drei Schichten 18, 19, 20 übereinander angeordnet, die nacheinander in der Form von "green tapes" aufgetragen werden. Die erste Schicht 18 des Keramikbauteils 1 wird mit senkrechten Kanälen 4 versehen und an ihrer nach oben weisende Seite entsprechend mit Leiterbahnen 2 in rillenförmigen Vertiefungen 3 weitergeführt, sodass von einer Mündung eines vertikalen Kanals 4 eine horizontale Rille 3 zu einer Stelle weiterläuft, von der aus ein weiterer Kanal 40 der darauffolgenden Schicht 19 weiterführt.

   Es kann aber auch ein vertikaler Kanal 4 der Schicht 18 in der darauffolgenden Schicht 19 direkt als vertikaler Kanal 40 weitergeführt werden. Die erste Schicht 18 wird nach Anbringen der Kanäle 4 und der Rillen 3 mit Metall umgossen, wodurch die senkrechten Kanäle 4 und die rillenförmigen Vertiefungen 3 mit Metall gefüllt werden und eine elektrische Leitung in Stufenform bilden. Danach wird die äussere Metallschicht erfindungsgemäss fluchtend mit der Keramikoberfläche abgetragen, sodass vom Metall an der Oberfläche nur die Leiterbahnen 2 in den Rillen 3 verbleiben. Danach wird die zweite Schicht 19 aufgebracht und mit senkrechten Kanälen 40 an den passenden Stellen versehen, die senkrecht die Schicht 19 durchsetzen. An der oberen Oberfläche der Schicht 19 werden Rillen 30 eingearbeitet und erneut mit Metall umgossen und daraufhin abgearbeitet.

   Ebenso wird die nächste Schicht 20 mit Kanälen 400 und rillenförmigen Vertiefungen 300 versehen und präpariert. Somit ergeben sich im Inneren dieses mehrlagigen Keramikbauteils 1 abgestufte elektrische Verbindungen durch mehrere Schichten hindurch, durch die ein Überschneiden von einer grossen Anzahl von Verbindungsleitungen vermieden werden kann. Auf der oberen Seite von Schicht 20 sind schliesslich die Leiterbahnen 200 in den Rillen 300, die zu Chips 5 führen. Die Stufen können in beliebiger Anordnung gemäss den obenstehenden Ausführungen verwirklicht werden, genauso ist die Anzahl der Lagen des Keramikbauteils 1 nicht beschränkt. Im übrigen können wenigstens einige der Kanäle 4 mit Bezug auf die Ebene des Keramikbauteils auch schräg von oben nach unten bzw. umgekehrt verlaufen. 



  Alternativ kann die Anordnung nach Fig. 11 auch dadurch hergestellt werden, dass die einzelnen "green tape"-Lagen mit den Rillen und Kanälen durch Prägen bzw. Stanzen versehen, sodann die Lagen zusammengesetzt, gemeinsam gesintert und dann mit Metall umgossen werden. 



  Wieder eine andere Herstellungsvariante ist, dass eine konventionelle metallisierte, mehrlagige Keramik verwendet wird, die auf einer mit Bohrungen versehenen Keramik aufgebracht, sodann dieser Aufbau gesintert und mit Metall umgossen wird. 

Claims (23)

1. Schaltungsträger, umfassend einen Keramikbauteil mit metallischen Leiterbahnen auf dessen Oberfläche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahnen (2) aus einer aufgegossenen Metallschicht bestehen.
2. Schaltungsträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahnen (2) in rillenförmigen Vertiefungen (3) des Keramikbauteils (1) vorgesehen sind.
3. Schaltungsträger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mit dem Keramikbauteil ein Bauteil aus Metall und/oder Metall-Matrix-Composite-(MMC)-Material verbunden ist.
4. Schaltungsträger nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass an wenigstens einer Seitenkante der Keramikbauteil zumindest bereichsweise von dem Bauteil aus Metall und/oder MMC-Material freigehalten ist.
5.
Schaltungsträger nach Anspruch 1 in Form eines Chip-Gehäuses, umfassend einen Keramikbauteil, der eine elektrisch isolierende Auflage für den Chip bietet, wobei auf der Oberfläche des Keramikbauteils metallische Leiterbahnen zur elektrischen Versorgung des Chip und gegebenenfalls in dessen Innerem Metallbrücken zur Ableitung der durch den Chip gebildeten Wärme vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikbauteil (1) aus dichtgebrannter Keramik mit durchgehenden, insbesonders röhrchenförmigen, metallgefüllten Kanälen (4) besteht, und dass die Leiterbahnen (2) aus einer aufgegossenen Metallschicht bestehen.
6.
Schaltungsträger nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikbauteil (1) an einer dem Chip (5) gegenüberliegenden Seite eine erste Ausnehmung (6) aufweist, in welcher eine Einlage (7) aus Metall und/oder Metall-Matrix-Composite-(MMC)-Material vorgesehen ist.
7. Schaltungsträger nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Ausnehmung (15) vorgesehen ist, und dass darin der Chip (5) angeordnet ist.
8. Schaltungsträger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass er in der ersten Ausnehmung (6) eine ringförmige Einlage (7) aus MMC-Material aufweist.
9. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die MMC-Einlage (7) und gegebenfalls auch deren Metallhülle Kühlkanäle für ein Kühlmittel aufweist.
10.
Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikbauteil (1) mehrlagig aufgebaut ist, wobei die röhrchenförmigen Kanäle (4) zum Teil in der Ebene des Keramikbauteils (1) und/oder wenigstens zum Teil senkrecht dazu angeordnet sind.
11. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Keramik des Keramikbauteils (1) eine Oxid-, Karbid- und/oder eine Nitrid-Keramik, z.B. Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder Berylliumoxid ist.
12. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 3 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Bauteil bzw. die Einlage (7) aus Metall-Matrix-Composite-(MMC)-Material als Infiltrationsmetall Aluminium, Eisen, Nickel, Cobalt, Silizium, Kupfer, Molybdän oder Legierungen derselben enthält.
13.
Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 3 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Bauteil bzw. die Einlage (7) aus Metall-Matrix-Composite-(MMC)-Material als Verstärkermaterial eine Oxid-, Karbid- und/oder Nitrid-Keramik, z.B. Siliziumcarbid, Aluminiumnitrid, Berylliumoxid, Aluminiumoxid, Bornitrid, oder Kohlenstoff enthält.
14. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikbauteil (1) eine Nut oder Stufe (8) aufweist, die durch das Umgiessen mit Metall gefüllt ist.
15. Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikbauteil mit dem zur Herstellung der Leiterbahnen gewünschten Metall umgossen wird und die Leiterbahnen durch lokales Entfernen der oberflächlichen Metallschicht des Keramikbauteils herausgearbeitet werden.
16.
Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikbauteil gemeinsam mit einer Vorform aus poröser Keramik oder aus der Verstärkung eines MMC-Materials mit Metall umgossen wird.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikbauteil gemeinsam mit einem Bauteil aus MMC-Material und/oder aus Metall mit Metall umgossen wird.
18. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahnen durch photolithographische Verfahren, Ätzen, Wegbrennen oder Laserbehandlung herausgearbeitet werden.
19.Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass bei Vorliegen rillenförmiger Vertiefungen im Keramikbauteil die Metallfüllung in denselben durch ein mit der Bauteiloberfläche fluchtendes Abarbeiten der oberflächlichen Metallschicht freigelegt wird.
20.
Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers nach einem der Ansprüche 5 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass ein dichtgebrannter Keramikbauteil vorgesehen ist, der Durchbrenner oder röhrchenförmige Kanäle aufweist, wobei beim Umgiessen diese gleichzeitig mit Metall gefüllt und danach die erforderlichen Leiterbahnen durch lokales Entfernen der oberflächlichen Metallschicht herausgearbeitet werden.
21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahnen durch photolithographische Verfahren, Ätzen, Wegbrennen oder Laserbehandlung herausgearbeitet werden.
22. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, dass bei Vorliegen rillenförmiger Vertiefungen im Keramikbauteil diese nach der Umgiessung mit Metall durch ein mit der Bauteiloberfläche fluchtendes Abarbeiten der oberflächlichen Metallschicht freigelegt werden.
23.
Verwendung eines Schaltungsträgers nach einem der Ansprüche 5 bis 14 zum Schutz von Multi-Chip-Modulen.
CH00789/95A 1994-03-30 1995-03-20 Schaltungstraeger und Verfahren zu dessen Herstellung. CH689658A5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT0068094A AT402135B (de) 1994-03-30 1994-03-30 Schaltungsträger

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH689658A5 true CH689658A5 (de) 1999-07-30

Family

ID=3496994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH00789/95A CH689658A5 (de) 1994-03-30 1995-03-20 Schaltungstraeger und Verfahren zu dessen Herstellung.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5819858A (de)
AT (1) AT402135B (de)
CH (1) CH689658A5 (de)
DE (1) DE19510988A1 (de)
FR (1) FR2718319B1 (de)
GB (1) GB2288075B (de)
IT (1) IT1280151B1 (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT404083B (de) * 1995-04-18 1998-08-25 Electrovac Verfahren zum herstellen von gehäusen
KR20020059163A (ko) * 2001-01-03 2002-07-12 배정두 알루미늄을 이용한 무선 주파수 식별카드 제조방법
DE10125815C1 (de) * 2001-05-26 2002-08-01 Daimler Chrysler Ag Metall-Keramik-Verbundwerkstoff und seine Verwendung
EP1265468B1 (de) * 2001-06-05 2011-12-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Herstellung eines Verbundbauteils
US6906423B1 (en) 2001-06-05 2005-06-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Mask used for exposing a porous substrate
JP3869255B2 (ja) * 2001-06-14 2007-01-17 富士通株式会社 金属成形体製造方法およびこれにより製造される金属成形体
DE10142614A1 (de) 2001-08-31 2003-04-03 Siemens Ag Leistungselektronikeinheit
US7141310B2 (en) * 2002-04-17 2006-11-28 Ceramics Process Systems Corporation Metal matrix composite structure and method
DE102005047025A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Siemens Ag Leiterplatte
DE102008043565A1 (de) 2008-11-07 2010-05-12 Robert Bosch Gmbh Schaltungsträger und dessen Verwendung
US9417013B2 (en) * 2010-11-12 2016-08-16 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Heat transfer systems including heat conducting composite materials
US10104759B2 (en) * 2016-11-29 2018-10-16 Nxp Usa, Inc. Microelectronic modules with sinter-bonded heat dissipation structures and methods for the fabrication thereof
US10485091B2 (en) * 2016-11-29 2019-11-19 Nxp Usa, Inc. Microelectronic modules with sinter-bonded heat dissipation structures and methods for the fabrication thereof
DE102017126880A1 (de) * 2017-11-15 2019-05-16 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Elektrische Baueinheit mit einer Wicklung sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen Baueinheit
WO2020004565A1 (ja) * 2018-06-28 2020-01-02 京セラ株式会社 回路基板およびこれを備える電子装置
US11915997B2 (en) * 2020-06-24 2024-02-27 Micron Technology, Inc. Thermal management of GPU-HBM package by microchannel integrated substrate

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB267172A (en) * 1925-09-11 1927-03-11 Paragon Rubber Mfg Company Ltd Improvements in wireless and other electrical apparatus
GB515354A (en) * 1937-05-31 1939-12-04 Philips Nv Improvements in conductors for electric apparatus
BE503883A (de) * 1943-02-02
BE562405A (de) * 1956-11-15
US3710196A (en) * 1970-04-27 1973-01-09 T Fifield Circuit board and method of making circuit connections
US3770529A (en) * 1970-08-25 1973-11-06 Ibm Method of fabricating multilayer circuits
US3739614A (en) * 1971-11-26 1973-06-19 Western Electric Co Explosive metal-working process
GB2033667A (en) * 1978-11-06 1980-05-21 Powers C D Improvements in circuit boards
EP0051378A2 (de) * 1980-11-03 1982-05-12 AMP INCORPORATED (a New Jersey corporation) Leiterplatte mit Gussschaltung und Verfahren zur Herstellung
US4532152A (en) * 1982-03-05 1985-07-30 Elarde Vito D Fabrication of a printed circuit board with metal-filled channels
JPS59150453A (ja) * 1982-12-23 1984-08-28 Toshiba Corp 半導体モジユ−ル用基板の製造方法
US4621761A (en) * 1984-12-04 1986-11-11 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Process for forming unusually strong joints between metals and ceramics by brazing at temperatures that do no exceed 750 degree C.
JPS61230343A (ja) * 1985-04-05 1986-10-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子用セラミツクパツケ−ジ
US4806704A (en) * 1987-06-08 1989-02-21 General Electric Company Metal matrix composite and structure using metal matrix composites for electronic applications
US5241456A (en) * 1990-07-02 1993-08-31 General Electric Company Compact high density interconnect structure
EP0471552B1 (de) * 1990-08-14 1997-07-02 Texas Instruments Incorporated Wärmetransportmodul für Anwendungen ultrahoher Dichte und Silizium auf Siliziumpackungen
JPH0548000A (ja) * 1991-08-13 1993-02-26 Fujitsu Ltd 半導体装置
US5506755A (en) * 1992-03-11 1996-04-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Multi-layer substrate
US5258887A (en) * 1992-06-15 1993-11-02 Eaton Corporation Electrical device cooling system using a heat sink attached to a circuit board containing heat conductive layers and channels

Also Published As

Publication number Publication date
DE19510988A1 (de) 1995-10-05
GB2288075B (en) 1998-07-15
GB2288075A (en) 1995-10-04
IT1280151B1 (it) 1998-01-05
ITUD950054A0 (it) 1995-03-30
US5819858A (en) 1998-10-13
ATA68094A (de) 1996-06-15
FR2718319B1 (fr) 1996-12-20
FR2718319A1 (fr) 1995-10-06
AT402135B (de) 1997-02-25
GB9506522D0 (en) 1995-05-17
ITUD950054A1 (it) 1996-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT402135B (de) Schaltungsträger
DE2142535C3 (de) Verfahren zum Herstellen von elektrischen Mehrlagenschaltungen auf keramischer Basis
DE69733714T2 (de) Verfahren zur kontrolle der kavitätabmessungen gebrannter vielschichtschaltungsplatinen auf einem träger
DE69835914T2 (de) Verbundmaterial für Kühlkörper für Halbleiter und Herstellung
DE19720275A1 (de) Substrat für Halbleiteranordnung, Herstellungsverfahren für dasselbe und das Substrat verwendende gestapelte Halbleiteranordnung
DE2451485A1 (de) Verfahren zur metallisierung von ungebranntem keramikmaterial
DE10149093A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2436032A1 (de) Gekühlte elektrische baueinheit
DE10238320A1 (de) Keramische Leiterplatte und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3402003A1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE10261402A1 (de) Wärmesenke in Form einer Heat-Pipe sowie Verfahren zum Herstellen einer solchen Wärmesenke
DE10320838B4 (de) Faserverstärktes Metall-Keramik/Glas-Verbundmaterial als Substrat für elektrische Anwendungen, Verfahren zum Herstellen eines derartigen Verbundmaterials sowie Verwendung dieses Verbundmaterials
DE3924225A1 (de) Keramik-metall-verbundsubstrat und verfahren zu seiner herstellung
EP3698400A1 (de) Kühlkörper für eine elektronische komponente, elektronische baugruppe mit einem solchen kühlkörper und verfahren zum erzeugen eines solchen kühlkörpers
EP2108190B1 (de) Elektronisches bauelementmodul und verfahren zu dessen herstellung
DE19956565A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Wärmesenke für elektrische Bauelemente sowie Wärmesenke oder Kühler für elektrische Bauelemente
DE4444680A1 (de) Mehrfachsubstrat für elektrische Bauelemente, insbesondere für Leistungs-Bauelemente
DE102011080299B4 (de) Verfahren, mit dem ein Schaltungsträger hergestellt wird, und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE10221503A1 (de) Zur wenigstens teilweisen Beschichtung mit einer Substanz bestimmter Metallgegenstand
EP0451541A1 (de) Herstellung von mehrschichtigen Leiterplatten mit erhöhter Leiterbahnendichte
DE102009019030A1 (de) Halbleiterbauelement
EP2261971A1 (de) Verfahren zum herstellen eines leistungsmoduls
DE19930190C2 (de) Lötmittel zur Verwendung bei Diffusionslötprozessen
DE102021109666B3 (de) Elektronisches Gerät und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102021109658B3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Leistungsgeräts und damit hergestelltes Halbleiter-Leistungsgerät sowie ein Werkzeugteil für eine Sinterpresse und Verwendung einer Sinterpresse

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased