CH455055A - Halbleiteranordnung, bestehend aus einem Substrat, einer Öffnungen enthaltenden Maske und einer durch die Öffnungen mit dem Substrat verbundenen einkristallinen Halbleiterschicht - Google Patents

Halbleiteranordnung, bestehend aus einem Substrat, einer Öffnungen enthaltenden Maske und einer durch die Öffnungen mit dem Substrat verbundenen einkristallinen Halbleiterschicht

Info

Publication number
CH455055A
CH455055A CH379567A CH379567A CH455055A CH 455055 A CH455055 A CH 455055A CH 379567 A CH379567 A CH 379567A CH 379567 A CH379567 A CH 379567A CH 455055 A CH455055 A CH 455055A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
substrate
openings
layer connected
semiconductor layer
mask containing
Prior art date
Application number
CH379567A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Muench Waldemar Dr Von
Original Assignee
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibm filed Critical Ibm
Priority to CH379567A priority Critical patent/CH455055A/de
Priority to FR1555057D priority patent/FR1555057A/fr
Priority to GB01872/68A priority patent/GB1186945A/en
Priority to DE19681639282 priority patent/DE1639282A1/de
Publication of CH455055A publication Critical patent/CH455055A/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H10D30/87—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]
    • H10D30/875—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET] having thin-film semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D18/00—Thyristors
    • H10D18/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/027—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of lateral single-gate IGFETs
    • H10D30/0278—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of lateral single-gate IGFETs forming single crystalline channels on wafers after forming insulating device isolations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H10D30/87—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]
    • H10D30/871—Vertical FETs having Schottky gate electrodes 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/113—Isolations within a component, i.e. internal isolations
    • H10D62/115—Dielectric isolations, e.g. air gaps
    • H10D62/116—Dielectric isolations, e.g. air gaps adjoining the input or output regions of field-effect devices, e.g. adjoining source or drain regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
CH379567A 1967-03-15 1967-03-15 Halbleiteranordnung, bestehend aus einem Substrat, einer Öffnungen enthaltenden Maske und einer durch die Öffnungen mit dem Substrat verbundenen einkristallinen Halbleiterschicht CH455055A (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH379567A CH455055A (de) 1967-03-15 1967-03-15 Halbleiteranordnung, bestehend aus einem Substrat, einer Öffnungen enthaltenden Maske und einer durch die Öffnungen mit dem Substrat verbundenen einkristallinen Halbleiterschicht
FR1555057D FR1555057A (enrdf_load_stackoverflow) 1967-03-15 1968-02-07
GB01872/68A GB1186945A (en) 1967-03-15 1968-03-12 Improvements relating to Semiconductor Devices
DE19681639282 DE1639282A1 (de) 1967-03-15 1968-03-13 Halbleiterbauelement mit einer aus einem Substrat,einer Maske mit mindestens einem Fenster und aus einer durch die Fenster auf das Substrat aufgewachsenen einkristallinen Halbleiterschicht bestehenden Grundstruktur und Verfahren zu seiner Herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH379567A CH455055A (de) 1967-03-15 1967-03-15 Halbleiteranordnung, bestehend aus einem Substrat, einer Öffnungen enthaltenden Maske und einer durch die Öffnungen mit dem Substrat verbundenen einkristallinen Halbleiterschicht

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH455055A true CH455055A (de) 1968-04-30

Family

ID=4263614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH379567A CH455055A (de) 1967-03-15 1967-03-15 Halbleiteranordnung, bestehend aus einem Substrat, einer Öffnungen enthaltenden Maske und einer durch die Öffnungen mit dem Substrat verbundenen einkristallinen Halbleiterschicht

Country Status (4)

Country Link
CH (1) CH455055A (enrdf_load_stackoverflow)
DE (1) DE1639282A1 (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR1555057A (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB1186945A (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2018002A1 (enrdf_load_stackoverflow) * 1963-01-23 1970-05-29 Rca Corp
EP0335632A3 (en) * 1988-03-29 1991-01-16 Xerox Corporation High current thin film transistor

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL165334C (nl) * 1971-12-27 1981-03-16 Fujitsu Ltd Veldeffecttransistor.
NL188550C (nl) * 1981-07-02 1992-07-16 Suwa Seikosha Kk Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat.
US4637127A (en) * 1981-07-07 1987-01-20 Nippon Electric Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US4837175A (en) * 1983-02-15 1989-06-06 Eaton Corporation Making a buried channel FET with lateral growth over amorphous region
US4833095A (en) * 1985-02-19 1989-05-23 Eaton Corporation Method for buried channel field effect transistor for microwave and millimeter frequencies utilizing ion implantation
US4724220A (en) * 1985-02-19 1988-02-09 Eaton Corporation Method for fabricating buried channel field-effect transistor for microwave and millimeter frequencies
US4624004A (en) 1985-07-15 1986-11-18 Eaton Corporation Buried channel MESFET with backside source contact
US4935789A (en) * 1985-02-19 1990-06-19 Eaton Corporation Buried channel FET with lateral growth over amorphous region
WO1991001569A1 (fr) * 1989-07-14 1991-02-07 Seiko Instruments Inc. Dispositif a semi-conducteurs et procede de production

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2018002A1 (enrdf_load_stackoverflow) * 1963-01-23 1970-05-29 Rca Corp
EP0335632A3 (en) * 1988-03-29 1991-01-16 Xerox Corporation High current thin film transistor

Also Published As

Publication number Publication date
GB1186945A (en) 1970-04-08
DE1639282A1 (de) 1971-02-18
FR1555057A (enrdf_load_stackoverflow) 1969-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL182681C (nl) Halfgeleiderinrichting met een passiveringslaag van polykristallijn silicium met hoge weerstand.
CH514155A (de) Lichtempfindliches, flächenförmiges Material mit einer durch Wärme entwickelbaren Schicht
CH455055A (de) Halbleiteranordnung, bestehend aus einem Substrat, einer Öffnungen enthaltenden Maske und einer durch die Öffnungen mit dem Substrat verbundenen einkristallinen Halbleiterschicht
AT341000B (de) Halbleiteranordnung mit in dem halbleiter versenkter schicht aus isoliermaterial und verfahren zu deren herstellung
CH505470A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
BR6802844D0 (pt) Um dispositivo semicondutor
CH522955A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung sowie nach dem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
CH472782A (de) Halbleitervorrichtung mit einer eine Aluminiumschicht tragenden Schicht
JPS5350686A (en) Production of semiconductor integrated circuit
JPS52155078A (en) Semiconductor light emitting device
AT269948B (de) Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial
CH508964A (de) Integrierte Halbleiterschaltung zur Speicherung einer Binärzahl
CH474853A (de) Verfahren zum Abscheiden einer Folge von teils aus Siliciumoxid, teils aus Siliciumnitrid bestehenden Schutzschichten an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers
CH499184A (de) Verfahren zur Herstellung einer strahlungsempfindlichen oder Strahlung aussendenden Vorrichtung mit einer Kornschicht, insbesondere einer halbleitenden Kornschicht, und nach dem Verfahren hergestellte Vorrichtung
CH486772A (de) Vorrichtung mit einer strahlungsabsorbierenden Schicht und wiederholter Totalreflexion
AT329114B (de) Halbleiteranordnung, insbesondere monolithische integrierte schaltung, mit voneinander isolierten halbleiterinseln
CH493938A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Legierungselektrode und gemäss dem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
NL177957B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een weergeefinrichting, omvattende ten minste een op een metalen patroon op een substraat bevestigd lichtemitterend halfgeleiderelement.
CH510574A (de) Vorrichtung zum selbsttätigen Auflösen einer aus mehreren Reihen von Gegenständen bestehenden Schicht
CH522974A (de) Anordnung aus lichtgesteuerten Halbleiterventilen, Lichtempfangseinrichtungen und einer auf die Lichtempfangseinrichtungen einwirkenden Lichtverteilvorrichtung
AT281121B (de) Verfahren zur Herstellung einer mehrere Zonen und mehrere Übergänge aufweisenden Halbleitervorrichtung
CH483126A (de) Verfahren zur Herstellung einer monolithischen integrierten Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte monolithische, integrierte Halbleitervorrichtung
IE26564L (en) Depositing silicon on to a semiconductor substrate
JPS5254373A (en) Packaging construction for semiconductor element
CH497794A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit dünnen, aus Halbleitermaterial bestehenden Schichten