CH452710A - Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterventils mit pnpn Struktur mit einer mit Kurzschlüssen versehenen Emitterzone - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterventils mit pnpn Struktur mit einer mit Kurzschlüssen versehenen Emitterzone

Info

Publication number
CH452710A
CH452710A CH1875766A CH1875766A CH452710A CH 452710 A CH452710 A CH 452710A CH 1875766 A CH1875766 A CH 1875766A CH 1875766 A CH1875766 A CH 1875766A CH 452710 A CH452710 A CH 452710A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
manufacturing
short circuits
controllable semiconductor
zone provided
emitter zone
Prior art date
Application number
CH1875766A
Other languages
English (en)
Inventor
Edouard Dipl Ing Eugster
Spickenreuther Dieter
Original Assignee
Bbc Brown Boveri & Cie
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bbc Brown Boveri & Cie filed Critical Bbc Brown Boveri & Cie
Priority to CH1875766A priority Critical patent/CH452710A/de
Priority to DE6606783U priority patent/DE6606783U/de
Priority to DE19671589425 priority patent/DE1589425A1/de
Priority to US671640A priority patent/US3506503A/en
Priority to NL676717646A priority patent/NL151561B/xx
Priority to FR1549065D priority patent/FR1549065A/fr
Priority to GB58619/67A priority patent/GB1206480A/en
Priority to SE17856/67A priority patent/SE350154B/xx
Priority to JP42084072A priority patent/JPS4825819B1/ja
Publication of CH452710A publication Critical patent/CH452710A/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41716Cathode or anode electrodes for thyristors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914Doping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thyristors (AREA)
CH1875766A 1966-12-29 1966-12-29 Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterventils mit pnpn Struktur mit einer mit Kurzschlüssen versehenen Emitterzone CH452710A (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH1875766A CH452710A (de) 1966-12-29 1966-12-29 Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterventils mit pnpn Struktur mit einer mit Kurzschlüssen versehenen Emitterzone
DE6606783U DE6606783U (de) 1966-12-29 1967-01-25 Steuerbares halbleiterventil.
DE19671589425 DE1589425A1 (de) 1966-12-29 1967-01-25 Kontaktierung einer Halbleiterscheibe mit Emitterkurzschluessen
US671640A US3506503A (en) 1966-12-29 1967-09-29 Method of contacting a multishort-circuited emitter zone of pnpn semiconductor structure
NL676717646A NL151561B (nl) 1966-12-29 1967-12-24 Werkwijze voor het vervaardigen van een bestuurbare halfgeleidergelijkrichter, waarvan het emittergebied is kortgesloten met het basisgebied en een bestuurbare halfgeleidergelijkrichter vervaardigd volgens deze werkwijze.
FR1549065D FR1549065A (de) 1966-12-29 1967-12-27
GB58619/67A GB1206480A (en) 1966-12-29 1967-12-27 Making contact with a semiconductor device with emitter short-circuits
SE17856/67A SE350154B (de) 1966-12-29 1967-12-27
JP42084072A JPS4825819B1 (de) 1966-12-29 1967-12-28

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH1875766A CH452710A (de) 1966-12-29 1966-12-29 Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterventils mit pnpn Struktur mit einer mit Kurzschlüssen versehenen Emitterzone

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH452710A true CH452710A (de) 1968-03-15

Family

ID=4435109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1875766A CH452710A (de) 1966-12-29 1966-12-29 Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterventils mit pnpn Struktur mit einer mit Kurzschlüssen versehenen Emitterzone

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3506503A (de)
JP (1) JPS4825819B1 (de)
CH (1) CH452710A (de)
DE (2) DE1589425A1 (de)
FR (1) FR1549065A (de)
GB (1) GB1206480A (de)
NL (1) NL151561B (de)
SE (1) SE350154B (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2050694B (en) * 1979-05-07 1983-09-28 Nippon Telegraph & Telephone Electrode structure for a semiconductor device
FR2617208B1 (fr) * 1987-06-26 1989-10-20 Inst Textile De France Procede et materiel d'aiguilletage de mat de verre et produit composite realise a partir dudit mat

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3363308A (en) * 1962-07-30 1968-01-16 Texas Instruments Inc Diode contact arrangement
US3375143A (en) * 1964-09-29 1968-03-26 Melpar Inc Method of making tunnel diode
GB1127213A (en) * 1964-10-12 1968-09-18 Matsushita Electronics Corp Method for making semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
NL151561B (nl) 1976-11-15
GB1206480A (en) 1970-09-23
JPS4825819B1 (de) 1973-08-01
DE1589425A1 (de) 1970-06-04
NL6717646A (de) 1968-07-01
DE6606783U (de) 1970-12-10
US3506503A (en) 1970-04-14
FR1549065A (de) 1968-12-06
SE350154B (de) 1972-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT261004B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH513514A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH469358A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
AT318001B (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleitervorrichtung
AT280350B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH533907A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH505470A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
AT303815B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Feldeffekttransistor
AT256938B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH395349A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH423999A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH474856A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH452710A (de) Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterventils mit pnpn Struktur mit einer mit Kurzschlüssen versehenen Emitterzone
CH418466A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH444975A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes mit pnpn-Struktur mit Kurzschlüssen in der Emitterzone
DE1639146B2 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrolumineszenten halbleiterdiode mit p-n-uebergang
AT299309B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE1800347B2 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung
CH470759A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
AT260308B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Mesa
CH474158A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH468721A (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen
AT262383B (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung
AT271570B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH474858A (de) Verfahren zur Herstellung einer planaren doppeldiffundierten Halbleiteranordnung