CH415855A - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Siliciumkörper und mit mindestens einem pn-Übergang - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Siliciumkörper und mit mindestens einem pn-Übergang

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CH415855A
CH415855A CH1208461A CH1208461A CH415855A CH 415855 A CH415855 A CH 415855A CH 1208461 A CH1208461 A CH 1208461A CH 1208461 A CH1208461 A CH 1208461A CH 415855 A CH415855 A CH 415855A
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semiconductor
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CH1208461A
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Kooi Else
Daniel Van Der Meer Aant Bouwe
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Philips Nv
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CH1208461A 1960-10-22 1961-10-19 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Siliciumkörper und mit mindestens einem pn-Übergang CH415855A (de)

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CH1208461A CH415855A (de) 1960-10-22 1961-10-19 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Siliciumkörper und mit mindestens einem pn-Übergang

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SE311403B (OSRAM) 1969-06-09
US3216871A (en) 1965-11-09
NL257150A (OSRAM) 1900-01-01
ES271352A1 (es) 1962-01-01
GB996295A (en) 1965-06-23
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