CH401916A - Verfahren zum Herstellen von Körpern aus Halbleitermaterial durch Aufziehen aus einer Schmelze und Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Körpern aus Halbleitermaterial durch Aufziehen aus einer Schmelze und Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens

Info

Publication number
CH401916A
CH401916A CH499760A CH499760A CH401916A CH 401916 A CH401916 A CH 401916A CH 499760 A CH499760 A CH 499760A CH 499760 A CH499760 A CH 499760A CH 401916 A CH401916 A CH 401916A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
melt
carrying
semiconductor material
producing bodies
bodies
Prior art date
Application number
CH499760A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Okkerse Boudewijn
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of CH401916A publication Critical patent/CH401916A/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • C30B15/305—Stirring of the melt

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
CH499760A 1959-05-05 1960-05-02 Verfahren zum Herstellen von Körpern aus Halbleitermaterial durch Aufziehen aus einer Schmelze und Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens CH401916A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL238923 1959-05-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH401916A true CH401916A (de) 1965-11-15

Family

ID=19751706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH499760A CH401916A (de) 1959-05-05 1960-05-02 Verfahren zum Herstellen von Körpern aus Halbleitermaterial durch Aufziehen aus einer Schmelze und Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens

Country Status (4)

Country Link
CH (1) CH401916A (fr)
DE (1) DE1136671B (fr)
GB (1) GB954200A (fr)
NL (1) NL238923A (fr)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL107897C (fr) * 1953-05-18
DE1032852B (de) * 1953-11-24 1958-06-26 Siemens Und Halske Ag Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von Halbleiterkristallen nach dem Kristallziehverfahren aus der Schmelze

Also Published As

Publication number Publication date
NL238923A (fr)
GB954200A (en) 1964-04-02
DE1136671B (de) 1962-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH407051A (de) Verfahren zum Aufziehen von Kristallen aus einer Schmelze und Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens
CH371585A (de) Verfahren zur Herstellung von Hohlkörpern aus thermoplastischem Material, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und nach dem Verfahren hergestellter Hohlkörper
CH440226A (de) Verfahren zum Ziehen von Kristallen aus der Schmelze
CH336593A (de) Verfahren und Vorrichtung zum Formen von Hohlkörpern aus thermoplastischem Material
CH416576A (de) Verfahren zum Herstellen von Körpern aus hochgereinigtem Halbleitermaterial
CH365545A (de) Verfahren zum Herstellen von Kristallen aus hochreinem Halbleitermaterial aus einer in einem Tiegel befindlichen Schmelze
CH380085A (de) Verfahren zum Ziehen von Halbleiterstäben aus der Schmelze sowie Tiegelvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
CH414865A (de) Verfahren zum Herstellen von gleichzeitig mehreren Halbleiterbauelementen
CH431032A (de) Verfahren zum Herstellen von Formkörpern aus Kunststoffolien und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
CH407361A (de) Verfahren zum Betrieb einer Funkenerosionsmaschine und Funkenerosionsmaschine zur Ausübung des Verfahrens
AT256457B (de) Verfahren zum Herstellen poröser Körper aus Kunststoffen
CH459175A (de) Verfahren zur Herstellung von Harnstoff und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
CH410862A (de) Verfahren zum Konzentrieren eines mehrkomponentigen, flüssigen Materials und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
CH414136A (de) Verfahren zum Zuführen von zu verarbeitenden Stoffen zum Formwerkzeug einer Formmaschine und Formmaschine zur Durchführung des Verfahrens
CH401916A (de) Verfahren zum Herstellen von Körpern aus Halbleitermaterial durch Aufziehen aus einer Schmelze und Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens
CH426739A (de) Verfahren zum Herstellen von stabförmigem, kristallinem Halbleitermaterial durch Ziehen aus einer im Tiegel befindlichen Schmelze
CH390554A (de) Verfahren zum Ziehen von dünnen, stabförmigen Halbleiterkristallen aus einer Halbleiterschmelze
CH461413A (de) Verfahren zum Herstellen von Drahtmatten durch Schweissen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
CH439056A (de) Verfahren zum Herstellen von Formstücken aus Faserzement und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
AT242109B (de) Verfahren zum Herstellen von Granulaten und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
CH386702A (de) Verfahren zum Ziehen von kristallinen Halbleiterstäben aus der Schmelze
CH402571A (de) Verfahren zum Formen von Hohlkörpern aus feinpulverigem Material
CH358541A (de) Verfahren zum Aufschmelzen von Polyamidschnitzeln und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
CH377989A (de) Verfahren zum Herstellen doppelscheibiger Glasgebilde und Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens
AT292295B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Tuben aus weichem thermoplastischem Kunststoff