CH398797A - Verfahren zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in Körpern aus einkristallinem Halbleitermaterial - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in Körpern aus einkristallinem Halbleitermaterial

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CH398797A
CH398797A CH440660A CH440660A CH398797A CH 398797 A CH398797 A CH 398797A CH 440660 A CH440660 A CH 440660A CH 440660 A CH440660 A CH 440660A CH 398797 A CH398797 A CH 398797A
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CH
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semiconductor material
doped region
monocrystalline semiconductor
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CH440660A
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German (de)
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Hubert Dr Patalong
Norbert Dr Schink
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Siemens Ag
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/02—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the solid state
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
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GB911235A (en) 1962-11-21

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