CH343037A - Infrarot-Bildwandler - Google Patents

Description

      Infrarot-Bildwandler       Es ist bekannt, dass mit Hilfe von     Infrarotbild-          wandlern    eine infrarote Strahlung in eine andere, zum  Beispiel sichtbare Lichtstrahlung, umgewandelt wer  den kann. Es sind verschiedene Typen derartiger     Bild-          wandler    bekannt. Ein gemeinsames Merkmal der  bisher angewandten Typen besteht darin, dass sie eine  Vakuumröhre und     eine    hohe Spannung benötigen.

    Bei den allgemein verbreiteten Einrichtungen wird  mit Hilfe einer infraroten Strahlung auf einer Photo  kathode das Bild     erzeugt.    Die aus der Photokathode  austretenden Elektronen werden sodann mit einer  hohen Spannung (1 bis 15     kV)    beschleunigt und  mittels elektrostatischer oder magnetischer Felder an  einem     fluoreszenten    Schirm abgebildet.  



  Der wesentliche Nachteil dieser Bildwandler be  steht darin, dass insbesondere bei Einrichtungen hoher  Leistung eine umfangreiche Vakuumröhre und eine  hohe Spannung benötigt werden.     Infrarotbildwandler     älterer Typen weisen den weiteren Nachteil auf, dass  die bisher üblichen Photokathoden im infraroten Teil  des Spektrums nur bis zu 1,1     Mikron    Wellenlängen  der Strahlung, also nur in beschränktem Masse emp  findlich waren.  



  Zweck der Erfindung ist, die obigen     Nachteile        mit     Hilfe einer grundlegend verschiedenen Einrichtung  zu beheben und dadurch einen     Infrarotbildwandler     herzustellen, der in seinem Aufbau wesentlich ein  facher ist und mit niedrigeren Spannungen betrieben  werden kann.  



  Der     Infrarotbildwandler    gemäss der     Erfindung    be  steht aus einer     photokonduktiven    Schicht, ferner     einer     elektrolumineszierenden Schicht, wobei die beiden  Schichten zwischen zwei Elektroden vorgesehen sind.  



  Die infrarote Strahlung trifft die     photokonduktive     Schicht, und das primäre Bild entsteht auf dieser.  Das sichtbare Bild wird sodann durch die elektro  lumineszierende Schicht erzeugt, die sich an die         photokonduktive    Schicht anschmiegt und mit dieser  elektrisch in Reihe geschaltet ist. Zufolge der Ein  wirkung der infraroten     Strahlung    verringert sich der  Widerstand der einzelnen     Bildelemente    der     photo-          konduktiven    Schicht, so dass die elektrolumineszie  rende Schicht eine höhere Spannung erhält und  leuchtet.  



  Die Erfindung wird anhand eines in der Zeich  nung dargestellten Ausführungsbeispiels des     Infrarot-          bildwandlers    des näheren erläutert.  



  In der Figur bedeuten 1 und 2 die beiden Elek  troden, welche zum Beispiel aus je einer auf einen  durchsichtigen isolierenden Körper aufgetragenen lei  tenden Schicht, zum Beispiel aus einer auf Glas auf  getragenen amorphen     Bleioxydschicht    bestehen. Man       kann    jedoch anstelle dieser Elektroden zum Beispiel  auch Metallnetze verwenden. Zwischen den beiden  Elektroden liegt die     photokonduktive    Schicht 3 und  die elektrolumineszierende Schicht 4. Die     photokon-          duktive    Schicht 3 besteht aus einem unter der Ein  wirkung infraroter Strahlung     photokonduktive    Eigen  schaften annehmenden Stoff.

   Solche Stoffe sind zum  Beispiel Bleisulfid oder     Bleiselenid    oder     Bleitellurid     oder zum Beispiel     Kadmiumselenid    oder     Tallium-          sulfid    oder Quecksilbersulfid und dergleichen, deren  Empfindlichkeitsmaxima im allgemeinen bei verschie  denen Wellenlängen liegen. Die einzelnen Stoffe wer  den jeweils entsprechend jener     Wellenlänge    des infra  roten Spektrums gewählt, für welche .der     Bildwandler     besonders     empfindlich        sein    soll. Wählt man zum Bei  spiel     Kadmiumselenid,    so erreicht man eine Empfind  lichkeit bis 11000 A.

   Mit andern Stoffen kann ein       Empfindlichkeitsmaximum    für     andere    infrarote Strah  lungen erreicht werden.  



  Als     Stoff    für die     elektrolumineszierende    Schicht 4  kann zum Beispiel ein an sich bekannter elektro  lumineszierender Stoff der     ZnS-Type    gewählt wer-      den. Die Stärke dieser Schicht beträgt etwa 20 bis  50     Mikron,    die Stärke der     photokonduktiven    Schicht  ist von einer ähnlichen Grössenordnung. Die     photo-          konduktive    Schicht kann auch eine Mosaikstruktur  aufweisen.  



  Die vom Gegenstand kommende, das     Bild    er  zeugende infrarote Strahlung erreicht den über die  Elektroden 1 und 2 auf entsprechende Spannung, zum  Beispiel 200 bis 500 Volt, geschalteten     Bildwandler     in der Richtung des     Pfeils    und     trifft    die im     infraroten     Teil des Spektrums     photokonduktive    Schicht 3. Zu  folge der Einwirkung der infraroten Strahlung ver  ringert sich der Widerstand .der einzelnen Bild  elemente der     photokonduktiven    Schicht, so dass die  elektrolumineszierende Schicht 4 eine dementspre  chend höhere Spannung enthält und das sichtbare  Bild erzeugt.

   Die Leuchtkraft des Bildes kann er  höht werden, wenn man den Bildwandler mit einem  an sich bekannten elektrolumineszierenden Licht  verstärker     kombiniert.     



  Die in der Zeichnung dargestellte Ausführungs  form stellt bloss     ein    Beispiel dar, neben welchem noch  zahlreiche andere Ausführungen möglich sind.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH Infrarotbildwandler, gekennzeichnet durch zwei zwischen zwei Elektroden angeordnete Schichten, von welchen die eine Schicht eine im infraroten Teil des Spektrums photokonduktive Schicht, die andere Schicht eine elektrolumineszierende Schicht ist. UNTERANSPRÜCHE 1. Bildwandler nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass die Elektroden aus auf einen durchsichtigen Isolierstoff aufgetragenen leitenden Schichten bestehen. z. Bildwandler nach Patentanspruch, gekenn zeichnet durch aus einem Metallnetz hergestellte Elektroden.

   3. Bildwandler nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die photokonduktive Schicht aus mindestens einem der nachstehend angeführten Stoffe besteht: Bleisulfid, Bleiselenid, Bleitellurid, Kadmium- selenid, Talliumsulfid, Quecksilbersulfid. 4. Bildwandler nach den Unteransprüchen 1 bis 3, gekennzeichnet durch eine elektrolumineszierende Schicht der ZnS-Type. 5. Bildwandler nach den Unteransprüchen 1 bis 4.

   dadurch gekennzeichnet, dass die Stärke jeder Schicht einzeln 20 bis 50 Mikron beträgt. 6. Bildwandler nach den Unteransprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die photokonduktive Schicht eine Mosaikstruktur aufweist. 7. Bildwandler nach den Unteransprüchen 1 bis 6, gekennzeichnet durch die Kombination mit einem elektrolumineszierenden Lichtverstärker.