CH188125A - Vorrichtung mit zwei durch ein Dielektrikum getrennten Leitern. - Google Patents

Vorrichtung mit zwei durch ein Dielektrikum getrennten Leitern.

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CH188125A
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Gloeilampenfabrieken N Philips
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Philips Nv
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  Vorrichtung mit zwei durch ein     Dielektrikum    getrennten Leitern.    Die Erfindung bezieht sich auf eine Vor  richtung mit zwei durch ein     Dielektrikum     getrennten Leitern, wie zum Beispiel Kon  densatoren, Kabel oder dergleichen, und be  zweckt, die     Durchschlagsspannung    des     Di-          elektrikums    zwischen den Leitern zu er  höhen.  



  Die Erfindung     beruht    auf der Erkennt  nis, dass der Durchschlag von der Anzahl der  bei einer     bestimmten,    zwischen den Elektro  den herrschenden Spannung pro Oberflächen  einheit eines Leiters durch den Isolierstoff  zu der     andern    Elektrode     übergehenden    Elek  tronen und von der Energie dieser Elektro  nen abhängig ist, und dass eine Erhöhung  der Durchschlagsspannung dadurch erreicht  werden kann, dass die Anzahl der austreten  den Elektronen möglichst herabgesetzt wird.  



  Die Vorrichtung gemäss der Erfindung  zeichnet sich dadurch aus, dass zwecks Er  höhung der Durchschlagsspannung zwischen  wenigstens einem der Leiter und dem     Di-          elektrikum    eine mit dem Leiter zusammen-    hängende dünne Schicht aus einem Material  angebracht ist, dessen spezifischer Wider  stand gross gegenüber dem der Leiter, aber  kleiner als 105     Q,PCml    ist.  



  Der halb- oder     schlechtleitende    Stoff       kann    an den Leiter geheftet werden, wird  aber vorzugsweise, wenigstens falls der Lei  ter aus Metall besteht, aus dem Leiter     selbst     durch chemische Umwandlung gebildet, zum  Beispiel durch Oxydation seiner Oberfläche.  Auch kann eine der Elektroden ganz aus  einem schlecht leitenden Stoff bestehen, und  ferner ist es möglich, zunächst die schlecht  leitende 'Schicht zu bilden und dann einen  guten Leiter zum Beispiel durch Spritzen  aufzubringen.  



  Es ist bekannt, bei Hochspannungskabeln       schlechtleitende    Schichten zwischen dem Lei  ter     bezw.    Bleimantel und dem     Dielektrikum     anzubringen. Dies erfolgt aber zu einem an  dern Zweck. Bei Erwärmung der Kabel und  darauffolgender     Abkühlung    können sich  nämlich an der Oberfläche des Leiters Räume      bilden, in denen infolge der grösseren Feld  stärke leicht Ionisation und Durchschlag ein  tritt. Zur Beseitigung dieses Übelstandes ist  vorgeschlagen worden, die an die Leiter  grenzenden Schichten des     Dielektrikums     einigermassen leitend zu machen.  



  Auch hat man bereits vorgeschlagen, bei  Hochspannungskabeln für Röntgenzwecke die  sinngemäss .dünne Metallader dadurch zu ver  dicken, dass eine einigermassen leitende  Schicht vorgesehen wird, um auf diese Weise  das elektrische Feld an der Oberfläche des  Leiters abzuschwächen.  



  Weiter ist vorgeschlagen worden, bei  Kondensatoren mit so dünnem     Papierdielek-          trikum,    dass kleine leitende     Partikelchen,    die  immer in     Papierisolation    vorhanden sind,  einen Kurzschluss zwischen den Belägen bil  den würden, die Beläge mit halbleitenden  Schichten zu bedecken zwecks Begrenzung  des     Kurzschlussstromes.     



  Im Gegensatz zum Bekannten wird bei  der Vorrichtung nach der Erfindung eine  halb- oder     schlechtleitende    Schicht vorge  sehen, um den Austritt von Elektronen aus  den Belägen hintanzuhalten. Es ist     dabei          Bedingung,    dass der Leiter über die ganze,  dem     Dielektrikum    zugekehrte Oberfläche  bedeckt ist und dass die Schicht innig mit  dem Leiter zusammenhängt.  



  Die Erklärung der Tatsache, dass auf  diese Weise die Durchschlagsspannung er  höht wird, ist folgende:  Es hat sich     gezeigt,    dass bereits bei ver  hältnismässig niedrigen Spannungen ein Strom  zwischen den Elektroden fliesst. Dieser  nimmt bei wachsender     Spannung    stark zu.  Der     .Strom    pro cm=     Elektrodenoberfläche    ist  durch die Formel:  
EMI0002.0015     
    gegeben, in der F die Feldstärke darstellt,  die bei flachen parallelen Elektroden an  nähernd gleich
EMI0002.0016  
   ist. (V = Spannung, d       Elektrodenabstand;   <I>A</I> und<I>B</I> sind Kon  stanten.)    Die austretenden Elektronen werden  durch das Feld beschleunigt.

   Bei einer be  stimmten Spannung erhalten die Elektronen  eine solche Geschwindigkeit, dass Atome des       Dielektrikums    ionisiert werden; die auf diese  Weise ausgelösten Elektronen können nach  dem Durchlaufen einer bestimmten Span  nung wieder andere Atome ionisieren usw.,  bis Durchschlag eintritt.  



  Um Durchschlag hintanzuhalten, muss  das     Elektrödenmaterial        derart    gewählt wer  den, dass wenig Elektronen austreten. Ausser  dem muss die Energie, mit der die Elektronen  austreten, möglichst gering sein, da auch  diese Energie zur Ionisation beiträgt.  



  Aus der Formel geht hervor, dass eine ge  ringe Anzahl von Elektroden austritt, wenn  die Konstante A klein und die Konstante B  gross ist. Diese Konstanten sind von dem       Elektrodenmaterial    abhängig. A ist von der  Anzahl von freien Elektronen pro cm" der  Elektrode und von der Arbeit abhängig, die  zum Einbringen eines Elektrons aus dem  Metall in das     Dielektrikum    aufgewendet  werden muss.     .B    ist nur eine Funktion der  letztgenannten Arbeit. Bei Metallen ist A  gross. Der Bedingung, dass A klein und B  gross ist, entsprechen     schlechtleitende    Stoffe,  da diese nur wenig freie Elektronen pro cm'  enthalten.

   Gemäss der Erfindung wird somit  wenigstens eine der Elektroden mit einer  Schicht aus einem     schlechtleitenden    Stoff,  vorzugsweise einem Halbleiter, überzogen.  



  Wenn es sich um einen Gleichstromkon  densator handelt, so genügt es, die negative  Elektrode mit einer solchen Schicht zu be  decken; bei Wechselstrom müssen die beiden  Elektroden überzogen werden.  



  Versuche haben erwiesen, dass in dieser  Weise die Durchschlagsspannung erheblich  erhöht werden kann.  



  Als halbleitende Schicht kann eine Me  tallverbindung wie zum Beispiel     C%0,        Cu0,          Cu=S,        CuJ,        Mn0=    oder dergleichen gewählt  werden. Die Schicht kann dabei durch Oxy  dation aus den Elektroden selbst gebildet  werden. .      Auch können als Schicht Isolatoren     ver-           #endet    werden, in denen leitende Teilchen,  zum Beispiel Metallteilchen, vorhanden sind.  



  Es hat sieh     gzeigt,    dass die     schlecht-          bezw.    halbleitende Bedeckung sehr dünn sein  darf.  



  Die Erfindung ist überall dort anwend  bar, wo zwei Metalle durch ein     Dielektrikum     getrennt sind     und    eine hohe Durchschlags  spannung gewünscht wird.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Vorrichtung mit zwei durch ein Dielek- trikum getrennten Leitern, dadurch gekenn zeichnet, dass zwecks Erhöhung der Durch schlagsspannung zwischen wenigstens einem der Leiter und dem Dielektrikum eine mit dem Leiter zusammenhängende dünne Schicht aus einem Material angebracht ist, dessen spezifischer Widerstand gross gegenüber dem der Leiter-, aber kleiner als 105 Wem' ist. UNTERANSPRÜCHE: 1. Vorrichtung nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass zwischen bei den Leitern und dem Dielektrikum je eine Schicht aus schlecht leitendem Material angebracht ist.
    \_?. Vorrichtung nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass die schlecht leitende Schicht aus dem Leiter selbst durch chemische Umwandlung desselben gebildet ist. 3. Vorrichtung nach Unteranspruch 2, da durch gekennzeichnet, dass die schlecht leitende Schicht ein Oxydationsprodukt aus dem Leiter selbst ist.
CH188125D 1934-05-25 1935-05-14 Vorrichtung mit zwei durch ein Dielektrikum getrennten Leitern. CH188125A (de)

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