CA2063899A1 - Procede pour traiter par exemple la surface d'un substrat par projection d'un flux de plasma, et dispositif pour la mise en oeuvre du procede - Google Patents
Procede pour traiter par exemple la surface d'un substrat par projection d'un flux de plasma, et dispositif pour la mise en oeuvre du procedeInfo
- Publication number
- CA2063899A1 CA2063899A1 CA002063899A CA2063899A CA2063899A1 CA 2063899 A1 CA2063899 A1 CA 2063899A1 CA 002063899 A CA002063899 A CA 002063899A CA 2063899 A CA2063899 A CA 2063899A CA 2063899 A1 CA2063899 A1 CA 2063899A1
- Authority
- CA
- Canada
- Prior art keywords
- chamber
- electric arc
- ejection nozzle
- plasma
- outlet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
- B05B7/16—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed
- B05B7/22—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed electrically, magnetically or electromagnetically, e.g. by arc
- B05B7/222—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed electrically, magnetically or electromagnetically, e.g. by arc using an arc
- B05B7/226—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed electrically, magnetically or electromagnetically, e.g. by arc using an arc the material being originally a particulate material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
L'Invention concerne un procédé et un dispositif pour traiter la surface d'un substrat en y déposant par exemple un revêtement par projection d'un flux de plasma, du type consistant à créer un arc électrique dans une chambre entre une cathode et une anode, à introduire un gaz inerte dans la chambre afin qu'il soit ionisé au passage au travers de l'arc électrique pour former un plasma à haute température, et à éjecter à l'extérieur de la chambre le plasma au travers d'une buse d'éjection dont l'orifice de sortie est en forme de fente afin de projeter des particules d'un matériau constitutif du revêtement qui passent à l'état fondu au contact du plasma, sur le substrat et former sur celui-ci un revêtement. L'arc électrique créé entre l'anode et la cathode s'étend suivant un axe sensiblement parallèle à l'axe de la fente de sortie de la buse d'éjection, le gaz inerte est introduit dans la chambre suivant plusieurs directions radiales par rapport à l'axe de l'arc électrique et le matériau à projeter est véhiculé par un gaz porteur dans des conduits qui débouchent par exemple à l'intérieur de la buse d'éjection.
Description
2~3~9~
La présente Invention concerne un procédé pour traiter par exemple la surface d'un substrat par projec-tion d~un flux de plasma, du type consistant à créer un arc électrique dans une chambre entre une cathode et une anode, à introduire un gaz inerte dans la chambre afin qu~il soit ionisé à son passage au travers de l'arc élec-trique pour former un plasma à haute température, et à
éjecter à 1~extérleur de la chambre le plasma au travers d~une buse d~éjection dont llorifice de sortie est en forme de fente.
Dans le cas où le traitement de surface - consiste à déposer un revêtement sur un substrat, le ma-; tériau constitutif de ce revêtement est généralement sous ~orme pulvérulente, e~ les particules du matériau sont mélangées au ~I.ux de plasma pour passer à l'état fondu avant d'être projecées sur le substrat.
Parml les techniques de pulvérisation utili-sées pour former le dépôt d'un revêtement sur un sub-strat, la technique précitée par projection au plasma offre certains avantages, notamment celui de pouvoir at-teindre de hautes températures (de l'ordre de 5 000 à
15 000 C) et d~obtenir des densités d'énergie spéci-fiques qui permettent de faire fondre tout matériau qui a une phase de ~usion stable. Il est ainsi possible d'appliquer notamment cette technique aux céramiques qui ont des points de fusion élevés.
Toutefois, les dispositifs de projection au plasma actuellement utilisés ont des possibilités limi-tées du fait des contraintes inhérentes au principe de leur fonctionnement, qui ne permettent d~obtenir que cer-taines formes de projection, essentiellement coniques, entre la sortie de la buse et le substrat à revêtir.
Il en résulte que la surface projetée sur le substrat ne peut pas avoir une forme polygonale, en par-ticulier rectangulaire. En outre, pour certaines applica-tions et dans le but de limiter le nombre de passes né-~3~
cessaires au dépôt d'un revêtement d'une épaisseur déter-minée, il serait souhaitable de pouvoir élargir la couche déposée à chaque passe.
On a donc cherché à pallier ces limitations pour essayer d~obtenir dlautres formes de projection avec, si possible, augmentation de la largeur de la couche déposée après chaque passe.
Or, dans un article intitulé "BUSE DE PROJEC-TION AU PLASMA AVEC ORIFICE DE SORTIE EN FORME DE FENTE"
paru en 1979 dans la revue anglaise "WELDING PRODUCTION", ~ol. 26, N- 12, pages 32-37, une étude tend à montrer ~u~une augmentation du diamètre de l'orifice de sortie de '~ buse d'éjection n~entraîne en réalité qu'une très lé-gère augmentation de la largeur de la couche déposée, à
condition toutefois ~e prévoir au moins deux entrées dia-métralement opposées ~'injection du matériau pulvérulent dans la buse. En outre, l'augmentation du diamètre de l~orifice de sortie de la buse est de toute manière limi-~ée, car elle entraîne un abaissement de la température du jet de plasma qu1 peut être nuisible au passage à
l~état ~ondu des particules du matériau injectées dans le plasma. En conclusion, cet article propose un compromis qu1 consiste à donner une forme de fente à l'orifice de sorrie de la buse d'éjection et à prévoir deux entrées diamétralement opposées d~injection du matériau pulvéru-lent à l'intérieur de la buse.
Néanmoins, selon la Demanderesse, une telle solution n'est pas sans présenter des inconvénients. En effet, le passage d~une forme cylindrique à une forme tronconique entre la sortie de la chambre et l'entrée de la buse d'éjection, entraîne des modifications dans la vitesse d'écoulement du plasma qui ne permettent pas d'obtenir le dépôt dlune couche ayant en tout point des caractéristiques uniformes. Concrètement, la Demanderesse considère que ces inconvénients sont inhérents au fait que le gaz inerte introduit dans la chambre s'écoule :
.,..: :
. .
2~3~g coaxialement à l~arc électrique créé entre la cathode et l'anode.
D'une manière générale, .LIInvention a notam-ment pour but de perfectionner un tel procédé de projec-tion au plasma afi.n de pallier les inconvénients précitéstout en procurant d'autres avantages.
A cet effet, l~Invention propose un procédé du type précité qui se caractérise en ce qu'il consiste à
créer un arc électrique entre l'anode et la cathode sui-vant un axe sensiblement parallèle à l'axe de la fente desortie de la buse d'éjection.
Selon une autre caractéristique du procédé
sulvant l~Invention, le gaz inerte est introduit dans la ~~am~re sulvant plusieurs directions radiales par rapport 15 à 1 axe de l~arc électrique.
Selon encore une autre caractéristique du pro-cédé suivant l~Invention dans le cas du dépôt d'un revê-tement sur un substrat, le matériau constitutif du re-vêtement à déposer sur le substrat est véhicul~ par un gaz porteur, et il est, soit injecté à llintérieur de la buse d~éjection, soit éjecté à la sortie de la buse sui-vant une direction sensiblement parallèle à la direction du flux de plasma en sortie de la buse d'éjection.
L~Invention concerne également un dispositif de mise en oeuvre du procédé conforme à l'Invention du type comprenant au moins une chambre avec une cathode et une anode, des moyens pour créer un arc électrique à
1~intérieur de la chambre entre la cathode et l'a-node, au moins un conduit d'arrivée d'un gaz inerte ionisable par l'arc électrique pour former un plasma à haute tempéra-ture, une buse d'éjection avec un orifice de sortie en forme de fente et un orifice d~entrée qui communique avec la chambre, dispositif caractérisé en ce que la chambre est de forme allongée avec deux surfaces d'extrémité par lesquelles font respectivement saillie la cathode et l'anode axialement alignées l~une a~ec l'autre pour créer -: ; :: . -:, ~.~638~9 un arc électrique suivant un axe sensiblement parallèle à
l'axe de la fente de sortie de la buse dléjection.
Selon une autre caractér:istique du dispositif de mise en oeuvre du procédé suivcmt l'Invention, plu-sieurs conduits d'arrivée de gaz inerte débouchent àl'intérieur de la chambre suivant plusieurs directions radiales par rapport à l'axe de l'arc électri~ue créé
entre la cathode et l'anode, ces conduits débouchant dans la chambre par des orifices qui sont répartis sur plu-sieurs rangées alignées suivant l~axe de l'arc élec-trique.
Selon une autre caractéristique du dispositif, la chambre slétend parallèlement à la fente de sortie de la buse d'éjection et sensiblement sur toute la longueur de celle-ci, la buse comportant un orifice d'entrée éga-lement en forme de fente qui communique avec la chambre sur toute la longueur de celle-ci.
Selon encore une autre caractéristique du dis-positif appliqué au dépôt dlun revêtement sur un substrat par exemple, au moins un conduit d'arrivée du matériau sous forme pulvérulente débouche soit à l'intérieur de la buse d'éjection, soit à l'extérieur de celle-ci suivant une direction sensiblement parallèle à la direction du flux de plasma en sortie de la buse d~éjection.
Ainsi, avec un tel procédé perfectionné de projection au plasma, il est notamment possible de dépo-ser des bandes de revêtement plus larges que celles obte-nues auparavant, avec des qualités de dépôt-uni~ormes en tout point de la surface de chaque bande déposée.
Les rev8tements ainsi réalisés assurent le plus souvent une fonction de protection du substrat contre l'environnement ambiant. A l~heure actuelle, bon nombre d'applications dans la plupart des domaines de l'industrie (aérospatiale, automobile, électronique,...) nécessitent la fabrication de matériels et/ou composants qui doivent fonctionner dans un environnement protégé.
: ~
: . .
2~3899 Or, les perfectionnements apportés par l'Invention sont de nature à améliorer en particulier cette fonction de protection, notamment grâce à la possi-bilité qui est offerte d~appliquer cette ~echnique de pulvérisation à des matériaux à point de fusion élevé. En outre, selon l'Invention, il est possible d'obtenir des formes de projection qui ne sont pas des surfaces de ré-volution, tout en conférant au revêtement des propriétés uniformes en tout point de sa surface et correspondant au~ paramètres caractéristiques suivants donnés à titre d'exemple : la microstructure, l~épaisseur, la dureté, la ténacité, la résistance d~adhésion, la porosité, la ré-sistance à 1~usure la rigidité diélectrique, l'isolation thermique, la résistance à la corrosion, à l'abrasion,...
lS Des revêtements avec au moins certaines de ces caracté-ristiques satisfaites de manière précise et uniforme, sont de plus en plus demandés, notamment dans l'industrie aérospatiale, et de manière plus générale dans la plupart des domaines de l'industrie, le mot industrie étant pris dans son sens le plus large.
La techni~ue de pulvérisation telle que per-fectionnée par l'Invention n'est pas limitée au dépôt d~un revêtement sur un substrat, mais elle peut être éga-lement utilisée pour modifier les propriétés de surface de divers matériaux, comme par exemple pour enlever une couche d~oxyde à la surface d~un matériau par un traite-ment à chaud de cette surface. En particulier, il est possible de remplacer le fréon utilisé comme-moyen de dé-contamination de surfaces, sachant que le fréon est un agent destructeur de la couche d~ozone. Enfin, il est possible d~utiliser le dispositif de mise en oeuvre du procédé comme source de chaleur dans des appareils de soudage ou dans des souffleries à plasma par exemple.
Relativement a~ dessins qui illustrent la réalisation de ;: l'invention:
:- ' : : ,.,, ~ . :' : . . , :':
. "
2~3~9 - la figure 1 est une vue en coupe schématique d'un dis positif de pulvérisation fonctionnant suivant un pro-cédé classique de projection au plasma pour déposer unrevêtement sur un substrat, - la figure 2 est une v~e en perspective schématique d'un dispositif de mise en oeuvre du procédé conforme à
l~Invention également appliqué au dépôt d)un revêtement sur un substrat, ::
- la figure 3 est une vue de principe schématique mon ~rant, de façon explicite, les différentes directions i'introduction du gaz inerte ionisahle dans la chambre -u dispositif représenté à la figure 2, - S - -~ la igure 4 est une vue en perspective schématique ~'une variante du dispositif de mise en oeuvre du pro-`
_edé illustré aux figures 2 et 3.
Le dispositif tel que schématiquement repré-sen~é à la ~igure 1 permet de mettre en oeuvre un procédé
àe pulvérisation classique de dépôt d~un revêtement sur un substrat par projection au plasma.
Une anode l en cuivre par exemple de forme an-nuiaire délimite une chambre 2 dont les deux surfaces d~ex~rémité forment respectivement l'entrée et la sortie de la chambre. L~entrée de la chambre 2 est évasée vers l~xtérieur, et sa sortie se prolonge par une buse d'éjection 3 avec un orifice de sortie 4 de section cir-culaire. - -Une cathode 5 sous La forme d'un bâton généra-le~ent en tungstène thorié est axialement alignée avec1~anode 1, avec une extrémité libre qui péne~tre dans la partie évasée formant l'entrée de la chambre 2.
Un conduit 10 débouche au voisinage de la ca-thode S pour introduire suivant l'axe de la chambre 2 un gaz inerte ionisable, tel que l'Argon par exemple.
Un conduit 12 débouche radialement dans la -, 2~389~
buse dléjection 3 pour injecter à l'intérieur de celle ci un matériau sous forme pulvérulente véhiculé par un gaz porteur.
Le dispositif est complété par une source de courant continu 14 reliée aux électrodes 1 et 5, des moyens de refroidissement (non représentés) de l'anode 1, et des moyens complémentaires pour satisfaire et optimi-ser les conditions de fonctionnement néce~saires à la mise en oeuvre d~un tel procédé de pulvérisation, comme par exemple la présence d~un champ magnétique pour posi-tionner, stabiliser et resserrer le jet de plasma à
l~intérieur de la chambre 2, ce champ magnétique étant par exemple obtenu au moyen d'une bobine 15 montée autour de l'anode l.
Selon le procédé mis en oeuvre par un tel dis-positif, on créé un arc électri~ue entre la cathode 5 et l'anode 1, on lntroduit le gaz inerte coaxialement à
l'arc électrique et son passage à travers celui-ci en-traîne son ionisation créant ainsi un plasma à haute tem-pérature à 1~intérieur de la chambre 2. Ce plasma s'écoule à l'intérieur de là chambre 2 et est accéléré au travers de la buse d~éjection 3. Les particules du maté-riau pulvérulent amenées par le conduit 12 sont injectées dans le jet de plasma s'écoulant à l'intérieur de la buse
La présente Invention concerne un procédé pour traiter par exemple la surface d'un substrat par projec-tion d~un flux de plasma, du type consistant à créer un arc électrique dans une chambre entre une cathode et une anode, à introduire un gaz inerte dans la chambre afin qu~il soit ionisé à son passage au travers de l'arc élec-trique pour former un plasma à haute température, et à
éjecter à 1~extérleur de la chambre le plasma au travers d~une buse d~éjection dont llorifice de sortie est en forme de fente.
Dans le cas où le traitement de surface - consiste à déposer un revêtement sur un substrat, le ma-; tériau constitutif de ce revêtement est généralement sous ~orme pulvérulente, e~ les particules du matériau sont mélangées au ~I.ux de plasma pour passer à l'état fondu avant d'être projecées sur le substrat.
Parml les techniques de pulvérisation utili-sées pour former le dépôt d'un revêtement sur un sub-strat, la technique précitée par projection au plasma offre certains avantages, notamment celui de pouvoir at-teindre de hautes températures (de l'ordre de 5 000 à
15 000 C) et d~obtenir des densités d'énergie spéci-fiques qui permettent de faire fondre tout matériau qui a une phase de ~usion stable. Il est ainsi possible d'appliquer notamment cette technique aux céramiques qui ont des points de fusion élevés.
Toutefois, les dispositifs de projection au plasma actuellement utilisés ont des possibilités limi-tées du fait des contraintes inhérentes au principe de leur fonctionnement, qui ne permettent d~obtenir que cer-taines formes de projection, essentiellement coniques, entre la sortie de la buse et le substrat à revêtir.
Il en résulte que la surface projetée sur le substrat ne peut pas avoir une forme polygonale, en par-ticulier rectangulaire. En outre, pour certaines applica-tions et dans le but de limiter le nombre de passes né-~3~
cessaires au dépôt d'un revêtement d'une épaisseur déter-minée, il serait souhaitable de pouvoir élargir la couche déposée à chaque passe.
On a donc cherché à pallier ces limitations pour essayer d~obtenir dlautres formes de projection avec, si possible, augmentation de la largeur de la couche déposée après chaque passe.
Or, dans un article intitulé "BUSE DE PROJEC-TION AU PLASMA AVEC ORIFICE DE SORTIE EN FORME DE FENTE"
paru en 1979 dans la revue anglaise "WELDING PRODUCTION", ~ol. 26, N- 12, pages 32-37, une étude tend à montrer ~u~une augmentation du diamètre de l'orifice de sortie de '~ buse d'éjection n~entraîne en réalité qu'une très lé-gère augmentation de la largeur de la couche déposée, à
condition toutefois ~e prévoir au moins deux entrées dia-métralement opposées ~'injection du matériau pulvérulent dans la buse. En outre, l'augmentation du diamètre de l~orifice de sortie de la buse est de toute manière limi-~ée, car elle entraîne un abaissement de la température du jet de plasma qu1 peut être nuisible au passage à
l~état ~ondu des particules du matériau injectées dans le plasma. En conclusion, cet article propose un compromis qu1 consiste à donner une forme de fente à l'orifice de sorrie de la buse d'éjection et à prévoir deux entrées diamétralement opposées d~injection du matériau pulvéru-lent à l'intérieur de la buse.
Néanmoins, selon la Demanderesse, une telle solution n'est pas sans présenter des inconvénients. En effet, le passage d~une forme cylindrique à une forme tronconique entre la sortie de la chambre et l'entrée de la buse d'éjection, entraîne des modifications dans la vitesse d'écoulement du plasma qui ne permettent pas d'obtenir le dépôt dlune couche ayant en tout point des caractéristiques uniformes. Concrètement, la Demanderesse considère que ces inconvénients sont inhérents au fait que le gaz inerte introduit dans la chambre s'écoule :
.,..: :
. .
2~3~g coaxialement à l~arc électrique créé entre la cathode et l'anode.
D'une manière générale, .LIInvention a notam-ment pour but de perfectionner un tel procédé de projec-tion au plasma afi.n de pallier les inconvénients précitéstout en procurant d'autres avantages.
A cet effet, l~Invention propose un procédé du type précité qui se caractérise en ce qu'il consiste à
créer un arc électrique entre l'anode et la cathode sui-vant un axe sensiblement parallèle à l'axe de la fente desortie de la buse d'éjection.
Selon une autre caractéristique du procédé
sulvant l~Invention, le gaz inerte est introduit dans la ~~am~re sulvant plusieurs directions radiales par rapport 15 à 1 axe de l~arc électrique.
Selon encore une autre caractéristique du pro-cédé suivant l~Invention dans le cas du dépôt d'un revê-tement sur un substrat, le matériau constitutif du re-vêtement à déposer sur le substrat est véhicul~ par un gaz porteur, et il est, soit injecté à llintérieur de la buse d~éjection, soit éjecté à la sortie de la buse sui-vant une direction sensiblement parallèle à la direction du flux de plasma en sortie de la buse d'éjection.
L~Invention concerne également un dispositif de mise en oeuvre du procédé conforme à l'Invention du type comprenant au moins une chambre avec une cathode et une anode, des moyens pour créer un arc électrique à
1~intérieur de la chambre entre la cathode et l'a-node, au moins un conduit d'arrivée d'un gaz inerte ionisable par l'arc électrique pour former un plasma à haute tempéra-ture, une buse d'éjection avec un orifice de sortie en forme de fente et un orifice d~entrée qui communique avec la chambre, dispositif caractérisé en ce que la chambre est de forme allongée avec deux surfaces d'extrémité par lesquelles font respectivement saillie la cathode et l'anode axialement alignées l~une a~ec l'autre pour créer -: ; :: . -:, ~.~638~9 un arc électrique suivant un axe sensiblement parallèle à
l'axe de la fente de sortie de la buse dléjection.
Selon une autre caractér:istique du dispositif de mise en oeuvre du procédé suivcmt l'Invention, plu-sieurs conduits d'arrivée de gaz inerte débouchent àl'intérieur de la chambre suivant plusieurs directions radiales par rapport à l'axe de l'arc électri~ue créé
entre la cathode et l'anode, ces conduits débouchant dans la chambre par des orifices qui sont répartis sur plu-sieurs rangées alignées suivant l~axe de l'arc élec-trique.
Selon une autre caractéristique du dispositif, la chambre slétend parallèlement à la fente de sortie de la buse d'éjection et sensiblement sur toute la longueur de celle-ci, la buse comportant un orifice d'entrée éga-lement en forme de fente qui communique avec la chambre sur toute la longueur de celle-ci.
Selon encore une autre caractéristique du dis-positif appliqué au dépôt dlun revêtement sur un substrat par exemple, au moins un conduit d'arrivée du matériau sous forme pulvérulente débouche soit à l'intérieur de la buse d'éjection, soit à l'extérieur de celle-ci suivant une direction sensiblement parallèle à la direction du flux de plasma en sortie de la buse d~éjection.
Ainsi, avec un tel procédé perfectionné de projection au plasma, il est notamment possible de dépo-ser des bandes de revêtement plus larges que celles obte-nues auparavant, avec des qualités de dépôt-uni~ormes en tout point de la surface de chaque bande déposée.
Les rev8tements ainsi réalisés assurent le plus souvent une fonction de protection du substrat contre l'environnement ambiant. A l~heure actuelle, bon nombre d'applications dans la plupart des domaines de l'industrie (aérospatiale, automobile, électronique,...) nécessitent la fabrication de matériels et/ou composants qui doivent fonctionner dans un environnement protégé.
: ~
: . .
2~3899 Or, les perfectionnements apportés par l'Invention sont de nature à améliorer en particulier cette fonction de protection, notamment grâce à la possi-bilité qui est offerte d~appliquer cette ~echnique de pulvérisation à des matériaux à point de fusion élevé. En outre, selon l'Invention, il est possible d'obtenir des formes de projection qui ne sont pas des surfaces de ré-volution, tout en conférant au revêtement des propriétés uniformes en tout point de sa surface et correspondant au~ paramètres caractéristiques suivants donnés à titre d'exemple : la microstructure, l~épaisseur, la dureté, la ténacité, la résistance d~adhésion, la porosité, la ré-sistance à 1~usure la rigidité diélectrique, l'isolation thermique, la résistance à la corrosion, à l'abrasion,...
lS Des revêtements avec au moins certaines de ces caracté-ristiques satisfaites de manière précise et uniforme, sont de plus en plus demandés, notamment dans l'industrie aérospatiale, et de manière plus générale dans la plupart des domaines de l'industrie, le mot industrie étant pris dans son sens le plus large.
La techni~ue de pulvérisation telle que per-fectionnée par l'Invention n'est pas limitée au dépôt d~un revêtement sur un substrat, mais elle peut être éga-lement utilisée pour modifier les propriétés de surface de divers matériaux, comme par exemple pour enlever une couche d~oxyde à la surface d~un matériau par un traite-ment à chaud de cette surface. En particulier, il est possible de remplacer le fréon utilisé comme-moyen de dé-contamination de surfaces, sachant que le fréon est un agent destructeur de la couche d~ozone. Enfin, il est possible d~utiliser le dispositif de mise en oeuvre du procédé comme source de chaleur dans des appareils de soudage ou dans des souffleries à plasma par exemple.
Relativement a~ dessins qui illustrent la réalisation de ;: l'invention:
:- ' : : ,.,, ~ . :' : . . , :':
. "
2~3~9 - la figure 1 est une vue en coupe schématique d'un dis positif de pulvérisation fonctionnant suivant un pro-cédé classique de projection au plasma pour déposer unrevêtement sur un substrat, - la figure 2 est une v~e en perspective schématique d'un dispositif de mise en oeuvre du procédé conforme à
l~Invention également appliqué au dépôt d)un revêtement sur un substrat, ::
- la figure 3 est une vue de principe schématique mon ~rant, de façon explicite, les différentes directions i'introduction du gaz inerte ionisahle dans la chambre -u dispositif représenté à la figure 2, - S - -~ la igure 4 est une vue en perspective schématique ~'une variante du dispositif de mise en oeuvre du pro-`
_edé illustré aux figures 2 et 3.
Le dispositif tel que schématiquement repré-sen~é à la ~igure 1 permet de mettre en oeuvre un procédé
àe pulvérisation classique de dépôt d~un revêtement sur un substrat par projection au plasma.
Une anode l en cuivre par exemple de forme an-nuiaire délimite une chambre 2 dont les deux surfaces d~ex~rémité forment respectivement l'entrée et la sortie de la chambre. L~entrée de la chambre 2 est évasée vers l~xtérieur, et sa sortie se prolonge par une buse d'éjection 3 avec un orifice de sortie 4 de section cir-culaire. - -Une cathode 5 sous La forme d'un bâton généra-le~ent en tungstène thorié est axialement alignée avec1~anode 1, avec une extrémité libre qui péne~tre dans la partie évasée formant l'entrée de la chambre 2.
Un conduit 10 débouche au voisinage de la ca-thode S pour introduire suivant l'axe de la chambre 2 un gaz inerte ionisable, tel que l'Argon par exemple.
Un conduit 12 débouche radialement dans la -, 2~389~
buse dléjection 3 pour injecter à l'intérieur de celle ci un matériau sous forme pulvérulente véhiculé par un gaz porteur.
Le dispositif est complété par une source de courant continu 14 reliée aux électrodes 1 et 5, des moyens de refroidissement (non représentés) de l'anode 1, et des moyens complémentaires pour satisfaire et optimi-ser les conditions de fonctionnement néce~saires à la mise en oeuvre d~un tel procédé de pulvérisation, comme par exemple la présence d~un champ magnétique pour posi-tionner, stabiliser et resserrer le jet de plasma à
l~intérieur de la chambre 2, ce champ magnétique étant par exemple obtenu au moyen d'une bobine 15 montée autour de l'anode l.
Selon le procédé mis en oeuvre par un tel dis-positif, on créé un arc électri~ue entre la cathode 5 et l'anode 1, on lntroduit le gaz inerte coaxialement à
l'arc électrique et son passage à travers celui-ci en-traîne son ionisation créant ainsi un plasma à haute tem-pérature à 1~intérieur de la chambre 2. Ce plasma s'écoule à l'intérieur de là chambre 2 et est accéléré au travers de la buse d~éjection 3. Les particules du maté-riau pulvérulent amenées par le conduit 12 sont injectées dans le jet de plasma s'écoulant à l'intérieur de la buse
3, et elles fondent sous l'action de la haute température du jet de plasma. Les particules ainsi fondues sont éjec-tées par l'orifice de sortie de la buse et proietées sur le substrat 17 pour former une couche de revê-tement 18.
Les perfectionnements apportés selon ~;30 l'Invention sont schématiquement illustrés aux figures 2 et 3.
:La chambre 2 et la buse d~éjection 3 ne sont plus coaxialement alignées comme précédemment, et l'orifice de sortie 4 de la buse est en forme de fente.
Plus précisément, la chambre 2 s~tend parallèlement à la fente de sortie 4 de la buse d'éjection 3 et sur une lon-:;
:
2~3899 gueur sensiblement égale à celle de la fente. La bused'éjection 3 est divergente et présente en section trans-versale une forme en tronc de cône, avec une fente d'entrée 6 qui débouche dans la chambre 2 sur toute la longueur de celle-ci.
La chambre présente deux surfaces d'extrémité
ou parois 2a et 2b respectivement eraversées par l'anode 1 et la cathode 5. Ces deux électrodes 1 et 5 sont cha-cune en forme de bâton, et elles sont axialement alignées l'une avec l'autre. D'une manière similaire au dispositif représenté à la figure 1, les électrodes l et 5 sont re-liées à une source de courant continu, la chambre 2 est entourée par une bobine 15 et des moyens de refroidisse-ment (non représentés) entourent la chambre 2.
Le gaz inerte est introduit dans la chambre 2 par un ensemble d~orifices 20 répartis autour et le long de la chambre. Plus précisément, dans llexemple considéré
ici, il est prévu au moins trois rangées 20a, 20b et 20c d'orifices 20. Les rangées 20a et 20b sont diamétralement opposées et situées respectivement de part et d'autre de la fente d~entrée 6 de la buse d~éjection 3, alors que la rangée 20c est diamétralement opposée à cette fente d'entrée.
Ainsi, d~une manière imagée, les directions d~introduction Fl du gaz inerte dans la chambre 2 et la direction F2 de sortie du plasma forment globalement une croix grecque à quatre branches (figure 3).
Chaque orifice 20 d'une même rangée 2pa, 20b et 20c est relié par un conduit de liaison 21 à un conduit intermédiaire 22 qui communique avec un conduit principal 23 relié à une source d~alimentation (non re-présentée) en gaz inerte.
Selon le dispositif conforme à l~Invention, il peut être avantageusement prévu l'utilisation d'électrodes tubulair~s 1 et 5, de manière à introduire également le gaz inerte au travers de ces électrodes.
::
, . . : .
.
: ~ :
29~3~9l~
Enfin, dans le cas d'un dépôt d'un revêtement sur un substrat, le dispositif est complété par plusieurs conduits 12 qui débouchent dans la buse d'éjection 3 pour y injecter le matériau pulvérulent. Ces conduits 12 sont par exemple alignés suivant deux rangées opposées 12a et 12b qui s'étendent parallèlement à la fente de sortie 4 de la buse d'éjectlon 4 (figure 2).
Le dispositif conforme à l'Invention reprend d~une manière générale l~ensemble des moyens nécessaires à la mise en oeuvre d~un procédé de pulvérisation clas-sique par projection au plasma, mais selon des disposi-tions et des fonmes différentes.
En fonctionnement, l~arc électrique créé entre les électrodes 1 et 5 s~étend sensiblement suivant l'axe de la chambre 2, c~est-à-dire parallèlement à la fente de sortie 4 de la buse, et le gaz inerte est introduit dans la chambre su.ivant plusieurs directions réparties notam-ment le long et alltour de la chambre et ~ui convergent radialement et non coaxialement vers l'axe de l'arc élec-trique et le long de celui-ci.
En variante du dispositif de mise en oeuvre illustré aux figures 2 et 3, le matériau destiné à former le revêtement 18 sur le substrat 17 n~est pas injecté à
intérieur de la buse d~éjection 3.
Plus précisément, en se reportant à la figure
Les perfectionnements apportés selon ~;30 l'Invention sont schématiquement illustrés aux figures 2 et 3.
:La chambre 2 et la buse d~éjection 3 ne sont plus coaxialement alignées comme précédemment, et l'orifice de sortie 4 de la buse est en forme de fente.
Plus précisément, la chambre 2 s~tend parallèlement à la fente de sortie 4 de la buse d'éjection 3 et sur une lon-:;
:
2~3899 gueur sensiblement égale à celle de la fente. La bused'éjection 3 est divergente et présente en section trans-versale une forme en tronc de cône, avec une fente d'entrée 6 qui débouche dans la chambre 2 sur toute la longueur de celle-ci.
La chambre présente deux surfaces d'extrémité
ou parois 2a et 2b respectivement eraversées par l'anode 1 et la cathode 5. Ces deux électrodes 1 et 5 sont cha-cune en forme de bâton, et elles sont axialement alignées l'une avec l'autre. D'une manière similaire au dispositif représenté à la figure 1, les électrodes l et 5 sont re-liées à une source de courant continu, la chambre 2 est entourée par une bobine 15 et des moyens de refroidisse-ment (non représentés) entourent la chambre 2.
Le gaz inerte est introduit dans la chambre 2 par un ensemble d~orifices 20 répartis autour et le long de la chambre. Plus précisément, dans llexemple considéré
ici, il est prévu au moins trois rangées 20a, 20b et 20c d'orifices 20. Les rangées 20a et 20b sont diamétralement opposées et situées respectivement de part et d'autre de la fente d~entrée 6 de la buse d~éjection 3, alors que la rangée 20c est diamétralement opposée à cette fente d'entrée.
Ainsi, d~une manière imagée, les directions d~introduction Fl du gaz inerte dans la chambre 2 et la direction F2 de sortie du plasma forment globalement une croix grecque à quatre branches (figure 3).
Chaque orifice 20 d'une même rangée 2pa, 20b et 20c est relié par un conduit de liaison 21 à un conduit intermédiaire 22 qui communique avec un conduit principal 23 relié à une source d~alimentation (non re-présentée) en gaz inerte.
Selon le dispositif conforme à l~Invention, il peut être avantageusement prévu l'utilisation d'électrodes tubulair~s 1 et 5, de manière à introduire également le gaz inerte au travers de ces électrodes.
::
, . . : .
.
: ~ :
29~3~9l~
Enfin, dans le cas d'un dépôt d'un revêtement sur un substrat, le dispositif est complété par plusieurs conduits 12 qui débouchent dans la buse d'éjection 3 pour y injecter le matériau pulvérulent. Ces conduits 12 sont par exemple alignés suivant deux rangées opposées 12a et 12b qui s'étendent parallèlement à la fente de sortie 4 de la buse d'éjectlon 4 (figure 2).
Le dispositif conforme à l'Invention reprend d~une manière générale l~ensemble des moyens nécessaires à la mise en oeuvre d~un procédé de pulvérisation clas-sique par projection au plasma, mais selon des disposi-tions et des fonmes différentes.
En fonctionnement, l~arc électrique créé entre les électrodes 1 et 5 s~étend sensiblement suivant l'axe de la chambre 2, c~est-à-dire parallèlement à la fente de sortie 4 de la buse, et le gaz inerte est introduit dans la chambre su.ivant plusieurs directions réparties notam-ment le long et alltour de la chambre et ~ui convergent radialement et non coaxialement vers l'axe de l'arc élec-trique et le long de celui-ci.
En variante du dispositif de mise en oeuvre illustré aux figures 2 et 3, le matériau destiné à former le revêtement 18 sur le substrat 17 n~est pas injecté à
intérieur de la buse d~éjection 3.
Plus précisément, en se reportant à la figure
4, le corps 3a de la buse d'éjection 3 comporte deux fentes de sortie supplémentaires 4' ~ui s'étendent sensi-blement sur toute la longueur de la fente de sortie 4.
. Ces deux fentes 4' sont situées de part et d~autre de la - 30 fente 4, et elles forment chacune 1'orifice de sortie d~une cavité 13 ménagée à l~int~rieur du corps 3a de la buse d~éjection 3. Dans ces deux cavités 13 débouchent :~ respectivement deux rangées 12a et 12b de conduits 12 d'arrivée du matériau à projeter sur le substrat, de ma-nière à éjecter le mat~riau au travers de ces fentes 4' - suivant une direction F3 sensiblement parallèle à la di-, ' : , ,;
- , ~3~99 rection F2 du flux de plasma en sortie de la fente 4 de la buse dléjection 3.
Selon cette variante les particules du maté-riau ne sont plus mélangées au plasma à l'intérieur de la buse d~éjection 3, mais à la sortie de celle-ci, c'est-à-dire dans une zone où la température du plasma est moins élevée. Ainsi, on évite de soumettre les matéria~ desti-nés à former le revêtement aux très hautes températures du plasma à l'intérieur de la buse d'éjection 3. Il est alors possible de pouvoir utiliser des matériaux, tels que des matières plastiques et des polymères par exemple, clest-à-dire des matériaux pas suffisamment résistants à
la chaleur pour être introduits à llintérieur de la buse 3.
Bien entendu, l'Invention n'est nullement li-mitée au mode de réalisation décrit précédemment et donné
uniquement à tltre d'exemple dans le cas du depôt d'un revêtement sur un substrat. En particulier le flux de plasma en sortie de la buse d'éjection constitue une source de chaleur qui peut être utilisée pour réaliser des traitements de surface sans nécessairement projeter un matériau sur les surfaces à traiter.
, ~;
, ~ , i ..
. Ces deux fentes 4' sont situées de part et d~autre de la - 30 fente 4, et elles forment chacune 1'orifice de sortie d~une cavité 13 ménagée à l~int~rieur du corps 3a de la buse d~éjection 3. Dans ces deux cavités 13 débouchent :~ respectivement deux rangées 12a et 12b de conduits 12 d'arrivée du matériau à projeter sur le substrat, de ma-nière à éjecter le mat~riau au travers de ces fentes 4' - suivant une direction F3 sensiblement parallèle à la di-, ' : , ,;
- , ~3~99 rection F2 du flux de plasma en sortie de la fente 4 de la buse dléjection 3.
Selon cette variante les particules du maté-riau ne sont plus mélangées au plasma à l'intérieur de la buse d~éjection 3, mais à la sortie de celle-ci, c'est-à-dire dans une zone où la température du plasma est moins élevée. Ainsi, on évite de soumettre les matéria~ desti-nés à former le revêtement aux très hautes températures du plasma à l'intérieur de la buse d'éjection 3. Il est alors possible de pouvoir utiliser des matériaux, tels que des matières plastiques et des polymères par exemple, clest-à-dire des matériaux pas suffisamment résistants à
la chaleur pour être introduits à llintérieur de la buse 3.
Bien entendu, l'Invention n'est nullement li-mitée au mode de réalisation décrit précédemment et donné
uniquement à tltre d'exemple dans le cas du depôt d'un revêtement sur un substrat. En particulier le flux de plasma en sortie de la buse d'éjection constitue une source de chaleur qui peut être utilisée pour réaliser des traitements de surface sans nécessairement projeter un matériau sur les surfaces à traiter.
, ~;
, ~ , i ..
Claims (13)
1. Procédé pour traiter la surface d'un sub-strat par projection d'un flux de plasma, du type consis-tant à créer un arc électrique dans une chambre entre une cathode et une anode, à introduire un gaz inerte dans la chambre, afin qu'il soit ionisé au passage au travers de l'arc électrique pour former un plasma à haute tempéra-ture, et à éjecter à l'extérieur de la chambre le plasma au travers d'une buse d'éjection dont l'orifice de sortie est en forme de fente, caractérisé en ce qu'il consiste à
créer un arc électrique entre l'anode et la cathode sui-vant un axe sensiblement parallèle à l'axe de la fente de sortie de la buse d'éjection.
créer un arc électrique entre l'anode et la cathode sui-vant un axe sensiblement parallèle à l'axe de la fente de sortie de la buse d'éjection.
2. Procédé selon la Revendication 2, caracté-risé en ce qu'il consiste à introduire le gaz inerte à
l'intérieur de la chambre suivant plusieurs directions par rapport à l'axe de l'arc électrique.
l'intérieur de la chambre suivant plusieurs directions par rapport à l'axe de l'arc électrique.
3. Procédé selon la Revendication 2, caracté-risé en ce qu'il consiste à introduire le gaz inerte à
l'intérieur de la chambre suivant des directions radiales réparties autour et le long de la chambre qui s'étend pa-rallèlement à la fente et sur une longueur sensiblement égale à celle-ci.
l'intérieur de la chambre suivant des directions radiales réparties autour et le long de la chambre qui s'étend pa-rallèlement à la fente et sur une longueur sensiblement égale à celle-ci.
4. Procédé selon la Revendication 3, caracté-risé en ce qu'il consiste, dans le cas du dépôt d'un re-vêtement sur le substrat, à injecter le matériau consti-tutif du revêtement à l'intérieur de la buse d'éjection.
5. Procédé selon la Revendication 3, caracté-risé en ce qu'il consiste, dans le cas du dépôt d'un re-vêtement sur le substrat, à éjecter le matériau constitu-tif du revêtement à la sortie de la buse d'éjection sui-vant une direction sensiblement parallèle à la direction du flux de plasma en sortie de la buse.
6. Dispositif de mise en oeuvre du procédé tel que défini par l'une des Revendications précédentes, du type comprenant au moins une chambre avec une cathode et une anode, des moyens pour créer un arc électrique à
l'intérieur de la chambre entre la cathode et l'anode, au moins un conduit d'arrivée d'un gaz inerte ionisable par l'arc électrique pour former un plasma à haute température, une buse d'éjection avec un orifice de sortie en forme de fente et un orifice d'entrée qui communique avec la chambre, dispositif caractérisé en ce que la chambre est de forme allongée avec deux surfaces aux extrémités par lesquelles font respectivement saillie la cathode et l'anode axialement alignées l'une avec l'autre pour créer un arc électrique suivant un axe sen-siblement parallèle à l'axe de la fente de sortie de la buse d'éjection.
l'intérieur de la chambre entre la cathode et l'anode, au moins un conduit d'arrivée d'un gaz inerte ionisable par l'arc électrique pour former un plasma à haute température, une buse d'éjection avec un orifice de sortie en forme de fente et un orifice d'entrée qui communique avec la chambre, dispositif caractérisé en ce que la chambre est de forme allongée avec deux surfaces aux extrémités par lesquelles font respectivement saillie la cathode et l'anode axialement alignées l'une avec l'autre pour créer un arc électrique suivant un axe sen-siblement parallèle à l'axe de la fente de sortie de la buse d'éjection.
7. Dispositif selon la Revendication 6, carac-térisé en ce qu'il comprend plusieurs conduits d'arrivée de gaz inerte qui débouchent à l'intérieur de la chambre, suivant plusieurs directions radiales par rapport à l'axe de l'arc électrique créé entre la cathode et l'anode.
8. Dispositif selon la Revendication 7, carac-térisé en ce que les conduits d'arrivée de gaz inerte débouchent dans la chambre par des orifices qui sont ré-partis sur plusieurs rangées.
9. Dispositif selon la Revendication 8, carac-térisé en ce qu'il comprend trois rangées d'orifices, les rangées étant diamétralement opposées et situées de part et d'autre de la fente d'entrée de la buse d'éjection, alors que la rangée est diamétralement opposée à ladite fente d'entrée.
10. Dispositif selon la Revendication 7, ca-ractérisé en ce que la cathode et l'anode sont creuses, et elles forment des conduits d'arrivée de gaz inerte à
ioniser.
ioniser.
11. Dispositif selon la Revendication 6 dans le cas du dépôt d'un revêtement sur le substrat, ca-ractérisé en ce qu'il comprend au moins un conduit d'arrivée du matériau destiné à former le revêtement, qui débouche à l'intérieur de la buse d'éjection.
12. Dispositif selon la Revendication 6 dans le cas du dépôt d'un revêtement sur le substrat, ca-ractérisé en ce qu'il comprend au moins un conduit d'arrivée du matériau destiné à former le revêtement sur le substrat, qui débouche à la sortie de la buse d'éjection par au moins une fente parallèle à la fente de sortie de la buse d'éjection.
13. Dispositif selon la Revendication 6, ca-ractérisé en ce que la chambre s'étend parallèlement et sur une longueur sensiblement égale à celle de la fente de sortie de la buse d'éjection, l'orifice d'entrée de la chambre s'étendant sensiblement sur toute la longueur de la chambre.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9103621A FR2674450B1 (fr) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | Procede pour deposer un revetement sur un substrat par projection au plasma, et dispositif pour la mise en óoeuvre du procede. |
| FR9103621 | 1991-03-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CA2063899A1 true CA2063899A1 (fr) | 1992-09-27 |
Family
ID=9411110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CA002063899A Abandoned CA2063899A1 (fr) | 1991-03-26 | 1992-03-24 | Procede pour traiter par exemple la surface d'un substrat par projection d'un flux de plasma, et dispositif pour la mise en oeuvre du procede |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5239161A (fr) |
| EP (1) | EP0506552B1 (fr) |
| JP (1) | JPH0657397A (fr) |
| CA (1) | CA2063899A1 (fr) |
| DE (1) | DE69203127T2 (fr) |
| DK (1) | DK0506552T3 (fr) |
| ES (1) | ES2076703T3 (fr) |
| FR (1) | FR2674450B1 (fr) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679167A (en) * | 1994-08-18 | 1997-10-21 | Sulzer Metco Ag | Plasma gun apparatus for forming dense, uniform coatings on large substrates |
| EP0851720B1 (fr) * | 1996-12-23 | 1999-10-06 | Sulzer Metco AG | Plasmatron à arc non transféré |
| DE19820240C2 (de) | 1998-05-06 | 2002-07-11 | Erbe Elektromedizin | Elektrochirurgisches Instrument |
| DE10011274A1 (de) * | 2000-03-08 | 2001-09-13 | Wolff Walsrode Ag | Plasmabehandelte bahnförmige Werkstoffe |
| US6476342B1 (en) * | 2000-11-24 | 2002-11-05 | Creo Srl | Method of surface preparation using plasma in air |
| TWI274622B (en) * | 2003-04-28 | 2007-03-01 | Air Prod & Chem | Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique involving electron attachment and remote ion generation |
| US7079370B2 (en) * | 2003-04-28 | 2006-07-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique electron attachment and remote ion generation |
| US7521653B2 (en) * | 2004-08-03 | 2009-04-21 | Exatec Llc | Plasma arc coating system |
| US7434719B2 (en) * | 2005-12-09 | 2008-10-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Addition of D2 to H2 to detect and calibrate atomic hydrogen formed by dissociative electron attachment |
| WO2008083301A1 (fr) * | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Exatec, Llc | Appareil et procédé permettant un revêtement à l'arc plasma |
| EP2152931B1 (fr) * | 2007-05-17 | 2013-08-14 | Exatec, LLC. | Procédé permettant de déposer de multiples matériaux de revêtement dans une zone de revêtement au plasma commune |
| JP5710185B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2015-04-30 | 株式会社Ｃｍｃ総合研究所 | 微小コイルの製造方法及び製造装置 |
| EP2431995A1 (fr) * | 2010-09-17 | 2012-03-21 | Asociacion de la Industria Navarra (AIN) | Dispositif d'ionisation |
| US10456855B2 (en) | 2013-11-13 | 2019-10-29 | Hypertherm, Inc. | Consumable cartridge for a plasma arc cutting system |
| US11432393B2 (en) | 2013-11-13 | 2022-08-30 | Hypertherm, Inc. | Cost effective cartridge for a plasma arc torch |
| US11684995B2 (en) | 2013-11-13 | 2023-06-27 | Hypertherm, Inc. | Cost effective cartridge for a plasma arc torch |
| US11278983B2 (en) | 2013-11-13 | 2022-03-22 | Hypertherm, Inc. | Consumable cartridge for a plasma arc cutting system |
| US9981335B2 (en) | 2013-11-13 | 2018-05-29 | Hypertherm, Inc. | Consumable cartridge for a plasma arc cutting system |
| RU2693233C2 (ru) | 2014-08-12 | 2019-07-01 | Гипертерм, Инк. | Затратоэффективная головка для плазменно-дуговой горелки |
| EP4243575A3 (fr) | 2015-08-04 | 2023-10-25 | Hypertherm, Inc. | Cartouche pour chalumeau à arc au plasma refroidi par liquide |
| CN108257906B (zh) * | 2018-01-16 | 2021-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 吹气装置、吸附机台和柔性基板承载系统 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1177941A (en) * | 1965-12-22 | 1970-01-14 | Tetronics Res And Dev Company | Improvements in or relating to High Temperature Apparatus |
| US3573090A (en) * | 1968-12-09 | 1971-03-30 | Avco Corp | Method of applying a plasma spray coating |
| FR2039566A5 (fr) * | 1969-03-31 | 1971-01-15 | Soudure Autogene Elect | |
| BE763709A (fr) * | 1971-03-03 | 1971-08-02 | Soudure Autogene Elect | Plasma en rideau. |
| CA1272661A (fr) * | 1985-05-11 | 1990-08-14 | Yuji Chiba | Appareil reacteur |
| US4916273A (en) * | 1987-03-11 | 1990-04-10 | Browning James A | High-velocity controlled-temperature plasma spray method |
| US5090482A (en) * | 1990-01-03 | 1992-02-25 | Spectronix Ltd. | Method and apparatus for extinguishing fires |
-
1991
- 1991-03-26 FR FR9103621A patent/FR2674450B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-03-24 CA CA002063899A patent/CA2063899A1/fr not_active Abandoned
- 1992-03-24 US US07/856,535 patent/US5239161A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-25 ES ES92400803T patent/ES2076703T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-25 EP EP92400803A patent/EP0506552B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-25 DE DE69203127T patent/DE69203127T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-25 DK DK92400803.0T patent/DK0506552T3/da active
- 1992-03-26 JP JP4100665A patent/JPH0657397A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK0506552T3 (da) | 1995-11-06 |
| DE69203127D1 (de) | 1995-08-03 |
| DE69203127T2 (de) | 1995-11-30 |
| ES2076703T3 (es) | 1995-11-01 |
| EP0506552B1 (fr) | 1995-06-28 |
| US5239161A (en) | 1993-08-24 |
| FR2674450B1 (fr) | 1994-01-21 |
| JPH0657397A (ja) | 1994-03-01 |
| EP0506552A1 (fr) | 1992-09-30 |
| FR2674450A1 (fr) | 1992-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0506552B1 (fr) | Procédé pour traiter par exemple la surface d'un substrat par projection d'un flux de plasma, et dispositif pour la mise en oeuvre du procédé | |
| EP0281438B1 (fr) | Dispositif de projection électrostatique de produit en poudre | |
| FR2458973A1 (fr) | Procede et appareil de pulverisation de matiere sur un substrat a l'arc plasma | |
| EP0781921B1 (fr) | Source d'ions à dérive fermée d'électrons | |
| FR2636198A1 (fr) | Buse pour torche a plasma et procede pour introduire une poudre dans une torche a plasma | |
| EP0481869B1 (fr) | Buse de traitement de surface par laser, avec apport de poudre | |
| FR2480552A1 (fr) | Generateur de plasma | |
| FR2782837A1 (fr) | Procede et dispositif de traitement de surface par plasma a pression atmospherique | |
| EP1178134A1 (fr) | Procédé et dispositif pour traiter des substrats métalliques au défilé par plasma | |
| FR2943209A1 (fr) | Torche a plasma avec injecteur lateral | |
| FR2695944A1 (fr) | Appareil de dépôt chimique en phase vapeur activé par un plasma micro-ondes. | |
| CA2235423A1 (fr) | Dispositif et procede de traitement thermique | |
| CA1115236A (fr) | Amelioration aux procedes de fabrication de films par placage electrostatique | |
| WO1998000284A1 (fr) | Procede de traitement de surface par voie seche et dispositif pour la mise en oeuvre d'un tel procede | |
| EP0815936A2 (fr) | Dispositif d'excitation de gaz | |
| WO2011161251A1 (fr) | Dispositif pour la generation d'un jet de plasma | |
| CA2081157C (fr) | Dispositif de traitement de surface par decharge couronne | |
| EP3574719B1 (fr) | Systeme de generation d'un jet plasma d'ions metalliques | |
| FR2518430A1 (fr) | Procede et tete pour projection de revetements metalliques, notamment sur des surfaces d'acces difficile | |
| FR2514223A1 (fr) | Dispositif pour produire un plasma, notamment pour la fusion des ceramiques et pour la metallurgie extractive | |
| FR2537479A1 (fr) | Perfectionnements aux equipements d'usinage electrique par fusion metallique | |
| EP2600699B1 (fr) | Torche à plasma d'arc avec isolation électrique améliorée | |
| EP1684915A1 (fr) | Procede et dispositif de traitement en continu de la surface d'un objet allonge | |
| FR3123228A1 (fr) | Reacteur a plasma de type a barriere dielectrique | |
| WO1998026108A1 (fr) | Procede et dispositif pour la formation d'un revetement sur un substrat, par pulverisation cathodique |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FZDE | Discontinued |