BRPI0707128A2 - composições que incluem estruturas de domìnio de fase controladas segregadas - Google Patents
composições que incluem estruturas de domìnio de fase controladas segregadas Download PDFInfo
- Publication number
- BRPI0707128A2 BRPI0707128A2 BRPI0707128-0A BRPI0707128A BRPI0707128A2 BR PI0707128 A2 BRPI0707128 A2 BR PI0707128A2 BR PI0707128 A BRPI0707128 A BR PI0707128A BR PI0707128 A2 BRPI0707128 A2 BR PI0707128A2
- Authority
- BR
- Brazil
- Prior art keywords
- domain
- reaction product
- composition
- chemical reaction
- large number
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 35
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 35
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 3
- AKUCEXGLFUSJCD-UHFFFAOYSA-N indium(3+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[In+3].[In+3] AKUCEXGLFUSJCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 4
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims 1
- QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N gallium(ii) selenide Chemical compound [Se]=[Ga] QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 41
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 32
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 6
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 101150073480 CIS1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100110279 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ATG31 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 101100426971 Caenorhabditis elegans ttr-2 gene Proteins 0.000 description 1
- QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N Disodium Chemical compound [Na][Na] QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000005325 percolation Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Abstract
COMPOSIçõES QUE INCLUEM ESTRUTURAS DE DOMìNIO DE FASE CONTROLADAS SEGREGADAS. Uma composição inclui um produto de reação química que define uma primeira superfície e uma segunda superfície, caracterizada pelo fato de que o produto de reação química inclui uma estrutura de domínio de fase segregada que inclui um grande número de estruturas de domínio, em que pelo menos um do grande número de estruturas de domínio inclui pelo menos um domínio que se estende desde uma primeira superfície do produto de reação química até uma segunda superfície do produto de reação química.
Description
Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "COMPOSI-ÇÕES QUE INCLUEM ESTRUTURAS DE DOMÍNIO DE FASE CONTRO-LADAS SEGREGADAS".
INFORMAÇÃO FUNDAMENTAL
Campo da Invenção
Modalidades da invenção referem-se geralmente ao campo demateriais. Mais particularmente, as modalidades da invenção referem-se aprocessos de controle da formação de uma estrutura de domínio de fasesegregada dentro de um produto da reação química, a composições de ma-téria que incluem uma tal estrutura de domínio de fase segregada e a ma-quinária que tem um alívio de ferramenta complexo para a obtenção de taiscomposições.
Discussão da Técnica Relacionada
Os dispositivios fotoelétricos à base de selenieto de cobre e deíndio, às vezes denominados PV à base de CIS, são conhecidios dos peritosna técnica de baterias solares. O CuInSe é o material de filme fino mais con-fiável e de melhor desempenho para geração de eletricidade proveniente deluz solar. Uma preocupação com esta tecnologia é que as restrições de for-necimento de matéria-prima estão começando a surgir no futuro enquantoaumenta a produção de CIS PV. Por exemplo, o índio não ocorre natural-mente em minérios de alta concentração. Tipicamente, o índio é obtido par-tindo dos resíduos descartados de minérios de zinco. Enquanto a produçãode CIS PV se aproxima da faixa em grande escala de desde aproximada-mente 10 gigawatts/ano até aproximadamente 100 gigawatts/ano, as restri-ções de suprimento de índio se tornão evidentes. Estas restrições de supri-mento conduzirão a maiores custos. Além disso, quando aumenta a produ-ção de CIS PV1 também irão surgir outras restrições de suprimento de maté-ria prima. O que se necessita é uma solução que reduza a quantidadae dematérias-primas necessárias por watt de capacidade de geração de capaci-dade em filmes finos de CIS PV.
Uma abordagem para reduzir a quantidade de matérias-primasnecessárias para reduzir a espessura do material de filme fino de CIS PV. Ocoeficiente de absorção inerente de CIS é muito alto (isto é, aproximada-mente 105 cm"1). Isto significa que a maioria da energia luminosa incidentepode ser absorvida com um filme muito fino de CIS. O uso de um refletor desuperfície de trás pode reduzir ainda mais a espessura necessária para ab-sorver a maior parte da energia luminosa incidente. Embora os produtos CISPV da técnica anterior tenham tipicamente pelo menos aproximadamente 2mícrons de espessura, é importante considerar que 0,25 mícron é teorica-mente suficiente para um filme fino de CIS PV localizado sobre um refletorde superfície de trás para absorver a maior parte da energia luminosa inci-dente. O que também é necessário é uma solução que produza filmes maisfinos de CIS PV.
Enquanto isso foram desenvolvidas síntese simultânea assistidano campo e tecnologia de transferência que são diretamente aplicáveis àfabricação de filmes mais finos de CIS PV. Vários aspectos destas síntesesimultânea assistida no campo e tecnologia de transferência (cujos aspectospodem ou não ser usados juntos em combinação) são descritos nas Pat.U.S. NQ.s 6.736.986; 6.881.647; 6.787.012; 6.559.372; 6.500.733;6.797.874; 6.720.239 e 6.593.213.
Uma vantagem de síntese simultânea assistida no campo e tec-nologia de transferência é que elas funcionam melhor enquanto a pilha deprecursor se torna mais fina. Por exemplo, a pressão de vapor de selênio emuma camada de produto da reação à base de CIS é uma função da tempera-tura. A pressão necessária para conter o selênio é uma função da tempera-tura necessária para a reação do processo. É importante considerer que avoltagem, se utilizada, para se atingir uma pressão desejada, diminui en-quanto diminui a espessura. Enquanto a voltagem necessária é reduzida,diminuem as demandas físicas do sistema (por exemplo, esforço sobre odielétrico). Portanto, enquanto a pilha de precursor é tornado mais fina, avoltagem necessária para gerar uma dada pressão diminui; o que reduz oesforço sobre o dielétrico (por exemplo uma camada de liberação), expan-dindo assim o âmbito dos materiais que podem ser utilizados como um dielé-trico.Uma outra vantagem da síntese simultânea assistida no campoe da tecnologia de transferência é que elas permitem um menor orçamentotérmico. O menor orçamento térmico é um resultado de velocidade mais altada síntese simultânea assistida no campo e da tecnologia de transferênciacomparada a abordagens alternativas tal como a deposição de vapor (físicaou química). Além das economias de tempo e de energia fornecidas pelasíntese simultânea assistida no campo e pela tecnologia de transferência, aqualidade dos produtos resultantes também pode ser melhorada. Por exem-plo, no caso da fabricação de PV à base de CIS1 o orçamento térmico inferi-or permitido pelo uso de síntese simultânea assistida no campo e de tecno-logia de transferência leva à redução de reações indesejáveis, tal como en-tre selênio e molibdênio na interface entre o absorvedor de CIS e o contatocom o metal do lado do avesso. A redução desta reação indesejável resultaem embaciamento reduzido que por sua vez resulta em mais alta refletivida-de da superfície do lado do avesso
Recentemente, foi demonstrado qeu filmes finos de CIS obtidospor técnicas convencionais contêm domínios resultantes das flutuações nacomposição química(1"2, 5). Ocorre uma recombinação indesejável de veícu-los de carga nos limites entre os nanodomínios dentro de um tal absorvedorPV à base de CIS. Portanto, também é necessária uma solução para contro-lar e otimizar em condições ideais, os limites entre estes nanodomínios comcomposições químicas variáveis.
Até agora, os requisitos de necessidades de matérias-primasreduzidas, espessura reduzida e limites controlados entre os nanodomínioscitados acima não foram completamente satisfeitos. É necessária, portanto,uma solução que resolva simultaneamente todos estses problemas.
SUMÁRIO DA INVENÇÃO
Há uma necessidade para as seguintes modalidades da inven-ção. Evidentemente, a invenção não está limitada a estas modalidades.
De acordo com uma modalidade da invenção, um processocompreende: fornecer um primeiro precursor sobre um primeiro substrato;fornecer um segundo precursor sobre um segundo substrato; por em contatoo primeiro precursor e o segundo precursor; reagir o primeiro precursor e osegundo precursor para formar um produto de reação química e mover oprimeiro substrato e o segundo substrato em relação um ao outro para sepa-rar o produto de reação química de pelo menos um elemento selecionado dogrupo que consiste do primeiro substrato e do segundo substrato, caracteri-zado pelo fato de que, para controlar a formação de uma estrutura de domí-nio de fase segregada dentro do produto de reação química, um constituintede pelo menos um elemento selecionado do grupo que consiste no primeiroprecursor e o segundo precursor é dotado em uma quantidade que substan-cialmente regularmente periodicamente varie desde uma quantidade médiaem relação à locação espacial basal.
De acordo com uma outra modalidade da invenção, uma máqui-na compreende: um primeiro substrato e um segundo substrato acoplado aoprimeiro substrato, caracterizado pelo fato de que, para controlar a forma-ção de uma estrutura de domínio de fase segregada dentro de um produtode reação química pelo controle de uma quantidade de um constituinte deum precursor que está presente por unidade de área da superfície, pelo me-nos um elemento selecionado do grupo que consiste no primeiro substrato eno segundo substrato define um relevo substancialmente regularmente peri-odicamente variável em relação à locação espacial basal.
De acordo com uma outra modalidade da invenção, uma com-posição de matéria compreende: um produto de reação química que defineuma primeira superfície e uma segunda superfície, caracterizado pelo fatode que o produto de reação química inclui uma estrutura de domínio de fasesegregada que inclui um grande número de estruturas de domínio, em quepelo menos uma do grande número de estruturas de domínio inclui pelo me-nos um domínio que se estende de uma primeira superfície do produto dereação química a uma segunda superfície do produto de reação química.
Estas e outras modalidades da invenção serão mais bem apre-ciadas e entendidas quando consideradas em associação com a descrição aseguir e as ilustrações anexas. Devia ser entendido, no entanto, que a des-crição a seguir, ao mesmo tempo em que indica várias modalidades da in-venção e numerosos detalhes específicos da mesma, é fornecida para finsde ilustração e não de limitação. Muitas substituições, modificações, adiçõese/ou rearranjos podem ser feitos dentro do âmbito de uma modalidade dainvenção sem sair do espírito da mesma e as modalidades da invenção in-cluem todas tais substituições, modificações, adições e/ou rearranjos.
BREVE DESCRIÇÃO DAS ILUSTRAÇÕES
As ilustrações que acompanham e fazem parte deste relatóriodescritivo estão incluídas para representar certas modalidades da invenção.Uma concepção mais clara das modalidades da invenção e dos componen-tes que podem ser combinadas com as mesmas e a operação de sistemasfornecidos juntamento com as modalidades da invenção, tornar-se-ão maisfacilmente evidentes por referência aos exemplos de modalidades e, portan-to, não limitativas, ilustras nas ilustrações, em que os numerais de referênciaidênticos (se estes ocorrerm em mais do que uma vista) designam os mes-mos elementos. As modalidades da invenção podem ser mais bem entendi-das como referência a uma ou mais destas ilustrações em combinação coma descrição aqui apresentada. Devia ser observado que as característicasapresentadas nas ilustrações não são necessariamente as mesmas dese-nhadas em escala.
As figuras 1A-1C são vistas detalhadas de pares de substratosem que pelo menos um de cada par define um relevo substancialmente re-gularmente periodicamente variável em relação à locação espacial basal,representando uma modalidade da invenção.
As figuras 2A-2C são vistas detalhadas de pares de substratosem que pelo menos um de cada par contém um constituinte de um precursorem uma quantidade que varia substancialmente regularmente periodicamen-te de uma quantidade média em relação à locação espacial basal.
As figuras 3A-3D são vistas planas de estruturas de domínio defase segregadas que incluem um sistema hexagonal de domínio de fase se-gregado, que representa uma modalidade da invenção.
As figuras 3E-3H são vistas planas de estruturas de domínio defase segregadas que incluem um sistema ortogonal de domínio de fase se-gregado, que representa uma modalidade da invenção.
As figuras 4A-4C são vistas detalhadas esquemáticas de umprocesso de controle da formação de a estrutura de domínio de fase segre-gada que usa um contato da superfície do avesso que define um relevosubstancialmente regularmente periodicamente variável (e força do campoelétrico em relação à locação espacial basal que representa uma modalida-de da invenção.
As figuras 5A-5C são vistas detalhadas esquemáticas de umprocesso de controle da formação de a estrutura de domínio de fase segre-gada que usa uma ferramenta que define uma força de campo elétrico variá-vel em relação à locação espacial basal que representa uma modalidade dainvenção.
As figuras 6A-6C são vistas detalhadas esquemáticas de umprocesso de controle da formação de a estrutura de domínio de fase segre-gada que usa uma ferramenta e um contato com a superfície de trás ambosdefinidoi um relevo substancialmente regularmente periodicamente variávelem relação à localização espacial basal, que representa uma modalidade dainvenção.
As figuras 6D-6F são vistas detalhadas esquemáticas de umprocesso de controle da formação de a estrutura de domínio de fase segre-gada que usa um contato com a superfície do avesso que define um relevosubstancialmente regularmente periodicamente variável em relação à loca-ção espacial basal que representa uma modalidade da invenção.
As figuras 7A-7C são vistas esquemáticas de uma estrutura dedomínio hexagonal domínio structure, que representa uma modalidade dainvenção.
DESCRIÇÃO DAS MODALIDADES PREFERIDAS
As modalidades da invenção e as várias caracaterísticas e osdetalhes vantajosos da mesma são explicados mais completamente comreferência às modalidades não Iimitativas que são apresentadas nas ilustra-ções anexas e detalhadas na descrição a seguir. As descrições de materiaisde partida bem conhecidos, técnicas de processamento, componentes e e-quipamento são omitidas de modo a não obscurecer desnecessariamente asmodalidades da invenção em detalhe. Devia ser entendido, entretanto, que adescrição detalhada e os exemplos específicos, embora indicando as moda-lidades preferidas da invenção, são fornecidas para fins de ilustração apenase não para fins de limitação. Várias substituições, modificações, adiçõese/ou rearranjos dentro do espírito e/ou do âmbito do conceito subjacente dainvenção tornar-se-ão evidentes para os peritos na técnica por esta divulga-ção.
Dentro deste pedido de patente diversas publicações são mar-cadas por numerais arábicos ou pelo nome do autor principal seguido do anode publicação, dentro de parêntese ou colchetes. As citações completas pa-ra estas e outras publicações podem ser encontradas no final do relatóriodescritivo precedendo imediatamente as reivindicações depois da seçãocom o título Referências. As divulgações destas publicações em suas totali-dades são aqui expressamente incorporadas como referência com a finali-dade de indicar o fundamento das modalidades da invenção e de ilustrar oestado da técnica.
O presente pedido de patente contém a divulgação que tambémestá contida na U.S. Ser. N9. 11/331,442 copendente (número de referênciado representante legal HELE1180) depositado em 12 de janeiro de 2006 ena U.S. Ser. Ns. 11/331,431 (número de referência do representante legalHELE1180-1) depositado em 12 de janeiro de 2006, cujos inteiros conteúdosde ambos são aqui incorporados expressamente como referência para todasas finalidades. As Patentes U.S. citadas a seguir divulgam modalidades quesão úteis para as finalidades para as quais se pretende que elas sejam usa-das. Os conteúdos inteiros das Patentes U.S. N9.s 6.736.986; 6.881.647;6.787.012; 6.559.372; 6.500.733; 6.797.874; 6.720.239; 6.593.213; and6.313.479 são aqui incorporados expressamente como referência para todasas finalidades.
O contexto da invenção pode incluir o controle da formação deuma estrutura de domínio de fase segregada dentro de um produto de rea-ção química. O contexto da invenção pode incluir maquinária para o controleda formação da estrutura de domínio de fase segregada pelo controle deuma quantidade de um constituinte de um precursor que está presente porunidade de área da superfície. O contexto da invenção pode incluir um pro-duto de reação química que inclui uma estrutura de domínio de fase segre-gada que inclui um grande número de estruturas de domínio.
A estrutura de domínio de fase segregada inclui um grande nú-mero de estruturas de domínio. A invenção pode incluir estruturas de domí-nio que definam as redesd e percolação. A invenção pode incluir estruturasde domínio que minimizem o comprimento do percurso necessário para cole-ta de veículo de carga (por exemplo, domínios de colunas). Pelo menos umdo grande número de estruturas de domínio pode incluir pelo menos um do-mínio que se estende de uma primeira superfície do produto de reação quí-mica até uma a segunda superfície do produto de reação química. A inven-ção pode incluir estruturas de domínio que minimizem a área da superfícielimite (por exemplo, domínios de colunas circulares) e/ou minimizem a su-perfície limite ao longo de direções preferidas do percurso (por exemplo,domínios de colunas circulares estriadas). A invenção pode incluir o uso desódio para impor limites menos distintos (isto é, mais descontínuos) entreestruturas de domínio.
A invenção pode incluir uma escala de comprimento característi-ca para o tamanho (intradomínio) dos domínios (por exemplo, "r" para raiointerno). A invenção pode incluir uma escala de comprimento característicapara o tamanho (intradomínio) da (s) separação (ões) entre os domínios (porexemplo, "d" para distância centro-a- centro). Pela variação da razão do ta-manho do domínio característico para a separação do domínio característi-co, a invenção permite o controle de um volume relative de dois (ou mais)domínios. Pela variação dos valores absolutos característicos, a invençãopermite o controle da razão do volume de junção para o volume livre nocampo a granel em dois (ou mais) domínios de fase. A invenção pode incluiro controle do espaçamento dos domínios para controlar uma razão de domí-nios e/ou de fases em relação ao volume ou a outro parâmetro.
A invenção pode incluir uma distribuição de tamanho caracterís-tico dos domínios. As modalidades da invenção podem ser caracterizadaspor uma distribuição de tamanho limitada de "r" (isto é, monomodal). Por e-xemplo, as modalidades da invenção podem ser caracterizadas por uma dis-tribuição de tamanho em que 80 % dos casos de um domínio são caracteri-zados por um tamanho que está dentro de 20 % (para mais ou para menos)de um valor r da escala. Pode ser vantajoso se 90 % dos casos de um do-mínio estiverem caracterizados por um tamanho que esteja dentro de 10%(para mais ou para menos) de um valor "r" da escala. Alternativamente asmodalidades da invenção podem ser caracterizadas por um grande númerode distribuções de tamanho limitado de "r" (isto é, multimodal). As modalida-des preferidas da invenção evitam distribuições de tamanho aleatórias (porexemplo, de "r").
A invenção pode incluir estruturas de domínio de um tamanhoque são desde aproximadamente 1 nm até aproximadamente 1 um, de pre-ferência desde aproximadamente 5 nm até aproximadamente 100 nm. A in-venção pode incluir estruturas de domínio que se repetem em múltiplos deum parâmetro de reticulado de célula de unidade cristaiográfica de desdeaproximadamente 1 nm até aproximadamente 200 nm, de preferência desdeaproximadamente 5 nm até aproximadamente 50 nm. Não obstante, é impor-tante considerar que o tamanho exato (magnitude) dos domínios não é im-portante.
A invenção pode incluir uma distribuição de tamanho caracterís-tica das separações do domínio. As modalidades da invenção podem sercaracterizadas por uma limitada distribuição de tamanho de "d" (isto é, mo-nomodal). Por exemplo, as modalidades da invenção podem ser caracteri-zadas por uma distribuição de separação em que 80 % dos casos de umdomínio são caracterizados por uma separação que está dentro de 20 %(para mais ou para menos) de um número inteiro múltiplo de um valor deescala "d". Alternativamente, as modalidades da invenção podem ser carac-terizadas por um grande número de distribuições de separação limitadas de"r" (isto é, multimodal). As modalidades preferidas da invenção evitam asdistribuições de separação aleatórias (por exemplo, de "d")·A invenção pode incluir estruturas de domínio que se repetem(estão espaçadas em um período de desde aproximadamente 1 nm até a-proximadamente 1 um, preferivelmente de desde aproximadamente 5 nm atéaproximadamente 100 nm. A invenção pode incluir estruturas de domínioque se repetem em múltiplos de um período de desde aproximadamente 1nm até aproximadamente 200 nm, de preferência de desde aproximadamen-te 5 nm até aproximadamente 50 nm. Não obstante, é importante considererque o tamanho exato (magnitude) da (s) separação (ões) de domínio não éimportante.
A invenção pode incluir estruturas de domínio que definem 6 ve-zes, 4 vezes ou outra simetria, em duas ou três dimensões. No entanto, éimportante considerer que a simetria exata não é importante. A invençãopode incluir estruturas de domínio que definam pequena faixa de ordem. Ainvenção pode incluir estruturas de domínio que definam longa faixa de ordem.
Referrindo-se às figuras 7A-7C, a otimização de uma estruturade domínio hexagonal em relação à minimização da recombinação total Rnão será descrita. As figuras 7A-7B rererem-se a uma aproximação de pri-meira ordem para minimizar a recombinação total R para uma um arranjoque tem colunas circulares, supondo que a região da junção do interabsor-vedor seja limitada comparada às dimensões escalares r e d. Referindo-seàs figuras 7A-7B, um produto de reação química 710 que define uma primei-ra superfície 712 e uma segunda superfície 714 é acoplado a um contato doavesso 720. O produto de reação química 710 inclui a estrutura de domíniode fase segregada que inclui uma estrutura de domínio cilíndrica 701 e umaestrutura de domínio de matriz 702. Neste caso, a estrutura de domínio dematriz se estende desde a primeira superfície 712 do produto de reaçãoquímica 710 até a segunda superfície 714 do produto de reação química 710.
O volume total de cada célula hexagonal de altura T0 é fornecido por
((3)1/2d2T0)/2em que d é o espaçamento hexagonal célula-a-célula. A recom-binação total R (por célula) é igual à recombinação na região do domíniocilíndricp um R1 mais a recombinação na região do domínio da matriz hexa-gonal dois R2 mais a recombinação na interface de regiões um e da regiãodois R1.
R = R1 + R2 + R1
A recombinação na região do domínio cilíndrico é dada por
R1 = pi(volume1) = ρι((τ0 - τΟττγ2)
em que pi é a taxa de recombinação em massa na região um do domíniocilíndrico.
A recombinação na região dois do domínio da matriz hexagonalé dada por
R2 = p2(((3)1/2d2T0)/2 - (T0 - τΟπι-2)
em que p2 é a taxa de recombinação em massa na região dois do domínioda matriz hexagonal.
A recombinação na interface entre a região cilíndrica um e a re-gião dois do domínio da matriz é dada por
Ri = σί(2ττΓ(τ0 - t1) + ττγ2)
em que σ, é a velocidade de recombinação da superfície da interface (jun-ção). As taxas de recombinação pi e p2 e a velocidade de recombinação σ,são propriedades dos materiais que dependem das composições e dos his-tólricos de processamento.
A figura 7C refere-se a uma aproximaçãop de segunda ordempara minimizar a recombinação R total para um sistema de estrutura de do-mínio hexagonal que tem colunas circulares, em que a largura da junção nãoé pequena comparada a r e/ou d. Com referência à figura 7C, a largura totalda junção é igual à largura da junção do domínio cilíndrico mais a largurajunção do domínio da matriz
Wj = η + dj
A recombinação R total (por célula) é igual à recombinação naregião um do domínio cilíndrico isento de campo R-ij mais a recombinação naregião dois R2 do domínio da matriz hexagonal isenta de campo mais a re-combinação na região dois R2j. de recombinação da carga do espaço anular
R = Ri + R2 + R-ij+ R2jAs quatro equações a seguir para os termos R1, R2, R1j e R2j sãoválidas quando Ti > dj. Se Ti < dj, então set Ti = 0. A recombinação na regiãoum do domínio cilíndrico isenta de campo é dada por
R1 = Ρι((το - Ti - η)π(Γ - η)2)em que pi é a taxa de recombinação em massa na região um do domíniocilíndrico isenta de campo.
A recombinação na região hexagonal do domínio da matriz isen-ta de campo é dada por
R2 = p2(((3)1/2d2t0)/2 - (t0 - t1 + dj)tt(r + dj)2)em que p2 é a taxa de recombinação em massa na região dois do domínioda matriz hexagonal isenta de campo.
A recombinação na região um de recombinação da carga de es-paço anular é dada por
R1j = P1j(To - T1) TTr2 - (T0 - T1 - η)π(Γ-η)2)em que P1j is é a taxa de recombinação em massa na região um de recom-binação da carga de espaço anular. A recombinação na região um de re-combinação da carga de espaço anular é dada por
R2j = p2j((t0 - t1 + dj)tt(r + dj)2- <t0 - t1 Jtt1-2)
em que p2j é a taxa de recombinação em massa na região dois de recombi-nação da carga de espaço anular. As taxas de recombinação p1f p2, pij e p2jsão propriedades dos materiais que dependem das composições e dos his-tóricos de processamento.
Referindo-se às figuras 1A-1C, a invenção pode incluir aumentarsubstancialmente regularmente periodicamente uma quantidade de um pre-cursor por aplicação de um revestimento plano a uma superfície substanci-almente regularmente periodicamente em relevo. Referindo-se à figura 1A,um primeiro substrato 102 inclui uma superfície substancialmente regular-mente periodicamente em relevo 104. Um primeiro precursor 106 é acopladoà superfície substancialmente regularmente periodicamente em relevo 104.Pode ser considerado que há relativamente mais do primeiro precursor 106correspondente a uma locação especial básica centrada em uma posição decentro de relevo da célula 108 comparada a uma posição de relevo da bordada célula 110. Um segundo precursor 114 está acoplado a um segundosubstrato 112. O primeiro substrato 102 e o segundo substrato 112 podemser movidos em relação um ao outro. Quando o primeiro precursor 106 e osegundo precursor 114 estiverem em contato e aquecidos (opcionalmentesob a influência de um campo elétrico) o produto da reação resultante podeser composicionalmente rico nos constituintes do primeiro precursor em umalocação correspondente à posição central de relevo da célula 108, especi-almente se a taxa de difusão subjacente for muito inferior à taxa de difusãoperpendicular.
Referindo-se à figura 1B, um primeiro precursor 126 é acopladoa um primeiro substrato 122. Um segundo substrato 132 inclui uma superfí-cie substancialmente regularmente periodicamente em relevo 124. Um se-gundo precursor 134 está acoplado ã superfície substancialmente regular-mente periodicamente em relevo 124. Pode ser considerado que há relati-vamente mais do segundo precursor 134 em uma posição central de relevo138 comparada a uma posição da borda de relevo da célula 130. O primeirosubstrato 122 e o segundo substrato 132 podem ser movidos em relação umao outro.
Quando o primeiro precursor 126 e o segundo precursor 134 sãopostos em contato e aquecidos (opcionalmente sob a influência de um cam-po elétrico) o produto da reação resultante será em relação à composiçãorico nos constituintes do segundo precursor em uma localização correspon-dente à posição de relevo do centro da célula 138.
Referindo-se à figura 1C, um primeiro substrato 142 inclui umasuperfície 144 substancialmente regularmente periodicamente em relevo.Um primeiro precursor 146 é acoplado à superfície 144 substancialmenteregularmente periodicamente em relevo. Pode ser considerado que há relati-vãmente mais do primeiro precursor 146 em uma posição central da célulaem relevo 158 comparada a uma posição central da borda da célula em re-levo 150. Um segundo substrato 152 inclui uma superfície substancialmenteregularmente periodicamente em relevo 145. Um segundo precursor 154 éacoplado à superfície 144substancialmente regularmente periodicamente emrelevo 145. Pode ser considerado que há relativamente mais do segundoprecursor 154 a uma posição central da célula em relevo 159 comparada auma posição central da borda da célula em relevo 151. O primeiro substrato142 e o segundo substrato 152 são móveis em relação um ao outro. Quandoo primeiro precursor 146 e o segundo precursor 154 estãm em contato e a-quecidos (opcionalmente sob a influência de um campo elétrico) o produtoda reação resultante será rico em matéria de composição nos constituintesdo primeiro precursor em uma locação correspondente à posição central dacélula em relevo 158 e será rico em matéria de composição nos constituintesdo segundo precursor em uma locação correspondente à posição central dacélula em relevo 159.
Referindo-se às figuras 2A-2C, a invenção pode incluir substan-cialmente regularmente periodicamente o aumento de uma quantidade deum precursor depositando previamente um grande número de fontes deconstituinte que incluem um excesso do constituinte em relação a uma quan-tidade média. Referindo-se à figura 2A, um primeiro substrato 202 inclui umgrande número de fontes de constituinte 204 substancialmente regularmenteperiodicamente localizadas. Um primeiro precursor 206 é acoplado às fontes204. Pode ser considerado que há relativamente mais do primeiro precursor206 nas posições 208 sem as fonts 204 em comparação às posições 210com as fontes 204. Um segundo precursor 214 é acoplado a um segundosubstrato 212. O primeiro substrato 202 e o segundo substrato 212 são mó-veis em relação um ao outro. Quando o primeiro precursor 206 e o segundoprecursor 214 são postos em contato e aquecidos (opcionalmente sob a in-fluência de um campo elétrico) o produto da reação resultante será rico emmatéria de composição nos constituintes do primeiro precursor em locaçõescorrespondentes à posição central da célula em relevo 208.
Referindo-se à figura 2B, um primeiro precursor 226 é acopladoa um primeiro substrato 222. Um segundo substrato 232 inclui um grandenúmero de fontes de constituinte 224 substancialmente regularmente perio-dicamente localizadas. Um segundo precursor 234 é acoplado às fontes 224.Pode ser considerado que há relativamente mais do segundo precursor 234em uma posição central 238 em comparação às posições da borda 230. Oprimeiro substrato 222 e o segundo substrato 232 são móveis em relaçãoum ao outro. Quando o primeiro precursor 226 e o segundo precursor 234são postos em contato e aquecidos (opcionalmente sob a influência de umcampo elétrico) o produto da reação resultante será rico em matéria de com-posição nos constituintes do segundo precursor em uma localização corres-pondente à posição central da célula em relevo 238.
Referindo-se à figura 2C, um primeiro substrato 242 inclui umgrande número de fontes de constituinte 244 substancialmente regularmenteperiodicamente localizadas. Um primeiro precursor 246 é acoplado ao gran-de número de fontes 224 substancialmente regularmente periodicamentelocalizadas. Pode ser considerado que há relativamente mais do primeiroprecursor 246 em uma posição central 258 comparada a uma posição daborda 250. Um segundo substrato 252 inclui um grande número de fontessubstancialmente regularmente periodicamente localizadas 245. Um segun-do precursor 254 é acoplado ao grande número de fontes substancialmenteregularmente periodicamente localizadas 245. Pode ser considerado que hárelativamente mais do segundo precursor 254 na posição central 259 com-parada a uma posição da borda 251. O primeiro substrato 242 e o segundosubstrato 252 são móveis em relação um ao outro. Quando o primeiro pre-cursor 246 e o segundo precursor 254 são postos em contato e aquecidos(opcionalmente sob a influência de um campo elétrico) o produto da reaçãoresultante será rico em matéria de composição nos constituintes do primeiroprecursor em uma localização correspondente à posição central 258 e serárico em matéria de composição nos constituintes do segundo precursor emuma localização correspondente à posição central 259.
Referindo-se às figuras 3A-3H, a superfície em relevo e/ou asfontes de constituinte podem estar localizadas através de uma superfíciepara definir uma simetria hexagonal, uma simetria ortogonal ou outra sime-tria e/ou grupo espacial. Referindo-se à figura 3A, o relevo da superfície ouas fontes podem definir uma grade hexagonal 310. Referindo-se à figura 3B,os produtos da reação 320 cuja localização corresponda à grade 310 podemestar em colunas (para facilitar o transporte do veículo da carga) com umacircunferência circular. Referindo-se à figura 3C, a razão de área de domínioda matriz para área de domínio da coluna pode ser controlada pela localiza-ção das colunas de produto dã reação 330 mais próximas uma à outra (porexemplo, de modo que as colunas estejam apenas se tocando). Referindo-se à figura 3D, a razão de domínio da matriz para domínio da coluna podeainda ser diminuída pela localização das colunas do produto da reação 340de modo que elas se sobreponham. Referindo-se à figura 3E, a superfícieem relevo ou as fonts podem definir uma grade ortogonal 350. Referindo-seà figura 3F, os produtos da reação 360 cuja locação corresponda à grade350 podem estar em coluna (para facilitar o transporte do veículo da carga)com uma circuferência circular. Referindo-se à figura 3G, a razão de domínioda matriz para domínio de coluna pode ser controlada localizando as colu-nas do produto da reação 370 mais próximas uma da outra (por exemplo, demodo que as coiunas estejam apenas se tocando). Referindo-se à figura 3H,a razão de domínio da matriz para domínio de coluna pode diminuir aindamais pela localização das colunas 380 do produto da reação de modo queelas se sobreponham.
EXEMPLOS
As modalidades espoecíficas da invenção serão agora tambémdescritas pelos seguintes exemplos não Iimitativos que servirão para ilustrarcom algum detalhe várias características. Os exemplos a seguir são incluí-dos para facilitar um entendimento das maneiras em que pode ser realizadauma modalidade da invenção. Devia ser considerado que os exemplos aseguir representam modalidades descobertas para funcionar bem na práticada invenção e assim podem ser considerados para constituir modo (s) prefe-rido (s) para a prática das modalidades da invenção. No entanto, devia serconsiderado que muitas mudanças podem sr feitas nos exemplos de modali-dades que são divulgadas enquanti ainda obtenham resultado parecido ousimilar sem sair do espírito e do âmbito de uma modalidade da invenção.Conseqüentemente, os exemplos não deviam ser considerados como Iimita-tivos do âmbito da invenção.
Exemplo 1
Referindo-se às figuras 4A-4C, este exemplo refere-se a umamodalidade da invenção que inclui o revestimento plano de um primeiro pre-cursor 410 sobre uma superfície de uma ferramenta 416 em que um primeiroconstituinte precursor é substancialmente regularmente periodicamente au-mentado depositando-se previamente um grande número de fontes de cons-tituinte 412 que incluem um excesso do constituinte em relação a uma quan-tidade média. Esta modalidade também inclui o uso de um campo elétricopermutável (por exemplo, liga-desliga), modulável (por exemplo, intensidadedo campo), reversível (por exemplo, polaridade).
Referindo-se à figura 4A, um primeiro precursor 410 inclui fontes412. Um segundo precursor 420 é fornecido sobre um contato do avesso422. Referindo-se à figura 4B, o primeiro precursor 410 e o segundo precur-sor 420 são postos em contato e aquecidos e é aplicado um campo elétrico.Com o sentido do campo aplicado como representado na figura 4B, o campoelétrico tends direcionar pelo menos alguns dos íons de cobre para fora daferramenta. O campo como representado exerce uma força sobre o cobreque é oposta à direção da força motriz química sobre o cobre e pode serdenominada polarização reversa (em oposição à polarização direta). Eviden-temente, a direção do campo pode ser selecionada, a magnitude do campopode ser controlada e o campo pode ser comutado ligado e/ou desligado.Enquanto isso, as fonts 412 formam domínios beta ricos em índio-gálio. Re-ferindo-se à figura 4C, depois que o campo elétrico é removido, a ferramentaé separada e os domínios permanecem intactos.
Exemplo 2
Referindo-se às figuras 5A-5C, este exemplo refere-se a umamodalidade da invenção que inclui revestimento plano de um primeiro pre-cursor sobre uma superfície de uma ferramenta em que um primeiro precur-sor constituinte é substancialmente regularmente periodicamente aumentadodepositando previamente um grande número de fontes de constituinte queincluem um excesso do constituinte em relação a uma quantidade média.Esta modalidade da invenção também inclui uma superfície de contato doavesso que é plana revestida com um segundo precursor. Esta modalidadeinclui o uso de uma intensidade de campo elétrico permutável (por exemplo,liga-desliga), modulável (por exemplo, intensidade do campo), reversível (porexemplo, polaridade), substancialmente regularmente periodicamente variá-vel em relação à localização espacial basal.
Referindo-se à figura 5A, um primeiro precursor 510 inclui fontesde (ln/Ga)y(Se)i-y e de In/Ga 512. O primeiro precursor 510 é acoplado auma camada de liberação planarizada 514 que está acoplada a uma superfí-cie de uma ferramenta 516 substancialmente regularmente periodicamenteem relevo. As fontes 512 podem ser automontadas em locações correspon-dents à superfície em relevo por foto-ionização de partículas de In/Ga e apli-cando uma polarização negativa à ferramenta ou ionizando o jato de inun-dação nas partículas de In/Ga e aplicando um campo de polarização positivoà ferramenta. O uso de foto-ionização e/ou de ionização do jato de inunda-ção para permitir o posicionamento de pontos quânticos é descrito peia Pat.U.S. N9. 6.313.476. Evidentemente, podem ser usados outros métodos deautomontagem e/ou de deposição para Iocalizer as fontes 512, tal como téc-nicas de epitaxia auto-organizada (por exemplo, em GaAs) e/ou molecularesde escolher e colocar. Um segundo precursor 520 inclui CuxSei-x. Referindo-se à figura 5B, o primeiro precursor 510 e o segundo precursor 520 são pos-tos em contato e aquecidos e é aplicado um campo elétrico. O campo elétri-co representado tende a direcionar alguns dos ions de cobre para fora dasprojeções da ferramenta liberada, formando assim domínios alfa ricos emcobre. O direcionamento do cobre para fora da ferramenta ajuda a evitar asoldagem do produto da reação à ferramenta. Enquanto isso, as fontes 512formam domínios beta ricos em índio-gálio. Referindo-se à figura 5C, depoisque o campo elétrico é removido, a ferramenta é separada e os domíniospermanecem intactos.
Exemplo 3
Referindo-se às figuras 6A-6C, este exemplo refere-se a umamodalidade da invenção que inclui uma ferramenta 610 em que a quantida-de de um primeiro precursor 612 é substancialmente regularmente periodi-camente aumentada por revestimento plano de uma superfície substancial-mente regularmente periodicamente em relevo. Esta modalidade da inven-ção também inclui um contato com a superfície do avesso 614 em que umsegundo precursor 616 é substancialmente planarizado.
Referindo-se à figura 6A, podem ser observadas locações deprimeiro precursor adicional. Referindo-se à figura 6B, os domínios resultan-tes são em coluna e se estendem de uma primeira superfície 620 do produtoda reação até uma segunda superfície 622. Referindo-se à figura 6C, umemissor 649 é acoplado ao produto da reação.
Exemplo 4
Referindo-se às figuras 6D-6F, este exemplo refere-se a umamodalidade da invenção que inclui uma ferramenta 660 que é plana revesti-da com um primeiro precursor 662. Esta modalidade da invenção tambéminclui um contato da superfície do avesso 664 em que a quantidade de umsegundo precursor 668 é substancialmente regularmente periodicamenteaumentada por revestimento plano de superfície uma substancialmente re-gularmente periodicamente em relevo.
Referindo-se à figura 6D, as locações de segundo precursor adi-cionado correspondem às locações em que os segundo domínios ricos emprecursores estarão localizados adjacentes ao segundo substrato. Referin-do-se à figura 6E, somente um dos domínios resultantes de estende de umaprimeira superfície 670 do produto da reação até uma segunda superfície672. Referindo-se à figura 6F, um emissor 699 é acoplado ao produto dareação.
Exemplo 5
Referindo-se às figuras 8A-8C, este exemplo refere-se a umamodalidade da invenção que inclui um revestimento plano de um primeiroprecursor sobre uma superfície de uma ferramenta em que um primeiro pre-cursor constituinte é substancialmente regularmente periodicamente aumen-tado em relação a um plane basal pela utilização de um substrato em relevo.O resultado é um excesso do constituinte relativo a uma quantidade média alocações que correspondem aos recessos individuais da superfície em rele-vo da ferramenta. Esta modalidade também inclui o uso de uma intensidadede campo elétrico permutável (por exemplo, liga-desliga), modulável (porexemplo, intensidade do campo), reversível (por exemplo, polaridade), subs-tancialmente regularmente periodicamente variável em relação à localizaçãoespacial basal.
Referindo-se à figura 8A, um primeiro precursor 810 é fornecidosobre a superfície de uma ferramenta 815. Um segundo precursor 820 é for-necido sobre um contato do avesso 822. Referindo-se à figura 5B, o primeiroprecursor 810 e o segundo precursor 820 são postos em contato e aqueci-dos e é aplicado um campo elétrico. Com a voltagem do campo aplicadocomo representado na figura 8B, o campo elétrico tende a direcionar pelomenos alguns dos íons de cobere para fora da ferramenta. É importanteconsiderer que a intensidade do campo é mais alta naquelas locações dasuperfície da ferramenta que não estão em relevo. Desse modo, a força mo-triz eletrostática também é substancialmente regularmente periodicamenteaumentada em relação a um plano basal. O campo como representado e-xerce uma força sobre o cobre que é oposta à direção da ação química so-bre o cobre e pode ser denominado voltagem reversa (em oposição à volta-gem para adiante). Evidentemente, a direção do campo pode ser seleciona-da, a magnitude do campo pode ser controlada e o campo pode ser comuta-do ligado e/ou desligado. Enquanto isso, os domínios beta ricos em índio-gálio tendem a se formar em locações que correspondem aos individual re-cessos individuais da superfície em relevo da ferramenta. Reférindo-se àfigura 8C, depois que o campo elétrico é removido, a ferramenta é separadae os domínios permanecem intactos.
Exemplo 6
Referindo-se às figuras 9A-9C, este exemplo refere-se a uma dainvenção que inclui um primeiro precursor sobre uma superfície de uma fer-ramenta em que um primeiro precursor constituinte é substancialmente regu-larmente periodicamente aumentado em relação a um plano basal pela utili-zação de um substrato em relevo em combinação com um revestimento lí-quido que contém o primeiro precursor constituinte. O revestimento líquido éseco e então um restante do primeiro precursor é depositado. O resultado éum excesso do constituinte relative a uma quantidade média em locaçõesque correspondam aos recessos individuais da superfície em relevo da fer-ramenta. Esta modalidade também inclui o uso de uma intensidade de cam-po elétrico permutável (por exemplo, liga-desliga), modulável (por exemplo,intensidade do campo), reversível (por exemplo, polaridade), substancial-mente regularmente periodicamente variável em relação à localização espa-ciai basal.
Referindo-se à figura 9A, o revestimento líquido 905 que contémo primeiro precursor constituinte é aplicado a uma superfície da ferramenta515. Referindo-se à figura 9B, o revestimento líquido 905 é seco e forçascapilares fazem com que o primeiro precursor constituinte seja coletado naspartes mais profundas dos recessos individuais. Referindo-se à figura 9C, orestante 910 do primeiro precursor é depositado planar. Um segundo precur-sor 920 é fornecido sobre um contatno do avesso 522. Referindo-se à figura9D, o primeiro precursor 910 e o segundo precursor 920 são postos em con-tato e aquecidos e um campo elétrico é aplicado. Com a voltagem do campoaplicado como representado na figura 9D, o campo elétrico tende a direcio-nar pelo menos alguns dos íons de cober para fora do substrato em relevo.É importante considerar que a intensidade do campo é mais alta naquelaslocações da superfície da ferramenta que não estão em recesso. Desta ma-neira, a força eletrostática motriz também é substancialmente regularmenteperiodicamente aumentada em relação a um plano basal. De novo, a direçãodo campo pode ser selecionada, a magnitude do campo pode ser controladae o campo pode ser comutado para ligado e/ou desligado. Referindo-se àfigura 9E, os domínios beta ricos em índio-gálio tendem a se formar em lo-cações que correspondam aos recessos individuais da superfície em relevoda ferramenta. Depois que o campo elétrico é removido, a ferramenta é se-parada e os domínios permanecem intactos.
Exemplo 7Referindo-se às figuras 10A-10D, este exemplo se refere a umamodalidade da invenção que inclui um segundo precursor 1000 sobre umasuperfície de um contato do avesso 1020 em que um segundo precursorconstituinte é substancialmente regularmente periodicamente aumentado pordeposição previamente de um grande número de fontes de constituinte 1010que incluem um excesso do constituinte relativo a uma quantidade média.De novo, esta modalidade inclui o uso de um campo elétrico permutável (porexemplo, liga-desliga), modulável (por exemplo, intensidade do campo), re-versível (por exemplo, polaridade).
Referindo-se à figura 10A, são formadas fonts 1010 sobre o con-tato do avesso 1020 por epitaxia. Referindo-se à figura 10B, um primeiroprecursor 1030 é fornecido sobre a the superfície de uma ferramenta. O pri-meiro precursor 1030 e o segundo precursor 1000 são postos em contato eaquecidos e o campo elétrico é aplicado. Com a voltagem do campo aplica-do como representado na figura 10C, o campo elétrico tende a direcionarpelo menos alguns dos íons de cobere para fora da superfície da ferramenta.O campo como representado exerce uma força sobre o cobre que é oposta àdireção da ação química sobre o cobre e portanto pode ser denominado vol-tagem reversa. Como nos exemplos anteriores, a direção do campo podeser selecionada, a magnitude do campo pode ser controlada e o campo po-de ser comutado para ligado e/ou desligado. Enquanto isso, as fontes 1010formam domínios alfa ricos em cobre. Referindo-se à figura 10D, depois de ocampo elétrico ter sido removido, a ferramenta é separada e os domíniospermanecem intactos.
Aplicações Práticas
Uma aplicação prática da invenção que tem valor dentro das ar-tes tecnológicas é a fabricação de dispositivos fotoelétricos tais como filmespara absorção ou compostos de fósforo electroluminescentes. Além disso, ainvenção é útil em associação com a fabricação de semicondutores (taiscomo usados com a finalidade de transistores)ou em associação com a fa-bricação de supercondutores (tais como são usados para a finalidade demagnetos ou detectores) ou similares. Há virtualmente inumeráveis usospara uma modalidade da invenção, todos não necessitando serem detalha-dos neste caso.
Vantagens
As modalidades da invenção podem ser eficazes em relação aocusto e vantajosas pelo menos pelas razões a seguir. As modalidades dainvenção podem melhorar o controle de formação de uma estrutura de do-mínio de fase segregada dentro de um produto de reação química. As moda-lidades da invenção podem melhorar as propriedades limite de um grandenúmero de estruturas de domínio dentro da estrutura de domínio de fasesegregada. As modalidades da invenção podem melhorar o desempenhodos produtos da reação química que incluem a estrutura de domínio de fasesegregada. As modalidades da invenção melhoram a qualidade e/ou redu-zem os custos comparados a abordagens anteriores.
Definições
Pretende-se que o termo camada genericametne signifique fil-mes, revestimentos e estruturas mais espessas. O termo revestimento pre-tende subgenericamente significar filmes finos, filmes espressos e estruturasmais espessas. O termo composição pretende genericamente significarsubstâncias inorgânicas e orgânicas tais como, porém não limitadas a, pro-dutos da reação química e/ou produtos da reação física. O termo selenietopretende significar um material que inclua o elemento selênio e não incluaoxigênio suficiente para precipitar uma base de selenato separada; o oxigê-nio pode estar presente no selenieto. O termo ferramenta pretende significarum substrato que se pretende reutilizar ou para uso múltiplo.
Pretende-se que o termo programa e/ou a expressão programade computador signifique uma seqüência de instruções projetadas para exe-cução em um sistema de computador (por exemplo, um programa e/ou umprograma de computador, possa incluir uma sub-rotina, uma função, um pro-cedimento, um método objetivo, uma implementação objetiva, uma aplicaçãoque possa ser executada, um pequeno programa para ser inserido em lin-guagem Java, um pequeno programa de aplicação que opera em um servi-dor, um código de fonte, um código objetivo, uma coleção de programas decarga compartilhada / dinâmica e/ou outra seqüência de instruções projetadapara execução em um computador ou em um sistema de computador). Pre-tende-se que a expressão radio freqüência signifique freqüências menoresdo que ou iguais a aproximadamente 300 GHz assim como no espectro in-fravermelho. Os números de grupo correspondente às colunas dentro databela periódica dos elementos usam a convenção "New Notation" comoobservado no CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81ê Edição (2000).
O termo substancialmente pretende significar largamente, porémnão necessariamente de forma total e completa o que é especificado. O ter-mo aproximadamente pretende significar pelo menos próximo a um dadovalor (por exemplo, dentro de 10 % do mesmo). O termo geralmente preten-de significar pelo menos se aproximando de um dado estado. O termo aco-plado pretende significar ligado, embora não necessariamente diretamente enão necessariamente mecanicamente. O termo o mais próximo, como usadoneste caso, pretende significar perto, quase adjacente e/ou coincidente einclui situações espaciais em que funções e/ou resultados especificados (sehouver) podem ser realizados e/ou conseguidos. O termo distribuir pretendesignificar projetar, construer, transporter, instalar e/ou operar.
O termo primeiro ou um e as expresses pelo menos um primeiroou pelo menos um pretendem significar o singular ou o plural a não ser sefor evidente pelo texto intrínseco deste documento que se pretenda significarde outro modo. O termo segundo ou um outro e as expresses pelo menosum segundo ou pelo menos outro, pretendem significar o singular ou o plurala não ser se for evidente pelo texto intrínseco deste documento que se pre-tenda significar de outro modo. A não ser se for afirmado expressamente aocontrário do texto intrínseco deste documento, o termo ou pretende significarum ou inclusive e não um ou exclusivo. Especificamente, uma condição A ouB é satisfeita por qualqauer um do seguinte: A é verdadeiro (ou está presen-te) e B é falso (ou não está presente), A é falso (ou não está presente) e B éverdadeiro (ou está presente) e tanto A como B são verdadeiros (ou presen-te). O termos a or an são empregados para estilo gramatical e meramentepor conveniência.O termo pluralidade pretende significar dois ou mais do que dois.O termo qualquer pretende significar todos os elementos de um conjunto quepossam ser aplicados ou pelo menos um subconjunto de todos elementosque podem ser aplicados do conjunto. A expressão qualquer número inteiroderivável pretende significar um número inteiro entre os números correspon-dente citados no relatório descritivo. A expressão qualquer faixa derivávelnaquele caso pretende significar qualquer faixa dentro de tais números cor-respondentes. O termo meios, quando seguido pelo termo "para" pretendesignificar hardware, programa permanentemente armazenado na memóriade leitura e/ou software para se atingir um resultado. O termo etapa, quandoseguidio pelo termo "para" pretende significar um (sub) método, um (sub)processo e/ou uma (sub) rotina para se conseguir o resultado citado.
Os termos "compreende," "compreendendo," "inclui," "incluindo,""has," "tendo" ou qualquer outra variação dos mesmos, pretendem abrangeruma inclusão não exclusiva. Por exemplo, um processo, um método, um ar-tigo ou uma aparelhagem que compreenda uma lista de elementos não estánecessariamente limitado apenas àqueles elementos porém pode incluir ou-tros elementos não expressamente relacionado ou inerente a tal processo,método, artigo ou aparelhagem. Os termos "consistindo" (consiste, consisti-do) e/ou "compondo" (compõe, composto) pretende significar linguagemhermética que não sai do método, da aparelhagem ou da composição cita-dos para a inclusão de procedimentos, estrutura (s) e/ou ingrediente (s) semser aqueles citados exceto para auxiliares, adjuntos e/ou impurezas geral-mente associadas. A utilização do termo "essencialmente" juntamente com otermo "consistindo" (consiste, consistido) e/ou "compondo" (compõe, com-posto), pretende significar linguagem hermética modificada que sai do méto-do, da aparelhagem e/ou da composição citados abertos somente para ainclusão de procedimento (s), estrutura (s) e/ou ingrediente (s) não especifi-cados que não afete materialmente as novas características do método, daaparelhagem e/ou da composição citados.
A não ser se definidos de outra maneira, todos os termos técni-cos e científicos usados neste caso têm o mesmo significado como comu-mente entendido por um perito na técnica à qual pertence esta invenção. Emcaso de conflito, o presente relatório descritivo, inclusive definições, serviráde controle.
Conclusão
As modalidades e os exemplos descritos são ilustrativos e nãopretendem ser limitativos. Embora as modalidades da invenção possam serimplementadas separadamente, as modalidades da invenção podem serintegradas no (s) sistema (s) com os oquais elas estão associadas. Todas asmodalidades da invenção aqui divulgadas podem ser obtidas e usadas semexperimentação indevida à luz da divulgação. Embora seja divulgado o me-lhor modo da invenção considerados pelo (s) inventor(es), as modalidadesda invenção não estão limitadas ao mesmo. As modalidades da invençãonão são limitadas por afirmações teóricas (se houver) aqui citadas. As eta-pas individuais das modalidades da invenção não precisam ser realizadas namaneira divulgada nem combinadas nas seqüências divulgadas, porém po-dem ser realizadas de qualquer e em todas as seqüências. Os componentesindividuais das modalidades da invenção não precisam ser moldados nosformatos divulgados, nem combinados nas configurações divulgadas, porémpodiam ser fornecidos em qualquer um e em todos os formatos, e/ou combi-nados em qualquer uma e em todas as configurações. Os componentes in-dividuais não precisam ser fabricados partindo dos materiais divulgados, po-rém podiam ser fabricados partindo de qualquer um e de todos os materiaisadequados. Substituições homólogas podem ser usadas em lugar das subs-tâncias aqui descritas.
Pode ser considerado por aqueles peritos na técnica à qual per-tencem que podem ser feitas várias substituições, modificações, adiçõese/ou rearranjos das características das modalidades da invenção sem sedesviar do espírito e/ou do âmbito do conceito básico da invenção. Todos oselementos e aspectos divulgados de cada modalidade divulgada podem sercombinados com ou usados em lugar de, os elementos e os aspectos divul-gados de toda modalidade divulgada exceto em que tais elementos ou as-pectos sejam mutualmente exclusivos. O espírito e/ou o âmbito do conceitobásico da invenção como definido pelas reivindicações anexas e suas equi-valentes abrangem todos tais substituições, modificações, adições e/ou rear-ranjos.
As reivindicações anexas não devem ser interpretadas comoincluindo limitações médias mais função, a não ser se uma tal limitação forcitada explicitamente em uma dada reivindicação usando a (s) expressão(ões) "meios para" e/ou "etapa para." as modalidades subgenéricas da in-venção são delineadas pelas reivindicações anexas independentes e seusequivalentes. As modalidades específicas da invenção são diferenciadaspelas reivindicações anexas dependentes e seus equivalentes.
REFERÊNCIAS
(1) B.J. Stanbery, "The intra-absorber junction (IAJ) model for the devicephysics of copper indium selenide-based photovoltaics," 0-7803-8707-4/05 IEEE, apresentado em 5 de janeiro de 2005, páginas 355-358.
(2) Y. Yan, R. Noufi, K.M. Jones, K. Ramanathan, M.M. Al-Jassim e B.J.Stanbery, "Chemical fluctuation-induced nanodomains in Cu(In1Ga)Se2films," Applied Physics Letters 87, 121904 American Institute of Phy-sics, 12 de setembro de 2005.
(3) Billy J. Stanbery, "Copper indium selenides and related materiais forphotovoltaic devices," 1040-8436/02 CRC Press, Inc., 2002, páginas73-117.
(4) B.J. Stanbery, S. Kincal, L. Kim, T.J. Anderson, O.D. Crisalle, S.P. A-hrenkiel e G. Lippold "Role of Sodium in the Control of Defect Structu-res in CIS1" 0-7803-5772-8/00 IEEE, 2000, páginas 440-445.
(5) 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 6-10 de junho de2005, Barcelona, Espanha, páginas 1744-1747.
Claims (18)
1. Composição, que compreendeum produto de reação química que define uma primeira superfí-cie e uma segunda superfície,caracterizado pelo fato de que o produto de reação química in-clui uma estrutura de domínio de fase segregada que inclui um grande nú-mero de estruturas de domínio, em que pelo menos um do grande númerode estruturas de domínio inclui pelo menos um domínio que se estende daprimeira superfície do produto de reação química até a segunda superfíciedo produto de reação química.
2. Composição da reivindicação 1, em que o grande número deestruturas de domínio inclui dois domínios que se estendem desde a primei-ra superfície do produto de reação química até a segunda superfície do pro-duto de reação química.
3. Composição da reivindicação 1, em que o grande número deestruturas de domínio inclui i) um primeiro domínio que se estende desde aprimeira superfície do produto de reação química até a segunda superfíciedo produto de reação química e ii) um segundo domínio que não se estendeda primeira superfície do produto de reação química até a segunda superfí-cie do produto de reação química.
4. Composição da reivindicação 1, em que o produto de reaçãoquímica inclui um semiconductor de absorção.
5. Composição da reivindicação 1, em que a estrutura de domí-nio de fase segregada inclui um sistema de domínio de fase segregada.
6. Composição da reivindicação 5, em que o sistema de domíniode fase segregada inclui um sistema hexagonal que define um tamanho deintradomínio r e um espaçamento de interdomínio d.
7. Composição da reivindicação 6, em que a composição incluium semicondutor e a razão de r/d e as magnitudes do tamanho de intrado-mínio r e do espaçamento de interdomínio d são controladas para minimizarsubstancialmente uma recombinação R total característica do semicondutor.
8. Composição da reivindicação 1, em que o produto de reaçãoquímica inclui o selenieto de cobre e índio.
9. Composição da reivindicação 8, em que a primeira do grandenúmero de estruturas de domínio inclui i) um domínio CulnSe2 α rico em co-bre, deficiente em índio e ii) um domínio CuInSe2 β deficiente em cobre, ricoem índio.
10. Composição da reivindicação 8, em que o selenieto de cobree índio inclui cobre índio gálio selênio.
11. Composição da reivindicação 10, em que a primeira dogrande número de estruturas de domínio inclui i) um domínio Cu(InlGa)Se2 αrico em cobre, deficiente em índio / gálio e ii) um domínio Cu(In1Ga)Se2 βdeficiente em cobre, rico em índio / gálio.
12. Composição da reivindicação 1, em que a primeira fase e asegunda fase são cristalograficamente coerentes.
13. Composição da reivindicação 1, em que o produto de reaçãoquímica inclui uma parte selecionada do grupo que consiste em uma cama-da, um revestimento e um filme.
14. Dispositivo fotoelétrico que compreende a composição dareivindicação 1.
15. Composição, que compreendeum produto de reação química que define uma primeira superfí-cie e uma segunda superfície,caracterizado pelo fato de que o produto de reação química in-clui uma estrutura de domínio de fase segregada que inclui um grande nú-mero de estruturas de domínio, em que pelo menos um do grande númerode estruturas de domínio inclui pelo menos um domínio que se estende des-de a primeira superfície do produto de reação química até a segunda super-fície do produto de reação química,em que o grande número de estruturas de domínio inclui doisdomínios que se estendem desde a primeira superfície do produto de reaçãoquímica até a segunda superfície do produto de reação química eem que a estrutura de domínio de fase segregada inclui um sis-tema de domínio de fase segregada que inclui um sistema hexagonal quedefine um tamanho de intradomínio r e um espaçamento de interdomínio d.
16. Composição da reivindicação 15, em que a composição in-clui um semicondutor e a razão de r/d e as magnitudes do tamanho de intra-domínio r e do espaçamento de interdomínio d são controladas para minimi-zar substancialmente uma recombinação R total característica do semicon-dutor.
17. Composição, que compreendeum produto de reação química wur frginr uma primeira superfíciee uma segunda superfície,caracterizado pelo fato de que o produto de reação química in-clui uma estrutura de domínio de fase segregada que inclui um grande nú-mero de estruturas de domínio, em que pelo menos um do grande númerode estruturas de domínio inclui pelo menos um domínio que se estende des-de a primeira superfície do produto de reação química até a segunda super-fície do produto de reação química,em que o grande número de estruturas de domínio inclui i) umprimeiro domínio que se estende desde a primeira superfície do produto dereação química até a segunda superfície do produto de reação química e ii)um segundo domínio que não se estende desde a primeira superfície doproduto de reação química até a segunda superfície do produto de reaçãoquímica,em que a estrutura de domínio de fase segregada inclui um sis-tema de domínio de fase segregada eem que o sistema de domínio de fase segregada inclui um sis-tema hexagonal que define um tamanho de intradomínio r e um espaçamen-to de interdomínio d.
18. Composição da reivindicação 17, em que a composição in-clui um semicondutor e a razão de r/d e as magnitudes do tamanho de intra-domínio r e do espaçamento de interdomínio d são controladas para minimi-zar substancialmente uma recombinação R total característica do semicon-dutor.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/331,431 US8084685B2 (en) | 2006-01-12 | 2006-01-12 | Apparatus for making controlled segregated phase domain structures |
| US11/331,422 US20070160763A1 (en) | 2006-01-12 | 2006-01-12 | Methods of making controlled segregated phase domain structures |
| US11/330,905 | 2006-01-12 | ||
| US11/330,905 US7767904B2 (en) | 2006-01-12 | 2006-01-12 | Compositions including controlled segregated phase domain structures |
| US11/331,431 | 2006-01-12 | ||
| US11/331,422 | 2006-01-12 | ||
| PCT/US2007/000935 WO2007082080A1 (en) | 2006-01-12 | 2007-01-12 | Compositions including controlled segregated phase domain structures |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BRPI0707128A2 true BRPI0707128A2 (pt) | 2011-04-19 |
Family
ID=38042929
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BRPI0707127-2A BRPI0707127A2 (pt) | 2006-01-12 | 2007-01-12 | métodos para fazer estruturas de domìnio de fase segregadas controladas |
| BRPI0707128-0A BRPI0707128A2 (pt) | 2006-01-12 | 2007-01-12 | composições que incluem estruturas de domìnio de fase controladas segregadas |
| BRPI0707122-1A BRPI0707122A2 (pt) | 2006-01-12 | 2007-01-12 | aparelho para fazer estruturas de domìnio de fase segregada controlada |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BRPI0707127-2A BRPI0707127A2 (pt) | 2006-01-12 | 2007-01-12 | métodos para fazer estruturas de domìnio de fase segregadas controladas |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BRPI0707122-1A BRPI0707122A2 (pt) | 2006-01-12 | 2007-01-12 | aparelho para fazer estruturas de domìnio de fase segregada controlada |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (3) | EP1974397B1 (pt) |
| KR (3) | KR101245556B1 (pt) |
| AT (2) | ATE520154T1 (pt) |
| AU (3) | AU2007204811B2 (pt) |
| BR (3) | BRPI0707127A2 (pt) |
| CA (3) | CA2637111C (pt) |
| DE (1) | DE602007005092D1 (pt) |
| ES (2) | ES2342022T3 (pt) |
| MX (3) | MX2008008977A (pt) |
| WO (3) | WO2007082084A2 (pt) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101471394A (zh) * | 2007-12-29 | 2009-07-01 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 |
| US8158033B2 (en) | 2009-08-04 | 2012-04-17 | Precursor Energetics, Inc. | Polymeric precursors for CAIGAS aluminum-containing photovoltaics |
| CN102473778A (zh) | 2009-08-04 | 2012-05-23 | 普瑞凯瑟安质提克斯公司 | 用于具有受控的化学计量的光伏吸收剂的方法 |
| AU2010279660A1 (en) | 2009-08-04 | 2012-03-01 | Precursor Energetics, Inc. | Polymeric precursors for CIS and CIGS photovoltaics |
| US8067262B2 (en) | 2009-08-04 | 2011-11-29 | Precursor Energetics, Inc. | Polymeric precursors for CAIGS silver-containing photovoltaics |
| WO2011084171A1 (en) | 2009-12-17 | 2011-07-14 | Precursor Energetics, Inc. | Molecular precursors for optoelectronics |
| WO2011146115A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Heliovolt Corporation | Liquid precursor for deposition of copper selenide and method of preparing the same |
| US9142408B2 (en) | 2010-08-16 | 2015-09-22 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Liquid precursor for deposition of indium selenide and method of preparing the same |
| AU2011302008A1 (en) | 2010-09-15 | 2013-05-09 | Precursor Energetics, Inc. | Deposition processes and devices for photovoltaics |
| TWI435463B (zh) * | 2011-07-26 | 2014-04-21 | Au Optronics Corp | 形成光電轉換層之方法 |
| US9105797B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-08-11 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Liquid precursor inks for deposition of In—Se, Ga—Se and In—Ga—Se |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4322571A (en) * | 1980-07-17 | 1982-03-30 | The Boeing Company | Solar cells and methods for manufacture thereof |
| JP3244408B2 (ja) * | 1995-09-13 | 2002-01-07 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| US6268014B1 (en) * | 1997-10-02 | 2001-07-31 | Chris Eberspacher | Method for forming solar cell materials from particulars |
| WO2001003232A1 (fr) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Cellule photoelectrique |
| US6313479B1 (en) | 1999-09-14 | 2001-11-06 | Zhenyu Zhang | Self-organized formation of quantum dots of a material on a substrate |
| JP2002329877A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）２薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層の形成方法 |
| US6787012B2 (en) | 2001-09-20 | 2004-09-07 | Helio Volt Corp | Apparatus for the synthesis of layers, coatings or films |
| US6500733B1 (en) | 2001-09-20 | 2002-12-31 | Heliovolt Corporation | Synthesis of layers, coatings or films using precursor layer exerted pressure containment |
| US6593213B2 (en) | 2001-09-20 | 2003-07-15 | Heliovolt Corporation | Synthesis of layers, coatings or films using electrostatic fields |
| US6736986B2 (en) | 2001-09-20 | 2004-05-18 | Heliovolt Corporation | Chemical synthesis of layers, coatings or films using surfactants |
| US6881647B2 (en) | 2001-09-20 | 2005-04-19 | Heliovolt Corporation | Synthesis of layers, coatings or films using templates |
| AU2002334597B2 (en) * | 2001-09-20 | 2005-12-22 | Heliovolt Corporation | Apparatus for the synthesis of layers, coatings or films |
| US6559372B2 (en) | 2001-09-20 | 2003-05-06 | Heliovolt Corporation | Photovoltaic devices and compositions for use therein |
| GB2391385A (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-04 | Seiko Epson Corp | Patterning method by forming indent region to control spreading of liquid material deposited onto substrate |
| CA2539556C (en) * | 2003-08-14 | 2010-10-26 | Vivian Alberts | Method for the preparation of group ib-iiia-via quaternary or higher alloy semiconductor films |
-
2007
- 2007-01-12 DE DE602007005092T patent/DE602007005092D1/de active Active
- 2007-01-12 EP EP07716583A patent/EP1974397B1/en not_active Not-in-force
- 2007-01-12 AU AU2007204811A patent/AU2007204811B2/en not_active Ceased
- 2007-01-12 AU AU2007204891A patent/AU2007204891B2/en not_active Ceased
- 2007-01-12 EP EP07716584A patent/EP1974392B1/en not_active Not-in-force
- 2007-01-12 WO PCT/US2007/000940 patent/WO2007082084A2/en active Application Filing
- 2007-01-12 CA CA2637111A patent/CA2637111C/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-12 WO PCT/US2007/000941 patent/WO2007082085A2/en active Application Filing
- 2007-01-12 MX MX2008008977A patent/MX2008008977A/es active IP Right Grant
- 2007-01-12 MX MX2008008976A patent/MX2008008976A/es active IP Right Grant
- 2007-01-12 AU AU2007204812A patent/AU2007204812B2/en not_active Ceased
- 2007-01-12 BR BRPI0707127-2A patent/BRPI0707127A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-01-12 CA CA2636790A patent/CA2636790C/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-12 BR BRPI0707128-0A patent/BRPI0707128A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-01-12 MX MX2008008975A patent/MX2008008975A/es active IP Right Grant
- 2007-01-12 CA CA2636791A patent/CA2636791C/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-12 KR KR1020087019814A patent/KR101245556B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-01-12 AT AT07716584T patent/ATE520154T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-01-12 BR BRPI0707122-1A patent/BRPI0707122A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-01-12 AT AT07716583T patent/ATE459983T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-01-12 ES ES07716583T patent/ES2342022T3/es active Active
- 2007-01-12 KR KR1020087019813A patent/KR101245555B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-01-12 EP EP20070709803 patent/EP1977452A1/en not_active Ceased
- 2007-01-12 WO PCT/US2007/000935 patent/WO2007082080A1/en active Application Filing
- 2007-01-12 ES ES07716584T patent/ES2373147T3/es active Active
-
2008
- 2008-08-12 KR KR1020087019815A patent/KR101266548B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| BRPI0707128A2 (pt) | composições que incluem estruturas de domìnio de fase controladas segregadas | |
| Hillhouse et al. | Solar cells from colloidal nanocrystals: fundamentals, materials, devices and economics | |
| Wang et al. | Synthesis of monodispersed wurtzite structure CuInSe2 nanocrystals and their application in high-performance organic− inorganic hybrid photodetectors | |
| US8084685B2 (en) | Apparatus for making controlled segregated phase domain structures | |
| Ojo et al. | Optimisation of pH of cadmium chloride post-growth-treatment in processing CdS/CdTe based thin film solar cells | |
| Islam et al. | Effect of design modification on efficiency enhancement in Sb2S3 absorber based solar cell | |
| US20190341506A1 (en) | Doping and passivation for high efficiency solar cells | |
| US7767904B2 (en) | Compositions including controlled segregated phase domain structures | |
| US8647533B2 (en) | Compositions including controlled segregated phase domain structure with segregated phase domain array | |
| Anwar et al. | Quantum Dot Solar Cells | |
| An et al. | Electrochemical synthesis of CuIn (1− x) GaxSe2 nanowires with controlled stoichiometry | |
| Tan et al. | CdSe tetrapods-modified ZnO cathode buffer layers for enhancement of power conversion efficiency in inverted polymer solar cells | |
| Tsai et al. | Electrodeposition of CuIn1− xGaxSe2 solar cells with a periodically-textured surface for efficient light collection | |
| Deng et al. | Effect of p-MoOx interfacial layer on the photovoltaic performances of p-MoS2/n-Si heterojunction solar cells by theoretical simulation | |
| Kaushika et al. | High Performance Solar Cells | |
| Rai et al. | Reduced Graphene Oxide/Silicon Nanowire Heterojunction-Fabrication and Photovoltaic Application | |
| Chowdhury et al. | Stability Estimation of Quantum Dot Based Solar Cell: Current Voltage Analysis | |
| Chowdhury et al. | Simulation of I–V characteristics of Quantum dot based solar cell: Stability estimation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| B08F | Application dismissed because of non-payment of annual fees [chapter 8.6 patent gazette] |
Free format text: REFERENTE A 9A ANUIDADE. |
|
| B08K | Patent lapsed as no evidence of payment of the annual fee has been furnished to inpi [chapter 8.11 patent gazette] |
Free format text: EM VIRTUDE DO ARQUIVAMENTO PUBLICADO NA RPI 2342 DE 24-11-2015 E CONSIDERANDO AUSENCIA DE MANIFESTACAO DENTRO DOS PRAZOS LEGAIS, INFORMO QUE CABE SER MANTIDO O ARQUIVAMENTO DO PEDIDO DE PATENTE, CONFORME O DISPOSTO NO ARTIGO 12, DA RESOLUCAO 113/2013. |