BRPI0614382A2 - método de revenir termicamente um artigo revestido com revestimento de óxido condutor transparente (tco) usando chama(s) no forno de revenimento adjacente ao tco para queimar oxigênio e produto produzido usando o mesmo - Google Patents

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Abstract

MéTODO DE REVENIR TERMICAMENTE UM ARTIGO REVESTIDO COM REVESTIMENTO DE óXIDO CONDUTOR TRANS-PARENTE (TCO) USANDO CHAMA(S) NO FORNO DE REVENIMENTO ADJACENTE AO TCO PARA QUEIMAR OXIGêNIO E PRODUTO PRODUZIDO USANDO O MESMO. A presente invenção refer-ese a um método de produção de um artigo revestido incluindo uma película de óxido condutor transparente (TCO) sustentado por um substrato de vidro. Em certas modalidades de exemplo, o artigo revestido incluindo a película de TCO no substrato de vidro é termicamente revenimento em um forno de revenimento. Em certas modalidades deexemplo, durante o revenimento são fornecidas chamas próximas à superfície exposta do TCO para queimar o excesso de oxigênio próximo à superfície do TCO evitando ou reduzindo, assim, a oxidação do TCO durante o pro-cesso de revenimento. é também fornecido um artigo revestido, que seja termicamente revenido, feito de tal produto.

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "método derevenir termicamente um artigo revestido com revestimen-to de óxido condutor transparente (tco) usando chama(s)no forno de revenimento adjacente ao tco para queimaroxigênio e produto produzido usando o mesmo".
A presente invenção refere-se a um método de produção de umproduto revestido incluindo uma película de óxido condutor transparente(TCO) sustentado por um substrato de vidro. Em certas modalidades de e-xemplo, o produto revestido incluindo a película de TCO no substrato de vi-dro é revenimento termicamente em um forno de revenimento. Em certasmodalidades de exemplo, durante chama de revenimento são fornecidaschamas próximas à superfície exposta do TCO para queimar o excesso deoxigênio próximo à superfície do TCO evitando ou reduzindo assim a oxida-ção do TCO durante o processo de revenimento. Um artigo revestido, que étermicamente revenimento, produzido por tal produto, é também fornecido.
Artigos revestidos conforme certas modalidades de exemplos não-limitativasdesta invenção podem ser usados em aplicações tais como baterias solares,portas de forno, janelas de degelo, ou outros tipos de janelas em certas ins-tâncias de exemplos.
Antecedentes e Sumário das Modalidades de Exemplo da Invenção
Tipicamente, métodos de formação de TCOs em substratos devidro requerem altas temperaturas do substrato de vidro. Tais métodos in-cluem pirólise química onde os precursores são pulverizados no substrato devidro a aproximadamente 400 a 500°C, e a deposição a vácuo onde o subs-trato de vidro é mantido a cerca de 150 a 300°C. A deposição por pulveriza-ção catódica de um TCO aproximadamente à temperatura ambiente tambémseria desejável, uma vez que a maioria das plataformas de produção de fo-lha de vidro não está equipada com sistemas de aquecimento in situ.
Há freqüentemente uma necessidade de revenir termicamenteartigos revestidos tendo um substrato de vidro revestido com uma pelícu-la/revestimento de TCO. Por exemplo, em certas aplicações o revenimento énecessário por código (por exemplo, para janelas sobre entradas, para janelasidentificadas como janelas quebráveis para bombeiros, e outras aplicações).O revenimento térmico tipicamente requer o aquecimento do substrato devidro com um revestimento sobre ele em um forno de revenimento a umatemperatura de pelo menos cerca de 580°C, mais preferivelmente pelo me-nos cerca de 600°C, a freqüentemente pelo menos cerca de 620 ou 640°C(por exemplo, por pelo menos cerca de 2 minutos, mais preferivelmente porpelo menos cerca de 5 minutos). Assim, será notado que o revenimento tér-mico envolve temperaturas muito altas.
TCOs reveníveis convencionais usam dióxido de estanho de flú-or-dopado processado piroliticamente como o material para o revestimentoTCO. Entretanto, isto poderia também ser desejável para um TCO para po-der ser depositado pela pulverização catódica de forma que isto poderia serexecutada a aproximadamente temperatura ambiente.
Entretanto, os TCOs depositados por pulverização catódica novidro suporte não podem ser revenidos termicamente, sem que o TCO sofrauma perda significativa na condutividade elétrica. As temperaturas de reve-nimento do vidro (vide acima).provocam uma rápida queda na condutividadeem certos TCOs (por exemplo, de oxido de zinco depositado por pulveriza-ção catódica inclusive TCOs). Acredita-se que essa queda na condutividadeseja devida à oxidação do TCO durante o processo de revenimento.
Assim, será notado que existe uma necessidade, na técnica, deuma técnica ou método melhorado de revenir substratos de vidro inclusivepelículas/revestimentos de TCO, que podem evitar ou reduzir a oxidação doTCO durante o revenimento e assim permitir que o TCO mantenha substan-cialmente sua condutividade elétrica em certas instâncias de exemplo.
Em certas modalidades de exemplo desta invenção, é fornecidoum método para revenir termicamente um substrato de vidro com uma pelí-cula/revestimento de TCO. O revenimento térmico tipicamente envolve oaquecimento do substrato de vidro com o revestimento de TCO em um fornode revenimento a uma temperatura de pelo menos cerca de 580°C, maispreferivelmente pelo menos cerca de 600°C, e freqüentemente pelo menoscerca de 620 a 640°C. O substrato de vidro com o revestimento TCO podeficar no forno de revenimento por pelo menos cerca de 2 minutos, mais pre-ferivelmente por cerca de pelo menos 5 minutos, em certas modalidades deexemplo desta invenção. Em certas modalidades de exemplo são fornecidaschamas próximas da superfície exposta do TCO no forno de revenimentopara queimar o excesso de oxigênio próxima da superfície do TCO evitandoou reduzindo assim a oxidação do TCO durante o processo de revenimento.Reduzindo-se a oxidação do TCO durante o processo de revenimento, muitada condutividade elétrica do revestimento de TCO pode ser mantida durantee/ou após o revenimento.
Em certas modalidades de exemplo a(s) chama(s) não precisamser fornecidas em todo o forno de revenimento. Em certas modalidades deexemplo, a(s) chama(s) é(são) fornecida(s) em locais de forma que a chamaesteja apenas próxima da superfície da película de TCO uma vez que o vidroe/ou a película de TCO alcancem uma temperatura predeterminada na, oupróxima da, temperatura de oxidação do TCO que pode variar com base nomaterial que compõe a película de TCO.
Em certas modalidades de exemplo desta invenção, a películade TCO pode ser depositada por pulverização catódica em um substrato devidro (quer direta ou indiretamente) aproximadamente à temperatura ambi-ente. Em modalidades alternativas, é possível preaquecer o substrato devidro antes da deposição por pulverização catódica da película de TCO. Emcertas modalidades de exemplo, entretanto, as chamas discutidas aqui po-dem ser usadas em conexão com o revenimento das películas de TCO de-positadas através de pirólise. Exemplos de películas de TCO incluem pelícu-Ias de, ou incluindo, ZnAIOx:Ag, ZnO, ITO (oxido de índio-estanho), SnO2e/ou SnO2:F. Outros tipos de películas de TCO podem ser usadas em lugardessas.
Em certas modalidades de exemplo desta invenção, é fornecidoum método de produção de um artigo revestido incluindo uma película con-dutora transparente, o método compreendendo: fornecimento de um substra-to de vidro; formação de uma película compreendendo um óxido condutortransparente no substrato de vidro; e revenir o artigo revestido incluindo osubstrato de vidro e a película compreendendo o oxido condutor transparen-te, e onde pelo menos uma chama é fornecida em um forno de revenimentopara queimar o oxigênio para evitar ou reduzir a oxidação da película com-preendendo o oxido condutor transparente durante o revenimento.
Em outras modalidades de exemplo desta invenção, é fornecidoum método de produção de um artigo revestido incluindo uma película con-dutora transparente, o método compreendendo: fornecimento de um substra-to de vidro, formação de uma película condutora transparente compreen-dendo um oxido condutor transparente no substrato de vidro; e revenir o ar-tigo revestido incluindo o substrato de vidro e a película condutora transpa-rente, e onde pelo menos uma chama é fornecida em um forno de reveni-mento próximo à película condutora transparente.
Breve Descrição dos Desenhos
A figura 1 é um fluxograma ilustrando um método de produçãode um artigo revestido termicamente revenimento conforme uma modalidadede exemplo desta invenção.
A figura 2 é um diagrama esquemático ilustrando um artigo re-vestido em um forno de revenimento térmico conforme uma modalidade deexemplo desta invenção.
A figura 3 é um gráfico ilustrando um ponto no forno de reveni-mento onde o vidro e/ou o revestimento alcançam uma temperatura prede-terminada que está na, ou próxima da, temperatura de oxidação do TCO novidro sendo revenimento.
Descrição Detalhada das Modalidades de Exemplo da Invenção
Artigos revestidos incluindo camada(s) condutora(s) conformecertas modalidades de exemplo não Iimitativas desta invenção podem serusados em aplicações tais como baterias solares, portas de forno, janelas dedegelo, aplicações em displays, ou outros tipos de janelas em certas instân-cias de exemplo. Por exemplo, e sem limitação, as camadas condutoras dis-cutidas aqui podem ser usadas como eletrodos em baterias solares, comocamadas aquecedoras em janelas de degelo, como camadas de controlesolar em janelas, e/ou similares.A figura 1 é um fluxograma ilustrando certas etapas executadasna produção de artigos revestidos termícamente revenidos conforme umamodalidade de exemplo desta invenção. Inicialmente, uma película ou reves-timento 3 de, ou incluindo, um oxido condutor transparente (TCO) é formadoou depositado em um substrato de vidro 1 (etapa S1 na figura 1; vide tam-bém a película 3 no substrato 1 na figura 2). Para os TCOs discutidos aqui,eles são substancialmente subestequiométricos em relação ao oxigênio,permitindo assim que eles sejam eletricamente condutores. Em certas moda-lidades de exemplo desta invenção, a película de TCO 3 pode ser formadapor pirólise ou pode ser depositado por pulverização catódica em um subs-trato de vidro 1 (quer diretamente ou indiretamente) aproximadamente àtemperatura ambiente. Em modalidades de deposição por pulverização ca-tódica, a deposição de alvos de magnétron por deposição catódica, por e-xemplo, podem ser usados em deposição por pulverização catódica da pelí-cuia de TCO. Em modalidades alternativas, é possível preaquecer o substra-to de vidro antes da deposição por pulverização catódica da película deTCO. Por exemplo e sem limitação, exemplos de películas de TCO incluempelículas de, ou incluindo, um ou mais entre ZnAIOx:Ag, ZnO, SnZnOx, ITO,Sn02, e/ou SnO2: F. Em certas instâncias de exemplo, o uso de SnZnOx co-mo película de TCO 3 pode ser vantajoso para melhor adaptar as proprieda-des elétricas e/ou óticas da película, por exemplo, para melhorar a capaci-dade de causticação da camada para aplicações em display, aumentar amobilidade e/ou transmissão do transportador, e assim por diante.
Após a película de TCO 3 ter sido formada no substrato de vidro1,o artigo revestido incluindo a película de TCO 3 no substrato de vidro 1entra no forno de revenimento térmico (etapa S2 na figura 1). O revenimentotérmico tipicamente envolve aquecer o substrato de vidro 1 com o revesti-mento de TCO 3 no forno de revenimento a uma temperatura de pelo menoscerca de 580°C, mais preferivelmente de pelo menos cerca de 600°C, e fre-qüentemente pelo menos cerca de 620 ou 640°C. O substrato de vidro 1com o revestimento de TCO 3 pode ficar no forno de revenimento por pelomenos cerca de 2 minutos, mais preferivelmente por pelo menos cerca de 5minutos, em certas modalidades de exemplo desta invenção. Dentro do for-no de revenimento, são fornecidos bocais para formar chamas próximo àsuperfície exposta da película de TCO 3 no forno de revenimento para quei-mar o excesso de oxigênio próximo da superfície do TCO evitando ou redu-zindo assim a oxidação do TCO durante o processo de revenimento (etapaS3 na figura 1). Em certas modalidades de exemplo, os bocais, e portanto aschamas, podem ser fornecidos no forno acima ou sobre o substrato com apelícula TCO 3 sobre ele. Reduzindo-se a oxidação da película de TCO 3durante o processo de revenimento, muito da condutividade elétrica do re-vestimenta de TCO pode ser mantido durante e/ou após o revenimento.
Após o substrato de vidro 1 com o revestimento 3 sobre ele sairdo forno de revenimento, o vidro é deixado resfriar de uma maneira conheci-da resultando assim em seu revenimento térmico. Assim, um substrato devidro termicamente revenimento foi fornecido com uma película de TCO 3sobre ele (etapa S4 na figura 1). O artigo revestido revenimento pode entãoser usado em aplicações de janelas monolíticas, aplicações de portas deforno, aplicações em unidades de janela ID, baterias solares, aplicações emjanelas que podem ser esquentadas, ou similares. O TCO pode funcionarcomo camada/revestimento que pode ser aquecido (quando é aplicada vol-tagem através dele) em certas aplicações tais como aplicações em janelasque podem ser aquecidas, ou alternativamente pode funcionar como cama-da/revestimento bloqueador de calor ou IV em aplicações tais como portasde forno, ou alternativamente podem funcionar como um eletrodo em aplica-ções tais como aplicações em baterias solares.
A figura 2 é um diagrama esquemático ilustrando um artigo re-vestido em um forno de revenimento térmico conforme uma modalidade deexemplo desta invenção. Em outras palavras, a Fig. 2 é um exemplo do queestá ocorrendo nas etapas S2 e S3 da figura 1. Na Fig. 2, as paredes 5 sãoparedes do forno de revenimento, de forma que a câmara 7 está no interiordo forno. O artigo de vidro revestido incluindo o substrato de vidro 1 e o re-vestimento de TCO 3 entra no forno de revenimento na entrada 9, movimen-ta-se na direção D através do forno, e sai do forno na saída 11.A figura 2 também inclui uma vista da seção transversal do arti-go revestido incluindo o substrato de vidro 1 e a película de TCO 3 que éfornecido no substrato. O vidro 1 pode ser vidro de soda-cal-sílica em certasmodalidades de exemplo desta invenção, embora outros tipos de vidros pos-sam ser usados. Em certas modalidades a camada/revestimento de TCO 3pode ser feita de uma ou mais camadas e é fornecida diretamente sobre econtatando a superfície superior do substrato de vidro 1. Entretanto, em ou-tras modalidades de exemplo desta invenção, ouras camadas (não mostra-das) podem ser fornecidas entre o substrato de vidro 1 e a camada conduto-ra transparente 3. A camada 3 é dita estar "sobre" e "sustentada" pelo/sobreo substrato 1, independentemente de se outras camadas são fornecidas en-tre eles. Em certas modalidades de exemplo desta invenção, o produto re-vestido tem uma transmissão visível de pelo menos cerca de 30%, mais pre-ferivelmente pelo menos cerca de 50%, e ainda mais preferivelmente de pelomenos cerca de 70%.
A figura 2 ilustra o fornecimento de saídas de chamas 15 dosbocais ou queimadores acima da película de TCO 3. Os bocais de saída dechamas são sustentados por e/ou queimadores em chama ou um banco debocais 17. O gás da fonte 19 é introduzido no banco de queimadores 17 e ogás é aceso para formar chamas 15. Na modalidade da figura 2, as chamasestão localizadas logo acima da superfície superior do produto revestido,de forma que a película de TCO 3 está entre as chamas 15 e o substrato devidro 1. A(s) chama(s) 15 são fornecidas próximo da superfície exposta dapelícula de TCO 3 no forno de revenimento para queimar o excesso de oxi-gênio próximo à superfície do TCO evitando ou reduzindo assim a oxidaçãodo TCO durante o processo de revenimento. Reduzindo-se a oxidação doTCO durante o processo de revenimento, muito da condutividade elétrica dorevestimento de TCO pode ser mantido durante e/ou após o revenimento.
Em outras palavras, as chamas queimam o oxigênio ou o óxido próximo àsuperfície superior da película de TCO 3. Em certas modalidades de exem-plo, a(s) chama(s) 15 queimam o oxigênio antes que ele atinja a película deTCO 3 de forma que pelo menos algum oxigênio seja queimado antes quepossa causar a oxidação da película de TCO 3 durante o revenimento. Ocalor excessivo provocado pela(s) chama(s) 15 dos bocais pode ser equili-brado, ou compensado, pelas chapas de aquecimento elétrico (não mostra-das) usadas no forno de revenimento pára gerar o calor (isto é, as chapas deaquecimento podem fazer gerar menos calor se comparadas a uma situaçãoem que as chamas 15 não estejam presentes). Um método similar pode serusado no caso do processo de revenimento agitar e assar. Em certas moda-lidades de exemplo desta invenção, pelo menos parte das chamas 15 estálocalizada dentro de cerca de 20 cm da superfície superior ou exposta dapelícula de TCO 3, mais preferivelmente cerca de 15 cm, ainda mais preferl·velmente dentro de cerca de 10 cm, ainda mais preferivelmente dentro decera de 5 cm. Em certas instâncias de exemplo, as chamas 15 podem estarlocalizadas dentro de cerca de 2 cm (até mesmo, em algumas vezes, dentrode cerca de 1 cm) da superfície superior ou exposta da película de TCO 3, epodem até mesmo contatar a película de TCO 3 em certas modalidades deexemplo desta invenção.
Em certas modalidades de exemplo desta invenção o TCO inclu-indo a película 3 é depositado por pulverização catódica no substrato 1 auma baixa temperatura (por exemplo, menos de cerca de 150°C, e possi-velmente aproximadamente à. temperatura ambiente) de modo a incluir tantoum dopante primário quanto um co-dopante. Para propósitos de exemplo, apelícula 3 pode ser à base de óxido de zinco, o dopante primário pode serAl, e o co-dopante opcional pode ser Ag. Em tal situação de exemplo, a pelí-cula de TCO 3 pode ser de, ou incluir, ZnAIOx:Ag, onde Ag é o co-dopante.Al é o dopante transportador da carga primária. Entretanto, se muito Al foradicionado (sem Ag), sua eficácia como transportador de carga é compro-metida porque pó sistema compensa Al gerando defeitos aceitadores nati-vos. (tais como vacâncias de zinco). Também, a baixas temperaturas desubstrato, mais defeitos de agrupamento eletricamente inativos (ainda queabsorvidos oticamente) tendem a ocorrer. Entretanto, quando Ag é adiciona-da como co-dopante, ela promove o desagrupamento de Al e permite quemais Al funcione como carga geradora de dopante (Al é mais eficaz quandonos locais em substituição ao Zn). Assim, o uso de Ag permite que o Al sejaum dopante gerador de carga mais eficaz na película de TCO 3. Conseqüen-temente, o uso de Ag no ZnAIO é usado para aumentar as propriedades elé-tricas da película. Em certas modalidades de exemplo desta invenção, aquantidade de dopante primário (por exemplo, Al) na película 3 pode ser decerca de 0,5 a 7%, mais preferivelmente de cerca de 0,5 a 5%, e mais prefe-rivelmente de cerca de 1 a 4% (% atômico). Além disso, em certas modali-dades de exemplo desta invenção, a quantidade de co-dopante (por exem-plo, Ag) na película 3 pode ser de cerca de 0,001 a 3%, mais preferivelmentede cerca de 0,01 a 1%, e mais preferivelmente ainda de cerca de 0,02 a0,25% (% atômico). Em certas instâncias de exemplo, há mais dopante pri-mário na película que co-dopante (preferivelmente pelo menos três vezesmais, e mais preferivelmente pelo menos dez vezes mais). Além disso, hásignificativamente mais Zn e O na película e que Al e Ag, uma vez que a pe-lícula 3 deve ser à base de oxido de zinco - várias estequiometrias diferen-tes podem ser usadas para a película 3. O uso de tanto dopante primário(por exemplo, Al) quanto co-dopante (por exemplo, Ag) na deposição (porexemplo por pulverização catódica) da película incluindo TCO (por exemplo,ZnAIOx:Ag) 3 evita ou reduz a formação de defeitos compensadores nativosem um material semicondutor de ampla landa interditada durante a intro-dução de impurezas pelo controle do nível Fermi na borda ou aproximada-mente na borda do crescimento. Imediatamente após serem capturado pelasforças da superfície, os átomos começam a migrar e seguem o princípio deneutralidade da carga. O nível Fermi é diminuído na borda do crescimentopela adição de uma pequena quantidade de impureza aceitadora (tal comoAg) então previne a formação das espécies compensadoras (nesse caso,negativas) tais com,o vacâncias de zinco. Após a etapa inicial da formaçãoda camada semicondutora, a mobilidade dos átomos é reduzida e a probabi-lidade da formação de defeitos pontuais é primariamente determinada pelorespectivo ganho de energia. Átomos de prata nesse caso particular tendema ocupar o espaço intersticial onde desempenham o papel de centros pre-dominantemente neutros, forçando átomos de Al para os locais preferíveisde substituição de zinco, onde o Al desempenha o papel desejado de doadorsuperficial, eventualmente aumentando assim o nível Fermi. Em adição, ofornecimento de co-dopante (Ag) promove o desagrupamento do dopanteprimário (Al), liberando assim espaço na subestrutura da película 3 e permi-tindo que mais dopante primário (Al) funcione como fornecedor de carga demodo a melhorar a condutividade da película. Conseqüentemente, o uso deco-dopante (Ag) permite que o dopante primário (Al) seja mais eficaz emaumentar a condutividade do TCO inclusive a película 3, sem sacrificar signi-ficativamente as características de transmissão visíveis. Além disso, o usode co-dopante melhora surpreendentemente a cristalinidade inclusive dapelícula de TCO 3 e também a sua condutividade, e o tamanho de grão dapelícula cristalina 3 pode também aumentar, o que leva a uma mobilidadeaumentada. Enquanto a prata é discutida como co-dopante em certas moda-lidades de exemplo desta invenção, é possível usar um outro Grupo IB, IAou V elementos tais como Cu ou Au ao invés de, ou em adição a, prata co-mo co-dopante na película de TCO 3. Além disso, enquanto o Al é discutidocomo um dopante primário em certas modalidades de exemplo desta inven-ção, é possível usar outro material tal como Mn (ao invés de, ou em adiçãoa, Ag) como dopante primário para a película TCO 3.
Em certas modalidades de exemplo, a(s) chama(s) 15 e osqueimadores, portanto, podem ser fornecidos ao longo de todo o compri-mento do forno de revenimento de forma que a(s) chama(s) 15 seja(m) adja-cente^) à película de TCO 3 em todos os locais no forno de revenimento.Entretanto, em certas modalidades de exemplo desta invenção, conformemostrado na figura 2, a(s) chama(s) 15 não é (são) fornecida(s) ao longo detodo o comprimento do forno de revenimento. Em particular, a porção inicial20 do forno de revenimento não tem chamas 15 fornecidas ali. Isto é porqueo vidro 1 e a película de TCO 3 não alcançaram uma temperatura extrema-mente alta (para fazer o TCO se oxidar) na porção inicial ou de começo 20do forno de revenimento. Em certas modalidades de exemplo desta inven-ção, a porção de começo 20 do forno que não tem chama(s) 15 é pelo me-nos cerca de 10% do comprimento total do forno de revenimento, mais pre-ferivelmente pelo menos cerca de 20%, algumas vezes pelo menos cerca de30%, e algumas vezes pelo menos cerca de 40% do comprimento do forno.
Assim, referindo-nos às figuras 2 e 3, em certas modalidades deexemplo, a(s) chama(s) 15 para queimar o oxigênio da área próxima da pelí-cuia de TCO 3 é (são) fornecida(s) apenas um uma porção final (e não naporção inicial 20) do forno de modo que as chamas estão apenas próximasda superfície da película de TCO 3 quando o vidro e/ou a película de TCOalcançar uma temperatura predeterminada (vide a identificação na curva nafigura 3) na, ou próxima da, temperatura de oxidação do TCO que pode vari-ar com base no material que produz a película de TCO. Por exemplo, a tem-peratura de oxidação da película de TCO 3 à base de zinco está em torno de600°C. Assim em tais modalidades, as chamas são apenas fornecidas naárea onde o vidro 1 e/ou a película de TCO 3 tenham atingido uma tempera-tura de pelo menos cerca de 550°C, mais preferivelmente pelo menos cercade 500°C, e possivelmente pelo menos cerca de 590°C. Isto evita que aschamas sejam perdidas em áreas onde a oxidação do TCO não ocorre.
A condutividade elétrica pode ser medida em termos de resis-tência da chapa (Rs). As películas de TCO discutidas aqui têm uma resistên-cia de chapa (Rs) de não mais que cerca de 200 ohms/quadrado, mais prefe-rivelmente não mais que cerca de 100 ohms/quadrado, e mais preferivel-mente de cerca de 5-100 ohms/quadrado. A condutividade de uma películade TCO é freqüentemente provocada pela deposição da película de maneiraque a película seja subestequiométrica em relação ao oxigênio. A subeste-quiometria do oxigênio provoca vacâncias de oxigênio que permitem à cor-rente fluir através da camada. Como exemplo, óxido de zinco estequiométri-co (ZnO) é geralmente de resistividade alta, portanto, dielétrico por naturezadevido a sua ampla banda interditada; entretanto, o óxido de zinco pode sertornado condutor pela criação não idealidades de defeitos pontuais na estru-tura cristalina para gerar níveis eletricamente ativos (por exemplo, fazendo-odeficiente em oxigênio que é subestequiométrico em relação ao oxigênio)fazendo, portanto, cair significativamente a sua resistência de chapa na faixadiscutida acima. Isto pode ser feito usando-se uma atmosfera deficiente emoxigênio durante o crescimento do cristal e/ou por dopagem.
Embora a invenção tenha sido descrita em conexão com o que épresentemente considerado como sendo a modalidade mais prática e prefe-rida, deve ser entendido que a invenção não deve ser limitada pela modali-dade descrita, mas ao contrário, pretende-se cobrir várias modificações earranjos equivalentes incluídos dentro do espírito e do escopo das reivindi-cações anexas.

Claims (22)

1. Método de produção de um artigo revestido incluindo uma pe-lícula condutora transparente, o método compreendendo:fornecimento de um substrato de vidro;formação de uma película compreendendo um oxido condutortransparente sobre o substrato de vidro; erevenir o artigo revestido incluindo o substrato de vidro e a pelí-cula compreendendo o oxido condutor transparente, e onde pelo menos umachama é fornecida em um forno de revenimento para queimar o oxigêniopara evitar ou reduzir a oxidação da película compreendendo o oxido condu-tor transparente durante o revenimento.
2. Método de acordo com a reivindicação 1, onde a chama é for-necida próxima à superfície da película compreendendo o oxido condutortransparente, e onde a película compreendendo o oxido condutor transpa-rente tem uma resistência de chapa de cerca de 5-100 ohms/quadrado.
3. Método de acordo com a reivindicação 1, onde uma pluralida-de de chamas é fornecida no forno de revenimento.
4. Método de acordo com a reivindicação 1, onde após o reve-nimento a película está ainda eletricamente condutiva.
5. Método de acordo com a reivindicação 1, onde pelo menosparte da chama está localizada dentro de cerca de 20 cm de uma superfícieda película que compreende o óxido condutor transparente.
6. Método de acordo com a reivindicação 1, onde pelo menosparte da chama está localizada dentro de cerca de 10 cm de uma superfícieda película que compreende o óxido condutor transparente.
7. Método de acordo com a reivindicação 1, onde pelo menosparte da chama está localizada dentro de 5 cm de uma superfície que com-preende o óxido condutor transparente.
8. Método de acordo com a reivindicação 1, onde pelo menosparte da chama está localizada dentro de cerca de 2 cm de uma superfícieda película compreendendo o óxido condutor transparente.
9. Método de acordo com a reivindicação 1, onde pelo menosparte da chama toca a película que compreende o oxido condutor transpa-rente no forno de revenimento.
10. Método de acordo com a reivindicação 1, onde nenhumachama é fornecida em uma porção inicial do forno de revenimento.
11. Método de acordo com a reivindicação 10, onde a porçãoinicial do forno de revenimento, onde nenhuma chama é fornecida, é de pelomenos cerca de 10% do comprimento do forno de revenimento.
12. Método de acordo com a reivindicação 10, onde a porçãoinicial do forno de revenimento, onde nenhuma chama é fornecida, é de pelomenos cerca de 20% do comprimento do forno de revenimento.
13. Método de acordo com a reivindicação 1, onde a menciona-da formação de uma película compreendendo um oxido condutor transpa-rente no substrato de vidro compreendendo pulverização catódica de pelomenos um alvo de pulverização catódica aproximadamente à temperaturaambiente.
14. Método de acordo com a reivindicação 1, onde uma outracamada é fornecida sobre o substrato de vidro de modo a ser localizado en-tre o substrato de vidro e a película compreendendo o oxido condutor trans-parente.
15. Método de acordo com a reivindicação 1, onde o artigo re-vestido tem uma transmissão visível de pelo menos cerca de 50% antes e/ouapós o revenimento.
16. Um método de produção de um produto revestido incluindouma película condutora transparente, o método compreendendo:fornecimento de um substrato de vidro;formação de uma película condutora transparente, compreen-dendo um óxido condutor transparente no substrato de vidro; erevenir o artigo revestido incluindo o substrato de vidro e a pelí-cula condutora transparente, e onde pelo menos uma chama é fornecida emum forno de revenimento próxima à película condutora transparente.
17. Método de acordo com a reivindicação 16, onde pelo menosparte da chama está localizada dentro de cerca de 20 cm de uma superfícieexposta da película condutora transparente.
18. Método de acordo com a reivindicação 16, onde o artigo re-vestido tem uma transmissão visível de pelo menos cerca de 50% antes e/ouapós o revestimento.
19. Método de acordo com a reivindicação 16, onde a chamatoca a película condutora transparente no forno de revenimento.
20. Método de acordo com a reivindicação 1, onde a chama tocaa película no forno de revenimento.
21. Método de acordo com a reivindicação 1, onde a películacompreendendo o oxido condutor transparente tem uma resistência de cha-pa de não mais que cerca de 200 ohms/quadrado.
22. Método de acordo com a reivindicação 21, onde a películacompreendendo o oxido condutor transparente tem uma resistência de cha-pa da não mais que cerca de 100 ohms/quadrado.
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