BR9714669B1

BR9714669B1 - placa condutora para aparelhos elétricos com componentes hf, especialmente para aparelhos móveis de radiotelecomunicação.

Info

Publication number: BR9714669B1
Application number: BRPI9714669-2A
Authority: BR
Inventors: Georg Busch
Priority date: 1997-03-12
Filing date: 1997-03-12
Publication date: 2011-02-08
Also published as: CA2283150A1; AU725291B2; KR20000076127A; CA2283150C; EP0956747B1; ES2166532T3; US6370034B1; KR100393243B1; HK1026808A1; DE59704821D1; ATE206579T1; AU6480398A; JP4072207B2; JP2000513151A; BR9714669A; WO1998041066A1; EP0956747A1

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "PLACACONDUTORA PARA APARELHOS ELÉTRICOS COM COMPONENTESHF, ESPECIALMENTE PARA APARELHOS MÓVEIS DE RADIOTELECO-MUNICAÇÃO".

A presente invenção refere-se a uma placa condutora para apa-relhos elétricos com componentes HF, especialmente para aparelhos mó-veis de radiotelecomunicação, sendo que circuitos HF1 circuitos não-HF, es-truturas de via condutora HF e estruturas de via condutora não-HF estãodispostas sobre a placa condutora, onde um portador com uma primeiracamada externa e com uma segunda camada externa apresenta uma sériede orifícios que atravessam as camadas externas.

Em aparelhos elétricos com componentes de alta freqüência,respectivamente peças de aparelhos de alta freqüência (componentes HF;peças de aparelho HF), esses componentes HF têm que ser separados e/ouprotegidos contra influência mútua dos componentes que não são HF (com-ponentes NF, por exemplo), devido a relações recíprocas que ocorrem entreos componentes mencionados [(1): os sinais HF influenciam o comporta-mento NF dos componentes NF, quando estes estiverem colocados muitojuntos aos componentes HF; (2): através de componentes NF situados muitopróximos aos componentes HF, os componentes HF são influenciadosquanto ao ajuste de parâmetros HF]. Um lugar típico, onde componentes HF(circuitos HF com fiações HF e elementos de montagem HF) e tambémcomponentes não-NF (circuitos não-HF com fiações não-NF e elementos demontagem não-HF) ficam dispostos apertados hermeticamente, é a placacondutora ou grupo plano eletrônico dos aparelhos elétricos. Além disso, arelação recíproca perturbadora entre os componentes é ainda mais intensifi-cada no caso de aparelhos elétricos pequenos com placas condutoras pe-quenas. Por outro lado, aumenta a demanda por aparelhos elétricos cadavez mais compactos e menores. Esse é o caso particularmente lá onde osaparelhos elétricos miniaturizados são portáteis - isto é, podem ser levadospelo usuário para quase todo lugar (em qualquer lugar geográfico). Essesaparelhos pequenos portáteis são, por exemplo, aparelhos móveis de radio-telecomunicação.

Da multiplicidade de aparelhos (móveis) de radiotelecomunica-ção - tais como, por exemplo, aparelhos de telecomunicação DECT, apare-lhos de telecomunicação GSM, aparelhos de telecomunicação PHS, apare-lhos de telecomunicação "IS-95" e outros aparelhos de telecomunicaçãocom base em processos de transmissão puros ou híbridos do processo detransmissão de base FDMA, TDMA, CDMA (por exemplo, o processo DS-CDMA, respectivamente o processo JD-CDMA) - empregados para finalida-des diversas da transmissão de mensagens - tais como, por exemplo, infor-mações faladas, em pacotes e/ou em imagens - aparelhos estes nos quais ocampo problemático mencionado "demanda por miniaturização, por um la-do, e eliminação da relação recíproca perturbadora entre componentes HF ecomponentes NF, por outro lado" aparece exemplarmente em conjunto coma demanda por aparelhos cada vez mais baratos (resumidamente: produtode massa), serão apresentados e explicados a seguir os efeitos daí resultan-tes como representativos para todos os aparelhos mencionados, através doexemplo de uma peça móvel DECT.

A figura 1 mostra uma primeira placa condutora LP1 empregadana peça móvel DECT, da Siemens, "GIGASET 1000 S, C", equipada prefe-rencialmente unilateralmente com elementos de montagem por razões detécnica de fabricação. A placa condutora LP1, conforme o corte transversalmostrado na figura 2, apresenta um primeiro portador de placa condutoraLPT1 de várias camadas, constituído por quatro camadas de placas condu-toras LPL1 ... LPL4, com uma espessura de cerca de 1.350 μηι, o qual éconstruído, de preferência, pelo conhecido processo Masslam Híbrido. Oportador de placa de condutora LPT1 contém, assim, um primeiro núcleo K1de cerca de 360 μιτι de espessura com uma primeira camada metálica M1«i(terceira camada de placa condutora LPL3) disposta sobre o lado inferior donúcleo K1, fabricada, de preferência, de cobre, e configurada como primeiracamada de massa-HF MS1Hf, e com uma segunda camada metálica M2Ki(segunda camada de placa condutora LPL2) disposta sobre o lado superiordo núcleo K1 e fabricada de cobre, de preferência. Sobre a camada metáli-ca M1Ki, M2Ki acha-se respectivamente disposta uma primeira camada"prepreg" P1 de cerca de 360 μm de espessura cada uma. A expressão ca-madas "prepreg" refere-se a camadas de epóxi reforçadas com fibra de vi-dro. A camada "prepreg" P1, disposta sobre a camada metálica M1Ki, apre-senta, sobre o lado oposto à camada metálica M1Ki, uma terceira camadametálica M1P1 (quarta camada de piacas condutoras LPL4), de preferênciafabricada de cobre, e, sobre o lado oposto à camada metálica M2Ki, apre-senta uma quarta camada metálica M2P1 (primeira camada de placas condu-toras LPL1) fabricada de cobre, de preferência. Na primeira camada de pla-cas condutoras LPL1 acha-se disposta, por exemplo, uma primeira estruturacrítica de via condutora HF LBSIhf, enquanto na segunda camada de pla-cas condutoras LPL2 é prevista, por exemplo, uma primeira estrutura de viacondutora não-HF LBS1Nhf e/ou uma primeira fiação de circuito não-HFSVD1Nhf· Para proteger a estrutura de via condutora HF LBS1Hf em relaçãoà camada de massa HF MSHf na terceira camada de placas condutoras L-PL3 contra uma influência produzida pela estrutura de via condutora não-HFLBSInhf e/ou para proteger uma primeira fiação de circuito não-HFSVD1 nhfi é prevista na segunda camada de placa condutora LPL2 uma pri-meira região de bloqueio SB1 que envolve amplamente primeiras linhas decampo FL1 do sinal HF. Além disso, no portador de placas condutoras LPT1são previstas primeiras perfurações DB1Lpti para ligações HF e ligaçõesnão-HF entre a primeira camada de placas condutoras LPL1 e a quarta ca-mada de placas condutoras LPL4, assim como segundas perfuraçõesDB2Lpti para a conexão de conjuntos externos (como, por exemplo, auscul-tadores, microfones etc.).

A figura 3 mostra a região tracejada da figura 2 ampliada emuma reprodução tridimensional.

A figura 4 mostra uma segunda placa condutora LP2, emprega-da na peça móvel DECT da Siemens chamada "GIGASET 2000 S, C", quepor motivos de técnica de fabricação também é equipada preferencialmenteunilateralmente com elementos de montagem. Conforme a reprodução emcorte transversal na figura 5, a placa condutora LP2 mostra um segundoportador de placas condutoras LPT2 de várias camadas, constituído tam-bém pelas quatro camadas de placas condutoras LPL1 ... LPL4, com umaespessura de cerca de 1.350 μΐη, portador este que também é construídopreferencialmente segundo o conhecido processo Masslam Híbrido. O por-tador de placas condutoras LPT2 contém, conseqüentemente, um segundonúcleo K2 com cerca de 360 μιτι de espessura, com uma quinta camadametálica M1K2 (terceira camada de placas condutoras LPL3), de preferênciafabricada de cobre e disposta sobre o lado inferior do núcleo K2, e com umasexta camada metálica M2«2 (segunda camada de placas condutoras LPL2),de preferência fabricada de cobre e disposta sobre o lado superior do núcleoK2, configurada como segunda camada de massa HF MS2Hf· Sobre a ca-mada metálica M1K2, M2«2 acha-se respectivamente disposta uma segundacamada "prepreg" P2 com cerca de 360 μιτι de espessura. A camada "pre-preg" P2, disposta sobre a camada metálica M1K2, apresenta sobre o ladooposto à camada metálica M1K2 uma sétima camada metálica M1P2 (quartacamada de placas condutoras LPL4), de preferência fabricada de cobre, eapresenta sobre o lado oposto à camada metálica M2K2 uma oitava camadametálica M2P2 (primeira camada de placas condutoras LPL1) que é fabrica-da, de preferência, de cobre. Nas camadas de placas condutoras LPL2 ...LPL4 acha-se disposta uma conhecida estrutura Tri-Plate. Essa estrutura éconstituída por uma segunda estrutura de via condutora HF crítica LBS2Hfna terceira camada de placas condutoras LPL3, pela camada de massa HFMS2Hf na segunda camada de placas condutoras LPL2 e por uma terceiracamada de massa HF MS3Hf, dimensionada generosamente para segundaslinhas de campo FL2 do sinal HF, na quarta camada de placas condutorasLPL4. Além disso, no portador de placas condutoras LPT2 também são pre-vistas primeiras perfurações DB1LPT2 para as ligações HF e ligações não-HFentre a primeira camada de placas condutoras LPL1 e a quarta camada de pla-cas condutoras LPL4, assim como segundas perfurações DB2Lpt2 para a cone-xão dos conjuntos externos (auscultadores, microfones etc., por exemplo).

Para se reduzir em suas dimensões as placas condutoras LP1,LP2 e, conseqüentemente - como explicado ao início - para se poder fabri-car peças móveis DECT mais compactas, é conhecido o procedimento dese equipar as placas condutoras de ambos os lados. No entanto, isso requerum maior dispêndio em técnica de produção.

Na concepção de placas condutoras de aparelhos elétricos semcomponentes HF, para se efetuar a miniaturização acima mencionada deaparelhos elétricos é conhecido o procedimento de se empregar a conheci-da tecnologia de "microvia" (tecnologia MV). A expressão "microvia", na téc-nica de placas condutoras, refere-se a ações de contato sobre placas con-dutoras na ordem de grandeza micrométrica. A tecnologia MV é uma alter-nativa para a ação de contato mecânica de furo cego que também é conhe-cida. A tecnologia MV é uma tecnologia de ligação para a produção econô-mica de placas condutoras sem circuitos HF e sem estruturas de via condu-tora HF. A economia de custos resulta do fato de que, além das perfuraçõesde furo cego mecânicas, material de entrada e material de saída, tambémelimina-se a retirada de rebarbas das perfurações. Atualmente são conheci-dos vários processos de fabricação para a produção de camadas de "micro-via" de grande superfície, por exemplo. Esses processos são o "SequentialBuilt Up" (processo SBU), o processo "Silver Bump" (processo SB), o pro-cesso cáustico de plasma, a perfuração a laser com um laser de CO2 e aperfuração a laser com um laser YAG. Para um uso em série de larga esca-la provavelmente apenas os dois primeiros processos de fabricação poderi-am ser levados em consideração pelo ponto de vista atual, devido ao aspec-to de custos (economia). As "microvias" (ações de contato) produzidas coma tecnologia possuem, por exemplo, um diâmetro de 50 a 150 μίτι e reque-rem, por exemplo, orifícios de soldagem na faixa entre 0,12 e 0,35 mm dediâmetro. O diâmetro de "microvia" por sua vez depende da distância entre acamada de "microvia" (camada "microvia") e a camada (camada) mais pró-xima seguinte e a relação diâmetro/distância de camada tem que ser > 1.Em combinação com a tecnologia de condutores finos com larguras de viacondutora de 50 μηι obtêm-se as maiores densidades de fiação possíveis.

A magnitude de uma placa condutora, no caso das conhecidastecnologias padrão (por exemplo, ação de contato através de furo cego) al-ternativas à tecnologia MV, é determinada consideravelmente pela demandade espaço das ações de contato e pela estrutura de via condutora, que sesituam sobre o lado de peça de montagem da placa condutora. Devido aofato de que no caso da tecnologia MV é possível "imergir" diretamente no"pad" do componente para a primeira camada interna, então perde impor-tância a demanda por espaço para ações de contato e estruturas de viacondutora. Na medida em que a problemática HF não desempenhe nenhumpapel, as peças de montagem podem ser colocadas lado a lado, tão pertoquanto seja permitido do ponto de vista da técnica de produção. No caso datecnologia MV, sob a premissa acima mencionada, a dimensão das placascondutoras é determinada quase exclusivamente pela quantidade e pela formaconstrutiva dos elementos de montagem empregados (peças de montagem).

O objetivo da presente invenção consiste em aumentar a densi-dade de acondicionamento de circuitos eletrônicos e estruturas de via con-dutora sobre placas condutoras para aparelhos elétricos com componentesHF, especialmente para aparelhos móveis de radiotelecomunicação e, des-se modo, diminuir as dimensões da placa condutora.

Esse objetivo é alcançado partindo-se da placa condutora defi-nida no início do relatório descritivo, através das seguintes características:

- uma camada de "microvia" acha-se disposta, ao menos emsuperfície parcial, sobre no mínimo uma camada externa das duas camadasexternas,

- zonas de bloqueio para os circuitos não-HF e para as estrutu-ras de via condutora não-HF estão dispostas sobre a camada de "microvia"e/ou sobre a camada externa respectivamente coberta pela camada de "mi-crovia", de um modo tal que fiquem protegidas as propriedades HF dos cir-cuitos HF e estruturas de via condutora HF dispostos acima e/ou abaixo daszonas de bloqueio, em relação a uma camada de massa HF do portador,

- sobre a camada de "microvia", no caso de uma placa conduto-ra equipada, acham-se dispostos elementos de montagem dos circuitosHF/NHF,

- fiações de circuito acham-se dispostas no mínimo sobre a ca-mada de "microvia" e/ou sobre a camada externa respectivamente cobertapela camada de "microvia", e

- as estruturas de via condutora acham-se dispostas no mínimosobre a camada de "microvia" e/ou sobre a camada externa (respectivamen-te coberta pela camada de "microvia".

A idéia em que se baseia a invenção consiste em colocar sobreum portador de placas condutoras, de um lado ou dos dois lados, uma ca-mada "microvia"; sobre essa camada "microvia" colocar os circuitos especí-ficos do aparelho ao menos em uma superfície parcial, com fiações de cir-cuito e elementos de montagem, assim como também estruturas de viacondutora (por exemplo, circuitos HF com fiações de circuito HF e elemen-tos de montagem HF, assim como estruturas de via condutora HF, respecti-vamente circuitos não-HF com fiações de circuito não-HF e elementos demontagem não-HF e estruturas de via condutora não-HF, para elementos detelecomunicação e proteger os circuitos HF e as estruturas de via condutoraHF, quanto a uma camada de massa HF do portador de placas condutoras,através de zonas de bloqueio - as assim chamadas janelas - que ficam dis-postas em uma camada portadora do portador de placas condutoras locali-zada imediatamente sob a camada "microvia", contra influências perturbado-ras que prejudicam os respectivos parâmetros HF a serem ajustados doscircuitos HF, respectivamente das estruturas de via condutora HF (por e-xemplo, as estruturas de via condutora não-HF e/ou fiações de circuito não-HF também dispostas sobre a camada portadora do portador de placascondutoras localizada imediatamente sob a camada "microvia").

O procedimento apresentado acima, para uma estrutura de pla-cas condutoras também é válido, respectivamente também pode ser aplica-do, quando - diferentemente das formas anteriores de execução - por umlado as fiações de circuito HF dos circuitos HF e estruturas de via condutoraHF estiverem dispostas sobre a camada portadora do portador de placascondutoras localizada imediatamente sob a camada "microvia", e por outrolado as zonas de bloqueio, assim como os elementos de montagem HF doscircuitos HF, as estruturas de via condutora não-HF e/ou os circuitos não-HFcom as fiações de circuito e elementos de montagem estiverem dispostassobre a camada "microvia". Além disso, também é possível uma combina-ção dos dois procedimentos.

No caso do uso da tecnologia "microvia" e da técnica de janelas,para um volume de acondicionamento predeterminado de circuitos e estrutu-ras de via condutora sobre a placa condutora é preciso aceitar o fato de queaumenta a quantidade de camadas de placas condutoras em relação a umatecnologia sem tecnologia de "microvia" e a técnica de janelas. No entanto,a quantidade das camadas de placas condutoras só pode ser mantida inal-terada em relação a uma tecnologia sem tecnologia de "microvia" e a técni-ca de janelas, quando, no sentido do objetivo da presente invenção, a den-sidade de acondicionamento for diminuída e, conseqüentemente, não forobtida a diminuição pretendida (miniaturização) do aparelho elétrico.

Se uma placa condutora para aparelhos elétricos com compo-nentes HF, especialmente para aparelhos móveis de radiotelecomunicação,for construída porém segundo o método proposto, então o espaço requeridopara abrigar os circuitos específicos do aparelho e as estruturas de via con-dutora sobre a placa condutora é significativamente pequeno em relação àsplacas condutoras construídas convencionalmente.

O outro procedimento, tem a vantagem de que - quando a dis-tância entre a camada de "microvia" e a camada portadora do portador deplacas condutoras localizada imediatamente sob a camada de "microvia"situar-se em uma ordem de grandeza que seja requerida para a produçãoeconômica de uma camada de "microvia" segundo o conhecido processo"Sequential Built Up" (processo SBU) - , além da construção menor de pla-cas condutoras devido à maior densidade de acondicionamento, reduzem-se também drasticamente os custos de fabricação da placa condutora.

O efeito aproximadamente igual (vantagem) ocorre com o pro-cedimento onde a distância entre a camada externa e a camada de "micro-via" está de tal modo dimensionada que a camada de "microvia" pode serfabricada através de perfuração a laser com um laser de CO2, e a distânciaentre a camada externa e a camada de "microvia" está de tal modo dimen-sionada que a camada de "microvia" pode ser fabricada com o processo"Silver Bump" (processo SB).

O desenvolvimento da invenção segundo variação vantajosapossibilita, por exemplo, com base na condição "diâmetro de orifício de uma"microvia" em relação à distância entre a camada de "microvia" e a camadaportadora do portador de piacas condutoras localizada imediatamente sob acamada de "microvia", no caso de diâmetros típicos de orifício entre 50 μΐη e150 μιη, uma relação entre diâmetro de orifício e distância de camada maior doque 1 e requer diâmetros de orifício de soldagem entre 0,12 mm e 0,35 mm.

Outro desenvolvimento da invenção ocorre, onde os primeirosorifícios estão cobertos pela camada de "microvia" sem as zonas de blo-queio, sendo que sobre a camada de "microvia" que cobre os primeiros orifí-cios acha-se colocado o circuito HF e/ou uma camada metálica para a blin-dagem HF. Nesse caso é possível uma diminuição adicional da estruturadas placas condutoras em relação à escala já descrita inicialmente, porqueatravés do circuito HF1 que pode ser colocado adicionalmente sobre a ca-mada de "microvia" que cobre os primeiros orifícios ("via padrão"), pode-seaumentar ainda mais a densidade de acondicionamento.

Outro desenvolvimento vantajoso da invenção ocorre onde osprimeiros orifícios estão cheios com um material de enchimento (FM). Issogarante que ao ocorrer a cobertura dos primeiros orifícios na camada de"microvia" não ocorra uma exaustão (explosão) devido ao microclima geradonos orifícios pela cobertura.

Um exemplo de execução da invenção será explicado a seguircom base nas figuras de 6 a 10.

A figura 6 mostra uma terceira placa condutora LP3 modificadaem relação às placas condutoras LP1, LP2 pelo emprego da tecnologia MVem ligação com a técnica de janelas ajustada a ela, placa condutora LP3esta que, por razões de técnica de produção, de preferência é equipadacom elementos de montagem novamente unilateralmente. No entanto, umaequipagem de ambos os lados também é possível. Desse modo, as dimen-sões da placa condutora LP3 seriam ainda menores. A placa condutora LP3,com uma espessura de cerca de 1.400 μιη, conforme a reprodução em cortetransversal na figura 6 e em relação aos portadores de placas condutorasLPT1, LPT2 com as camadas de placas condutoras LPL1 ... LPL4 nas figu-ras 2 e 5, apresenta um terceiro portador de placas condutoras LPT3 de vá-rias camadas, constituído por quatro camadas de placas condutoras LPL2 ...LPL5, o quai, em relação às camadas de placas condutoras LPL2 ... LPL5, éconstruído também de preferência pelo conhecido processo Masslam Híbri-do. Diferentemente das placas condutoras LP1, LP2 com os portadores deplacas condutoras LPT1, LPT2, sobre a camada externa no lado superior doportador de placas condutoras LPT3 e sobre a camada externa no lado infe-rior do portador de placas condutoras LPT3 é respectivamente prevista umaoutra camada de placas condutoras LPL1, LPL6 construída pela tecnologia MV.

O portador de placas condutoras LPT3 contém um terceiro nú-cleo K3 de cerca de 360 μιη de espessura com uma nona camada metálicaMIk3 (quarta camada de placas condutoras LPL4) fabricada de preferênciade cobre e disposta sobre o lado inferior do núcleo K3, e uma décima cama-da metálica M2K3 (terceira camada de placas condutoras LPL3) fabricada depreferência de cobre, disposta sobre o lado superior do núcleo K3 e configu-rada como quarta camada de massa HF MS4Hf- Sobre a camada metálicaM1k3. M2«3 acha-se respectivamente disposta uma terceira camada "pre-preg" P3 respectivamente com cerca de 360 μιη de espessura. A camada"prepreg" P3, disposta sobre a camada metálica M1K3, apresenta, sobre olado oposto à camada metálica M1K3, uma décima primeira camada metálicaMlp3 (quinta camada de placas condutoras LPL5), fabricada de preferênciade cobre, e sobre o lado oposto à camada metálica M2K3 apresenta umadécima segunda camada metálica M2P3 (segunda camada de placas condu-toras LPL2) fabricada, de preferência, de cobre. Sobre a camada metálicaM1P3i M2p3 acha-se respectivamente disposta uma primeira camada de "mi-crovia" MV1 respectivamente com cerca de 50 μιη de espessura. A camadade "microvia" MV1, disposta sobre a camada metálica M1P3, apresenta, so-bre o lado oposto à camada metálica M1P3, uma décima terceira camadametálica M1Mvi (sexta camada de placas condutoras LPL6), de preferênciafabricada de cobre, e, sobre o lado oposto à camada metálica Μ2Ρ3, apre-senta uma décima quarta camada metálica M2Mvi (primeira camada de pla-cas condutoras LPL1), de preferência fabricada de cobre. Na primeira ca-mada de placas condutoras LPL1 acha-se disposta, por exemplo, uma ter-ceira estrutura critica de via condutora HF LBS3Hf, enquanto na segundacamada de placas condutoras LPL2, por exemplo, é prevista uma segundaestrutura de via condutora não-HF LBS2Nhf e/ou uma segunda fiação decircuito não-HF SVD2Nhf- Para se proteger a estrutura de via condutora HFLBS3Hf em relação à camada de massa HF MS4Hf na terceira camada deplacas condutoras LPL3 contra a influência através da estrutura de via con-dutora não-HF LBS2Nhf e/ou através da fiação de circuito não-HF SVD2NHf,é prevista na segunda camada de placas condutoras LPL2 uma segundazona de bloqueio SB2 que envolve amplamente terceiras linhas de campoFL3 do sinal HF.

A estrutura de via condutora HF LBS3Hf pode ser disposta alter-nativamente ou adicionalmente também na segunda camada de placas con-dutoras LPL2, na quinta camada de placas condutoras LPL5 e/ou na sextacamada de placas condutoras LPL6. Neste último caso, conseqüentemente,a zona de bloqueio teria que ser localizada na quinta camada de placascondutoras LPL5. Nos dois primeiros casos, as zonas de bloqueio iriam selocalizar na primeira camada de placas condutoras LPL1 e na sexta camadade placas condutoras LPL6, respectivamente.

Além disso, no portador de placas condutoras LPT3 são previs-tas primeiras perfurações DB1Lpt3 para ligações HF e ligações não-HF entrea primeira camada de placas condutoras LPL1 e a sexta camada de placascondutoras LPL6, bem como segundas perfurações DB2LpT3 para a conexãode conjuntos externos (por exemplo auscultadores, microfone etc.). Se es-pecialmente as perfurações DB1Lpt3 - como mostrado - permanecerem a-bertas, então dessas perfurações escapa um radiação HF (efeito indeseja-do) provocada pelos circuitos HF e pelas estruturas de via condutora HF so-bre a placa condutora.A figura 7 mostra a região em tracejado da figura 6 em uma re-produção ampliada e tridimensional.

A figura 8 mostra uma quarta placa condutora LP4, um poucomodificada em relação às placas condutoras LP3 na figura 6, a qual, porrazões de técnica de produção, também está equipada com elementos demontagem de um lado só, de preferência. Uma equipagem de ambos oslados também é possível neste caso. A placa condutora LP4, com uma es-pessura de cerca de 1.400 μιτι, segundo a reprodução em corte transversalna figura 8 e em relação ao portador de placas condutoras LPT3 na figura 6,apresenta um quarto portador de placas condutoras LPT4 de várias ca-madas, também constituído pelas quatro camadas de placas condutorasLPL2 ... LPL5, o qual, de preferência, também, é construído pelo processoMasslam Híbrido, e apresenta as duas camadas de placas condutoras L-PL1, LPL6 construídas segundo a tecnologia MV.

A camada de placas condutoras LPL1 encontra-se sobre a ca-mada externa no lado superior do portador de placas condutoras LPT4, en-quanto a camada de placas condutoras LPL6 situa-se sobre a camada ex-terna no lado inferior do portador de placas condutoras LPT4. O portador deplacas condutoras LPT4 contém um quarto núcleo K4 de cerca de 360 μιτιde espessura, com uma décima quinta camada metálica M1«4 (quarta ca-mada de placas condutoras LPL4), disposta sobre o lado inferior do núcleoK4 e fabricada de preferencia de cobre, e com uma décima sexta camadametálica M2K4 (terceira camada de placas condutoras LPL3), disposta sobreo lado superior do núcleo K4, fabricada, de preferência, de cobre e configu-rada como quinta camada de massa HF MS5Hf- Sobre a camada metálicaM1 K4, M2k4 acha-se respectivamente disposta uma quarta camada "prepreg"P4 respectivamente com cerca de 360 μιτι de espessura. A camada "pre-preg" P4, disposta sobre a camada metálica M1K4, apresenta, sobre o ladooposto à camada metálica M1«4, uma décima sétima camada metálica M1P4(quinta camada de placas condutoras LPL5), de preferência fabricada decobre, e, sobre o lado oposto à camada metálica M2«4, apresenta uma dé-cima oitava camada metálica M2P4 (segunda camada de placas condutorasLPL2), de preferência fabricada de cobre. Sobre a camada metálica M1P4,M2p4, acha-se respectivamente disposta uma segunda camada de "microvi-a" MV2 respectivamente com cerca de 50 μίτι de espessura. A camada de"microvia"MV2, disposta sobre a camada metálica M1P4, apresenta, sobre olado oposto à camada metálica M1P4, uma décima nona camada metálicaMlmv2 (sexta camada de placas condutoras LPL6), de preferência fabricadade cobre, e apresenta, sobre o lado oposto à camada metálica M2P4, umavigésima camada metálica M2Mv2 (primeira camada de placas condutorasLPL1), de preferencia fabricada de cobre. Na primeira camada de placascondutoras LPL1 acha-se disposta, por exemplo, uma quarta estrutura críti-ca de via condutora HF LBS4Hf, enquanto na segunda camada de placascondutoras LPL2 é prevista, por exemplo, uma terceira estrutura de viacondutora não-HF LBS3Nhf e/ou uma terceira fiação de circuito não-HFSVD3Nhf- Para se proteger a estrutura de via condutora HF LBS4Hf, em re-lação à camada de massa HF MS5Hf na terceira camada de placas conduto-ras LPL3, contra a influência através da estrutura de via condutora não-HFLBS3Nhf e/ou da fiação de circuito não-HF SVD3Nhf, é prevista na segundacamada de placas condutoras LPL2 uma terceira zona de bloqueio SB3 queenvolve amplamente quartas linhas de campo FL4 do sinal HF.

A estrutura de via condutora HF LBS4Hf também pode ser dis-posta alternativamente ou adicionalmente na segunda camada de placascondutoras LPL2, na quinta camada de placas condutoras LPL5 e/ou nasexta camada de placas condutoras LPL6. Nesse último caso, conseqüen-temente, a zona de bloqueio teria que se situar na quinta camada de placascondutoras LPL5. Nos dois primeiros casos, as zonas de bloqueio seriamlocalizadas na primeira camada de placas condutoras LPL1 e na sexta ca-mada de placas condutoras LPL6.

Além disso, no portador de placas condutoras LPT4 são previs-tas primeiras perfurações DB1lpt4 para ligações HF e ligações não-HF entrea primeira camada de placas condutoras LPL1 e a sexta camada de placascondutoras LPL6, assim como segundas perfurações DB2LPt4 para a cone-xão de conjuntos externos (por exemplo auscultador, microfone etc.). Dife-rentemente das relações da figura 6, as perfurações DB1Lpt4 - como foimostrado - acham-se fechadas através da camada de "microvia" MV2 coma camada metálica M1Mv2, respectivamente com a camada metálica M2Mv2-Enquanto através dessa providência cria-se espaço adicional sobre a cama-da metálica M2Mv2 para circuitos HF, respectivamente estruturas de via con-duíora HF (outro aumento da densidade de acondicionamento), sobre a ca-mada metálica M1Mv2 são efetuadas as perfurações "densas HF" pelo fatode que esta está configurada como camada de massa contínua, de tal modoque dessa parte da abertura de perfuração não possa escapar mais nenhu-ma radiação HF provocada através dos circuitos HF e das estruturas de viacondutora HF sobre a placa condutora. Já que através da outra abertura deperfuração acha-se colocado um circuito HF, respectivamente uma estruturade via condutora HF1 então a radiação HF que daí escapa não é crítica.

Para que a perfuração DBLpt4 coberta desse modo não expludaao ocorrer a cobertura através do microclima que se forma assim na perfu-ração, de preferência a perfuração é preenchida com uma material de en-chimento FM.

A figura 9 mostra a diminuição da placa condutora 4 que podeser obtida desse modo.

A figura 10 mostra uma quinta placa condutora LP5, um poucomodificada em relação à placa condutora LP3 da figura 6 e à placa conduto-ra LP4 da figura 8, a qual, por razões de técnica de produção, também estáequipada, de preferência, com elementos de montagem de um só lado.Nesse caso também é possível uma equipagem de ambos os lados. A placacondutora LP5 apresenta, segundo a reprodução em corte transversal dafigura 10 e em relação ao terceiro portador de placas condutoras LPT3 nafigura 6 de várias camadas, constituído pelas seis camadas de placas con-dutoras LPL1 ... LPL6 e em relação ao quarto portador de placas condutorasLPT4 na figura 8, um quinto portador de placas condutoras LPT5 de váriascamadas, constituído por quatro camadas de placas condutoras LPL1 ...LPL4, também com uma espessura de cerca de 1.400 μιη, o qual, quanto àscamadas de placas condutoras LPL2, LPL3, também pode ser construído,de preferência, segundo o conhecido processo Masslam Híbrido, enquantoas camadas de placas condutoras LPL1, LPL4 são construídas segundo atecnologia MV.

Diferentemente dos portadores de placas condutoras LPT3,LPT4, o portador de placas condutoras LPT5 é constituído por uma únicacamada portadora. Desse modo torna-se possível uma redução dos custosde produção quanto à construção do portador de placas condutoras. O por-tador de placas condutoras LPT5 contém uma quinta camada "prepreg" P5de cerca de 620 μηη de espessura. Essa camada "prepreg" P5 apresenta,sobre o lado inferior da camada "prepreg" P5, uma vigésima primeira cama-da metálica M1P5 (terceira camada condutora LPL3), de preferência fabrica-da de cobre e configurada como sexta camada de massa HF MS6Hf, e, so-bre o lado superior da camada "prepreg" P5, apresenta uma vigésima se-gunda camada metálica M2P5 (segunda camada de placas condutoras L-PL2), de preferencia fabricada de cobre. Sobre a camada metálica M1P5,M2p5 acha-se respectivamente disposta uma terceira camada de "microvia"MV3 de cerca de 50 μίτι de espessura. A camada de "microvia" MV3, dis-posta sobre a camada metálica M1P5, apresenta, sobre o lado oposto à ca-mada metálica Mlp5, uma vigésima terceira camada metálica M1Mv3 (sextacamada de placas condutoras LPL4), de preferência fabricada de cobre, e,sobre o lado oposto à camada metálica M2P5, apresenta uma vigésima quar-ta camada metálica M2Mv3 (primeira camada de placas condutoras LPL1),de preferência fabricada de cobre. Na primeira camada de placas conduto-ras LPL1 acha-se disposta, por exemplo, uma quinta estrutura crítica de viacondutora HF LPS5Hf, enquanto na segunda camada de placas condutorasLPL2 é prevista uma quarta estrutura de via condutora não-HF LBS4NHf e/ouuma quarta fiação de circuito não-HF SVD4NHf· Para se proteger a estruturade via condutora HF LBS5Hf, quanto à camada de massa HF MS6Hf na ter-ceira camada de placas condutoras LPL3, contra influência através da estru-tura de via condutora não-HF LBS4NHf e/ou da fiação de circuito não-HFSVD4nhf, é prevista na segunda camada de placas condutoras LPL2 umaquarta zona de bloqueio SB4 que envolve amplamente quartas linhas decampo do sinal HF.

A estrutura de via condutora HF LBS4 também pode ser dispos-ta alternativamente ou adicionalmente na segunda camada de placas con-dutoras LPL2, na terceira camada de placas condutoras LPL3 e/ou na quar-ta camada de placas condutoras LPL4. Nesse último caso, conseqüente-mente, a zona de bloqueio teria que estar localizada na terceira camada deplacas condutoras LPL3. Nos dois primeiros casos, as zonas de bloqueioseriam localizadas na primeira camada de placas condutoras LPL1 e naquarta camada de placas condutoras LPL4, respectivamente.

Além disso, no portador de placas condutoras LPT5 são previs-tas primeiras perfurações DB1Lpt5 para ligações HF e ligações não-HF entrea primeira camada de placas condutoras LPL1 e a quarta camada de placascondutoras LPL4, assim como segundas perfurações DB2Lpts para a cone-xão de conjuntos externos (por exemplo auscultador, microfone etc.). Dife-rentemente das relações da figura 6 e em coincidência com as relações dafigura 8, as perfurações DB1Lpts - como mostrado - acham-se fechadasatravés da camada de microvia MV3 com a camada metálica M1Mv3, respec-tivamente com a camada metálica M2Mv3- Enquanto através dessa provi-dência cria-se espaço adicional sobre a camada metálica M2Mv3 para circui-tos HF, respectivamente estruturas de via condutora HF (outro aumento dadensidade de acondicionamento), sobre a camada metálica M1Mv3 são efe-tuadas as perfurações "densas HF" devido ao fato de que esta está configu-rada como camada de massa contínua, de tal modo que dessa parte da a-bertura de perfuração não possa escapar nenhuma radiação HF provocadaatravés dos circuitos HF e das estruturas de via condutora HF sobre a placacondutora. Devido ao fato de que através da outra abertura de perfuraçãoacha-se colocado um circuito HF, respectivamente uma estrutura de viacondutora HF, então a radiação HF que daí escapa não é crítica.

Para que a perfuração DBLpt4, que é coberta desse modo, nãoexpluda ao ocorrer a cobertura devido ao microclima que se estabelece as-sim na perfuração, enche-se a perfuração com o material de enchimentoFM, de preferência.

Claims

1. Placa condutora para aparelhos elétricos com componentesHF1 especialmente para aparelhos móveis de radiotelecomunicação, sendoque circuitos HF1 circuitos não-HF, estruturas de via condutora HF e estrutu-ras de via condutora não-HF estão dispostas sobre a placa condutora (LP3... LP5), com as seguintes características:a) um portador (LPT3 ... LPT5) com uma primeira camada ex-terna (LPL2) e com uma segunda camada externa (LPL3, LPL5) apresentauma série de orifícios (DB1Lpt3 ... 5, DB2Lpt3 ... 5) que percutem através dascamadas externas (LPL2, LPL3, LPL5),caracterizada pelo fato de que,b) uma camada de "microvia" (LPL1, LPL4, LPL6, MV1 ... MV3)acha-se disposta, ao menos em superfície parcial, sobre no mínimo umacamada externa (LPL2, LPL3, LPL5) das duas camadas externas (LPL2,LPL3, LPL5),c) zonas de bloqueio (SB2 ... SB4) para os circuitos não-HF epara as estruturas de via condutora não-HF (LBS2NHf LBS4Nhf) estãodispostas sobre a camada de "microvia" (LPL1, LPL4, LPL6, MV1 ... MV3)e/ou sobre a camada externa (LPL2, LPL3, LPL5) respectivamente cobertapela camada de "microvia", de um modo tal que fiquem protegidas as pro-priedades HF (FL3 ... FL5) dos circuitos HF e estruturas de via condutora HF(LBS3Hf LBS5Hf) dispostos acima e/ou abaixo das zonas de bloqueio(SB2 ... SB4), em relação a uma camada de massa HF (LPL3, MS4Hf MS6hf) do portador (LPT3 ... LPT5),d) sobre a camada de "microvia" (LPL1, LPL4, LPL6, MV1 ...MV3), no caso de uma placa condutora equipada, acham-se dispostos ele-mentos de montagem dos circuitos HF/NHF,e) fiações de circuito (SVD2Nhf SVD4NHf) acham-se dispostasno mínimo sobre a camada de "microvia" (LPL1, LPL4, LPL6, MV1 ... MV3)e/ou sobre a camada externa (LPL2, LPL3, LPL5) respectivamente cobertapela camada de "microvia" (LPL1, LPL4, LPL6, MV1 ... MV3),f) as estruturas de via condutora (LBS2Nhf ... LBS4NHf, LBS3Hf... LBS5Hf) acham-se dispostas no mínimo sobre a camada de "microvia"(LPL1, LPL4, LPL6, MV1 ... MV3) e/ou sobre a camada externa (LPL2, L-PL3, LPL5) respectivamente coberta pela camada de "microvia" (LPL1, L-PL4, LPL6, MV1 ... MV3).

2. Placa condutora de acordo com a reivindicação 1, caracteri-zada peio fato de que a distância entre a camada externa e a camada de"microvia" está de tal modo dimensionada que a camada de "microvia" podeser fabricada com o processo "Sequential Built Up" (processo SBU).

3. Placa condutora de acordo com a reivindicação 1, caracteri-zada pelo fato de que a distância entre a camada externa e a camada de"microvia" está de tal modo dimensionada que a camada de "microvia" podeser fabricada através de perfuração a laser com um laser de CO2.

4. Placa condutora de acordo com a reivindicação 1, caracteri-zada pelo fato de que a distância entre a camada externa e a camada de"microvia" está de tal modo dimensionada que a camada de "microvia" podeser fabricada com o processo "Silver Bump" (processo SB).

5. Placa condutora de acordo com a reivindicação 2, 3 ou 4, ca-racterizada pelo fato de que a distância entre a camada externa e a camadade "microvia" comporta 50 μηι.

6. Placa condutora de acordo com qualquer uma das reivindica-ções de 1 a 5, caracterizada pelo fato de que primeiros orifícios (DB1Lpt4,5)estão cobertos pela camada de "microvia" sem as zonas de bloqueio, sendoque sobre a camada de "microvia" que cobre os primeiros orifícios acha-secolocado o circuito HF e/ou uma camada metálica para a blindagem HF.

7. Placa condutora de acordo com a reivindicação 6, caracteri-zada pelo fato de que os primeiros orifícios estão cheios com um material deenchimento (FM).

8. Placa condutora de acordo com qualquer uma das reivindica-ções de 1 a 7, caracterizada pelo fato de que o portador é um portador devárias camadas.

9. Placa condutora de acordo com a reivindicação 8, caracteri-zada pelo fato de que o portador de várias camadas é construído pelo pro-cesso Masslam Híbrido.