BR112016028242B1 - Processo para produzir um laminado - Google Patents

Abstract

PROCESSO PARA PRODUZIR UM LAMINADO. A presente invenção está no campo de processos para produzir laminados orgânicos-inorgânicos pela deposição de camada atômica. Em particular, a presente invenção diz respeito a um processo para produzir um laminado compreendendo mover um substrato em relação a pelo menos dois orifícios separados dispostos ao longo da trajetória de movimento relativo, em que, através de pelo menos um orifício, um composto orgânico no estado gasoso é passado em direção à superfície do substrato e, através de pelo menos outro orifício, um composto contendo (semi)metal no estado gasoso é passado em direção à superfície do substrato e em que os orifícios são montados em um cilindro rotativo.

Description

[0001] A presente invenção está no campo de processos para produzir laminados orgânicos-inorgânicos pela deposição de camada atômica.

[0002] Estruturas laminadas são materiais atraentes à medida que eles combinam propriedades antagônicas, tais como flexibilidade de uma película polimérica com as características de barreira de uma cerâmica. Para embalar, encapsulação ou passivação é vantajoso para prover laminados de grande área flexível. Estes laminados precisam ter uma alta barreira de difusão para pequenas moléculas, como água, com uma alta uniformidade ao longo de toda a área.

[0003] WO 2011/099 858 A1 divulga um processo para depositar camadas inorgânicas sobre um substrato ao se mover um fornecimento de gás precursor ao longo de um substrato.

[0004] WO 2012/050 442 A1 divulga um processo para depositar camadas inorgânicas em um substrato ao se girar um substrato sob um gás precursor.

[0005] US 2009/0 081 883 A1 divulga um processo para fazer uma película fina orgânica sobre um substrato ao se direcionar uma série de fluxos de gás ao longo de canais alongados substancialmente paralelos. Entretanto, este processo reproduz películas de barreira de qualidade insuficiente à alta velocidade de produção.

[0006] Foi um objetivo da presente invenção prover um processo para produzir laminados de grande área em alta velocidade e com alta uniformidade. Objetivou-se, adicionalmente, prover um processo para produzir laminados que são flexíveis e que possuem uma barreira de alta difusão contra pequenas moléculas. Estes laminados foram direcionados para reter suas propriedades de barreira ao se dobrar, em particular, em torno de pequenos raios.

[0007] Estes objetivos foram atingidos por um processo para produzir um laminado compreendendo mover um substrato em relação a pelo menos dois orifícios separados dispostos ao longo da trajetória de movimento relativo em que, através de pelo menos um orifício, um composto orgânico no estado gasoso é passado em direção à superfície do substrato e através de pelo menos outro orifício um composto contendo (semi)metal no estado gasoso é passado em direção à superfície do substrato e em que os orifícios são montados em um cilindro rotativo.

[0008] Modalidades preferenciais da presente invenção podem ser encontradas na descrição e nas reivindicações. Combinações de diferentes modalidades englobam o escopo da invenção atual.

[0009] Um laminado, no contexto da presente invenção, é um produto em que pelo menos duas camadas de uma composição química diferente estão em contato próximo um com o outro. A menos que indicado o contrário, de modo geral, não há nenhuma restrição particular para o tamanho, a composição de cada camada ou a força com que as camadas são mantidas juntas.

[0010] Inorgânico, no contexto da presente invenção, refere-se a materiais que contenham pelo menos 1% em peso de pelo menos um (semi)metal, preferencialmente pelo menos 2% em peso, mais preferencialmente pelo menos 5% em peso, em particular, pelo menos 10% em peso. O termo "(semi)metal", desse modo, representa "metal ou semimetal". Orgânico, no contexto da presente invenção, refere-se aos materiais que contêm mais do que 99% em peso de não metais, preferencialmente mais do que 99,5% em peso, em particular, de forma completa ou essencialmente completa. É ainda mais preferencial que os não metais sejam C, H, O, N, S, Se e/ou P.

[0011] O processo de acordo com a presente invenção compreende mover um substrato em relação a pelo menos dois orifícios separados dispostos ao longo da trajetória de movimento relativo. O movimento relativo pode significar que os orifícios são movidos enquanto o substrato é mantido imóvel. Alternativamente, pode significar que o substrato é movido enquanto os orifícios são mantidos imóveis. Também é possível que tanto o substrato quanto os orifícios sejam movidos com a provisão de que haja um movimento relativo entre o substrato e os orifícios. O movimento pode ser linear, circular ou seguir qualquer trajetória complexa, por exemplo, aquela de uma plotadora 2D.

[0012] O movimento relativo dos orifícios para o substrato pode ocorrer em velocidades variantes dependendo da qualidade usada e necessária de substâncias das películas. Preferencialmente a velocidade de movimento é de 0,01 a 10 m/s, mais preferencialmente de 0,02 a 1 m/s, em particular, de 0,05 a 0,3 m/s.

[0013] De acordo com a presente invenção, o orifício pode ter qualquer formato, por exemplo, um orifício redondo, um orifício quadrado ou uma fenda retangular. O orifício também pode ser um bocal com ou sem equipamentos e acessórios. Orifícios separados significa que nenhuma mistura dos compostos passou através de dois orifícios ocorre antes de atingir a superfície do substrato. Isso significa que dois ou mais orifícios separados podem estar em uma única parte, desde que esta parte separe os compostos antes que eles atinjam a superfície do substrato.

[0014] De acordo com a presente invenção, os pelo menos dois orifícios separados são dispostos ao longo da trajetória de movimento relativo. Isto significa que qualquer ponto da superfície do substrato é primeiramente atingido pelo composto passado através de um orifício e posteriormente pela passagem de composto através de um orifício diferente. Isto pode ser realizado ao se dispor os orifícios em uma linha que é igual à trajetória de movimento relativo. Também é possível ligeiramente desviar desta linha. No caso de orifícios retangulares, é concebível que os orifícios sejam espaçados ao longo da trajetória em que o lado mais longo dos retângulos forma um ângulo com a trajetória de movimento relativo de mais ou menos do que 90°.

[0015] No processo de acordo com a presente invenção um composto orgânico no estado gasoso é passado através de pelo menos um orifício. Um composto orgânico pode ser um único composto orgânico ou uma mistura de diversos compostos orgânicos diferentes. Está no escopo da presente invenção que uma mistura de um ou mais compostos orgânicos com outros compostos no estado gasoso, por exemplo, um gás transportador inerte, são passados através de pelo menos um orifício. Qualquer composto orgânico que pode ser levado ao estado gasoso é adequado. Preferencialmente, o composto orgânico tem uma pressão de vapor de pelo menos 1 mbar a 100 °C. O composto orgânico preferencialmente tem uma funcionalidade hidroxi, ou seja, é um álcool. Mais preferencialmente, o composto orgânico contém enxofre, em particular, um grupo tiol. É ainda mais preferencial que o composto orgânico seja um derivado de tiofenol. Alguns exemplos preferenciais para os compostos orgânicos são fornecidos abaixo.

[0016] São particularmente preferenciais 4-mercaptofenol (C-1) e álcool 4-mercapotbenzílico (C-2). No caso de uma mistura de diferentes compostos orgânicos ser passada através de um orifício, preferencialmente pelo menos um destes compostos orgânicos é um tiol.

[0017] No processo de acordo com a presente invenção um composto contendo (semi)metal no estado gasoso é passado através de pelo menos um orifício. Um composto contendo (semi)metal pode ser um único composto contendo (semi)metal ou uma mistura de diversos compostos contendo (semi)metal diferentes. Está no escopo da presente invenção que uma mistura de um ou mais compostos contendo (semi)metal com outros compostos no estado gasoso, por exemplo, um gás transportador inerte, é passada através de pelo menos um orifício. Metais no composto contendo metal incluem metais alcalinos, tais como Li, Na, K, Rb, Cs; metais alcalinoterrosos como Be, Mg, Ca, Sr, Ba; metais de grupo principal como Al, Ga, In, Sn, Tl, Bi; metais de transição como Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg; e lantanídeos como La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu. Semimetais no composto contendo semimetal são B, Si, As, Ge, Sb. São (semi)metais preferenciais B, Al, Si, Ti, Zn, Y, Zr, La, em particular, Al.

[0018] Qualquer composto contendo (semi)metal que pode ser levado ao estado gasoso é adequado. Preferencialmente, o composto contendo (semi)metal é um composto orgânico de (semi)metal. Estes compostos incluem (semi)metais de alquila, tais como dimetilzinco, trimetilalumínio ou dibutil estanho; alcoxilatos de (semi)metal, tais como tetrametil silício ou zircônio de tetra-isopropoxi; adutos de ciclopentadieno como ferroceno ou titanoceno; carbenos de (semi)metal, tais como tântalo- pentaneopentilato ou bisimidazolidinilenruteniocloreto; halogenetos de (semi)metal, tais como tetrabrometo de germânio ou tetracloreto de titânio; complexos de monóxido de carbono como cromo-hexacarbonila ou níquel- tetracarbonila. Mais preferencialmente, o composto contendo (semi)metal é um (semi)metal de alquila, em particular, um (semi)metal de alquila C1 a C4.

[0019] De acordo com a presente invenção, o composto orgânico e o composto contendo (semi)metal são levados ao estado gasoso separados entre si antes de serem passados através de seus respectivos orifícios. Preferencialmente, isto é feito ao se aquecer um reservatório do composto orgânico ou do composto contendo (semi)metal a uma temperatura na qual sua pressão de vapor é de pelo menos 1 mbar.

[0020] Preferencialmente, o composto orgânico ou o composto contendo (semi)metal no estado gasoso é misturado com um gás inerte, tal como nitrogênio ou argônio antes de ser passado através dos orifícios. O composto orgânico ou o (semi)metal é preferencialmente passado através do respectivo orifício a uma taxa de fluxo de 1 a 100 sccm, mais preferencialmente de 20 a 60 sccm. O unidade sccm significa centímetro cúbico padrão por minuto (cm3 min-1) a 273 K e à pressão atmosférica. O gás inerte que é opcionalmente misturado com o composto orgânico ou o composto contendo (semi)metal no estado gasoso é preferencialmente passado através do orifício com uma taxa de fluxo de 100 a 2000 sccm, mais preferencialmente de 300 a 1600 sccm.

[0021] No caso que uma mistura de mais de um composto contendo (semi)metal é passada através de um orifício, camadas inorgânicas são produzidas compreendendo, por exemplo, óxidos de (semi)metal misturados, tais como óxido de estanho-zinco ou óxidos de bário-titânio.

[0022] Preferencialmente, uma mistura de dois compostos contendo (semi)metal diferentes em uma proporção molar de 1:99 a 30:70, mais preferencialmente em uma proporção molar de 2:98 a 15:85 é passada através de um orifício. Neste caso, camadas inorgânicas dopadas com (semi)metal são acessíveis, por exemplo, óxido de zinco dopado com alumínio, óxido de índio dopado com estanho ou óxido de estanho dopado com antimônio. Alternativamente, a fim de obter camadas inorgânicas dopadas com halogênio, é possível usar um composto contendo (semi)metal contendo halogênio ou um composto compreendendo halogênio além do composto contendo (semi)metal preferencialmente em uma quantidade de 1% a 30% em mol em relação à quantidade molar total de composto contendo (semi)metal e composto compreendendo halogênio, mais preferencialmente de 2% a 15% em mol. Exemplos de tais compostos compreendendo halogênio são gás de cloro, fluoreto de amônio ou tetracloreto de estanho.

[0023] De acordo com a presente invenção, o substrato pode ser de qualquer material sólido. Estes incluem, por exemplo, metais, semimetais, óxidos, nitretos e polímeros. Também é possível que o substrato seja uma mistura de diferentes materiais. Exemplos de metais são alumínio, aço, zinco e cobre. Exemplos de semimetais são silício, germânio e arseneto de gálio. Exemplos de óxidos são dióxido de silício, dióxido de titânio e óxido de zinco. Exemplos de nitretos são nitreto de silício, nitreto de alumínio, nitreto de titânio e nitreto de gálio. Polímeros são preferenciais. Polímeros incluem poliésteres, tais como polietileno tereftalato (PET) ou polietileno naftaleno-ácido dicarboxílico (PEN); poliimidas; poliacrilatos, tais como polimetilmetacrilato (PMMA); poliacrilamidas; policarbonatos, tais como poli(carbonato de bisfenol A); álcool polivinílico e seus derivados como acetato de polivinila ou polivinil butiral; cloreto de polivinila; poliolefinas, tais como polietileno (PE) ou polipropileno (PP); policicloolefinas, tais como polinorborneno; polietersulfona; poliamidas como policaprolactama ou poli(hexametileno adípico amida); derivados de celulose, tais como hidroxietilcelulose, hidroxipropilcelulose, metilcelulose, metil hidroxilpropilcelulose ou nitrocelulose; poliuretanos; resinas epóxi; resinas de melamina formaldeído; resinas de fenol formaldeído. Polímeros incluem copolímeros, tais como poli(etileno-co-norborneno) ou poli(etileno-co-vinilacetato). Poliésteres e policicloolefinas são preferenciais.

[0024] O substrato pode ter qualquer tamanho e formato. Preferência, o substrato é uma película, mais preferencialmente uma película de polímero. A espessura da película de substrato depende da aplicação. Se a película precisa ser flexível e dobrada em torno de um raio superior a 10 mm, a película de substrato preferencialmente tem uma espessura de 100 a 1000 μm, mais preferencialmente de 100 a 500 μm, por exemplo, de 100 a 200 μm. Se a película precisa ser flexível e dobrada em torno de um raio inferior a 10 mm, a película de substrato preferencialmente tem uma espessura de 1 a 100 μm, mais preferencialmente de 10 a 70 μm, tal como de 40 a 60 μm.

[0025] A superfície do substrato é preferencialmente de alta planaridade. Alta planaridade, no contexto da presente invenção, significa que o ponto mais alto da superfície não é mais do que 100 nm superior do que o ponto mais baixo da superfície, preferencialmente não mais de 50 nm. A planaridade pode ser medida com microscópio de força atômica, preferencialmente em modo de toque.

[0026] Substratos frequentemente não estão disponíveis com alta planaridade, por exemplo, devido a pequenos arranhões, ou têm partículas, tais como poeira aderida a sua superfície. É preferencial, portanto, se a película de barreira compreende, adicionalmente, uma camada de planarização para evitar danos, tais como perfurar o laminado. Mais preferencialmente, a camada de planarização está entre o substrato e o laminado. Neste caso, a camada de planarização pode, adicionalmente, servir para melhor manter juntos o substrato e o laminado, particularmente, mediante a dobra ou o aquecimento. Camadas de planarização podem compreender polímeros orgânicos, tais como acrilatos ou epóxi, cerâmicas, tais como carbetos, por exemplo, SiC ou materiais híbridos orgânicos-inorgânicos, tais como polialquilsiloxanos. Polímeros orgânicos são preferenciais.

[0027] Frequentemente, a camada de planarização é feita ao se depositar o material compondo a camada de planarização sobre o substrato antes de aplicar o laminado. No caso de polímeros orgânicos, um líquido compreendendo um monômero é fundido no substrato e então curado, por exemplo, por aquecimento ou por iniciação UV. Iniciação UV é preferencial, mais preferencialmente, o líquido compreendendo o monômero compreende, adicionalmente, um auxiliar de cura, tal como uma benzofenona funcionalizada. Preferencialmente, o líquido compreendendo o monômero compreende uma mistura de monômeros mono- e bifuncionais de tal modo que os polímeros orgânicos reticulados sejam obtidos após a cura. Camadas de planarização compreendendo cerâmica são, de modo geral, obtidas por pulverização catódica do material sobre o substrato. Camadas de planarização compreendendo materiais híbridos orgânicos-inorgânicos podem ser obtidas ao se fundir uma solução compreendendo um precursor orgânico-inorgânico no substrato, evaporando o solvente e condensando o precursor orgânico- inorgânico, por exemplo, por aquecimento. Este processo é frequentemente referido como processo sol-gel. Um exemplo de um precursor orgânico- inorgânico é alquil-trialcoxisilano. Preferencialmente, o precursor é funcionalizado com um grupo lateral curável por UV, por exemplo, acrilato. Desta forma, o material híbrido orgânico-inorgânico pode ser reticulado.

[0028] Preferencialmente, o material compondo a camada de planarização tem um módulo de elasticidade entre aquele do material de substrato e aquele do laminado, por exemplo, de 10 a 30 GPa. O método de determinação do módulo de elasticidade é descrito em ISO 527-1 (Plastics - Determination of tensile properties, 2012).

[0029] No processo de acordo com a presente invenção, o composto contendo (semi)metal ou o composto orgânico no estado gasoso, os quais são passados através de orifícios separados em direção à superfície do substrato não devem se misturar antes que eles atinjam o substrato. Para melhor suprimir qualquer mistura, é preferencial que entre cada dois orifícios, através dos quais um composto orgânico ou um composto contendo (semi)metal é passado, um orifício seja colocado, através do qual um gás inerte, tal como nitrogênio ou argônio, é passado em direção ao substrato. A taxa de fluxo do gás inerte é preferencialmente definida como um valor no qual o gás inerte está em fluxo laminar. Deste modo, a taxa de fluxo depende, entre outros, do tamanho do orifício, da distância do orifício ao substrato e do gás inerte usado. O versado na técnica pode calcular o número de Reynolds para um gás inerte em um dado aparelho e, desse modo, determinar a taxa de fluxo máxima.

[0030] Preferencialmente, um orifício, através do qual um composto capaz de decompor o composto contendo (semi)metal é passado no estado gasoso em direção ao substrato, é colocado entre cada dois orifícios, através dos quais um composto contendo (semi)metal é passado em direção ao substrato. Compostos capazes de decompor o composto contendo (semi)metal incluem oxigênio, ozônio, um plasma como plasma de oxigênio, amônia, oxidantes como óxido nitroso ou peróxido de hidrogênio, agentes redutores como hidrogênio, álcoois, hidrazina, ou hidroxilamina ou solventes como água. É preferencial usar oxidantes, plasma ou água para converter o composto contendo (semi)metal em um óxido de (semi)metal. Exposição à água, um plasma de oxigênio ou ozônio é preferencial. Exposição à água é particularmente preferencial. Se for desejado converter o composto contendo (semi)metal em (semi)metal elemental é preferencial usar agentes redutores. Se for desejado converter o composto contendo (semi)metal em nitretos de (semi)metal é preferencial usar amônia ou hidrazina.

[0031] Preferencialmente, mais orifícios, através dos quais um (semi)metal é passado em direção ao substrato, estão presentes do que orifícios através dos quais um composto orgânico é passado. Desta forma, qualquer ponto na superfície do substrato é atingido por uma corrente de composto contendo (semi)metal mais frequentemente do que por uma corrente de compostos orgânicos.

[0032] De acordo com a presente invenção, os orifícios são montados em um cilindro rotativo. A Figura 1 mostra um exemplo de tal configuração. Diversos orifícios são montados em um cilindro rotativo (6): orifícios através dos quais um composto orgânico é passado (2), orifícios através dos quais um composto contendo (semi)metal é passado (3), orifícios através dos quais um gás inerte é passado (4) e orifícios através dos quais um composto capaz de decompor o composto contendo (semi)metal é passado (5). O substrato pode ser imóvel ou ser movido. Caso o substrato seja flexível, um substrato orgânico-inorgânico pode, deste modo, ser depositado sobre um grande substrato em um, assim chamado, processo de rolo a rolo.

[0033] Preferencialmente, cada orifício passa a mesma área de superfície do substrato pelo menos duas vezes. Por exemplo, isto pode ser realizado ao se mover o substrato em relação aos orifícios para trás e para frente pelo menos duas vezes, ao se girar o substrato por pelo menos duas voltas ou ao se girar o cilindro pelo menos duas rotações completas. Mais preferencialmente, cada orifício passa a mesma área de superfície do substrato pelo menos 10 vezes, ainda mais preferencialmente pelo menos 30 vezes, em particular, pelo menos 100 vezes.

[0034] O processo, de acordo com a presente invenção, pode ser feito em várias pressões. Esta pressão refere-se à pressão no substrato enquanto pode ser diferente nos orifícios ou em um reservatório. Preferencialmente, a pressão no substrato é de 100 a 5000 mbar, mais preferencialmente de 500 a 1500 mbar, em particular, a pressão é pressão atmosférica ou cerca de pressão atmosférica. A temperatura na qual o processo de acordo com a presente invenção é feito, de modo geral, varia de 20 °C a 200 °C, preferencialmente de 50 °C a 150 °C, em particular de 80 °C a 120 °C.

[0035] O processo de acordo com os presente invenção produz laminados com baixa permeabilidade para moléculas pequenas como água e oxigênio e com alta flexibilidade. Uma boa medida para a permeabilidade para pequenas moléculas é a taxa de transmissão de vapor de água (WVTR). Preferencialmente, é medida ao se evaporar uma matriz de pontos de cálcio sobre os laminados e depositar outro laminado em cima dos pontos de cálcio. Estas amostras são então expostas ao ar úmido quente, por exemplo, de 30 °C a 100 °C, à umidade relativa de 30% a 90%, preferencialmente de 60 °C a 80 °C, à umidade relativa de 60% a 80%. Esta exposição é geralmente feita por 100 a 1000 horas, preferencialmente de 200 a 600 horas, em particular, de 300 a 500 horas. O número de pontos de cálcio que se tornaram transparentes é usado para calcular a WVTR conforme descrito por Paetzold et al. (Review of Scientific Instruments 74 (2003) 5147-5150). De modo geral, um laminado é considerado como tendo uma baixa permeabilidade para pequenas moléculas se a WVTR for inferior a 10-2 g/m2d, preferencialmente 10-4 g/m2d, mais preferencialmente 10-5 g/m2d, em particular, 10-6 g/m2d.

[0036] Com o processo de acordo com os presente invenção, laminados de alta uniformidade em grandes áreas com baixa difusão de pequenas moléculas são disponíveis, mesmo se dobrados. Estes laminados podem ser feitos em alta velocidade e, consequentemente, baixo custo.

EXEMPLOS EXEMPLO 1

[0037] Uma película de barreira foi feita usando um substrato de PET com uma largura de 30 cm e uma espessura de 125 μm. O substrato de PET foi montado a um sistema de rolo com uma tensão da lâmina de 18-22 N. A deposição de um laminado foi executada por um cilindro rotativo com um diâmetro de 30 cm colocado em uma câmara em que a temperatura pode ser controlada. A deposição foi executada a 104-106 °C enquanto o cilindro rotativo é girado a 0,2 Hz. O substrato foi transportado em um suporte de gás nitrogênio que foi mantido a 50 mbar, correspondendo a um fluxo de gás de 225 litros padrão por minuto (slm) nos equipamentos usados. O cilindro foi equipado com 12 orifícios com formato de fenda, através do quais precursores gasosos foram passados em direção à superfície do substrato. Os orifícios foram cercados por orifícios circulares menores através dos quais nitrogênio foi passado em direção à superfície do substrato.

[0038] Trimetilalumínio (TMA) foi mantido à temperatura ambiente em um recipiente e a água foi mantida em um misturador evaporador controlado. Os respectivos vapores foram alternadamente fornecidos aos orifícios no formato de fenda no cilindro rotativo. O fluxo de TMA foi definido a 1 slm e diluído com 60 slm de nitrogênio. O fluxo de água foi definido a 80 g/h e diluído com 25 slm de nitrogênio. A superfície do substrato foi exposta aos fluxos de gás do cilindro rotativo por 5 segundos. Depois disso, o tambor foi purgado ao se passar nitrogênio através dos orifícios por 10 segundos. Então, apenas TMA foi passado através dos orifícios no formato de fenda, como descrito acima, por 2 segundos seguido por uma purga de nitrogênio de 10 segundos, em seguida, um recipiente com 4-mercaptofenol (4MP) a 120 °C foi conectado aos orifícios no formato de fenda ao definir o fluxo de vapor de 4MP a 2 slm diluído por 25 slm de nitrogênio por 10 segundos, depois do qual o cilindro foi purgado ao se passar nitrogênio através dos orifícios por 10 segundos.

[0039] A sequência descrita acima é denotada por [[TMA-H2O]5s- TMA2s-4MP10s]. Esta sequência foi consecutivamente executada 75 vezes. Um laminado com uma espessura de aproximadamente 110-140 nm foi obtido.

Claims (12)

1. PROCESSO PARA PRODUZIR UM LAMINADO, caracterizado por compreender mover um substrato em relação a pelo menos dois orifícios separados dispostos ao longo da trajetória de movimento relativo em que, através de pelo menos um orifício, um composto orgânico no estado gasoso é passado em direção à superfície do substrato e, através de pelo menos outro orifício, um composto contendo metal ou semimetal no estado gasoso é passado em direção à superfície do substrato e em que os orifícios são montados em um cilindro rotativo, e em que mais orifícios através dos quais um composto contendo metal ou semimetal é passado em direção ao substrato estão presentes do que orifícios através dos quais um composto orgânico é passado; em que o composto orgânico no estado gasoso tem uma funcionalidade hidroxi, enxofre ou uma combinação destas.

2. PROCESSO, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por um orifício através do qual um gás inerte é passado em direção ao substrato ser colocado entre cada dois orifícios através dos quais um composto orgânico ou um composto contendo metal ou semimetal é passado.

3. PROCESSO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 2, caracterizado por um orifício através do qual um composto capaz de decompor o composto contendo metal ou semimetal é passado no estado gasoso em direção ao substrato ser colocado entre cada dois orifícios através dos quais um composto contendo metal ou semimetal é passado em direção ao substrato.

4. PROCESSO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 3, caracterizado pela velocidade de movimento dos orifícios em relação ao substrato ser de 0,01 a 10 m/s.

5. PROCESSO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 4, caracterizado pela taxa de fluxo do composto orgânico ou do composto contendo metal ou semimetal através dos orifícios ser de 1 a 100 sccm.

6. PROCESSO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 5, caracterizado pelo substrato ser uma película de polímero.

7. PROCESSO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 6, caracterizado por cada orifício passar pela mesma área de superfície do substrato pelo menos duas vezes.

8. PROCESSO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 7, caracterizado pela pressão no substrato ser de 500 a 1500 mbar.

9. PROCESSO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 8, caracterizado pela temperatura no substrato ser de 50 °C a 150 °C.

10. PROCESSO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 9, caracterizado pelo composto orgânico conter um grupo tiol.

11. PROCESSO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 10, caracterizado pelo composto contendo metal ou semimetal ser um metal de alquila ou um semimetal de alquila.

12. PROCESSO, de acordo com qualquer uma das reivindicações 3 a 11, caracterizado pelo composto capaz de decompor o composto contendo metal ou semimetal ser água, um plasma de oxigênio ou ozônio.

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