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in procédé de séparation des frnctionf m{)Ho!l1;,d1'(ile d'un mélange et dispositif pour le réali@er" "
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La présente invention concerne des procédés de
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14p.iration des fractions monomindrales de particules de r.wtière, à partir d'ùp mélange complexe-de minéraux métal- lifères ou non, et des dispositifs pour réaliser ces procedés.
On connaît un procédé d'obtention de fractions
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Ij,0::r'Jd né "ale de particules de matière en les sélection- mant à l'aiguille sous un microscope binoculaire. Toute- fois, ce procédé demandant de grandes dépenses de main- d'oeuvre, et étant irrationnel du point de vue économique, @ saurait satisfaire les impératifs du,niveau de dévelop- pement actuel de la technique.
On connaît un procédé et un dispositif pour la sépar@@ion de particules de matières qui consistent à amener le mélange contenu dans une trémie, . l'aida d'un alimenta- tour vibrant ou directement, sur une électrode de dépôt se
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t,ouvant nome l'action conjugués ou "par'. d'un flux 1 (1ni -lU9 et d'un chatap électrostatique* Quoique ço procédé et ce diaposittt .t.tt.nt dit oêparer les mïiidraux de mélangea, il n'aaaurant pas l f <,bt,ont:1on de traction. Nonominéralwa (concentréa de grand, pureté) dans le cas de séparation de mélangea com- plexes.
Le but de la pré@ente invention est d'éliminer les inconvénients mentionnée.
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On s'est donc posé la tâche de créer un procédé et un dispositif qui assureraient d'une façon économique et rationnelle l'obtention de fractions monominérales (concentrés de haute qualité) à partir d'un mélange complexe. Le disposi- tif doit être pratique et compact; et doit pouvoir fonctionner suivant des normes de production élevées, en excluant les pertes de mélange à traiter.
La solution est constituée par un procédé dans lequel, avant que le mélange soit amené à l'électrode de dépôt soumise à l'action d'un flux ionique et/ou d'un champ électrostatique, on engendre dans les particules du mé- lange des charges électriques de signe appropria. En outre, on modifie sélectivement le type de conductibilité des particules et on stimule les charges électriques qui y apparaissent, après quoi on amplifie dans les particules de matières à séparer du mélange les charges qui y ont été engendrées, tandis que dans les autres particules on affaiblit ces charges ou on les inverse.
Le changement du type de conductibilité dans
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les pari.1.<.,1;.g du Matière peut être 1"éalinÓ en louI' !'t\1Mt. subir un réehnutfa.;;':z suivi d'un l"lJ±ro!lUtH3Cmont au cours do leur nch{m1ncmell. vers l'électrode de dép6t< Pour réalleer le procédé, on a or:
6 un d1apo1 tif comprenant une chambre de séparation avec des organes de coupure, dans laquelle sont disposée une électrode de dépôt, un organe assurant l'amenée des particules de ma- tière à l'électrode de dépôt et leur imprimant un mouve- ment intermittent, et des sources engendrant un flux ionique et un champ électrostatique. La surface active
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du dispositif amenant les particules de matière à l'élec- trode de dépôt et la surface de l'électrode de dépôt sont recouvertes d'une couche de produit douée de conductibi- lité unidirectionnelle au contact.
En ce qui concerne le dispositif amenant les particules à l'électrode de dépôt et leur imprimant un
Mouvement intermittent, on peut utiliser un système se présentant sous la forma de couloirs vibrants, deux par exemple, de différentes longueurs, disposés l'un au-dessus de l'autre et recouverts d'une couche de produit douée de conductibilité unidirectionnelle au contact, l'extrémité . du couloir inférieur étant située par rapport à la limite du flux ionique à une distance assurant l'amortissement .des vibrations des particules et un contact stable des particules de matière avec la surface de l'électrode de dépôt.
L'extrémité du couloir inférieur peut être re- couverte de titanate de baryum auquel on a conféré des propriétés électrètes assurant la création d'un flux ioni- que (de signe positif'ou négatif) entre le bord du cou- loir et l'électrode de dépôt, pour électriser des partis cules de matiez durant leur chute sur l'électrode de dépôt
Dans le dispositif, on peut disposer entr les couloirs un élément semiconducteur, alimenté par un courant, qui réchauffe l'un des couloirs et refroidit l'autre, et confère des propriétés diffusives à la couche de produit recouvrant les couloirs, ainsi qu'aux particules,de ma- tière@ ce qui permet d'ajuster le signe et la valeur de la charge.
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La propriété de conductibilité unidirectionnelle au contact peut être conférée à la surface de l'électro- -.--de de dépot en lui appliquant un revêtement semi- conducteur.
La surface cylindrique de l'électrode du dis- positif peut être réalisée sous la forme de segments ayant un revêtement semiconducteur et reliés électrique- ment à la masse du dispositif au moyen de diodes à cristal, par exemple, au germanium.
Dans la chambre du dispositif, se trouvent des organes de coupure réalisés de telle façon que leur hauteur puisse être modifiée; l'écartement de ces organes de coupure est égal au diamètre de l'électrode de dépôt, l'un des organes de coupure étant disposé dans ,le plan vertical passant par l'axe de l'électrode de dépôt'.
Dans ce qui suit l'invention est expliquée par un exemple de réalisation, en se référant aux dessins ci-annexés, dans lequels; la fig. 1 représente le schéma de principe du dispositif; la fig. 2, la coupe en long du dispositif; la fig. 3, la vue d'ensemble du dispositif et ', la fig. 4, l'électrode de dépôt en coupe partielle.
Le dispositif pour l'obtention de fractions monominérales comprend une trémie 1 (fig. 1), des couloirs 2,3 recouverts de pellicules d'oxydes, un vibrateur 4, un élément semiconducteur 5, une électrode de dépôt 6, des électrodes 7,8 créant un flux ionique et un champ électro-
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statique, une chambre de séparation 9 avec des organes de coupure 10, 11, et des moyens de redeption 12.
La trémie 1 (fig. 2) est destinée à alimenter le dispositif en particules de matière. Elle englobe un registre 13 assurant la distribution uniforme des particules de matière de différentes classes de grosseurs sur les couloirs 2,3 de longueurs différentes, aux sur- faces actives,desquelles on a conféré une conductibilité' unidirectionnelle au contact en leur appliquant un revête- ment semiconducteur.
Au moyen du vibrateur 4, on imprime aux couloirs 2,3 un mouvement rectiligne alternatif. Il s'ensuit que les particules de matière sont animées d'un mouvement intermittent sur la surface de ces couloirs, douée d'une conductibilité unidirectionnelle au contact. Dans de telles conditions, des charges de signe déterminé nais- sent dans les particules.
Entre les couloirs Vibrants 2,3, comme le montre la fig. 2, on a interposé un,élément semiconducteur 5 alimenté par un courant. Cet élément réchauffe l'un des couloirs et refroidit l'autre, assurant en conju- Saison avec le revêtement semiconducteur des couloirs le changement du type de conductibilité (ionique ou électronique) des particules de matière, ce qui permet de commander le signe et la valeur de la charge.
Au-dessus de l'électrodè de dépôt 6, on a monté des électrodes 7 qui créent un flux ionique dirigé,
L'extrémité du couloir inférieur 3 est dis- posée, par rapport à la limite du flux ionique, à une
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distance assurant l'amortissement des vibrations des particules et leur contact stable avec la surface de l'électrode de dépôt.
L'électrode de dépôt 6, suivant la fig. 1, ce présent sous la forme d'un cylindre dont la surface ac- tive comporte un revêtement semiconducteur 14. Pour détacher de la surface de l'électrode de dépôt 6 les particules qui y adhérent, il est prévu une brosse 15.
Le revêtement semiconducteur ce la surface de l'électrode de dépôt 6 amplifie la charge des parti- cules de matière ou inverse leur charge, ce qui favo- rise l'attraction d'une partie désarticules et la , , répulsion des autreµãrticules,de matière par la sur- face de l'électrode de dépôt 6.
L'électrode de dépôt 6 est montée dans la chambre sous pression 9, sur des roulements 16 (fig. 3), et elle est entraînée par un moteur à courant continu 17 (fig. 2).
Les électrodes 7 créant le'flux ioniqu dirigé peuvelt être au nombre de trois ou de plus de trois, l'une d'elles engendrant un flux ionique intense et les autres assurant la concentration de ce flux our la portion de auface/requise de l'électrode de dépôt 6.
Les électrodes 7 sont fixées dans le boîtier du dispositif au moyen d'un système de réglage 18 (fig. 3), à l'aide duquel'on peut, pendant la marche, déplacer les électrodes aussi bien dans la direction verticale que dans la direction horizontale, ainsi que les bloquer dans la position requise.
Pour créer un clamp électrostatique dirigé, on
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a utilisé des électrodes 8 ayant un revêtement semi- conducteur qui contribue à la séparation efficace des particules de matière. Ces électrodes sont fixées sur un système de réglage 19, permettant de déplacer les électrodes dans une zone étendue de la chambre sous pression 9 (fig. 2), et de les bloquer exactement dans la position voulue par rapport à l'électrode de dépôt 6.
Lorsque lesparticules de matière arrivent à l'électrode de dépôt 6, dont la surface active est recouverte d'une couche de produit doué de conducti- bilité unidirectionnelle de sens déterminé au contacta elles subissent l'action séparée-.ou conjuguée du champ électrostatique dirigé et du flux ionique, de même polarité ou de polarités différentes, ou en combinaison avec un champ électrique alternatif. Par suite de l'in- teraction du champ électrique avec les particules de matière chargées se trouvant en contact avec la surface de l'électrode de dépôt 6, douée de conductibi-' lité unidirectionnelle au contact, on arrive à amplifier la charge dans une partie de particules et à l'atténuer dans les autres, ou bien à inverser la charge dans une partie des particules.
La chambre de séparation 9 est réalisée de telle façon que son encombrement permette non seulement la mise en place de toutes les parties du dispositif, mais que de plus l'altération du champ électrique y soit minimale. 'En outre, elle est réalisée étanche, à parois transparentes, ce qui exclue l'éventualité de pertes de fines par le mélange à étudier, et permet d'observer les particules de matière à séparer directement pendant
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l'opération.
Dans la chambre 9 sont disposés des organes de coupure 10,11, réalisés sous la forme d'éléments amovibles à bords effilés. La hauteur des organes de coupure peut être modifiée en augmentant ou diminuant le nombre d'éléments amovibles, assurant la coupure de l'éventail de particules au point voulu de la chambre de séparation. L'écartement entre les organes de coupure est égal au diamètre dé l'électrode de dépôt 6 ; l'un des organes de coupure 10 est monté dans le plan vertical passant par ltaxe de l'électrode de dépôt 6, ce qui augmente l'efficacité de séparation des particules de matière.
Les moyens de réception 12 sont fixés dans des rainures d'encastrement 20. Les compartiments étanches ainsi réalisés excluent les pertes de particules de matière séparées.
L'alimentation des électrodes créant le champ électrostatique dirigé et le flux ionique est assurée à partir d'un bloc à haute tension 21 (fige 3). Ce bloc alimente les électrodes en haute tension tant alternative que continue (sous polarité positive et négative),'ou bien avec combinaison du courant alternaif et du courant continu, dans un intervalle allant de 0 à 40 kV.
Il est possible de réaliser les ensembles constitutifs du dispositif suivant d'autres variantes.
Le revêtement semiconducteur de la surface cylindrique de l'électrode de dépôt, montrée dans la fig. 4, est réalisé sous la forme de segments 22 distincts,
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isolés les uns des autres et relies électriquement à la masse du dispositif au moyen de diodes à cristal 23.
Le couloir 3 du système amenant le mélange à l'électrode de dépota montré dans la fig. 1 2, peut être constitué d'un produit doué de propriétés électrètes, ou avec seulement son extrémité recouverte d'un tel pro- duit, par exemple, de titanate de baryum. Un tel revête- tuent assure la création d'un flux ionique entre le bord du couloir et l'électrode de dépôt.
Les fractions monominérales de particules de matière'sont séparées à partir du mélange de là façon sui- vante.
Les particules de matière venant 'de la trémie 1 tombent sur les couloirs vibrants 2, 3; qui leur impriment un mouvement intermittent. Du fait de l'interaction de contact des particules de matière, animées d'un mouvement intermittent, avec la surface du couloir 2 qui est douée de conductibilité unidirectionnelle, des charges électriques de signe approprié apparaissent dans les particules, Plus loin ces chargea sont amplifiées sur le couloir 3.
S'il est nécessaire de stipuler les charges électriques dans les particules, on peut les amplifier ou les atténuer en soumettant les particules à un réchauffage suivi d'un refroidissement au cours de leur cheminement suivant les surfaces vibrantes des couloirs:
'
Ensuite, en se déplaçant, les particules arrivent à l'électrode de dépôt 6, c'est-à-dire, dans la zone située entre le bord du.couloir 3 et la limite du flux ionique, où est assuré l'amortissement de leurs
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vibrations et lour contact stable avec la surface de 1 électrode de dépôt,
Dans le cas de l'utilisation d'un couloir 3
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doué de ru5'.H .ectror.ctic, les particules de ma- tières arrivent dans le champ ionique qui règne entra la bord du couloir et l'électrode de dépôt; dans ce champ, elle prenne une charge électrique de signe approprié.
Les particules de matière, amenées à l'électrode de dép8t comportant un revêtement semiconducteur, sont soumises à l'action séparée ou conjuguée du flux ionique dirigé et du champ électrostatique de même polarité ou de polarités différentes, ou bien en combinaison avec un champ alternatif. Il s'ensuit que, dans une partie des particules, la charge est amplifiée, alors que, dans les autres particules, elle est atténuée, ou bien la charge d'une partie des particules est inversée. De ce fait, une partie des particules est attirée, les autres sont repoussas par l'électrode de dépôt et, selon la
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position ds3s <JI'C'1i1m) de coupure 10. il, ollos tombent dans lap M,"YCiV3 :EG réception tcrpaxant3 M.
'>1!" ; ,nct'. 1", :'){'oc6dû t' fj le erêé peur la .rÜ,U..;or gcott.ot R:xb=4n.r das f estions !!!ono!Binéï'alec de pttrtl(\ila de mt\t;\.èrn pcU'U1" d'un mélange oomplsxc granulé et de divers mincraio, ce qui rend beaucoup plus rapide, moins cher et plus facile le processus des travaux de prospection géologique et d'enrichissement.
L'obtention d'une traction monominérale d'un poids de 5 g à l'aide du dispositif prend à peine 5 à 10 mn, alors que l'obtention de fractions monomin6ralea
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de ce même poids, à l'aide d'une aiguille sous un microscope binoculaire, demande 3 à 4 semaines.
En outre, on peut aussi séparer à l'aide du dispositif des minéraux et des particules de matière qui ne peuvent être séparées en utilisant la différence de densités, la susceptibilité magnétique relative et . d'autres propriétés.
Le procédé et le dispositif créé pour le réa- liser permettent de séparer les minéraux contenant des métaux rares à un taux infime, ce qui augmente notablement l'efficacité des recherches et de la prospection des . gisements.
Le dispositif est destiné à l'utilisation tant dans les laboratoires des organismes de recherches s'occupant de l'étude de la composition minéralogique des minerais et d'autres matières, que directement dans les fabriques d'enrichissement, les expéditions et les équipes de prospection géologique. En outre, le procédé et le dispositif trouvent aussi des applications dans l'agriculture pour'le triage de diverses graines d'après leur qualité, leur faculté germinative, etc.
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a process for separating frnctionf m {) Ho! l1;, d1 '(ile of a mixture and device for carrying it out ""
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The present invention relates to methods of
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14p.iration of monomindral fractions of r.wtière particles, from a complex mixture of minerals, metal- or not, and devices for carrying out these processes.
A process is known for obtaining fractions
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Ij, 0 :: r'Jd born of particles of matter by selecting them with a needle under a binocular microscope. However, this process requires great expenditure of manpower, and being irrational of the From an economic point of view, @ would be able to meet the requirements of the current level of technical development.
A method and a device are known for the separation of particles of matter which consists in bringing the mixture contained in a hopper. aided by a vibrating feed-tower or directly, on a deposit electrode is
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t, first name the conjugate action or "by '. of a flux 1 (1ni -lU9 and an electrostatic chatap * Although this process and this slide .t.tt.nt say to prepare the mïiidraux of mixed, it n 'aaaurant not lf <, bt, have: 1on of traction Nonominéralwa (high concentrate, purity) in the case of separation of complex mixtures.
The aim of the present invention is to eliminate the mentioned drawbacks.
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We therefore set ourselves the task of creating a process and a device which would ensure in an economical and rational manner the obtaining of monomineral fractions (high quality concentrates) from a complex mixture. The device must be practical and compact; and must be able to operate according to high production standards, excluding the losses of mixture to be treated.
The solution is constituted by a process in which, before the mixture is brought to the deposit electrode subjected to the action of an ionic flux and / or an electrostatic field, the particles of the mixture are generated in the particles of the mixture electric charges of appropriate sign. In addition, the type of conductivity of the particles is selectively modified and the electric charges which appear therein are stimulated, after which the charges which have been generated therein are amplified in the particles of matter to be separated from the mixture, while in the other particles we weakens these charges or they are reversed.
The change in the type of conductivity in
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the bets.1. <., 1; .g of the Matter can be 1 "éalinÓ en louI '!' t \ 1Mt. undergo a rehnutfa. ;; ': z followed by a l" lJ ± ro! lUtH3Cmont during do their nch {m1ncmell. to the deposit electrode <To reset the process, we have:
6 a d1apo1 tif comprising a separation chamber with cut-off members, in which are arranged a deposition electrode, a member ensuring the supply of particles of matter to the deposition electrode and imparting an intermittent movement to them. , and sources generating an ionic flux and an electrostatic field. The active surface
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of the device bringing the particles of material to the deposition electrode and the surface of the deposition electrode are covered with a layer of product endowed with unidirectional conductivity on contact.
With regard to the device bringing the particles to the deposition electrode and giving them a
Intermittent movement, we can use a system in the form of vibrating corridors, two for example, of different lengths, arranged one above the other and covered with a layer of product endowed with unidirectional conductivity in contact , the end. the lower passage being located with respect to the limit of the ionic flux at a distance ensuring the damping .des vibrations of the particles and a stable contact of the particles of material with the surface of the deposition electrode.
The end of the lower passage may be covered with barium titanate which has been given electret properties ensuring the creation of an ionic flux (of positive or negative sign) between the edge of the passage and the deposition electrode, to electrify particles of material as they fall on the deposition electrode
In the device, a semiconductor element, supplied by a current, which heats one of the corridors and cools the other, and gives diffusive properties to the layer of product covering the corridors, as well as to particles, of matter @ which makes it possible to adjust the sign and the value of the charge.
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The property of unidirectional contact conductivity can be imparted to the surface of the deposit electro -.-- by applying a semiconductor coating thereto.
The cylindrical surface of the device electrode may be made in the form of segments having a semiconductor coating and electrically connected to the ground of the device by means of crystal diodes, for example germanium.
In the chamber of the device, there are cut-off members made in such a way that their height can be modified; the spacing of these cut-off members is equal to the diameter of the depositing electrode, one of the cut-off elements being disposed in the vertical plane passing through the axis of the depositing electrode '.
In what follows the invention is explained by an exemplary embodiment, with reference to the accompanying drawings, in which; fig. 1 represents the block diagram of the device; fig. 2, the longitudinal section of the device; fig. 3, the overall view of the device and ', FIG. 4, the partial sectional deposition electrode.
The device for obtaining monomineral fractions comprises a hopper 1 (fig. 1), lanes 2, 3 covered with oxide films, a vibrator 4, a semiconductor element 5, a deposition electrode 6, electrodes 7, 8 creating an ionic flux and an electro-
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static, a separation chamber 9 with cut-off members 10, 11, and redeption means 12.
The hopper 1 (fig. 2) is intended to supply the device with particles of material. It includes a register 13 ensuring the uniform distribution of the particles of material of different size classes on the lanes 2, 3 of different lengths, with active surfaces, which have been conferred unidirectional conductivity on contact by applying a coating to them. semiconductor.
By means of the vibrator 4, the corridors 2, 3 are imparted an alternating rectilinear movement. It follows that the particles of matter are animated by an intermittent movement on the surface of these corridors, endowed with a unidirectional conductivity on contact. Under such conditions, charges of determined sign arise in the particles.
Between the vibrating corridors 2,3, as shown in fig. 2, a semiconductor element 5 supplied by a current has been interposed. This element heats one of the lanes and cools the other, ensuring in conjunction with the semiconductor coating of the lanes the change of the type of conductivity (ionic or electronic) of the particles of matter, which makes it possible to control the sign and the load value.
Above the deposition electrode 6, electrodes 7 have been mounted which create a directed ionic flow,
The end of the lower corridor 3 is placed, with respect to the limit of the ionic flux, at a
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distance ensuring the damping of the vibrations of the particles and their stable contact with the surface of the deposition electrode.
The deposition electrode 6, according to FIG. 1, this present in the form of a cylinder, the active surface of which comprises a semiconductor coating 14. In order to detach the particles which adhere thereto from the surface of the deposition electrode 6, a brush 15 is provided.
The semiconductor coating on the surface of the deposition electrode 6 amplifies the charge of the particles of matter or reverses their charge, which favors the attraction of one part of the disarticles and the repulsion of the other particles of matter. by the surface of the deposit electrode 6.
The deposition electrode 6 is mounted in the pressure chamber 9, on bearings 16 (fig. 3), and it is driven by a direct current motor 17 (fig. 2).
The electrodes 7 creating the directed ionic flow can be three in number or more than three, one of them generating an intense ionic flow and the others ensuring the concentration of this flow for the required portion of the surface. 'deposit electrode 6.
The electrodes 7 are fixed in the housing of the device by means of an adjustment system 18 (fig. 3), with the aid of which, during walking, the electrodes can be moved both in the vertical direction and in the vertical direction. horizontal direction, as well as locking them in the required position.
To create a directed electrostatic clamp, we
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used electrodes 8 having a semiconductor coating which contributes to the efficient separation of particles of material. These electrodes are fixed on an adjustment system 19, making it possible to move the electrodes in an extended zone of the pressure chamber 9 (fig. 2), and to block them exactly in the desired position with respect to the deposition electrode 6. .
When the particles of material arrive at the deposition electrode 6, the active surface of which is covered with a layer of product endowed with unidirectional conductivity in a determined direction upon contact, they undergo the separate or combined action of the directed electrostatic field. and ionic flux, of the same or different polarity, or in combination with an alternating electric field. As a result of the interaction of the electric field with the charged particles of matter being in contact with the surface of the deposition electrode 6, endowed with unidirectional conductivity on contact, the charge is amplified in a part of particles and attenuate it in the others, or to reverse the charge in part of the particles.
The separation chamber 9 is made in such a way that its size not only allows the installation of all the parts of the device, but also that the alteration of the electric field is minimal. 'In addition, it is made airtight, with transparent walls, which excludes the possibility of loss of fines by the mixture to be studied, and makes it possible to observe the particles of material to be separated directly during
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the operation.
In the chamber 9 are arranged cutting members 10,11, made in the form of removable elements with tapered edges. The height of the cut-offs can be varied by increasing or decreasing the number of removable elements, ensuring that the particle fan is cut off at the desired point in the separation chamber. The distance between the cut-off members is equal to the diameter of the depositing electrode 6; one of the cut-off members 10 is mounted in the vertical plane passing through the axis of the deposition electrode 6, which increases the efficiency of separation of the particles of material.
The receiving means 12 are fixed in recessing grooves 20. The sealed compartments thus produced exclude the loss of particles of separated material.
The supply of the electrodes creating the directed electrostatic field and the ionic flux is provided from a high voltage unit 21 (fig 3). This unit supplies the electrodes with high voltage, both alternating and direct (with positive and negative polarity), or else with a combination of alternating current and direct current, in an interval ranging from 0 to 40 kV.
It is possible to produce the constituent assemblies of the device according to other variants.
The semiconductor coating of the cylindrical surface of the deposition electrode, shown in fig. 4, is made in the form of separate segments 22,
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isolated from each other and electrically connected to the ground of the device by means of crystal diodes 23.
The corridor 3 of the system bringing the mixture to the depositing electrode shown in fig. 1 2, may consist of a product endowed with electret properties, or with only its end covered with such a product, for example, barium titanate. Such a coating ensures the creation of an ionic flux between the edge of the passage and the deposition electrode.
The monomineral fractions of material particles are separated from the mixture in the following manner.
The particles of material coming from the hopper 1 fall on the vibrating corridors 2, 3; which give them an intermittent movement. Due to the contact interaction of the particles of matter, animated by an intermittent movement, with the surface of the corridor 2 which is endowed with unidirectional conductivity, electric charges of appropriate sign appear in the particles, Further these charges are amplified on the corridor 3.
If it is necessary to stipulate the electric charges in the particles, they can be amplified or attenuated by subjecting the particles to heating followed by cooling as they travel along the vibrating surfaces of the corridors:
'
Then, while moving, the particles arrive at the deposition electrode 6, that is to say, in the zone located between the edge of the corridor 3 and the limit of the ionic flow, where the damping of their
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vibrations and heavy stable contact with the surface of 1 deposit electrode,
In the case of using a corridor 3
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endowed with ru5'.H .ectror.ctic, the particles of matter arrive in the ionic field which prevails between the edge of the corridor and the deposit electrode; in this field, it takes an electric charge of the appropriate sign.
The particles of matter, brought to the deposit electrode comprising a semiconductor coating, are subjected to the separate or combined action of the directed ionic flux and of the electrostatic field of the same polarity or of different polarities, or else in combination with an alternating field. . It follows that, in a part of the particles, the charge is amplified, while, in the other particles, it is attenuated, or else the charge of a part of the particles is reversed. As a result, some of the particles are attracted, the others are repelled by the deposition electrode and, depending on the
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cutoff position ds3s <JI'C'1i1m) 10. il, ollos fall into lap M, "YCiV3: EG reception tcrpaxant3 M.
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Obtaining a monomineral traction with a weight of 5 g with the aid of the device hardly takes 5 to 10 minutes, while obtaining monominal fractions has
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of the same weight, using a needle under a binocular microscope, takes 3 to 4 weeks.
In addition, one can also separate with the aid of the device minerals and particles of matter which cannot be separated using the difference in densities, the relative magnetic susceptibility and. other properties.
The process and the device created to carry it out make it possible to separate minerals containing rare metals at a minute rate, which significantly increases the efficiency of research and prospecting. deposits.
The device is intended for use both in the laboratories of research organizations dealing with the study of the mineralogical composition of ores and other materials, and directly in enrichment factories, expeditions and teams of geological prospecting. Further, the method and device also find applications in agriculture for sorting various seeds according to their quality, germination, etc.