BE613425A - Procédé pour l'attaque chimique de corps semi-conducteurs en substance monocristallins - Google Patents

Procédé pour l'attaque chimique de corps semi-conducteurs en substance monocristallins

Info

Publication number
BE613425A
BE613425A BE613425A BE613425A BE613425A BE 613425 A BE613425 A BE 613425A BE 613425 A BE613425 A BE 613425A BE 613425 A BE613425 A BE 613425A BE 613425 A BE613425 A BE 613425A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
monocrystalline
substance
semiconductor bodies
etching semiconductor
etching
Prior art date
Application number
BE613425A
Other languages
English (en)
French (fr)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of BE613425A publication Critical patent/BE613425A/fr

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00Brightening metals by chemical means
    • C23F3/04Heavy metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/32Alkaline compositions
    • C23F1/40Alkaline compositions for etching other metallic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
BE613425A 1961-02-03 1962-02-02 Procédé pour l'attaque chimique de corps semi-conducteurs en substance monocristallins BE613425A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES72354A DE1199098B (de) 1961-02-03 1961-02-03 Verfahren zum AEtzen von im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerpern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE613425A true BE613425A (fr) 1962-08-02

Family

ID=7503134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE613425A BE613425A (fr) 1961-02-03 1962-02-02 Procédé pour l'attaque chimique de corps semi-conducteurs en substance monocristallins

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3266961A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
BE (1) BE613425A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
CH (1) CH401633A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
DE (1) DE1199098B (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
NL (1) NL271850A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1079430A (en) * 1965-05-06 1967-08-16 Maxbo Ab A method and apparatus for heat sealing or cutting thermoplastic material
US3977071A (en) * 1969-09-29 1976-08-31 Texas Instruments Incorporated High depth-to-width ratio etching process for monocrystalline germanium semiconductor materials
DE2214197C3 (de) * 1972-03-23 1982-01-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Ätzen von PN-Übergänge enthaltenden Halbleiterscheiben
JPS583374B2 (ja) * 1977-06-15 1983-01-21 超エル・エス・アイ技術研究組合 シリコン単結晶の処理方法
JPS54110783A (en) * 1978-02-20 1979-08-30 Hitachi Ltd Semiconductor substrate and its manufacture
US4918030A (en) * 1989-03-31 1990-04-17 Electric Power Research Institute Method of forming light-trapping surface for photovoltaic cell and resulting structure
US5564409A (en) * 1995-06-06 1996-10-15 Corning Incorporated Apparatus and method for wire cutting glass-ceramic wafers
US5913980A (en) * 1996-04-10 1999-06-22 Ebara Solar, Inc. Method for removing complex oxide film growth on silicon crystal

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE471989A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) * 1941-07-16
US2809103A (en) * 1953-11-10 1957-10-08 Sylvania Electric Prod Fabrication of semiconductor elements
GB894255A (en) * 1957-05-02 1962-04-18 Sarkes Tarzian Semiconductor devices and method of manufacturing them
US3041226A (en) * 1958-04-02 1962-06-26 Hughes Aircraft Co Method of preparing semiconductor crystals

Also Published As

Publication number Publication date
DE1199098B (de) 1965-08-19
NL271850A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
US3266961A (en) 1966-08-16
CH401633A (de) 1965-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE613425A (fr) Procédé pour l'attaque chimique de corps semi-conducteurs en substance monocristallins
FR1339898A (fr) Procédé pour le polissage de l'arséniure de gallium
BE611557A (fr) Procédé d'obtention de monocristaux du type grenat
BE616035A (fr) Procédé et dispositif pour la production du malt.
FR1374318A (fr) Procédé pour l'attaque chimique de corps semi-conducteurs sensiblement monocristallins
FR82434E (fr) Procédé pour améliorer l'eau
FR1321895A (fr) Procédé pour améliorer l'eau
FR1431678A (fr) Procédé pour l'isolement de l'alpha1-antitrypsine
FR1346546A (fr) Méthode de diffusion d'impureté dans un semi-conducteur
FR1344700A (fr) Procédé et dispositif pour l'examen de corps semi-conducteurs
FR1341178A (fr) Procédé et dispositif pour l'élimination sélective d'impuretés dans des corps semi-conducteurs
FR1373165A (fr) Procédé et dispositif pour l'obtention de pièces en béton armé en forme de voûte
FR1328861A (fr) Procédé de synthèse de l'acide propiolique
FR1284232A (fr) Procédé pour la production d'alcools
FR1331825A (fr) Procédé d'alliage sur semi-conducteur
BE614058A (fr) Procédé de formation de corps semiconducteurs.
FR1344638A (fr) Procédé pour la préparation d'alcools polyoléfiniques
FR1287782A (fr) Procédé pour la concentration des terres rares
FR1396177A (fr) Procédé pour l'isolement et la purification du 1-cyanobutadiène-(1, 3)
BE616974A (fr) Procédé et dispositif pour la fabrication de chaussures
FR1329928A (fr) Procédé de formation de corps semi-conducteurs
FR1332776A (fr) Procédé pour maintenir un degré déterminé d'humidité dans l'enveloppe d'un semi-conducteur
BE619458A (fr) Procédé pour maintenir un degré déterminé d'humidité dans l'enveloppe d'un semi-conducteur
BE610521A (fr) Procédé et creuset pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.
FR1287578A (fr) Procédé d'anodage auxiliaire