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1981-09-11
Procede pour la realisation d'un dispositif semiconducteur a haute tension de blocage et dispositif semiconducteur ainsi realise
FR2804245A1
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2001-07-27
Procede de formation d'une couche mince cristalline contenant du silicium
EP0760162B1
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2000-08-16
Procede de realisation d'une structure a faible taux de dislocations comprenant une couche d'oxyde enterree dans un substrat
FR2794897A1
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2000-12-15
Plaquette a semi-conducteur et dispositif a semi-conducteur fabrique a partir d'une telle plaquette
FR2658839A1
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1991-08-30
Procede de croissance controlee de cristaux aciculaires et application a la realisation de microcathodes a pointes.
FR2514566A1
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1983-04-15
Dispositif emetteur de lumiere semi-conducteur a base de nitrure de gallium et procede de fabrication dudit dispositif
FR2513016A1
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1983-03-18
Transistor v mos haute tension, et son procede de fabrication
EP2143687B1
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2016-12-07
Procédé de purification d'un substrat en silicium cristallin et procédé d'élaboration d'une cellule photovoltaïque
EP0034982A1
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1981-09-02
Procédé de préparation de couches homogènes de Hg1-xCdxTe
EP2795668B1
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2017-11-15
Procede de fabrication d'un empilement mos sur un substrat en diamant
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2013-06-19
Procédé de préparation d'une couche de dioxide de silicium par oxidation à haute temperature sur un substrat présentant au moins en surface d'un alliage silicium-germanium
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1981-04-30
Dispositif semiconducteur avec une diode zener
BE557168A
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FR2463509A1
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1981-02-20
Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dispositifs obtenus par ce procede
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2019-05-03
Point memoire a materiau a changement de phase
EP1337683B1
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2011-10-05
Procede d'auto-organisation de microstructures ou de nanostructures et dispositif associe obtenu
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1981-12-18
Procede pour realiser une jonction pn sur un semiconducteur compose du groupe ii-vi
EP4060716A1
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2022-09-21
Procede de modification d'un etat de contrainte d'au moins une couche semi-conductrice
FR2905706A1
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2008-03-14
Procede d'elimination par recuit des precipites dans un materiau semi conducteur ii vi
FR2814855A1
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2002-04-05
Jonction schottky a barriere stable sur carbure de silicium
EP0127488B1
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1988-11-17
Procédé de fabrication d'un transistor de puissance à tenue en tension élevée à l'ouverture
FR2709842A1
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1995-03-17
Dispositif de commutation optique et procédé de fabrication d'un tel dispositif.
EP0012324B1
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1982-02-17
Procédé de formation de contacts sur des régions semi-conductrices peu profondes
EP3840019B1
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EP0001375A1
(fr )
1979-04-04
Agencement de diodes luminescentes multicolores intégrées dans un corps semi-conducteur et son procédé de fabrication