EP0195700B1
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1990-05-23
Procédé de formation sur un substrat d'une couche de siliciure de métal réfractaire éventuellement recouverte d'isolant, utilisable notamment pour la réalisation de couches d'interconnexion des circuits intégrés
EP0000316B1
(fr )
1981-04-29
Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs comportant des régions d'oxyde de silicium encastrées
FR2720189A1
(fr )
1995-11-24
Procédé de réalisation d'une structure à faible taux de dislocations comprenant une couche d'oxyde enterrée dans un substrat semi-conducteur.
FR2604562A1
(fr )
1988-04-01
Dispositif semi-conducteur silicium-sur-isolant et procede de fabrication
EP0000317A1
(fr )
1979-01-10
Procédé de fabrication d'une électrode en siliciure sur un substrat notamment semi-conducteur
EP1010198A1
(fr )
2000-06-21
Procede de fabrication d'un film mince de materiau solide
FR2616590A1
(fr )
1988-12-16
Procede de fabrication d'une couche d'isolant enterree dans un substrat semi-conducteur par implantation ionique et structure semi-conductrice comportant cette couche
EP0526361B1
(fr )
1995-11-02
Electrode en alliage de cuivre à hautes performances pour usinage par électro érosion et procédé de fabrication
EP2575162B1
(fr )
2018-05-23
Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur avec une étape de retrait sélective d'une couche de silicium germanium
FR2981199A1
(fr )
2013-04-12
Dispositif microelectronique a memoire programmable comportant une couche de chalcogenure dope resistante a des temperatures elevees
EP0092266A1
(fr )
1983-10-26
Procédé de fabrication de transistors à effet de champ, en GaAs, par implantations ioniques et transistors ainsi obtenus
BE474585A
(OSRAM )
FR2604826A1
(fr )
1988-04-08
Procede de formation d'une couche isolante comportant du sulfure, derives sulfures obtenus et appareillage pour la mise en oeuvre du procede
FR2491679A1
(fr )
1982-04-09
Methode d'isolation d'un dispositif a semi-conducteurs et dispositif ou circuit integre obtenu
CH714492B1
(fr )
2024-11-15
Ressort spiral pour mouvement d'horlogerie
FR2678647A1
(fr )
1993-01-08
Procede de fabrication d'un cristal a gradient de maille.
EP0312466A1
(fr )
1989-04-19
Procédé de fabrication d'une structure de silicium sur isolant
FR2936727A1
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2010-04-09
Fil composite pour electroerosion.
FR2766211A1
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1999-01-22
PROCEDE DE DEPOT D'UNE COUCHE DIELECTRIQUE DE Ta2O5
EP1328969B1
(fr )
2011-12-07
Procédé de formation d'un transistor mos
FR2581795A1
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1986-11-14
Procede de fabrication d'une couche isolante continue enterree dans un substrat semi-conducteur, par implantation ionique
FR2977367A1
(fr )
2013-01-04
Transistors dont la grille comprend une couche de nitrure de titane et procede de depot de cette couche
FR2767965A1
(fr )
1999-03-05
Procede de fabrication d'un dispositif a circuit integre ayant differentes epaisseurs d'oxyde de grille
FR2529583A1
(fr )
1984-01-06
Procede de croissance de cristaux de znse dans une solution
FR2536587A1
(fr )
1984-05-25
Procede pour la production d'un transistor a effet de champ