EP0195700B1
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1990-05-23
Procédé de formation sur un substrat d'une couche de siliciure de métal réfractaire éventuellement recouverte d'isolant, utilisable notamment pour la réalisation de couches d'interconnexion des circuits intégrés
EP0000316B1
(fr )
1981-04-29
Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs comportant des régions d'oxyde de silicium encastrées
EP0298794B1
(fr )
1994-04-06
Procédé de fabrication d'une couche d'isolant enterrée dans un substrat semi-conducteur par implantation ionique et structure semi-conductrice comportant cette couche
FR2720189A1
(fr )
1995-11-24
Procédé de réalisation d'une structure à faible taux de dislocations comprenant une couche d'oxyde enterrée dans un substrat semi-conducteur.
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Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
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Procede de fabrication d'un film mince de materiau solide
FR2604562A1
(fr )
1988-04-01
Dispositif semi-conducteur silicium-sur-isolant et procede de fabrication
EP0000317A1
(fr )
1979-01-10
Procédé de fabrication d'une électrode en siliciure sur un substrat notamment semi-conducteur
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(fr )
1983-10-26
Procédé de fabrication de transistors à effet de champ, en GaAs, par implantations ioniques et transistors ainsi obtenus
EP0526361A1
(fr )
1993-02-03
Electrode en alliage de cuivre à hautes performances pour usinage par électro érosion et procédé de fabrication
BE474585A
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1989-03-17
Procede de fabrication d'une structure de silicium sur isolant
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Ressort spiral pour mouvement d'horlogerie
JPWO2014064823A1
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2016-09-05
半導体膜の製造方法、太陽電池及びカルコパイライト化合物
EP0524114A1
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Procédé de fabrication d'un cristal à gradient de maille
EP1328969B1
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Procédé de formation d'un transistor mos
FR2581795A1
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Procede de fabrication d'une couche isolante continue enterree dans un substrat semi-conducteur, par implantation ionique
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1999-03-05
Procede de fabrication d'un dispositif a circuit integre ayant differentes epaisseurs d'oxyde de grille
EP0128061B1
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1988-07-20
Transistor à effet de champ fonctionnant en mode de désertion profonde
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Procede de croissance de cristaux de znse dans une solution
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Procede pour la production d'un transistor a effet de champ
FR2867607A1
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2005-09-16
Procede de fabrication d'un substrat pour la microelectronique, l'opto-electronique et l'optique avec limitaton des lignes de glissement et substrat correspondant
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1941-08-30
Procédé de fabrication des disques de soupapes redresseuses au sélénium
BULDU KOHL et al.
2020
Study of Ammonium Sulfide Surface Treatment for Ultrathin Cu (In, Ga) Se (2) with Different Cu/(Ga plus In) Ratios
FR2857155A1
(fr )
2005-01-07
Procede de fabrication de couches contraintes de silicium ou d'un alliage de silicium-germanium