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EP0595671B1
(fr)
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Procédé et dispositif de fluxage par voie sèche
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EP1061040A1
(en)
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Mass purification method of carbon nanotubes
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WO2004003983A1
(ja)
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フッ素ガスによるクリーニング機構を備えたｃｖｄ装置およびｃｖｄ装置のフッ素ガスによるクリーニング方法
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JPH02213480A
(ja)
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高周波プラズマ発生用アルミニウム電極
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JP2012025636A
(ja)
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二酸化炭素の吸着還元剤及び還元方法
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Sun et al.
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CF4 decomposition by thermal plasma processing |
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FR2702467A1
(fr)
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Procédé de préparation du disilane à partir du monosilane par décharge électrique et piégeage cryogénique et nouveau réacteur pour sa mise en Óoeuvre.
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BE382129A
(cs)
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EP0820960B1
(fr)
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Elimination de O2 et/ou CO d'un gaz inerte par adsorption sur oxyde métallique poreux
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CN108423652B
(zh)
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一种半导体性单壁碳纳米管分离富集的方法
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KR100342084B1
(ko)
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알루미늄 함유 부재의 제조 방법 및 알루미늄 함유 부재
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JP4159004B2
(ja)
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ガス回収方法
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Fabis
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Laser machining of CVD diamond: chemical and structural alteration effects |
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JP4706055B2
(ja)
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単層カーボンナノチューブの可飽和吸収機能の向上方法
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JP2896005B2
(ja)
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ウェハー洗浄方法
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CA1267269A
(fr)
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Procede regeneratif pour l'elimination des mercaptans contenus dans ung az
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JPH1028688A
(ja)
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外科用縫合針の黒化方法
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EP0885980B1
(fr)
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Procédé pour la formation, par traitement thermochimique sans plasma, d'une couche superficielle présentant une dureté élevée
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JPWO2021192034A5
(cs)
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JP3506016B2
(ja)
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金属の酸化方法
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FR2724162A1
(fr)
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Procede de preparation de trisilane a partir de monosilane, par decharge electrique et piegeage cryogenique
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JPH05243163A
(ja)
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反応炉内部の残留ハロゲン除去方法
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JP3833899B2
(ja)
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酸化処理装置
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WO2002090620A2
(fr)
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Procede de preparation de trifluorure d'azote nf3 par electrolyse et installation pour sa mise en oeuvre.
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BE469777A
(cs)
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