BE1024389B1 - Dispositif de detecteur avec courant majoritaire et circuits de commande du courant - Google Patents

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BE1024389B1 BE2017/5016A BE201705016A BE1024389B1 BE 1024389 B1 BE1024389 B1 BE 1024389B1 BE 2017/5016 A BE2017/5016 A BE 2017/5016A BE 201705016 A BE201705016 A BE 201705016A BE 1024389 B1 BE1024389 B1 BE 1024389B1
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Abstract

L'invention concerne un dispositif de détecteur assisté par courant majoritaire, comprenant une couche de semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une pluralité de régions de commande du premier type de conductivité, au moins une région de détection d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, et une première source pour générer un courant de porteurs majoritaires associé à un champ électrique, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre des circuits de commande conçus pour commander la première source et commander individuellement au moins l'un desdits premiers courants de porteurs majoritaires.

Description

(30) Données de priorité :
15/01/2016 EP 16151588.7 (73) Titulaire(s) :
SOFTKINETIC SENSORS NV 1050, BRUXELLES Belgique (72) Inventeur(s) :
VAN DER TEMPEL Ward 3140 KEERBERGEN Belgique
VAN NIEUWENHOVE Daniel 1981 HOFSTADE Belgique (54) DISPOSITIF DE DETECTEUR AVEC COURANT MAJORITAIRE ET CIRCUITS DE COMMANDE DU COURANT (57) L'invention concerne un dispositif de détecteur assisté par courant majoritaire, comprenant une couche de semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une pluralité de régions de commande du premier type de conductivité, au moins une région de détection d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, et une première source pour générer un courant de porteurs majoritaires associé à un champ électrique, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre des circuits de commande conçus pour commander la première source et commander individuellement au moins l'un desdits premiers courants de porteurs majoritaires.
Figure BE1024389B1_D0001
BREVET D'INVENTION BELGE
SPF Economie, PME, Classes Moyennes & Energie
Numéro de publication : 1024389 Numéro de dépôt : BE2017/5016
Office de la Propriété intellectuelle Classification Internationale : G01S 7/486 G01S 17/89 Date de délivrance : 12/02/2018
Le Ministre de l'Economie,
Vu la Convention de Paris du 20 mars 1883 pour la Protection de la propriété industrielle ;
Vu la loi du 28 mars 1984 sur les brevets d'invention, l'article 22, pour les demandes de brevet introduites avant le 22 septembre 2014 ;
Vu le Titre 1er “Brevets d’invention” du Livre XI du Code de droit économique, l'article XI.24, pour les demandes de brevet introduites à partir du 22 septembre 2014 ;
Vu l'arrêté royal du 2 décembre 1986 relatif à la demande, à la délivrance et au maintien en vigueur des brevets d'invention, l'article 28 ;
Vu la demande de brevet d'invention reçue par l'Office de la Propriété intellectuelle en date du 12/01/2017.
Considérant que pour les demandes de brevet tombant dans le champ d'application du Titre 1er, du Livre XI du Code de Droit économique (ci-après CDE), conformément à l'article XI. 19, §4, alinéa 2, du CDE, si la demande de brevet a fait l'objet d'un rapport de recherche mentionnant un défaut d'unité d'invention au sens du §ler de l'article XI.19 précité et dans le cas où le demandeur n'effectue ni une limitation de sa demande ni un dépôt d'une demande divisionnaire conformément aux résultats du rapport de recherche, le brevet délivré sera limité aux revendications pour lesquelles le rapport de recherche a été établi.
Arrête :
Article premier. - Il est délivré à
SOFTKINETIC SENSORS NV, Boulevard de la Plaine 11, 1050 BRUXELLES Belgique;
représenté par
OFFICE KIRKPATRICK S.A., Avenue Wolfers 32, 1310, LA HULPE;
un brevet d'invention belge d'une durée de 20 ans, sous réserve du paiement des taxes annuelles visées à l’article XI.48, §1 du Code de droit économique, pour : DISPOSITIF DE DETECTEUR AVEC COURANT MAJORITAIRE ET CIRCUITS DE COMMANDE DU COURANT.
INVENTEUR(S) :
VAN DER TEMPEL Ward, Piervenshoek 19, 3140, KEERBERGEN;
VAN NIEUWENHOVE Daniel, Heymansstraat 17, 1981, HOFSTADE;
PRIORITE(S) :
15/01/2016 EP 16151588.7;
DIVISION :
divisé de la demande de base : date de dépôt de la demande de base :
Article 2. - Ce brevet est délivré sans examen préalable de la brevetabilité de l'invention, sans garantie du mérite de l'invention ou de l'exactitude de la description de celle-ci et aux risques et périls du (des) demandeur(s).
Bruxelles, le 12/02/2018, Par délégation spéciale :
BE2017/5016
DISPOSITIF DE DETECTEUR AVEC COURANT MAJORITAIRE ET
CIRCUITS DE COMMANDE DU COURANT
Domaine technique de 1'invention
L'invention concerne un dispositif de détecteur assisté par courant. majoritaire pour détecter un rayonnement électromagnétique incident sur une couche de semi-conducteur, un courant de porteurs majoritaires étant généré entre deux régions de commande et des porteurs minoritaires photogénérés étant dirigés vers une région de détection sous l'influence d'un champ électrique généré entre les régions de commande.
L' invention peut être utilisée dans des imageurs, en particulier des imageurs de temps de vol.
Arrière-plan de l'invention
De nos jours, de plus en plus de dispositifs de détection mettent en œuvre des technologies de temps de vol (DDT) pour obtenir des informations de profondeur. Un système de caméra de temps de vol (DDT) basique 3 est illustré sur la Figure 1. Des systèmes de caméra DDT capturent des images 3D d'une scène 15 en analysant le temps de vol de la lumière d'une source de lumière 18 à un objet. Un système de caméra DDT 3 comprend une caméra, avec une unité d'éclairage dédiée 18 et des moyens de traitement de données 4.
Le principe de fonctionnement d'un système de caméra DDT consiste à éclairer activement la scène 15 avec une lumière modulée 16 à une longueur d'onde prédéterminée à l'aide de l'unité d'éclairage dédiée, par 2 BE2017/5016 exemple avec certaines impulsions lumineuses d'au moins une fréquence prédéterminée. La lumière modulée est réfléchie en retour par des objets dans la scène. Une lentille 2 collecte la lumière réfléchie 17 et forme une image des objets sur un capteur d'imagerie 1 de la caméra. Selon la. distance d'objets à partir de la. caméra, un retard apparaît entre l'émission de la lumière modulée, par exemple lesdites impulsions lumineuses, et la réception au niveau de la caméra de ces impulsions lumineuses. Une distance entre des objets réfléchissants et la caméra peut être déterminée en fonction du retard temporel observé et de la valeur constante de la vitesse de la lumière. Dans un autre mode de réalisation plus complexe et fiable, une pluralité de différences de phase entre les impulsions lumineuses de référence émises et les impulsions lumineuses capturées peuvent être
déterminées estimer des par mesure information de corrélation et s de profondeur. utilisées pour
La déterminât ion des différences de phase peut
être réalisé e notamment par des démodulateu irs photoni .que s
assistés par courant i ÎCAPD). Le principe des CAPD e s t
expliqué dans EP1513202 et. illustré par les Figures 2A-C. Il est basé sur des nœuds de démodulation, les prétendus « dérivations ». Le CAPD représenté sur les Figures 2A—C comprend deux dérivations. Chaque dérivation comprend une région de commande 61, 62 et une région de détection 63, 64. En commandant un potentiel appliqué entre les régions de commande 61 et 62, il est possible de commander la capacité de détection de la dérivation associée. Lorsqu'un photon est incident sur la. zone photosensible d'un pixel, une paire électron-trou e-/h+ peut être générée à un certain emplacement. La paire électron-trou sera séparée par un champ électrique qui est présent et
BE2017/5016 qui est associé au courant majoritaire en circulation. Ce champ électrique amènera. les porteurs minoritaires photogénérés 66, 69 à dériver dans la direction opposée au courant majoritaire en circulation, c'est-à-dire vers les régions de détection 63, 64, respectivement.
Lorsqu'un pixel comprend plusieurs dérivations et lorsqu'un potentiel positif est appliqué à une dérivation par rapport aux autres dérivations, cette dérivation est. activée et. recevra la. majorité des porteurs minoritaires photogénérés dans le pixel, comme illustré par les Figures 2B et C. En appliquant des signaux de pilotage appropriés sur les régions de commande, des mesures de corrélation peuvent. être réalisées et. la perception de profondeur peut être obtenue.
Un défi concernant les capteurs de temps de vol basés sur des dispositifs de pixel CAPD vise à. optimiser le système et. le capteur TOF aux besoins des situations et des cas d'utilisation rencontrés. Il est préférable que ces optimisations puissent être réalisées sans changements de matériel et. d'une manière dynamique. L'une optimisations vise à ajuster la résolution du capteur aux besoins de la situation. Par lorsqu'une forte lumière ambiante est présente situation, cette lumière ajoute des quantités atives de bruit à la mesure TOF et. le système TOF de ces spatiale exemple, dans la s i cm i f .i c pourrait choisir d'abaisser la résolution spatiale au moyen d'un compartimentage de pixel TOF (ajout ensemble des informations de pixel individuelles) pour obtenir une estimation de profondeur plus précise.
L'invention divulguée présente une manière pour obtenir cette commande de résolution dans domaine de
BE2017/5016 charge. Cela signifie qu'un bruit de lecture peut être réduit par rapport à des techniques de compartimentage dans le domaine numérique.
La présente invention concerne un capteur comprenant des pixels collaboratifs sur la base d'un principe CAPD selon la revendication 1.
Dans l'état antérieur de la technique, la zone optique de chaque pixel unique dans un capteur est attribuée aux N dérivations (ou régions de détection) du pixel. Des régions de commande (implantations p dans le cas de dispositifs CAPD, grilles de polysilicium dans le cas de dispositifs PMD, etc.) permettent aux dérivations de collecter de façon intermittente les porteurs minoritaires générés dans la zone optique pendant la fenêtre active de chaque dérivation. Dans le cas où le pixel est construit avec uniquement une dérivation, un nœud de décharge ou de drainage est prévu dans le pixel pour décharger les porteurs minoritaires générés dans la fenêtre temporelle à l'extérieur de la fenêtre active de la dérivation. Il s'agit de l'architecture de pixel DDT classique de l'état antérieur de la technique, dans laquelle chaque pixel est un système fermé en théorie si des non-idéalités, telles qu'une hyperluminosité et une diaphonie, ne sont pas prises en compte.
La présente invention introduit le concept de pixels collaboratifs, chaque pixel fonctionnant conjointement avec des pixels environnants. Le principe s'applique principalement à des pixels DDT comprenant une
BE2017/5016 dérivation unique, mais peut s'étendre à plus de dé r i v a. t i ο n s p a. r p i x e 1,
Chaque pixel peut désormais partager au moins une partie ou portion de sa zone optique, ladite zone optique étant également appelée par volume, avec des pixels environnants et, de même, les pixels environnants peuvent partager au moins une partie ou portion de leur zone optique avec au moins la zone optique d'au moins un autre pixel. La région de commande du pixel commande la fenêtre d'activité de la région de détection (ou dérivation). Dans l'état d'activation, la région de détection rassemble des porteuses minoritaires générés dans sa zone optique, mais rassemble également à partir de zones optiques partagées environnantes de pixels dans un état inactif ou d'arrêt. Dans l'état d'arrêt, la zone optique devient disponible pour le rassemblement de porteuses minoritaires par les voisins actifs les plus proches.
Par commande minutieuse des signaux de commande de dérivation individuelle, le motif créé par les pixels collaboratifs dans le capteur peut être ajusté. De même, à l'aide du signal de commande adéquate, un pixel pourrait devenir entièrement inactif (par exemple avec un signal de commande Non Connecté) et contourné dans la collaboration. Ceci permet l'ajustement de la résolution réelle du capteur étant donné que la zone de capteur d'image complète est désormais répartie sur moins de dérivations fonctionnelles. Une telle commande minutieuse permet la création de zones de pixel virtuelles se chevauchant. (200) en partageant une ou plusieurs parties du volume associé d'un pixel avec un ou plusieurs pixels
BE2017/5016 voisins, mais elle permet en outre le changement de la z ο n e op t i qu e.
Le dispositif de détecteur de pixel de la présente invention peut comprendre des circuits de commande conçus pour commander la première source et commander individuellement au moins l'un desdits premiers courants de porteurs majoritaires. Grâce à cette commande individuelle, un pixel plus grand est créé artificiellement et la structure de pixel fonctionnelle est. agrandie à une zone de pixel virtuelle plus grande, similaire à ce gui arriverait si les données des pixels étaient compartimentées ensemble pendant un posttraitement. Cette commande individuelle offre l'avantage de nécessiter uniquement une lecture pour le pixel artificiellement plus grand. Grâce à la commande individuelle, les deux problèmes de temps de lecture et de bruit de lecture élevé sont résolus.
De préférence, le dispositif de détecteur comprend en outre une pluralité de dérivations adjacentes, chaque dérivation comprenant au moins une région de détection et au moins une région de commande, et les circuits de commande sont en outre conçus pour placer deux dérivations adjacentes dans un état de nondétection, en réduisant ou en éliminant un premier courant de porteurs majoritaires associé, pour permettre la redirection des porteurs minoritaires générés sur la région de détection la plus proche. Grâce à cette caractéristique, le compartimentage est réalisé en temps réel et « sur puce ».
Un sélecteur est de préférence mis en œuvre dans le dispositif de détecteur de la présente invention
BE2017/5016 pour sélectionner une tension prédéterminée Vr„ix à appliquer aux régions de commande par la première source.
Des sélecteurs peuvent également être mis en œuvre sur un niveau de colonne pour attribuer des
commandes à de s g- roupes de pixels. C e 11 e dé f .i n i t .i ο n
dynamique du mo t i f peut être obtenue par commande des
sélecteurs de niveau de colonne.
La première source peut également être apte à fournir une tension à courant continu (CC), permettant d'obtenir uniquement des champs verticaux.
Brève description des dessins
La présente invention devrait être mieux comprise à la lumière de la description suivante et des de s s i n s a η n e x é s .
La Figure 1 illustre le principe de fonctionnement de base d'un système DDT ;
la Figure 2A représente une vue de dessus d'un dispositif selon l'état antérieur de la technique, la Figure 2B et la Figure 2C représentent une vue en coupe transversale du dispositif de la Figure 2A avec deux conditions de courant différentes ;
la Figure 3 représente un exemple du dispositif de détecteur selon la présente invention ;
la Figure 4 représente un exemple supplémentaire du dispositif de détecteur selon la présente invention ;
la Figure 5 représente une famille possible de signaux à utiliser par la première source de la Figure 3 ;
BE2017/5016 la Figure 6 à la Figure 9 représentent différentes configurations de phase de pixels dans le
dispositi f de détecteur selon la présen te inv o r·. f- ή r·. « \ x x U -i- \_· x x f
la Figure 10 représente un autre exemple du
dispositi f de détecteur de l'invention r
ia Figure 11 représente un autre exemple du
dispositi f de détecteur comprenant dei 3 f ilt res optiques
selon la présente invent 1 /*·>. ΤΊ » ± i >
la Figure 12 représente un autre exemple du
dispositi f de détecteur au moyen duquel des s électeurs de
niveau de colonne permettent différents motifs et/ou modes de compartimentage ;
la Figure 13 représente un autre exemple du dispositif de détecteur au moyen duquel des sélecteurs de niveau de colonne permettent, différents motifs et/ou modes de compartimentage.
Description de 1/invention
La présente invention sera décrite en référence à un dispositif de détection 300 également appelé CAPTEUR. Le dispositif de détection 300 contient des PIXELS 125 également désignés par PIXEL. Généralement, le Pixel 125 contient au moins 1 DERIVATION, comportant au moins 1 région de détection et au moins 1 région de commande également désignée par DERIVATION.
L/ invention sera également. expliquée en référence à un substrat et une couche épitaxiale de type p, mais la présente invention comprend, dans son cadre, un dispositif complémentaire par lequel des régions p et n deviennent des régions n et. p, respectivement. L'homme du métier peut réaliser une telle modification sans s'éloigner de l'esprit de l'invention.
BE2017/5016 il devrait également être compris que les termes n, p, n+, p+ et p-, puits n, puits p, puits n profond et puits p profond sont bien connus par l'homme
du mé t i e r . Le s terme s n, p, n+, i et P — s e réfèrent à
des plages de niveai ix de dopage dans des ma fériaux GG
s e m. i - c ο n du cte u r bien connus par l'i homme du m é t i .er.
Les termes n et p se réfèrent à des régions dopées n et dopées p, généralement des régions dopées en arsenic et bore, respectivement. n+, p+ se réfèrent à des régions de contact peu profondes hautement dopées pour PUITS N et PUITS P, respectivement, p- se réfère à une région de type p faiblement dopée telle que PUITS P.
La présente invention concerne des modes de réalisation se rapportant à la fois à des dispositifs d'éclairage côté avant (FSI) et d'éclairage côté arrière (BSI). Les dispositifs d'éclairage côté avant. et d'éclairage côté arrière sont définis en se référant à l'emplacement des circuits sur la puce par comparaison avec la lumière incidente. FSI signifie un dispositif où la. lumière est incidente sur le même côté que les circuits. Avec FSI, la lumière tombe sur le côté avant des circuits, et passe à travers les circuits de lecture et réalise une interconnexion avant d'être collectée dans le photodétecteur. Au contraire, BSI signifie un dispositif où la lumière est incidente sur l'autre côté, où les circuits ne sont pas présents, c'est-à-dire sur le côté arrière. L'idée principale derrière le fait d'utiliser une structure BSI est qu'aucune lumière n'est perdue pendant le passage à travers les circuits.
BE2017/5016
Li
Figure r représente in ex eng d/ur ositif de détecteur selon la présente invention.
Le dispositif de détecteur 300 de la présente invention est assisté par courant majoritaire pour détecter un rayonnement électromagnétique. Le rayonnement peut être un quelconque type de rayonnement, mais de préférence une lumière dans la plage visible ou un rayonnement infrarouge.
Le dispositif de détecteur 300 comprend une s rayonnement générer, à
..nterreur de celle-ci, des paires de porteurs majoritaire et minoritaire 121. La coucne de semi
-« /*·>, ΤΊ ,<-S j j C f J J ν'
r 106 sur laque lie
être inc ident po
c .i f G. Θ s pain ses
;aire 121. L a cor
avec un c lopant d'i
louant ρ dans 1' e
de semi -condr icte
de conductivité, un Figure 3. Cette couche de préférence dopée p.
la de
Le dispos it if
outre au moins deux régi
dans la. couche de semi·
commande 100, 115 sont
réalisât! on à titre d'e:
de commande 100, 115 formées nducteur 106. Les régions de louées p dans le mode de peuvent comprendre une région de diffusion p+ 100 et un puits p 115, de telle sorte que la région de diffusion pt 10 0 et le puits p 115 forment ensemble la région de commande.
Uni premiere source y tournie pour
générer au mo i n s un premier courant. de porteurs
maj oritaires 104 dans la couche de semi- conduc leur 106
entre des p. aires de régions de commande, les premiers
BE2017/5016 courants de porteurs majoritaires 104 étant associés à un premier champ électrique respectif. Cette source Vïnix peut être une source de tension à courant, alternatif (CA) ou une source de tension à courant continu (CC), comme cela sera expliqué ultérieurement. Cette source Væix est définie dans ce document comme une source de tension, mais peut également être mise en œuvre comme une source de courant. Toutes les sources de tension décrites dans le reste de ce document (110, 111) pourraient également être remplacées par des sources de courant. Bien que des sources de tension soient préférées, des sources de courant ont des avantages par rapport à leur impédance de sortie et, par conséquent, peuvent également présenter de s a v a n t a g e s .
Le dispositif de détecteur comprend en outre au moins une région de détection 101, 116 formée dans la couche de semi-conducteur 10 6 et qui. est dopée avec un dopant d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, c'est-à-dire un dopant n ici, pour former une jonction et collecter des porteur minoritaires générés. Sur la Figure 3, deux régions de détection 101, 116 sont représentées, mais l'invention n'est pas limitée à celles-ci et pourrait être mise en œuvre avec uniquement une région de détection, par exemple. Les porteurs minoritaires sont dirigés vers la région de détection 101, 116 sous l'influence du premier champ électrique respectivement associé à. l'au moins un premier courant de porteurs majoritaires 104. Les régions de détection peuvent comprendre une région de diffusion n+ 101 et. un puits n 116 de telle sorte que la région de diffusion n+ 101 et le puits n 116 forment ensemble la. région de détection.
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Les régions de détection et les régions de commande sont associées dans des dérivations, une dérivation comprenant au moins une région de détection et au moins une région de commande. Dans la présente divulgation, on supposera que chaque pixel 125 du dispositif de détecteur 300 comprend une dérivation. En pratique, le pixel 125 peut comprendre plus qu'une dérivation (par exemple 2 dérivations, 4 dérivations, ...) . Un pixel comprend tous les éléments encerclés par la ligne en pointillé 125 sur la Figure 3.
Chaque pixel 125 peut en outre avoir la propriété selon laquelle une ou plusieurs parties de son volume associé sont partagées avec un ou plusieurs pixels voisins, et, de manière similaire, au moins une ou plusieurs parties du volume associé d'un ou plusieurs pixels voisins sont également partagées avec ledit pixel.
Le résultat est que des pixels virtuels avec une zone de pixels virtuels sont formés, moyennant quoi la limite du pixel virtuel est le bord du volume total qui peut être associé à chaque pixel. En raison de l'existence du partage de volume entre des pixels, le volume du pixel virtuel est généralement plus grand que le volume du pixel 125. Cette propriété de partage de volume dépend des signaux de commande appliqués et peut changer au
C O U. T S Cl LI temp s étant donné que différents signaux de
commande sont app11qué s pe n dant le fonctionnement du
dispositi f .
.-X V-, x-, ly a i i S cette invention, des pixels peuvent
travailler ensemble pour obtenir une capacité de détection modulée. Des courants de porteurs majoritaires circulant entre des régions de commande de pixel d'état d'activation et d'arrêt forment des champs électriques
BE2017/5016 entre ces pixels qui, en fonction de la polarité du courant et du champ, poussent des porteurs minoritaires à l'opposé de la région de détection et hors de la zone optique du pixel d'arrêt ; ou, dans l'état d'activation, attirent des porteurs minoritaires dans la zone optique et vers la région de détection du pixel d'état .éme état NC (Non Connecté) pe lequel le pixel n'influence pas le champ dans le substrat peut être considéré, par exemple, en forçant le courant de porteurs majoritaires de région de commande à 0, rendant, le pixel transparent, ce par quoi la zone optique de ce pixel est utilisée par et partagée avec un conque courant de porteurs majoritaires de passage créé par d'autres groupes de pixels d'activation/arrêt en interact:
De jKiDreux :es états peuvent être considérés pour effectuer des variantes de sensibilité à l'aide de la flexibilité de courant de porteurs majoritaires, le reste de ce document se limitera à 1'explication de l'état, d'activation/arrêt/NC .
Au moyen des régions de commande, les pixels peuvent être dans un état d'activation/arrêt/NC, mais également dans un élément d'état intermédiaire d'un ensemble continu d'états. Dans le cas où le pixel comporte plus que 1 dérivation, chaque dérivation aura un état.
Les régions de commande des pixels du dispositif de détecteur 300 peuvent être organisées en groupes d'au moins 1 pixel, formant un motif, les régions de commande de pixels dans le même groupe ayant le même état de commande.
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Chaque groupe de pixels, comprenant au moins un pixel, peut en outre comprendre des circuits de commande pour appliquer l'état souhaité aux régions de commande du groupe. L'état appliqué est généralement un signal dynamique.
Le dispositif de détecteur 300 peut en outre comprendre des moyens d'isolation 103, formés dans la couche de semi-conducteur 106 pour accroître la résistance de trajet en déviant le premier courant de porteurs majoritaires 104 généré par la première source V^x entre des pixels avec des régions de commande d'activation et d'arrêt et, par conséquent du d i t p r e m i e r
1'amplitude maj oritaires
104 pu courant conséquent, reauire de porteurs réduire la consommation d'énergie du dispositif de détecteur 300. Ces moyens d'isolation peuvent comprendre au moins une région de caisson d'isolation 103, qui peut être disposée à divers emplacements entre les pixels.
Les régions de caisson ;olal .03 barrières d'isolation peuvent être mises en œuvre dans de nombreuses manières différentes, par exemple par des techniques de gravure, telles qu'une gravure de tranchée profonde ou peu profonde, ou par mise en œuvre de barrières d'isolation appliquées avant une croissance de épitaxiales. Le t, tp U. c.
r-} I i T q important est qi aucrmentent la résistance du trajet de courant de porteur:
majoritaires entre d ' a c t i v a t i ο n/arrêt.
ie:
groupes de .xel:
lette barrière 103 peut, être ^ans un certain nombre de manières pour éviter une fuite le long de la barrière sous la forme d'états de surface et de
BE2017/5016 surface gravée à fuite. Pour éviter ceci, le caisson d'isolation 103 peut être, par exemple, une gravure profonde, avec un isolant 1001 entre la surface de silicium de la gravure. Il peut s'agir, par exemple, mais
sans s'y 1 i m i t e r, d ' u n oxyde de silicium et, par exemple
(mais > sans s'y limiter) d'un kh <5 1 Kv v. ichon de polysilicium 1002
dans le caisson grav é, qu 1. permet de polariser le
potentiel du bouchon de polysilicium pour éviter la
formation de canal sur la surface de g- r avu r e, comme
illustré sur 1 a Figure 4 . Les moyens d'isol ation 103 sont
de préférence polarisés ci V Θ C un potentiel. La région de
caisson d'isolation ou la région de caisson d'isolation profonde peut être remplie avec un semi-conducteur ou matériau électro-conducteur de telle sorte qu'une tension peut être appliquée.
Le dispositif de détecteur 300 de la présente invention peut comprendre au moins une région de caisson d'isolation supplémentaire 150 formée au niveau du côté arrière de la couche de semi-conducteur 106, comme illustré sur la Figure 4. La fonction de ces régions de caisson d'isolation supplémentaires 150 est d'empêcher des faisceaux lumineux pénétrant plus profondément d'entrer dans des régions de pixel adjacentes en ajustant l'indice de réfraction du matériau de remplissage de caisson par rapport à l'indice de réfraction du silicium.
Les régions de caisson d'isolation 103, 150, formées dans le coté avant de la couche de semiconducteur ou à la fois dans le côté avant et dans le côté arrière de la couche de semi-conducteur, peuvent comprendre des régions de caisson d'isolation profondes et/ou des régions de caisson d'isolation très profondes.
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De préférence, l'épaisseur de la couche de semi-conducteur est adaptée pour un éclairage côté arrière (BSI) et la région de détection 101, 116, les régions de commande 100, 115 (et les moyens d'isolation 103, s'ils sont présents) sont formées dans le côté avant de la couche de semi-conducteur 106.
Davantage de préférence, une seconde source Vbi3S 111 est mise en œuvre dans le dispositif de détecteur 300 pour générer un second courant de porteurs majoritaires 105 dans la couche de semi-conducteur 106 entre au moins une région de commande 100, 115 formée dans le côté avant de la couche de semi-conducteur 106 et le côté arrière de la couche de semi-conducteur 106. Ledit, second courant de porteurs majoritaires 105 est associé à un second champ électrique respectif. Les porteurs minoritaires générés sont dirigés vers le côté
avant. de la couche de semi-conducteur 106 sous
1'infl U. θ ΓΊ ru i i LL du second champ é 1 e c t r i qu e respect i v eme n t.
associ é à i f u mo i n s un. s econd courant de porteurs
ma j ori ta ires 10 5.
Le cô té arrièr e du dispositif de détecteur 300
peut comprendre une couche de passivation 107 formée sur le côté arrière de la couche de semi-conducteur 10 6 et qui est dopée avec un dopant du premier type de conductivité, par exemple une couche dopée p+ 107. Ceci aide à diffuser le champ appliqué à l'aide de la source 111.
Une autre possibilité est. d'avoir une couche épitaxiale faiblement dopée sur le dessus d'un substrat, hautement dopé. Ce substrat peut ensuite également servir
BE2017/5016 à diffuser la tension appliquée à l'aide de la source .11 et pourrait être amine r-} n i T r· recmirc qu
Le dispositif de détecteur 300 peut en outre comprendre au moins une région de contact 108 formée sur le côté arrière de la couche de semi-conducteur 10 6 et avec un dopant du premier type de Le second courant de porteurs est généré par la seconde source 111 dans la couche de semi-conducteur 106 entre .1 ' au moins une région de commande 100, 115 formée dans le côté avant, de la couche de semi-conducteur 106 et ladite région de contact 108.
est dopee c ο n du c t i v i t é . na ί o r i t a i r e s 10 5
Un autre moyen pour entrer en contact a côté arrière pourrait être une structure de puits p profond au niveau du côté avant, assez profonde pour se connecter à la couche de passivation. Par conséquent, ce puits p peut être polarisé à partir du côté avant et. permet d'appliquer et de commander l'intensité du second champ électrique. Ainsi, la couche de passivation 107 peut être mise en contact à l'aide d'un puits profond formé dans le côté avant de la couche de semiïl devrait être compris que, même sans mettre en œuvre de tels éléments 107, 108 et 111, le fonctionnement du dispositif de détecteur 300 dans une configuration BSI est possible, étant donné qu'un champ électrique intégré est généralement présent verticalement dans le dispositif 300. Ces éléments sont éventuellement mis en œuvre pour améliorer le second champ électrique.
L-:
ources de tension Vr,110 et Vbi invoquent le guidage de champs dans la couche de semiBE2017/5016
ΪΊ t’ T' de porteur
et a e s se c ο n d
de l'avant ver
r. Vjnix est appliqué sur des pixels adjacents tels que représentés, tandis que Vblas induit un delta de tension entre le côté avant et le côté arrière de la couche de semi-conducteur 106. Ces sources de tension 110 et 111 induisent des premiers courants majoritaires 104 entre les pixels, courants de porteurs majoritaires 105 de l'arrière, respectivement. Un champ électrique est induit en opposition avec la détection de courant. Lorsque la lumière atteint la couche de semi-conducteur 106 depuis le côté arrière, des paires électron-trou 121 sont générées. Le trou circule avec le courant majoritaire induit, vers le côté arrière, tandis que l'électron est guidé vers le côté avant. Une fois à proximité du côté avant, l'électron sera entraîné vers le pixel avec la diffusion p+ la plus polarisée 100, où il entrera dans la diff lecture i+ adjacente 101 et entrera dans le circuit de de pixel 120 en vue d'un traitement supplémentaire. Ce circuit 12 0 peut être un circuit 3T, 4T ou un autre circuit de lecture de pixel. Les circuits de traitement 120 peuvent être conçus pour échantillonner une valeur liée à la charge de porteurs minoritaires collectée par les régions de détection et pour traiter ladite valeur et délivrer des données de temps de vol.
L'invention permet une organisation intelligente de structures de pixels et permet l'amélioration de procédés de compartimentage dans des imageurs DDT. Le compartimentage est l'ajout ensemble des informations de pixel individuelles, généralement pour améliorer le rapport signal-sur-bruit des informations compartimentées. Les informations peuvent, par exemple, être représentées en électrons, courant, tension ou nombres numériques.
BE2017/5016 ne famille possible de 110 de la Figure 3. l'état de la région .La Figure 5 représente signaux à utiliser par la source Dans ce cas, le signal fait oscille, de commande entre un état d'activation et d'arrêt avec une certaine fréquence et une certaine phase. En variante, le signal de commande pourrait commuter entre d'autres états prédéfinis, hv et d( se:
uixel
:1s que NC (non représ enté).
détecteur associé cha ± i Lt cl LJ.
signaux de commande du . pixel
nants. Bi en qu'une plage
se/temps (en secondes ou 0 -
(sinusoïdal Le, PRES, en . dents
5 utilisée, nous utili serons
360 ) et de formes de signa de scie, carrée, peut ê dans cette description des ondes carrées et. combinaisons de retards de phase de 0°/90°/180°/270°, le signal 0° est généralement lumineux modulé.
itilisé pour gns
La Figure 6 représente un schéma sur la façon d'organiser le pixel dans un dispositif de détecteur, par exemple un imageur DDT, un motif de damier étant utilisé, appliquant des signaux déphasés de 0° et 180°. Les pixels marqués avec un 0 sont reliés à. une borne de la source Vmix 12 0 représentée sur la Figure 3, tandis que des pixels marqués avec 180 sont reliés à l'autre côté. Dans un fonctionnement typique, deux mesures sont prises : une avec un retard de phase de 0 et. 180 degrés, puis une avec une mesure déphasée de 90 et 270 degrés.
On peut noter que, pour cette configuration en particulier, chaque région de commande est à tout moment entourée par des régions de commande avec un autre signal de commande. Par exemple, comme représenté sur le dessin, chaque région de commande polarisée avec un déphasage de
BE2017/5016 degré est entourée avec 4 pixels avec un déphasage de 180 degrés, par conséquent, dans ce mode de réalisation, chaque région de commande est entourée avec des régions de commande avec un signal de commande en opposition de phase. En d'autres termes, lorsqu'un pixel est dans ;es pixels environnants sont mus dans l'état d'arrêt, et inversement. De nombreuses autres configurations peuvent être envisagées, par exemple où toutes les colonnes ou rangées ont le même signal de commande (par exemple, déphasage de 0 degré) et chaque autre rangée ou colonne change de déphasage (par exemple, déphasage de 180 degrés) ou d'autres configurations telles que représentées sur les dessins suivants (par exemple, Figure 7, comme cela sera décrit ci-dessous).
Pour un pixel, la zone de pixel virtuel 200 est représentée, laquelle s'étend au-delà d'une cellule individuelle. Cette zone de pixel virtuel est similaire pour tous les pixels dans le réseau et résulte des lignes de champ s'étendant à l'extérieur des limites de pixel lors d'une proximité à la surface sensible, comme représenté sur la Figure 3. Par conséquent, la zone de pixel virtuel d'un pixel chevauche la zone de pixel virtuel d'un ou plusieurs pixels voisins.
Comme toutes les informations acquises se chevauchent, on peut souhaiter réaliser un posttraitement pour calculer les données déphasées de 0, 90,
180, 270 degrés isolées par pixel. Ceci peut généralement être réalisé à l'aide des données de pixels environnants dans le temps et l'espace, par exemple, en réalisant une interpolation simple, en utilisant des valeurs médianes ou en choisissant des combinaisons de données ;>u moyennes
BE2017/5016 basées sur des informations supplémentaires, telles que des gradients/bords ou un mouvement détecté.
Dans des capteurs de couleur classiques, des concepts similaires existent pour obtenir des données de couleur par pixel, appelés dé-mosaïquage, où ils sont généralement utilisés pour obtenir des données Rouge, Verte, Bleue par pixel, comme cela est connu par l'homme du métier.
L'organisation d'un imageur DDT d'une telle manière permet d'utiliser la totalité de la lumière incidente, étant donné qu'elle est capturée à tout moment dans un nœud de détecteur, mais ne nécessite pas un nombre élevé de dérivations dans chaque pixel, ce qui nécessiterait, une structure de pixel plus grande. Cette capacité de configuration de la zone de pixel virtuel est obtenue en réorganisant les champs électriques dans le CAPD tel que discuté ci-dessus.
En résumé, il peut, être préféré de concevoir un capteur d'image comprenant une pluralité de dispositifs de détecteur, le capteur d'image étant conçu pour mettre en œuvre cette étape de dé-mosaïquage supplémentaire pour calculer des données de pixel individuelles à partir des données de pixel se chevauchant obtenues.
Un autre schéma est représenté sur la Figure 7, où. les données associées à 0, 90, 180, 270 degrés sont obtenues en parallèle en pilotant les différents signaux Vïnix déphasés vers différents pixels dans l'imageur.
Afin d'augmenter le rapport signal-sur-bruit, il est important d'avoir des mécanismes flexibles pour compartimenter des données de pixel ensemble, créant un
BE2017/5016 pixel plus grand. Le dispositif de détecteur 300 de la présente invention résout ce problème spécifique, de la f a ç o n s u ,i v a n t e .
Sur la Figure 8, un schéma est représenté, sur lequel plusieurs pixels sont placés dans un état Non Connecté (= NC) , interagissant ainsi le moins possible avec le courant de porteurs majoritaires et le champ électrique associés aux pixels fonctionnels restants. Par conséquent, des porteurs minoritaires créés par incidence de lumière ou d' autres phénomènes de génération sont transportés par le présent champ électrique. La zone optique des pixels NC fait alors partie des groupes de pixels d/activation/arrêt fonctionnels dont le champ électrique passe à travers le pixel NC. Par conséquent, la structure de pixel fonctionnelle est agrandie à une zone de pixel virtuel 202, similaire à ce qui arriverait si des pixels étaient compartimentés ensemble sur le domaine de charge, nécessitant ainsi moins de lectures de pixeI.
Pour mieux illustrer le concept, sur la Figure 9, un pixel encore plus grand avec une zone de pixel virtuel 203 est obtenu en plaçant plus de pixels dans l'état NC. Concrètement, une forme ou structure quelconque de NC par rapport à des pixels connectés peut être réalisée, la lumière entrant au-dessus de la. structure de pixel NC étant répartie de façon égale sur les pixels connectés environnants.
Ces états de compartimentage peuvent être décidés lors de l'exécution en configurant des pixels dans l'état NC, tandis que d'autres sont maintenus en fonctionnement. Ceci permet une approche de
BE2017/5016 compartimentage très flexible, configurable lors de 1/ exécution.
Les configurations de s me s u r e s à obtenues dans le schéma de exemple comme
Figures 8 et 9 représentent des de mesure à 0 et 180 degrés. Evidemment, 90 et 270 degrés pourraient être de nouveau des mesures ultérieures, ou en configurant pixel pour l'obtenir en parallèle, parillustré sur la Figure 7.
L'état NC pourrait ne pas être connecté, mais pourrait également être connecté de manière minimale avec une tension plus faible ou une tension différente. L'idée de cet état est de placer des pixels dans un état de nondétection et de permettre la redirection des porteurs minoritaires générés dans ces pixels, ici des électrons, vers la région de détection la plus proche.
L'état de non-détection desdits pixels peut être obtenu en déconnectant leurs régions de commande de telle sorte que le premier courant de porteurs majoritaires associé (104) est éliminé.
En variante, l'état de non-détection desdits pixels peut être obtenu en connectant leurs régions de commande à une tension prédéterminée de telle sorte que le premier courant de porteurs majoritaires associé (104) est réduit, la tension prédéterminée étant inférieure à une tension utilisée dans un état de détection. En d'autres termes, au lieu de placer le pixel dans un état NC dans lequel il ne participerait pas, le pixel peut être placé dans un état, dans lequel il participerait encore, mais recevrait moins de signal, créant ainsi un pixel avec une sensibilité réduite. Ceci peut être
BE2017/5016 avantageux pour créer une plage plus dynamique ou permettre une robustesse de lumière ambiante.
En outre, une commande supplémentaire des pixels individuels ou des groupes de pixels peut être nécessaire et/ou bénéfique dans le cas d/agrandissement de la zone de pixel virtuel en désactivant les pixels au milieu. Par exemple, une commande supplémentaire de la ligne de réinitialisation peut être prévue à l'endroit où les détecteurs de pixels non utilisés sont laissés saturés de telle sorte qu' ils ne peuvent, plus piéger de porteurs minoritaires. Essentiellement, ceci sert ensuite d'alternative pour placer un pixel dans l'état NC. Cette commande peut être mise en œuvre par pixel, ou groupes de pixels, ou sur niveau de colonne ou niveau de rangée, pargroupes de rangées ou colonnes ou sur un niveau de puce.
.Le dispositif de détecteur 300 de la présente invention peut comprendre des circuits de commande conçus pour commander la première source (110) et commander individuellement au moins l'un desdits premiers courants de porteurs majoritaires (104).
En outre, le dispositif de détecteur 300 de la présente invention peut comprendre une pluralité de pixels adjacents, chaque pixel comprenant au moins une région de détection et au moins une région de commande. Les circuits de commande peuvent en outre être conçus pour placer des groupes d'au moins 1 pixel dans un état d'activation, d'arrêt, NC ou un autre état de détection ou de non-détection, en réduisant, éliminant ou inversant un premier courant de porteurs majoritaires associé (104) pour permettre la redirection des porteurs minoritaires générés vers la région de détection la plus proche.
BE2017/5016 .Les circuits de commande peuvent également être conçus pour annuler temporellement au moins l'un desdits premiers courants de porteurs majoritaires déviés 104 en pilotant la source de façon appropriée.
Les circuits de commande peuvent également être conçus pour réduire ou éliminer les dérivations associées participant à la détection des porteurs minoritaires générés, comme expliqué.
>U3 la Figure 10, un autre :xemp.
dt dispositif de détecteur 300 de la présente invention est représenté. La Figure 10 explique la mise en œuvre pratique de mesures DDT et. de compartimentage de données. Dans ce mode de réalisation, dans chaque pixel, un commutateur de sélection 16C est mi:
en œuvre >OUj sélectionner une tension prédéterminée Vm ap.rquer mx régions de commande 115, :ce 110.
Grace
Cf 17 ci C Θ ci électeur: 160, ra premiere lor:
dr fonctionnement DDT du dispositif, plusieurs signaux de modulation différents peuver faire fonctionner les régions par l'intermédiaire des sources de tension Vir 110, pour obtenir les sigr inar oxcmo œ 0 °, 90°, 180° (par exemple u , yu , sélecteur 160 est m
ux de corrélation DDT reqc ! i s
270°) . Dans chaque pixel, le
œuvre pour sélectionner ie
vers 1 .a région de commande de
guidage, ou sélectionner le nœud NC, permettant l'opération de compartimentage telle que présentée sur les Figures 8 et 9. Si un élément de mémoire est présent dans chaque pixel pour permettre une sélection par pixel du sicrnal, des motifs de compartimentage arbitraires œnt être m:
n œuvre.
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Lorsque l'éclairage de zones spécifiques peut être allumé/éteint lors de l'exécution, on pourrait construire un système dans lequel l'éclairage de zones spécifiques est allumé/éteint conjointement avec les zones de capteur qui sont allumées/éteintes. Un type d'éclairage qui pourrait obtenir ceci est un réseau VCSEL,
En outre, certaines zones dans lesquelles la lumière est uniquement détectée et non démodulée pourraient être envisagées, en sélectionnant une tension CC (non représentée) . Ceci permet de créer un mode de fonctionnement non-DDT, attirant la lumière dans un mode continu,
Les circuits de commande ou les commutateurs de sélection peuvent également être disposés sur un niveau de colonne et/ou de rangée, être par unité ou groupes d'unités ou sur un niveau global.
La Figure 12 représente un mode de réalisation de l'invention au moyen duquel, par l'intermédiaire de la commande de sélecteur de niveau de colonne, l'agencement du dispositif de détecteur peut être modifié. Dans cet exemple représenté sur la Figure 12, il est possible en modifiant l'état des sélecteurs de passer d'un agencement en damier de détecteurs DDT 0/180 à un agencement en colonnes de détecteurs DDT 0/180.
La Figure 13 représente un autre mode de réalisation de l'invention au moyen duquel, par 1' intermédiaire de la commande de sélecteurs de niveau de colonne, l'agencement du dispositif de détecteur peut être modifié. Dans cet exemple représenté sur la
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Figure 13, il est possible en modifiant l'état des sélecteurs de passer d'un agencement en damier avec un pas de pixel virtuel de X à un agencement, en damier de résolution plus faible avec un pas de pixel virtuel de X*2 avec des zones optiques compartimentées, par le biais du réglage des sélecteurs.
Sur la Figure 11, un autre exemple du dispositif de détecteur de la présente invention est représenté. Une mise en œuvre RVBZ est représentée, dans laquelle certains filtres optiques sont appliqués sur le dessus du côté avant ou du côté arrière de la couche de semi-conducteur, selon la configuration FSI ou BSI, pour uniquement faire passer, par exemple, la lumière Rouge + IR (représentée par R sur la Figure 11), la. lumière Verte + IR (représentée par V sur la Figure 11), la lumière Bleue + IR (représentée par B sur la Figure 11), la lumière IR (représentée par D sur la Figure 11) . Après l'opération DUT normale acquérant les données Z tel que décrit précédemment et qui. peut être réalisée à. un moment différent ou dans différents pixels, l'invention peut également être optimisée pour une imagerie régulière. A cet effet, la. première source 110 est apte à connecter toutes les zones de commande au même potentiel, désactivant l'opération DUT et permettant à des données d'intensité RVB et IR d'être mieux isolées par pixel. Ceci permet, d'obtenir uniquement des champs verticaux, induits par des champs intégrés et. une source de tension 111. Ceci aide à induire uniquement un mouvement vertical par rapport aux électrons et à conserver la position latérale dans laquelle la paire électron-trou a été photogénérée. Ceci évite ainsi le mélange des électrons générés sous les différents filtres gui pourraient être appliqués sur le dessus de chaque cellule
BE2017/5016 individuelle (Rouge, Verte, Bleue, IR, Rouge+IR, Verte+IR, Bleue+iR, ...) .
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FIGURES
Figure 1
T i m .i n g G e n e r a t o r CPU
Géné r a t e u r de s yn c h r o n i s a t i ο n Unité centrale de traitement
Figure 3 Light
Pixel circuit
Lumière
Circuit de pixel
Figure 4
Light Lumière ïigure c
Time temps
Figure 10 Light
Pixel circui
Lumière
Circuit de pixel iigure
R
G V
B B
D D
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Claims (15)

  1. REVENDICATION S
    1 - Dispositif oe detecteur (300) assisté par courant maj oritaire pour la détection d'un rayonnement électromagni étique comprens unt : - une couche < ie semi -conducteur (106) sur laquelle u n rayonnement é 1 e c t r o m a g n é t i qu e peut être
    incident pour générer, à l'intérieur de celle-ci, des paires de porteurs majoritaire et minoritaire (121) et qui est dopée avec un dopant d'un premier type de c ο n du c t i v i t é ;
    dopée avec uï
    - au moins deux pixels (125), comprenant chacun :
    - au moins une région de commande (100, 115) formée dans la couche de semi-conducteur (106), qui est dopée avec un dopant du premier type de conductivité ;
    - au moins une région de détection (101, 116) formée dans la. couche de semi-conducteur (106) et qui est dopant d'un second type de appose au premier type oe onôuctivite pour former une ·« r··, n pi r· tivitZ jonction et collecter des porteurs minoritaires générés ;
    - une première source (110) pour générer une pluralité de premiers courants de porteurs majoritaires (104) dans la couche de semi-conducteur (106) entre des régions de commande (100, 115), les premiers courants de porteurs majoritaires (104) étant associés à un premier champ électrique respectif ;
    - les porteurs minoritaires étant répartis entre les régions de détection (101, 116) des au moins deux pixels sous l'influence du premier champ électrique respectivement associé à l'au moins un premier courant, de porteurs majoritaires (104), le dispositif de détecteur étant en outre caractérisé par le fait qu'une ou plusieurs parties du
    BE2017/5016 volume associé d'un pixel sont partagées avec un ou plusieurs pixels voisins créant des zones de pixel virtuel se chevauchant (200).
  2. 2 - Dispositif de détecteur selon la revendication 1 qui est en outre caractérisé par le fait que le volume associé d'un pixel change au cours du temps.
  3. 3 - Dispositif selon la revendication 2 en outre caractérisé par le fait que les régions de commande sont organisées de telle sorte qu'une région de commande comprend, parmi ses régions de commande voisines, au moins une région de commande avec un signal de commande différent..
  4. 4 - Dispositif selon la revendication 3, dans lequel les régions de commande sont organisées de telle sorte que chaque rangée ou colonne de régions de commande a le même signal de commande.
  5. 5 - Dispositif selon la revendication 3, dans lequel les régions de commande sont organisées de telle sorte que chaque région de commande est entourée par régions de commande en opposition de phase.
  6. 6 - Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le dispositif de détecteur (300) comprend en outre des circuits de commande conçus pour commander la première source (110) et commander individuellement au moins l'un desdits premiers courants de porteurs majoritaires (104).
    BE2017/5016
  7. 7 - Dispositif selon la revendication 1, comprenant en outre une pluralité de dérivations adjacentes, chaque dérivation comprenant au moins une région de détection et au moins une région de commande ; et dans lequel les circuits de commande sont en outre conçus pour placer une dérivation dans un état de non-détection ou de sensibilité réduite, en réduisant,
    éliminant ou inversant un premier courant de porteurs ma. j o r i t a i r e s associé (104), pour permettre la redirection des porteurs ; minoritaires générés vers la région de détection la plus proche. 8 - D i s p o s i t i f d e détecteur (300) selon l'une
    quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre de multiples sélecteurs (160) pour sélectionner une tension prédéterminée V:illx à appliquer à une ou plusieurs régions de commande (115) par la première source (110) .
  8. 9 - Dispositif de détecteur (300) selon la revendication 8, dans lequel le sélecteur est partagé entre de multiples pixels.
  9. 10 - Dispositif de détecteur (300) selon la revendication 8, dans lequel le sélecteur est partagé par colonne ou rangée.
  10. 11 - Dispositif de détecteur (300) selon la revendication 8, dans lequel chaque pixel a un sélecteur.
    12 - Dispositif ? de déteof leur (300) selon la .T? Θ V θ n Cl 1. C cl 11.0 Ώ 11, dans lequel un sign ad. de comma nde s u p p 1 é me n t: a i r e est prévu par pixel ou par multiple de
    BE2017/5016 pixels, le signal de commande supplémentaire étant le signal de réinitialisation de pixel.
  11. 13 - Dispositif de capteur constitué de dispositifs de détecteur (300) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les fils de commande de région de commande sont connectés d'une façon permettant une commutation dynamique entre des motifs de pixel de modulation.
  12. 14 - Dispositif de détecteur (300) selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, comprenant en outre des circuits de traitement (120) conçus pour échantillonner une valeur associée à la charge de porteurs minoritaires collectée par au moins une région de détection (101, 116) et pour traiter ladite valeur et délivrer des données de temps de vol.
  13. 15 - Dispositif de détecteur (300) selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, comprenant en outre des filtres optiques (R ; V ; R ; D) sur le dessus du côté avant ou du côté arrière de la couche de semiconducteur (10 6).
  14. 16 - Dispositif de détecteur (300) selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel la première source (110) est conçue pour fournir une tension à courant, continu.
    revenaicai
  15. 17 - Capteur d'image comprenant une pluralité de dispositifs de détecteur selon l'une quelconque des >ns 1 à 16, dans lequel le capteur d'image est. mettre en œuvre une étape de dé-mosaiquage supplémentaire pour calculer des données de pixel
    BE2017/5016 individuelles à partir des données de pixel se c h e v a u c h a n t o b t e n u e s .
    BE2017/5016
    BE2017/5016
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