ATE79472T1 - Verfahren zur herstellung eines isfet und nach diesem verfahren hergestellte isfet. - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines isfet und nach diesem verfahren hergestellte isfet.

Info

Publication number
ATE79472T1
ATE79472T1 AT85901604T AT85901604T ATE79472T1 AT E79472 T1 ATE79472 T1 AT E79472T1 AT 85901604 T AT85901604 T AT 85901604T AT 85901604 T AT85901604 T AT 85901604T AT E79472 T1 ATE79472 T1 AT E79472T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
isfet
pct
oxide surface
sec
making
Prior art date
Application number
AT85901604T
Other languages
English (en)
Inventor
David Nicolaas Reinhoudt
Marcel Leonard Marie Pennings
Auke Gerardus Talma
Original Assignee
Priva Agro Holding Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Priva Agro Holding Bv filed Critical Priva Agro Holding Bv
Application granted granted Critical
Publication of ATE79472T1 publication Critical patent/ATE79472T1/de

Links

Classifications

    • H10P14/683—
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/66—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes
    • H10D64/667—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes the conductor comprising a layer of alloy material, compound material or organic material contacting the insulator, e.g. TiN workfunction layers
    • H10P14/6342—

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
AT85901604T 1984-03-22 1985-03-22 Verfahren zur herstellung eines isfet und nach diesem verfahren hergestellte isfet. ATE79472T1 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8400916A NL8400916A (nl) 1984-03-22 1984-03-22 Werkwijze voor het vervaardigen van een isfet en een aldus vervaardigde isfet.
EP85901604A EP0177544B1 (de) 1984-03-22 1985-03-22 Verfahren zur herstellung eines isfet und nach diesem verfahren hergestellte isfet
PCT/NL1985/000013 WO1985004480A1 (en) 1984-03-22 1985-03-22 Method of producing an isfet and same isfet

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE79472T1 true ATE79472T1 (de) 1992-08-15

Family

ID=19843690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT85901604T ATE79472T1 (de) 1984-03-22 1985-03-22 Verfahren zur herstellung eines isfet und nach diesem verfahren hergestellte isfet.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4735702A (de)
EP (1) EP0177544B1 (de)
JP (1) JPS61501726A (de)
AT (1) ATE79472T1 (de)
DE (1) DE3586478T2 (de)
NL (1) NL8400916A (de)
WO (1) WO1985004480A1 (de)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8602242A (nl) * 1986-09-05 1988-04-05 Stichting Ct Voor Micro Elektr Werkwijze voor het vervaardigen van een refet of een chemfet, en de vervaardigde refet of chemfet.
US4859538A (en) * 1986-11-20 1989-08-22 Ribi Hans O Novel lipid-protein compositions and articles and methods for their preparation
JPS63131056A (ja) * 1986-11-20 1988-06-03 Terumo Corp Ｆｅｔ電極
US5074977A (en) * 1987-05-05 1991-12-24 The Washington Technology Center Digital biosensors and method of using same
WO1988008972A1 (en) * 1987-05-05 1988-11-17 The Washington Technology Center A system employing a biosensor to monitor a characteristic of a select component in a medium
IT1215491B (it) * 1987-05-15 1990-02-14 Enricerche Spa Biosensore con membrana enzimatica legata chimicamente a un dispositivo semiconduttore.
IT1222121B (it) * 1987-07-24 1990-08-31 Eniricerche Spa Sensore per ioni contenente una membrana organica selettiva
US4921591A (en) * 1987-10-13 1990-05-01 Taiyo Yuden Co., Ltd. Ion sensors and their divided parts
IT1228120B (it) * 1988-12-23 1991-05-28 Eniricerche Spa Procedimento per ottenere un sensore multifunzionale a membrana ionoselettiva
CA2047991A1 (en) * 1991-02-04 1992-08-05 John Musacchio Solid contact system for potentiometric sensors
NL194721C (nl) * 1992-10-15 2003-01-07 Priva Agro Holding Bv Anionselectief membraan en een daarvan voorziene sensor.
US5958201A (en) * 1996-08-26 1999-09-28 Dade Behring Inc. Sodium ion-selective-electrode membrane having extended uselife
TW465055B (en) 2000-07-20 2001-11-21 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Method and apparatus for measurement of temperature parameter of ISFET using amorphous silicon hydride as sensor membrane
FR2813208B1 (fr) * 2000-08-30 2003-03-28 Commissariat Energie Atomique Structure complexante, dispositif et procede de traitement d'effluents liquides
GB0022360D0 (en) * 2000-09-13 2000-10-25 British Nuclear Fuels Plc Improvemnts in and related to sensors
US7719004B2 (en) 2004-02-06 2010-05-18 Micronas Gmbh Sensor having hydrophobic coated elements
WO2006009807A1 (en) * 2004-06-17 2006-01-26 Cornell Research Foundation, Inc. Growth of inorganic thin films using self-assembled monolayers as nucleation sites
US20080108164A1 (en) * 2006-11-06 2008-05-08 Oleynik Vladislav A Sensor System and Method
US8911866B2 (en) * 2008-09-02 2014-12-16 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Powder for powder magnetic core, powder magnetic core, and methods for producing those products
DE102015121344B4 (de) * 2015-12-08 2023-11-02 Infineon Technologies Austria Ag Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
US10794853B2 (en) * 2016-12-09 2020-10-06 Applied Materials, Inc. Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2019099C3 (de) * 1970-04-21 1975-11-20 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur Herstellung eines stabilen Oberflachenschutzes fur Halbleiterbauelemente
US4146585A (en) * 1977-03-02 1979-03-27 Union Carbide Corporation Process for preparing silane grafted polymers
US4302530A (en) * 1977-12-08 1981-11-24 University Of Pennsylvania Method for making substance-sensitive electrical structures by processing substance-sensitive photoresist material
JPS5825221B2 (ja) * 1977-12-12 1983-05-26 株式会社クラレ Ｆｅｔ比較電極
JPS5853745A (ja) * 1981-09-28 1983-03-30 Hitachi Ltd ２次元電気泳動装置
JPS58103656A (ja) * 1981-12-16 1983-06-20 Hitachi Ltd 電気泳動用装置
US4476003A (en) * 1983-04-07 1984-10-09 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Chemical anchoring of organic conducting polymers to semiconducting surfaces
JPS59210356A (ja) * 1983-05-13 1984-11-29 Kuraray Co Ltd トリグリセライドセンサ
JPS60177256A (ja) * 1984-02-23 1985-09-11 Shimadzu Corp イオンセンサ−

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61501726A (ja) 1986-08-14
NL8400916A (nl) 1985-10-16
EP0177544A1 (de) 1986-04-16
US4735702A (en) 1988-04-05
DE3586478D1 (de) 1992-09-17
WO1985004480A1 (en) 1985-10-10
EP0177544B1 (de) 1992-08-12
DE3586478T2 (de) 1993-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE79472T1 (de) Verfahren zur herstellung eines isfet und nach diesem verfahren hergestellte isfet.
DE3578264D1 (de) Verfahren zur herstellung eines hochwaermeleitenden substrates und kupferleiterblech verwendbar in diesem verfahren.
DE69023289D1 (de) Verfahren zur Vorbereitung eines Substrats für die Herstellung von Halbleiterbauelementen.
DE3885261D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines mit Apatit beschichteten Substrats.
DE3668178D1 (de) Verfahren zur oberflaechenbehandlung eines polyvinylidenfluorids zur verbesserung der adhaesion.
DE3787381D1 (de) Verfahren zur Beschichtung eines Substrats mit einem Silicium und Stickstoff enthaltenden keramischen Material.
DE3579129D1 (de) Zusammensetzung und verfahren zur behandlung von kunststoffen mit alkalipermanganat-loesungen.
ATE39137T1 (de) Eisenhaltiges substrat mit an gummi haftendem metallueberzug und verfahren zur herstellung desselben.
DE3579067D1 (de) Verfahren zur beschichtung eines substrates mit thermoplastischen ttinten, und beschichtungszusammensetzung.
DE3586435D1 (de) Verfahren zur ueberwachung der konzentrationen von metallischen ionen in metallisierbaedern.
DE3484093D1 (de) Verfahren zur herstellung von buersten mit selbstbefestigung der borsten sowie nach diesem verfahren hergestellte buersten.
DE3586005D1 (de) Verfahren zur herstellung von ultrafeinen keramischen partikeln.
ATE52355T1 (de) Loetbare leitfaehige zusammensetzungen, verfahren zu ihrer herstellung und mit denselben ueberstrichene substrate.
DE68920234D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines oxidischen Supraleiters.
DE3888184D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Masken mit Strukturen im Submikrometerbereich.
SE8304614D0 (sv) Elektrolyselektroder och framstellning derav
DE69014379D1 (de) Verfahren zur Herstellung von anorganischen Oxydteilchen.
ATA177687A (de) Sequenz-erzeugte polymerteilchen, wässrige dispersionen von sequenz-erzeugten polymerteilchen, verfahren zur herstellung von sequenz-erzeugten polymerteilchen und verwendung von sequenz-erzeugten polymerteilchen
DE3583512D1 (de) Verfahren und ueberzugsmittel zur behandlung von metalloberflaechen.
ATE20319T1 (de) Behandlung von beschichtetem glas.
DE3854626D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Komponenten aus supraleitenden oxidkeramischen Materialien.
DE3587248D1 (de) Verfahren zur herstellung von feinem bleititanatpulver.
ATE29146T1 (de) Selbstklebendes material und verfahren zu seiner herstellung.
IT7950248A0 (it) Composizione per il rivestimento di substrati di pellami o cuoi e metodo di fabbricazione
ATE94986T1 (de) Halbleitermessaufnehmer zur feststellung der konzentration von wasserstoff und/oder von nox und verfahren zur dessen herstellung.

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties