AT92339B - Verfahren zur Herstellung dünner, fein durchlochter Metallkörper. - Google Patents

Verfahren zur Herstellung dünner, fein durchlochter Metallkörper.

Info

Publication number
AT92339B
AT92339B AT92339DA AT92339B AT 92339 B AT92339 B AT 92339B AT 92339D A AT92339D A AT 92339DA AT 92339 B AT92339 B AT 92339B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
thin
cells
production
metal
oxidized
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Rodolphe Pechkranz
Original Assignee
Rodolphe Pechkranz
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rodolphe Pechkranz filed Critical Rodolphe Pechkranz
Application granted granted Critical
Publication of AT92339B publication Critical patent/AT92339B/de

Links

Landscapes

  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Verfahren   zur Herstellung dünner, fein durclllochter Metallkörper.   



   Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von dünnen, metallischen Körpern, welche Löcher von kleinem Querschnitt aufweisen, wie z. B. Siebe und Diaphragmen, insbesondere solche elektrolytischer Zellen. 



   Das Merkmal des neuen Verfahrens besteht darin, dass auf einer Metallplatte elektrisch isolierende Punkte erzeugt werden, deren Verteilung den Löchern des herzustellenden Körpers entspricht, dass man die Fläche der Matrize auf die in der Folge der herzustellende dünne Metallkörper galvanoplastisch niedergeschlagen wird, vorher oxydiert, wobei durch diese besondere Behandlung der Platte einerseits der niedergeschlagene   Metallkörper hernacii..-der   Platte leicht abgehoben werden kann und anderseits dem Durchgang des'elektrischen Stromes nur ein geringer. gleichmässiger Widerstand entgegengesetzt wird. 



   Im nachfolgenden soll ein erstes   Ausführungsbeispiel   des Verfahrens beschrieben werden. 



   Zuerst wird eine Metallplatte zur Oxydation gebracht, aus Gründen, die weiter unten erklärt 
 EMI1.1 
 eine Vielzahl von untereinander getrennten einzelnen Punkten gibt. Die Platte wird dann in das entsprechend galvanische Bad gebracht, in welchem ein elektrischer Strom ohne Behinderung durch die Oxydschicht durch sie hindurchgeschickt wird, durch welchen überall dort, wo die Oxydschicht nicht mit Isolierlack bedeckt ist, das Metall niedergeschlagen wird. Nachdem der Niederschlag beendet ist. kann man den damit erzeugten dünnen Metallkörper dank der Oxydzwischensehicht unschwierig von der Platte ablösen. Der hergestellte dünne Metallkörper weist überall dort, wo die Platte mit Punkten von Isolierlack bedeckt war, entsprechend kleine Löcher auf.

   Diese sind eine genaue Wiedergabe der Anordnung und Grösse jener Punkte. 
 EMI1.2 
   stäubung   von Isolierlack erfolgen, so beispielsweise durch Aufdruck. 



   Eine zweite Anwendung des Verfahrens erfolgt in der Weise, dass man auf beiden   Flächen einer   Metallscheibe, z. B. aus Kupfer, kleine Zellen mittels der bekannten Photogravüre erzeugt. Diese Zellen werden mit einer Isoliermasse gefüllt. Dies kann beispielsweise in der Weise erfolgen. dass man diese Masse auf beiden Flächen der Scheibe iiberall verreibt. Hierauf werden die so behandelten Flächen mit Bimsstein abgerieben, so dass das Netz zwischen den einzelnen Zellen freigelegt wird.

   Um die winzig kleinen   Tröpfchen   Isoliermasse von vielleicht   1/10   mm Durchmesser in ihren Zellen festzuhalten, wird auf die beiden Flächen nach ihrer Behandlung mit Bimsstein auf elektrolytischem Wege ein anhaftender Nickelniederschlag bewirkt, dessen Dicke so begrenzt wird, dass zwar eine bestimmte Einkapselung der Isolier- 
 EMI1.3 
 und derart die Isoliermasse sicher in den Zellen zurückgehalten wird. Daraufhin wird ans   Gründen,   auf die zurückgekommen werden soll, die niedergeschlagene Nickelschicht oxydiert. 



   Nun wird die Metallscheibe in das betreffende Bad gebracht und mittels eines hindurch geschickten elektrischen Stromes, dem die Oxydschicht keinen Widerstand entgegensetzt, überall dort, wo sich keine 
 EMI1.4 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 
 EMI2.1 
 auch ihrer Grösse. 



    Durch die Einkapselung der Isoliermasse in den Zellen wird es in der Praxis möglich, die so vorbereitete Scheibe für die Herstellung von mehreren Hunderten der gewünschten dünnen Metallkörper   zu verwenden, bis die Isoliermasse verbraucht oder aus den Zellen ausgetreten ist. Früher konnte die
Herstellung solcher dünner Metallkörper deshalb nicht in wirtschaftlicher und rationeller Weise erfolgen, weil die Scheibe, in deren Zellen die Isoliermasse nicht eingekapselt ist, nur wenig lang brauchbar bleibt, da unter der Wirkung des elektrolytischen Bades, das, um den Niederschlag einer genügend dicken Schicht 
 EMI2.2 
 aus den   ungeschützten   Zellen austritt. 



   Auf die beschriebene Art lassen   ich   neben ändern Körpern auch Diaphragmen aus Metall, z.   K   aus'Nickel herstellen, die sich den in einer   elekrolytischen   Zelle, in die sie gebracht werden, benutzten
Elektrolyten gegenüber neutral verhalten. Solche Diaphragmen leisten infolge ihrer geringen Dicke (z.   B   einige Hundertstel Millimeter) wegen, dem Durchgang des elektrischen Stromes nur einen geringen Wider- stand. Ihre Porosität lässt durch entsprechende Anordnung und Grösse der Tröpfchen Isoliermasse nach
Belieben regeln, so dass eine Verengung der Kathoden-und Anodenprodukte nach Bedürfnis vermieden werden kann. 



   Wenn vorstehend von einem neutralen Verhalten der Diaphragmen gegenüber dem Elektrolyten die Rede war, so ist darunter zu verstehen, dass die Diaphragmen an den chemischen Reaktionen, die in der elektrolytischen Zelle vorgehen, keinen Anteil nehmen. Die Zellen in der Scheibe lassen sich auch anders als durch Photogravüre herstellen. 



   PATENT-ANSPRÜCHE :
1. Verfahren zur Herstellung dünner, fein   durchlochter     Metallkörper, gemäss welchem   auf eine als
Matrize dienende Metallplatte Punkte aus Isoliermaterial aufgebracht werden, deren Verteilung mit denjenigen der Löcher in den herzustellenden dünnen   Metallkörpem   übereinstimmt und gemäss welchem auf die von dem Isoliermaterial freigebliebene Fläche der Metallplatte der herzustellende dünne, durch- lochte Metallkörper durch Galvanoplastik niedergeschlagen wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Fläche der Matrize, auf welche der galvanoplastische Niederschlag erfolgen soll, vorher oxydiert wird, um eine leichte Ablösung des niedergeschlagenen Metallkörpers zu   ermöglichen.   wobei dem   Durchgang des elek-   trischen Stromes nur ein geringer,

   gleichmässiger Widerstand entgegengesetzt wird.

Claims (1)

  1. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der isolierenden Punkte auf die zu oxydierende Fläche der Matrize in der Weise erfolgt, dass diese mittels Photogravure mit einem Netz von Zellen zur Aufnahme des Isolirematerials überzogen wird, wobei dann das Netzgerippe zwischen den einzelnen Zellen die Fläche bildet, welche oxydiert wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass nachdem das Isolationsmaterial' in Punkten auf die Matrize aufgetragen oder in Zellen eingebracht ist, vorerst durch Galvanoplastik ein Metallüberzug auf die von der Isolationsmasse freie Fläche der Matrize niedergeschlagen wird, dessen Dicke derart bemessen ist, dass das Isolationsmaterial jedes einzelnen Punktes oder jeder einzelnen Zelle bis zu einem bestimmten Grad vom Metallüberzug umgeben und eingerahmt ist und dass dieser Metall- iib2rzug hernach oxydiert wird für die schliesslich Aufnahme des Niederschlags des Metalles, der den dünnen, durchlochten Metallkörper bildet.
AT92339D 1919-06-12 1921-03-03 Verfahren zur Herstellung dünner, fein durchlochter Metallkörper. AT92339B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH92339X 1919-06-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT92339B true AT92339B (de) 1923-04-25

Family

ID=4349790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT92339D AT92339B (de) 1919-06-12 1921-03-03 Verfahren zur Herstellung dünner, fein durchlochter Metallkörper.

Country Status (1)

Country Link
AT (1) AT92339B (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2907179C2 (de)
DE2951287C2 (de) Verfahren zur Herstellung von mit einer Vielzahl von feinsten Spitzen versehenen Oberflächen
DE3640433C2 (de)
DE1105854B (de) Bleidioxyd-Elektrode fuer elektrolytische Verfahren
DE3809435C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer inneren Krone einer aus Schichten zusammengesetzten Krone zur Wiederherstellung von Kronen
DE60202048T2 (de) Herstellungsverfahren für elektrische leiter und deren verwendung für solarkollektor und elektrochemische zelle
EP0986818A1 (de) Medizinische radioaktive ruthenium-strahlenquellen hoher dosisleistung und verfahren zur herstellung dieser
DE2438870C3 (de) Elektolytkondensator
AT92339B (de) Verfahren zur Herstellung dünner, fein durchlochter Metallkörper.
DE1102914B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie Dioden, Transistoren od. dgl., mit einem Silizium-Halbleiterkoerper
DE2747955A1 (de) Verfahren zum elektrolytischen beschichten von metallischen gegenstaenden mit einer palladium-nickel- legierung
DE3408897A1 (de) Verfahren zum galvanischen niederschlagen einer homogenen dicken metallschicht, auf diese weise erhaltene metallschicht und verwendung der auf diese weise erhaltenen metallschicht, vorrichtung zum durchfuehren des verfahrens und erhaltene matrize
DE7434875U (de) Elektrode zur anwendung in einem elektrochemischen verfahren
DE2527386A1 (de) Kathodenoberflaechen mit niedrigen wasserstoffueberspannungen
DE2416218B2 (de) Verfahren zur Herstellung galvanisch verzinnter Stahlbleche
DE2225826C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von jeweils ein Loch enthaltenden Elektroden für Elektronenstrahlsysteme
DE2114543A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Elektroden und deren Verwendung
AT402436B (de) Gleitschicht auf kupferbasis
DE2540999C3 (de) Elektrischer Steckkontakt mit einer Kontaktschicht aus einer Silber-Palladium-Legierung
DE2000896A1 (de) Poroese Gebilde
DE1077497B (de) Verfahren und Vorrichtung zum elektrolytischen Niederschlagen einer Metallschicht
DE4119710A1 (de) Verbundplattierungsbad
DE102009040632B4 (de) Halbleiter-Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements und damit hergestelltes Halbleiter-Bauelement
DE370118C (de) Verfahren zur Herstellung duenner, fein gelochter Metallkoerper
DE124516C (de)