AT522399B1

AT522399B1 - Schleifvorrichtung

Info

Publication number: AT522399B1
Application number: ATA50286/2020A
Authority: AT
Original assignee: Disco Corp
Priority date: 2019-04-05
Filing date: 2020-04-03
Publication date: 2023-05-15
Also published as: CN111805374A; JP2020168701A; CZ2020194A3; AT522399A2; US20200316750A1; FI20205350A1; AT522399A3; JP7417362B2; DE102020204370A1; US11524386B2

Abstract

Eine Schleifvorrichtung (1), die einen Einspanntisch (CTA-CTD) zum Halten eines Wafers (W), eine Schleifeinheit (30), die eine Spindel (300) zum Drehen einer Schleifscheibe (304) aufweist, eine neigungseinstellende Einheit (56) zum Einstellen der Neigung der Drehachse (513) des Einspanntischs (CTA-CTD) mit Bezug auf die Drehachse (300a) der Spindel (300), ein interaktives Bedienfeld (70) und einen Steuerteil (60) umfasst. Der Steuerteil (60) ist geeignet, die Informationen bezüglich der abschnittweisen Zielgestalt, die in ein Zielgestalteingabefeld (122) eingegeben worden sind, mit den Informationen bezüglich der vorliegenden abschnittweisen Gestalt, die in ein Eingabefeld der vorliegenden Gestalt (121) eingegeben worden sind, zu vergleichen und dann die neigungseinstellende Einheit (56) zu steuern, um die Neigung der Drehachse (513) des Einspanntischs (CTA-CTD) so zu ändern, dass der Wafer (W) geschliffen wird, um die abschnittweise Zielgestalt des Wafers (W) zu erhalten.

Description

Beschreibung

ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK DER ERFINDUNG

GEBIET DER ERFINDUNG

[0001] Die Erfindung betrifft eine Schleifvorrichtung zum Schleifen eines Wafers durch Anwendung von Abrasivelementen.

BESCHREIBUNG DES DAMIT IN BEZUG STEHENDEN STANDS DER TECHNIK

[0002] In einer Schleifvorrichtung zum Schleifen eines Wafers durch Verwenden von Abrasivelementen wird eine Schleifscheibe, an der Abrasivelemente ringförmig angeordnet sind, gedreht und ein Einspanntisch, der eine Haltefläche aufweist, wird in dem Zustand gedreht, wo der Wafer auf der Haltefläche gehalten wird. Zum Schleifen des Wafers wird die Schleifscheibe über den auf der Haltefläche des Einspanntisches gehaltenen Wafer derart positioniert, dass die Abrasivelemente während des Drehens der Schleifscheibe durch die Mitte des Wafers, von oben betrachtet, hindurchgehen. Dementsprechend sind die Abrasivelemente geeignet, mit einem radialen Bereich des Wafers in Kontakt zu kommen, um dadurch den Wafer zu schleifen. Um den radialen Bereich des Wafers auf der Haltefläche parallel zur Schleiffläche jedes Abrasivelements zu machen, wird das Verhältnis zwischen der Neigung einer Drehachse des Einspanntischs und der Neigung einer Drehachse der Schleifscheibe eingestellt (siehe beispielsweise JP 20150092954).

[0003] Ferner wird der Wafer nach Ausführen des Schleifens poliert, um seine Werkzeugfestigkeit zu erhöhen. Das heißt, die Schleifspur die beim Schleifen des Wafers gebildet worden ist, wird durch das Polieren entfernt. Zum Polieren des Wafers wird ein Polierkissen auf den Wafer so aufgepresst, dass der Wafer bedeckt wird, so dass ein mittlerer Teil des Wafers tendiert, stärker poliert zu werden. Dementsprechend wird, wenn der Wafer geschliffen wird, um eine gleichförmige Dicke zu erhalten, und dieser Wafer als nächstes poliert wird, die abschnittweise Gestalt des polierten Wafers zu einer abschnittweisen Gestalt des Typs mit einer dünnen Mitte, derart, dass der mittlere Teil des Wafers dünner ist als der Randteil des Wafers. Um die Dicke des Wafers in dem Zustand nach Ausführen des Polierens gleichförmig zu machen, ist eine Technik des Schleifens des Wafers vorgeschlagen worden zum Erhalten einer abschnittweisen Gestalt vom Typ dicker Mitte, derart, dass der mittlere Teil des Wafers dicker als der Randteil des Wafers ist (siehe beispielsweise JP 2013-004726A).

[0004] Aus der DE 43 35 980 A1 sind eine Werkstückhalterung für Rotationsschleitmaschinen zum Schleifen von Halbleiterscheiben sowie ein Verfahren zum Positionieren einer Werkstückhalterung bekannt.

[0005] In US 2017/0095902 A1 wird eine Schleifvorrichtung zum Schleifen eines Wafers beschrieben.

[0006] Weder in DE 43 35 980 A1, noch in US 2017/0095902 A1 wird ein interaktives Bedienfeld geoffenbart, das eine Möglichkeit zum Eingeben von Informationen bezüglich einer abschnittweisen Zielgestalt eines Wafers oder eine Möglichkeit zum Eingeben von Informationen bezüglich einer vorliegenden abschnittweisen Gestalt eines Wafers bietet.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

[0007] Jedoch variiert die Poliermenge im mittleren Teil des Wafers und im Randteil des Wafers je nach den Polierbedingungen, einschließlich der Materialien des Polierkissens, der Schleifmittelkörnchen und dem Wafer als Werkstück, der Zeitspanne des Pressens des Polierkissens auf den Wafer und der Stärke des Pressens des Polierkissens auf den Wafer. Das heißt, die Gestalt dünner Mitte des polierten Wafers variiert je nach den Polierbedingungen. Um mit diesem Problem fertigzuwerden, ist es notwendig, den Unterschied in der Dicke zwischen dem mittleren Teil und dem Randteil des geschliffenen Wafers vom Typ dicker Mitte je nach den Polierbedingungen

zu ändern, wodurch die Gestalt dicker Mitte des Wafers eingestellt wird.

[0008] Das Einstellen der Gestalt dicker Mitte des Wafers wird durch Ändern der Neigung der Drehachse des Einspanntischs mit Bezug auf die Drehachse der Schleifscheibe ausgeführt. Jedoch erfordert dieses Einstellen der Neigung das Wiederholen des Schleifens, des Polierens und des Messens der Waferdicke, was eine Verlängerung der erforderlichen Zeit verursacht.

[0009] Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Schleifvorrichtung vorzusehen, die das Einstellen der Neigung der Drehachse des Einspanntischs mit Bezug auf die Drehachse der Schleifscheibe ermöglichen kann.

[0010] Einer Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung entsprechend ist eine Schleifvorrichtung vorgesehen, die Folgendes umfasst: eine Halteeinheit, die einen Einspanntisch umfasst, der eine Haltefläche zum Halten eines Wafers aufweist, wobei der Einspanntisch um eine Drehachse drehbar ist, die durch die Mitte der Haltefläche hindurchgeht; eine Schleifeinheit, die eine Spindel, die eine Drehachse aufweist, und eine Schleifscheibe umfasst, die am unteren Ende der Spindel montiert ist, wobei die Schleifscheibe eine Mehrzahl von Abrasivelementen aufweist, die ringförmig angeordnet sind, wobei, wenn die Spindel gedreht wird, um dadurch die Schleifscheibe zu drehen, der Wafer, der auf dem Einspanntisch gehalten wird, durch die Abrasivelemente der Schleifscheibe, die gedreht wird, geschliffen wird; eine neigungseinstellende Einheit zum Einstellen der Neigung der Drehachse des Einspanntischs mit Bezug auf die Drehachse der Spindel; und ein interaktives (bzw. Berührungs-) Bedienfeld. Die Abrasivelemente sind geeignet, den Wafer, der auf dem Einspanntisch gehalten wird, in einem Schleifbereich als radialen Bereich, der von der Mitte der Haltefläche zum äußeren Umfang davon reicht, zu schleifen. Das interaktive Bedienfeld ist geeignet, ein Zielgestalteingabefeld zum Eingeben von Informationen bezüglich einer abschnittweisen Zielgestalt des Wafers und ein Eingabefeld der vorliegenden Gestalt zum Eingeben von Informationen bezüglich einer vorliegenden abschnittweisen Gestalt des geschliffenen Wafers in dem Zustand anzuzeigen, in dem die Neigung der Drehachse des Einspanntischs noch nicht geändert worden ist. Die Schleifvorrichtung umfasst ferner einen Steuerteil zum Vergleichen der Informationen bezüglich der abschnittweisen Zielgestalt des Wafers als Eingabe in das Zielgestalteingabefeld mit den Informationen bezüglich der vorliegenden abschnittweisen Gestalt des Wafers als Eingabe in das Eingabefeld der vorliegenden Gestalt und dann Steuern der Neigungseinstellungseinheit, um die Neigung der Drehachse des Einspanntischs so zu ändern, dass der Wafer geschliffen wird, um die abschnittweise Zielgestalt des Wafers zu erhalten.

[0011] Bevorzugt umfasst die Halteeinheit eine Mehrzahl von Halteeinheiten, von denen jede einen Einspanntisch aufweist. Die Schleifvorrichtung umfasst ferner eine Positionierungseinheit zum Bewegen einer der Mehrzahl von Halteeinheiten zu einer Schleifposition, wo der Wafer durch die Schleifeinheit geschliffen wird. Das interaktive Bedienfeld ist geeignet, des Weiteren einen Auswählteil zur Verwendung beim Wählen einer der Mehrzahl von Halteeinheiten anzuzeigen. Der Steuerteil ist geeignet, die Neigung der Drehachse des Einspanntischs in der Halteeinheit, die durch Benutzen des Auswählteils gewählt wird, zu ändern.

[0012] Bevorzugt werden Informationen bezüglich der abschnittweisen Gestalt des Wafers in das Zielgestalteingabefeld und das Eingabefeld der vorliegenden Gestalt jedesmal eingegeben, wenn die Bearbeitungsbedingungen beim Bearbeiten des Wafers festgelegt werden.

[0013] Der vorliegenden Erfindung entsprechend kann eine abschnittweise Zielgestalt des Wafers in dem interaktiven Bedienfeld festgelegt werden. Ferner kann eine vorliegende abschnittweise Gestalt des Wafers in das interaktive Bedienfeld eingegeben werden. Dem Ergebnis eines Vergleichs zwischen der abschnittweisen Zielgestalt und der vorliegenden abschnittweisen Gestalt kann der Steuerteil die neigungseinstellende Einheit zum Andern der Neigung der Drehachse des Einspanntischs so steuern, dass der Wafer geschliffen wird, um die abschnittweise Zielgestalt zu erhalten.

[0014] In dem Fall, in dem die Schleifvorrichtung eine Mehrzahl von Halteeinheiten umfasst und das interaktive Bedienfeld einen Auswählteil zur Verwendung zum Wählen einer der mehreren Halteeinheiten umfasst, kann die Halteeinheit als Gegenstand der Einstellung der Neigung der

Drehachse auf dem interaktiven Bedienfeld gewählt werden.

[0015] In dem Fall, in dem Informationen bezüglich der abschnittweisen Gestalt des Wafers in das Zielgestalteingabefeld und das Eingabefeld der vorliegenden Gestalt eingegeben werden, können jedesmal, wenn Bearbeitungsbedingungen beim Bearbeiten des Wafers festgesetzt werden, eine Mehrzahl von Wafern, die verschiedene abschnittweise Gestalten aufweisen, in einer Schleifvorrichtung erhalten werden.

[0016] Die obigen und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise des Realisierens derselben werden beim Studieren der folgenden Beschreibung und anhängenden Ansprüche unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, offensichtlich und die Erfindung selbst wird dabei am besten verstanden.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

[0017] Die FIG. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Schleifvorrichtung einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entsprechend zeigt;

[0018] die FIG. 2 ist eine abschnittweise Seitenansicht einer Halteeinheit und einer Schleifeinheit, die in die Schleifvorrichtung, die in FIG. 1 dargestellt ist, integriert sind;

[0019] die FIG. 3 ist eine abschnittweise Seitenansicht, die eine Schleifarbeit des Schleifens

eines Wafers durch Verwenden der Schleifeinheit darstellt;

[0020] die FIG. 4 ist eine abschnittweise Seitenansicht, die eine Art und Weise des Messens der Dicke des durch die Schleifeinheit geschliffenen Wafers darstellt;

[0021] die FIG. 5A ist eine abschnittweise Ansicht, die einen Wafer des Typs dicker Mitte darstellt;

[0022] die FIG. 5B ist eine abschnittweise Ansicht, die einen Wafer des Typs dünner Mitte darstellt;

[0023] die FIG. 5C ist eine abschnittweise Ansicht, die einen Wafer vom Möwenflügeltyp darstellt;

[0024] die FIG. 5D ist eine abschnittweise Ansicht die einen Wafer vom umgekehrten Möwenflügeltyp darstellt;

[0025] die FIG. 5E ist eine abschnittweise Ansicht, die einen Wafer gleichförmigen Typs darstellt;

[0026] die FIG. 6 ist eine Veranschaulichung, die einen auf einem interaktiven Bedienfeld dargestellten Zustandseinstellungsscreen (bzw. Zustandseinstellungsbildschirm) darstellt;

[0027] die FIG. 7 ist eine schematische Draufsicht, die den Zusammenhang zwischen einem Einspanntisch, einem Wafer und einem durch mehrere Abrasivelemente gebildeten ringförmigen Ring darstellt und auch die Positionen von zwei Feineinstellungswellen und einer fixierten Welle darstellt;

[0028] die FIG. 8 ist eine Veranschaulichung ähnlich FIG. 6, die einen Zustand darstellt, dass eine vorliegende abschnittweise Gestalt und eine abschnittweise Zielgestalt des Wafers eingegeben sind und eine Veränderungsmenge für jede Feineinstellungswelle angezeigt ist;

[0029] die FIG. 9 ist eine Veranschaulichung ähnlich FIG. 6, die einen Zustand darstellt, dass ein Aktionsmenü zur Verwendung beim Wählen eines Gegenstands eines der vier Einspanntische angezeigt ist; und

[0030] die FIG. 10 isteine Veranschaulichung ähnlich FIG. 6, die einen Zustand darstellt, dass jede Feineinstellungswelle bewegt worden ist und die vorliegende Position jeder Feineinstellungswelle zum Anzeigen aktualisiert worden ist.

GENAUE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM

[0031] Bezugnehmend auf FIG. 1 ist eine Schleifvorrichtung 1 einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entsprechend dargestellt. Die Schleifvorrichtung 1 umfasst eine erste Schleifeinheit 30, eine zweite Schleifeinheit 31 und eine Poliereinheit 4. Die erste Schleifeinheit 30 und die zweite Schleifeinheit 31 funktionieren zum Schleifen eines Wafers (in FIG. 1 nicht gezeigt), der auf einem im Folgenden zu beschreibenden Einspanntisch gehalten wird. Die Poliereinheit 4 funktioniert zum Polieren des durch die erste Schleifeinheit 30 und die zweite Schleifeinheit 31 geschliffenen Wafers. Die Schleifvorrichtung 1 umfasst ein erstes Grundgehäuse 10 und ein zweites Grundgehäuse 11, das mit dem ersten Grundgehäuse 10 auf der Rückseite davon in der +Y-Richtung, die in FIG. 1 durch einen Pfeil +Y angezeigt ist, verbunden ist. Ein Standbybereich A ist auf der oberen Fläche des ersten Grundgehäuses 10 definiert. Der Standbybereich A ist ein Bereich, wo ein zu schleifender Wafer auf den Einspanntisch geladen oder der polierte Wafer von dem Einspanntisch abgeladen wird. Andererseits ist ein Bearbeitungsbereich B auf der oberen Fläche des zweiten Grundgehäuses 11 definiert. Der Bearbeitungsbereich B ist ein Bereich, wo der auf den Einspanntisch geladene Wafer durch die erste Schleifeinheit 30, die zweite Schleifeinheit 31 und die Poliereinheit 4 bearbeitet wird.

[0032] Ein erster Kassettenmontierteil 150 und ein zweiter Kassettenmontierteil 151 sind auf der vorderen Fläche des ersten Grundgehäuses 10 in der -Y-Richtung, die in der FIG. 1 durch einen Pfeil -Y dargestellt ist, vorgesehen. Eine erste Kassette 150a, die eine Mehrzahl von zu bearbeitenden Wafern speichert, ist auf den ersten Kassettenmontierteil 150 montiert. Eine zweite Kassette 151a zum Speichern der bearbeiteten Wafer ist auf den zweiten Kassettenmontierteil 151 montiert.

[0033] Ein Roboter 155 ist auf der Rückseite der ersten Kassette 150a in der +Y-Richtung vorgesehen. Der Roboter 155 funktioniert zum Herausnehmen eines der Wafer aus der ersten Kassette 150a vor dem Bearbeiten und Eingeben des Wafers in die zweite Kassette 151a nach dem Bearbeiten. Ein Bereich zum zwischenzeitlichen Absetzen 152 ist dem Roboter 155 benachbart gebildet. Der aus der ersten Kassette 150a herausgenommene Wafer wird durch den Roboter 155 zum Bereich 152 zum zwischenzeitlichen Absetzen überführt. Eine Positioniereinheit 153 ist im Bereich zum zwischenzeitlichen Absetzen 152 vorgesehen, um den Wafer in den Bereich zum zwischenzeitlichen Absetzen 152 zu positionieren.

[0034] Eine erste Überführungseinheit 154a ist der Positioniereinheit 153 benachbart zum Überführen des Wafers von dem Bereich zum zwischenzeitlichen Absetzen 152 zum Einspanntisch vorgesehen. Die erste Uberführungseinheit 154a ist so konfiguriert, dass sie den Wafer hält und um eine senkrechte Achse dreht. Das heißt, die erste Uberführungseinheit 154a funktioniert zum Halten des Wafers, der durch die Positioniereinheit 153 in den Bereich zum zwischenzeitlichen Absetzen 152 positioniert worden ist und überführt den Wafer dann zum Einspanntisch, der im Bearbeitungsbereich B vorgesehen ist. Eine zweite Uberführungseinheit 154b ist der ersten Uberführungseinheit 154a benachbart vorgesehen, um den Wafer nach dem Bearbeiten vom Einspanntisch abzuladen. Die zweite Uberführungseinheit 154b ist ebenfalls konfiguriert, um den Wafer zu halten und um eine senkrechte Achse zu drehen. Eine Reinigungseinheit 156 ist der zweiten UÜberführungseinheit 154b benachbart vorgesehen, um den durch die zweite UÜberführungseinheit 154b überführten Wafer nach dem Bearbeiten zu reinigen. Das heißt, der bearbeitete Wafer wird vom Einspanntisch durch die zweite Uberführungseinheit 154b zu der Reinigungseinheit 156 überführt. Der durch die Reinigungseinheit 156 gereinigte Wafer wird von der Reinigungseinheit 156 durch den Roboter 155 zu der zweiten Kassette 151a überführt und dann durch den Roboter 155 in der zweiten Kassette 151a gespeichert.

[0035] Eine erste Säule 12 ist auf dem zweiten Grundgehäuse 11 am rückseitigen Ende davon in der +Y-Richtung so vorgesehen, dass sie aufrecht davon steht. Eine Schleifvorrichtungsvor-

schubeinheit 20 zum Beschicken der ersten Schleifeinheit 30 ist auf der vorderen Fläche der ersten Säule 12 in der -Y-Richtung vorgesehen. Die Schleifvorrichtungsvorschubeinheit 20 umfasst eine Kugelrollspindel 200, die eine senkrechte Achse aufweist, die sich in der Z-Richtung (d.h. sowohl in der durch einen Pfeil +Z dargestellten +Z-Richtung als auch in der durch einen Pfeil -Z dargestellten -Z -Richtung), erstreckt, ein Paar Führungsschienen 201, die sich parallel zu der Kugelrollspindel 200 erstrecken, einen Motor 202, der an das obere Ende der Kugelrollspindel 200 zum Drehen der Kugelrollspindel 200 angeschlossen ist, und eine senkrecht bewegliche Platte 203, die eine interne Mutter aufweist, die durch ein Gewinde in die Kugelrollspindel 200 einrastet und ein paar Gleitteile aufweist, die jeweils gleitbar auf dem Paar Führungsschienen 201 montiert sind. Dementsprechend wird, wenn die Kugelrollspindel 200 durch den Motor 202 gedreht wird, die senkrecht bewegliche Platte 203 in der Z- Richtung (d.h. sowohl in der +ZRichtung als auch der -Z-Richtung) bewegt, wie sie von den Führungsschienen 201 geführt wird, so dass die erste Schleifeinheit 30, die auf der senkrecht beweglichen Platte 203 vorgesehen ist, in der Z-Richtung bewegt (vorgeschoben) wird.

[0036] Die erste Schleifeinheit 30 umfasst eine Spindel 300, die eine sich in der Z-Richtung erstreckende senkrechte Achse aufweist montiert ist, ein Gehäuse 301 zum drehbaren Stützen der Spindel 300, einen Motor 302 zum Drehen der Spindel 300, eine kreisförmige Montierung 303, die an das untere Ende der Spindel 300 befestigt ist, und eine Schleifscheibe 304, die loslösbar auf der unteren Fläche der Montierung 303 montiert ist. Die Schleifscheibe 304 umfasst eine Scheibenbasis 304a und eine Mehrzahl von Abrasivelementen 304b, die auf der unteren Fläche der Scheibenbasis 304a so vorgesehen sind, dass sie kreisförmig dem äußeren Umfang der Scheibenbasis 304a entlang angeordnet sind. Jedes Abrasivelement 304b hat eine Gestalt wie ein rechteckiges Prisma. Dementsprechend sind die mehreren Abrasivelemente 304b so angeordnet, dass sie einen ringförmigen Ring bilden. Jedes Abrasivelement 304b ist ein Abrasivelement zur Verwendung beim Grobschleifen und enthält Schleifkörner, die eine relativ große Größe aufweisen. Das heißt, die erste Schleifeinheit 30 funktioniert als eine Grobschleifeinheit zum Ausführen von Grobschleifen am Wafer. Die erste Schleifeinheit 30 wird von einer Haltevorrichtung 261 gehalten, die auf der vorderen Fläche der senkrecht in der -Y-Richtung beweglichen Platte 203 montiert ist.

[0037] Ferner ist eine zweite Säule 13 auf dem zweiten Grundgehäuse 11 am rückseitigen Ende davon in der +Y-Richtung vorgesehen, um aufrecht davon zu stehen. Die zweite Säule 13 ist neben die erste Säule 12 in der X-Richtung, noch spezifischer in der durch einen Pfeil -X gezeigten -X-Richtung, gestellt. Das heißt, die erste Säule 12 ist neben die zweite Säule 13 in der durch einen Pfeil +X dargestellten +X-Richtung gestellt. Eine andere Schleifvorrichtungsvorschubeinheit 20 zum Beschicken der zweiten Schleifeinheit 31 ist auf der vorderen Fläche der zweiten Säule 13 in der -Y-Richtung vorgesehen. Diese Schleifvorrichtungsvorschubeinheit 20 zum Beschicken der zweiten Schleifeinheit 31 hat dieselbe Konfiguration wie diejenige der Schleifvorrichtungsvorschubeinheit 20 zum Beschicken der ersten Schleifeinheit 30. Dementsprechend wird die zweite Schleifeinheit 31 in der Z-Richtung durch die Schleifvorrichtungsvorschubeinheit 20, die an der zweiten Säule 13 vorgesehen ist, bewegt (vorgeschoben). Die zweite Schleifeinheit 31 umfasst eine Spindel 310, die eine senkrechte Achse aufweist, die sich in der Z-Richtung erstreckt, ein Gehäuse 311 zum drehbaren Stützen der Spindel 310, einen Motor 312 zum Drehen der Spindel 310, eine kreisförmige Montierung 313, die am unteren Ende der Spindel 310 befestigt ist, und eine Schleifscheibe 314, die loslösbar auf der unteren Fläche der Montierung 313 montiert ist. Die Schleifscheibe 314 umfasst eine Scheibenbasis 314a und eine Mehrzahl von Abrasivelementen 314b, die auf der unteren Fläche der Scheibenbasis 314a vorgesehen sind, um kreisförmig dem äußeren Umfang der Scheibenbasis 314a entlang angeordnet zu sein. Jedes Abrasivelement 314b weist eine Gestalt wie ein rechteckiges Prisma auf. Dementsprechend sind die mehreren Abrasivelemente 314b zum Bilden eines ringförmigen Rings angeordnet. Jedes Abrasivelement 314b ist ein Abrasivelement zur Verwendung beim Feinschleifen und enthält Schleifkörner, die eine relativ kleine Größe aufweisen. Das heißt, die zweite Schleifeinheit 31 funktioniert als Feinschleifeinheit zum Ausführen von Feinschleifen am Wafer.

[0038] Ferner ist eine dritte Säule 14 auf dem zweiten Grundgehäuse 11 am linken Ende davon

in der -X-Richtung vorgesehen, um aufrecht davon zu stehen. Eine Bewegungseinheit Y 24 zum Bewegen der Poliereinheit 4 in der Y-Richtung ist auf der vorderen Fläche der dritten Säule 14 in der +X-Richtung vorgesehen. Die Bewegungseinheit Y 24 umfasst eine Kugelrollspindel 240, die eine horizontale Achse aufweist, die sich in der Y-Richtung erstreckt, ein Paar Führungsschienen 241, die sich parallel zu der Kugelrollspindel 240 erstrecken, einen Motor 242 zum Drehen der Kugelrollspindel 240 und eine horizontal bewegliche Platte 243, die eine interne Mutter aufweist, die durch ein Gewinde in die Kugelrollspindel 240 einrastet und ein paar Gleitteile aufweist, die jeweils gleitbar auf dem Paar Führungsschienen 241 montiert sind. Dementsprechend wird, wenn die Kugelrollspindel 240 durch den Motor 242 gedreht wird, die horizontal bewegliche Platte 243 in der Y-Richtung (d.h. sowohl in der +Y- Richtung als auch der -Y-Richtung) bewegt, wie sie von den Führungsschienen 241 geführt wird, so dass die Poliereinheit 4, die auf der horizontal beweglichen Platte 243 vorgesehen ist, in der Y- Richtung bewegt wird.

[0039] Ferner ist eine Poliervorrichtungsvorschubeinheit 25 zum Vorschieben der Poliereinheit 4 auf der vorderen Fläche der horizontal beweglichen Platte 243 in der +X -Richtung vorgesehen. Das heißt, die Poliervorrichtungsvorschubeinheit 25 funktioniert, um die Poliereinheit 4 vertikal auf den Einspanntisch zu und von diesem weg zu bewegen. Die Poliervorrichtungsvorschubeinheit 25 umfasst eine Kugelrollspindel 250, die eine senkrechte Achse aufweist, die sich in der ZRichtung erstreckt, ein Paar Führungsschienen 251, die sich parallel zu der Kugelrollspindel 250 erstrecken, einen Motor 252, der an das obere Ende der Kugelrollspindel 250 zum Drehen der Kugelrollspindel 250 angeschlossen ist, und eine senkrecht bewegliche Platte 253, die eine interne Mutter aufweist, die durch ein Gewinde in die Kugelrollspindel 250 einrastet und ein paar Gleitteile aufweist, die jeweils gleitbar auf dem Paar Führungsschienen 251 montiert sind. Dementsprechend wird, wenn die Kugelrollspindel 250 durch den Motor 252 gedreht wird, die senkrecht bewegliche Platte 253 in der Z-Richtung (d.h. sowohl in der +Z- Richtung als auch der -ZRichtung) bewegt, wie sie von den Führungsschienen 251 geführt wird, so dass die Poliereinheit 4, die auf der senkrecht beweglichen Platte 253 vorgesehen ist, in der Z- Richtung so bewegt (vorgeschoben) wird, das sie sich auf den Einspanntisch zu und davon weg bewegt.

[0040] Die Poliereinheit 4 umfasst eine Spindel 40, die eine senkrechte Achse aufweist, die sich in der Z-Richtung erstreckt, ein Gehäuse 41 zum drehbaren Stützen der Spindel 40, einen Motor 42 zum Drehen der Spindel 40, eine kreisförmige Montierung 44, die mit dem unteren Ende der Spindel 40 verbunden ist, und ein Polierkissen 43, das an die untere Fläche der Montierung 44 zum Polieren des auf dem Einspanntisch gehaltenen Wafers 303 befestigt ist. Die Poliereinheit 4 ist von einer Haltevorrichtung 263 gehalten, die auf der vorderen Fläche der senkrecht beweglichen Platte 253 in der + X-Richtung montiert ist.

[0041] Wie in FIG. 1 gezeigt, ist eine Drehplatte 6, die eine obere Fläche 6a aufweist, drehbar auf dem zweiten Grundgehäuse 11 vorgesehen und vier Einspanntische CTA, CTB, CTC und CTD sind drehbar auf der oberen Fläche 6a der Drehplatte 6 so vorgesehen, dass sie in gleichen Abständen in der Umfangsrichtung der Drehplatte 6 angeordnet sind. Eine Drehwelle (nicht gezeigt) zum Drehen der Drehplatte 6 ist in der Mitte der Drehplatte 6 so vorgesehen, dass die Drehplatte 6 um die senkrechte Achse dieser Drehwelle drehbar ist. Dementsprechend werden, wenn die Drehplatte 6 um ihre Achse gedreht wird, die vier Einspanntische CTA, CTB, CTC und CTD ebenfalls um die Mitte der Drehplatte 6 gedreht, so das jeder dieser Einspanntische CTA bis CTD der Reihe nach von einer Ladeposition in der Nähe des Bereichs zum zwischenzeitlichen Absetzen 152 durch eine erste Schleifposition unter der ersten Schleifeinheit 30 und eine zweite Schleifposition unter der zweiten Schleifeinheit 31 zu einer Polierposition unter der Poliereinheit 4 bewegt werden kann. Das heißt, die Drehplatte 6 funktioniert als Positioniereinheit zum Bewegen jedes der Einspanntische CTA bis CTD zu der ersten Schleifposition, der zweiten Schleifposition und der Polierposition.

[0042] Wie in FIG. 2 gezeigt weist die Spindel 300 der ersten Schleifeinheit 30 eine Drehachse 300a auf, die sich senkrecht in der Z-Richtung erstreckt, und die Schleifscheibe 304 wird um die Drehachse 300a der Spindel 300 gedreht. Auf ähnliche Weise besitzt die Spindel 310 der zweiten Schleifeinheit 31 eine Drehachse 310a, die sich senkrecht in der Z-Richtung erstreckt, und die Schleifscheibe 314 wird um die Drehachse 310a der Spindel 310 gedreht.

[0043] Jeder der vier Einspanntische CTA bis CTD umfasst einen Saughalteteil 510, der aus einem porösen Element gebildet ist, zum Halten des Wafers unter Saugwirkung und einen kreisförmigen zylindrischen Rahmen 511 zum Stützen des Saughalteteils 510. Ein Motor 512 ist unter jedem der vier Einspanntische CTA bis CTD vorgesehen. Der Motor 512 funktioniert zum Drehen jedes der vier Einspanntische CTA bis CTD um eine Drehachse 513. Jeder der vier Einspanntische CTA bis CTD, der Motor 512 und die Drehachse 513 bildet eine Halteeinheit 51. Der Saughalteteil 510 ist mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) zum Erzeugen einer Saugkraft verbunden.

[0044] Der Saughalteteil 510 weist eine obere bloßgelegte Fläche als Haltefläche 510a zum Halten des Wafers unter Saugwirkung auf. Das heißt, die Saugkraft, die durch die Vakuumquelle erzeugt wird, wird zur Haltefläche 510a des Saughalteteils 510 überführt, wodurch der Wafer auf der Haltefläche 510a unter Saugwirkung gehalten wird.

[0045] Jeder der vier Einspanntische CTA bis CTD ist durch eine neigungseinstellende Einheit 56 zum Einstellen der Neigung der Drehachse 513, die durch die Mitte der Haltefläche 510a hindurchgeht, gestützt. Die neigungseinstellende Einheit 56 umfasst mindestens drei Stützteile. Mindestens zwei dieser Stützsteile sind bewegliche Stützteile 52 und 53 und der verbleibende ist ein fixierter Stützteil 54. Die beweglichen Stützteile 52 und 53 und der fixierte Stützteil 54 sind auf der unteren Fläche des Rahmens 511 so vorgesehen, dass sie in gleichen Abständen in der Umfangsrichtung des Rahmens 511 angeordnet sind. Als Modifikation kann die neigungseinstellende Einheit 56 drei bewegliche Stützteile und keinen fixierten Stützteil umfassen. Das heißt, die neigungseinstellende Einheit 56 kann nur drei bewegliche Stützteile umfassen. Als eine andere Modifikation kann die neigungseinstellende Einheit 56 vier oder mehr Stützteile, einschließlich mindestens drei bewegliche Stützteile und mindestens einen fixierten Stützteil umfassen.

[0046] Der bewegliche Stützteil 52 umfasst einen Motor 520, der in einem internen Fußstück 55 der Schleifvorrichtung 1 vorgesehen ist, eine Feineinstellungswelle 521, die an den Motor 520 angeschlossen und geeignet ist, durch den Motor 520 gedreht zu werden, einen Stützteil 522 zum drehbaren Stützen der Feineinstellungswelle 521, und einen Aufnahmeteil 523, der von der unteren Fläche des Rahmens 511 nach unten herausragt und ein Loch zum Aufnehmen eines oberen Teils der Feineinstellungswelle 521 hat. Der Motor 520 ist an einen Steuerteil 60 angeschlossen und geeignet, unter der Steuerung des Steuerteils 60 betätigt zu werden. Der Steuerteil 60 funktioniert auch zum Steuern des Arbeitens jeder Komponente der Schleifvorrichtung 1.

[0047] Ein externes Gewinde 521a ist an dem oberen Teil der Feineinstellungswelle 521 gebildet und ein internes Gewinde 523a ist an der inneren Seitenfläche des aufnehmenden Teils 523 gebildet, wobei das externe Gewinde 521a der Feineinstellungswelle 521 in das interne Gewinde 523a des aufnehmenden Teils 523 eingreift. Ferner ist ein Ursprungssensor 523b zum Feststellen der Position des oberen Endes der Feineinstellungswelle 521 an der inneren Seitenfläche des aufnehmenden Teils 523 vorgesehen. Der Steuerteil 60 funktioniert zum Erkennen der relativen Position des oberen Endes der Feineinstellungswelle 521 mit Bezug auf den Ursprungssensor 523b. Ferner ist der Stützteil 522 an der oberen Fläche des internen Fußstücks 55 befestigt.

[0048] Der andere bewegliche Stützteil 53 weist dieselbe Konfiguration auf wie diejenige des beweglichen Stützteils 52. Das heißt, der bewegliche Stützteil 53 umfasst einen Motor (nicht gezeigt), der in dem internen Fußstück 55 vorgesehen ist, eine Feineinstellungswelle 531, die an diesen Motor angeschlossen und geeignet ist, durch diesen Motor gedreht zu werden, ein Stützteil 532 zum drehbaren Stützen der Feineinstellungswelle 531 und einen aufnehmenden Teil 533, der nach unten von der unteren Fläche des Rahmens 511 herausragt und ein Loch zum Aufnehmen eines oberen Teils der Feineinstellungswelle 531 aufweist. Dieser Motor ist ebenfalls an den Steuerteil 60 angeschlossen und geeignet, unter der Steuerung des Steuerteils 60 betätigt zu werden. Ein externes Gewinde 531a ist am oberen Teil der Feineinstellungswelle 531 gebildet und ein internes Gewinde 533a ist auf der inneren Seitenfläche des aufnehmenden Teils 533 gebildet, wobei das externe Gewinde 531a der Feineinstellungswelle 531 in das interne Gewebe 533a des aufnehmenden Teils 533 eingreift. Ferner ist ein Ursprungssensor 533b zum Feststellen der Position des oberen Endes der Feineinstellungswelle 531 an der inneren Seitenfläche des aufnehmenden Teils 533 vorgesehen. Der Steuerteil 60 funktioniert zum Erkennen der relativen

Position des oberen Endes der Feineinstellungswelle 531 mit Bezug auf den Ursprungssensor 533b. Ferner ist der Stützteil 532 an der oberen Fläche des internen Fußstücks 55 befestigt.

[0049] Andererseits umfasst der fixierte Stützteil 54 eine fixierte Welle 541, die ein unteres Ende aufweist, das an der oberen Fläche des internen Fußstücks 55 befestigt ist, und ein oberes Ende, das an der unteren Fläche des Rahmens 511 befestigt ist.

[0050] In dem beweglichen Stützteil 52 wird der Motor 520 durch das Steuerteil 60 zum Drehen der Feineinstellungswelle 521 so gesteuert, dass das externe Gewinde 521a der Feineinstellungswelle 521 mit Bezug auf das interne Gewinde 523a des aufnehmenden Teils 523 bewegt wird. Dadurch wird der aufnehmenden Teil 523 senkrecht bewegt und die Höhe des Rahmens 511 mit Bezug auf das interne Fußstück 55 wird dementsprechend an der Position geändert, wo der aufnehmende Teil 523 vorgesehen ist. Die Arbeitsweise des anderen beweglichen Stützteils 53 ist ähnlich derjenigen des beweglichen Stützteils 52. Andererseits wird im fixierten Stützteil 54 die Höhe des Rahmens 511 mit Bezug auf das interne Fußstück 55 an der Position nicht geändert, wo die fixierte Welle 541 vorgesehen ist. So wird der aufnehmende Teil 523 senkrecht mit Bezug auf die Feineinstellungswelle 521 bewegt oder der aufnehmende Teil 533 wird senkrecht mit Bezug auf die Feineinstellungswelle 531 bewegt, wodurch die Neigung der Drehachse 513 des Einspanntischs CTA (CTB, CTC oder CTD) mit Bezug auf die Drehachse 300a der Spindel 300 geändert wird.

[0051] Die Haltefläche 510a ist eine kegelförmige Fläche und ein Teil (radialer Bereich) der kegelförmigen Fläche wird zur unteren Fläche (Schleiffläche) jedes Abrasivelements 304b oder 314b durch das Arbeiten der neigungseinstellende Einheit 56 parallel gemacht.

[0052] Wie in FIG. 1 gezeigt, umfasst die Schleifvorrichtung 1 ein interaktives Bedienfeld 70 zur Verwendung zum Eingeben von Bearbeitungsbedingungen oder zum Anzeigen des Zustands des Wafers, der bearbeitet wird. Das interaktive Bedienfeld 70 umfasst einen Festsetzteil 122 zur Verwendung zum Festsetzen der abschnittweisen Zielgestalt des Wafers und Speichern dieser abschnittweisen Zielgestalt, einen Eingabeteil 121 zur Verwendung zum Eingeben einer vorliegenden abschnittweisen Gestalt des Wafers im Falle des Schleifens des Wafers im Vergleich mit der vorliegenden Neigung der Drehachse 513 und einen Auswählteil 131 zur Verwendung beim Wählen irgendeines der vier Einspanntische CTA bis CTD, die die vier Halteeinheiten 51 bilden. Die abschnittweise Zielgestalt des Wafers, die durch den Festsetzteil 122 eingestellt werden soll, und die vorliegende abschnittweise Gestalt des Wafers, die durch den Eingabeteil 121 eingegeben werden soll, sind senkrechte abschnittweise Gestalten, wie sie durch Schneiden des Wafers des Durchmessers davon entlang erhalten werden.

[0053] Das Arbeiten der Schleifvorrichtung 1 wird nun als Folge von Schritten beschrieben. 1. Vorbereitungsschritt

[0054] In einem Vorbereitungsschritt werden die Bearbeitungsbedingungen für das Grobschleifen, Feinschleifen und Polieren aus dem interaktiven Bedienfeld 70 eingegeben. Beim tatsächlichen Ausführen des Bearbeitens liest der Steuerteil 60 die Eingabe der Arbeitsbedingungen ab und steuert dann das Arbeiten der Schleifvorrichtung 1 unter den gelesenen Bearbeitungsbedingungen. Typischerweise umfasst der Steuerteil 60 eine Datenverarbeitungseinheit (Prozessor) und eine Speichereinheit (Speicher). Beispielsweise arbeitet die Datenverarbeitungseinheit einem Programm entsprechend, das in der Speichereinheit gespeichert ist, wodurch verschiedene Arten der Steuerung, die für das Bearbeiten unter den eingegebenen Bearbeitungsbedingungen notwendig sind, ausgeführt werden. Ferner steuert der Steuerteil 60 die neigungseinstellende Einheit 56, die in FIG. 2 dargestellt ist, der Inhaltseingabe vom interaktiven Bedienfeld 70 und der abschnittweisen Zielgestalt des Wafers entsprechend. Das heißt, unter der Steuerung durch den Steuerteil 60 wird die Neigung der Drehachse 513 jedes Einspanntischs mit Bezug auf die Drehachse 300a oder 310a jeder Schleifeinheit durch Betätigen der neigungseinstellenden Einheit 56 eingestellt. Dieses Einstellen wird im Folgenden in weiteren Einzelheiten beschrieben.

2. Schleifschritt

[0055] Nach Eingeben der Bearbeitungsbedingungen aus dem interaktiven Bedienfeld 70 wird der Roboter 155 betätigt, um einen der zu bearbeitenden Wafer aus der ersten Kassette 150a zu nehmen und als nächstes den Wafer zu der Positioniereinheit 153 zu überführen. Nach Positionieren des Wafers in den Bereich zum zwischenzeitlichen Absetzen 152 durch Betätigen der Positioniereinheit 153 wird die erste Uberführungseinheit 154a betätigt, um den Wafer von der Positioniereinheit 153 zu einem der vier Einspanntische CTA bis CTD an der Ladeposition in der Nähe der ersten Überführungseinheit 154a zu überführen. Es wird nun angenommen, dass der Wafer zum Einspanntisch CTA überführt und dann darauf gehalten wird.

[0056] Wie in FIG. 3 dargestellt, weist der Wafer W eine obere Fläche Wa und eine untere Fläche Wb auf und ein Schutzband T wird vorher an der unteren Fläche Wb des Wafers W angebracht. Der Wafer wird durch das Schutzband T auf der Haltefläche 510a des Einspanntischs CTA gehalten. Daraufhin wird die Drehplatte 6 in einem vorbestimmten Winkel (z.B. 90 Grad) gedreht, um den Wafer W zu der ersten Schleifposition unter der ersten Schleifeinheit 30 zu bewegen. Daraufhin wird der Einspanntisch CTA um die Drehachse 513 gedreht und die Spindel 300 wird um die Drehachse 300a gedreht, um dadurch die Schleifscheibe 304 zu drehen. Ferner wird die Schleifvorrichtungsvorschubeinheit 20 zum Vorschieben der ersten Schleifeinheit 30 betätigt, um die erste Schleifeinheit 30 in der - Z-Richtung vorzuschieben (zu senken) bis die Abrasivelemente 304b der Schleifscheibe 304, die gedreht wird, in Kontakt mit der oberen Fläche Wa des Wafers kommen. So wird die obere Fläche Wa des Wafers W durch die Abrasivelemente 304b grobgemahlen. Zu diesem Zeitpunkt kommen die Abrasivelemente 304b in den radialen Bereich der oberen Fläche Wa des Wafers W.

[0057] Obwohl nicht dargestellt, umfasst die Schleifvorrichtung 1 eine Dickenmesseinheit zum Messen der Dicke des Wafers W. Diese Dickenmesseinheit umfasst ein Halteflächenmessgerät zum Messen der Höhe der Haltefläche 510a und ein Wafermessgerät zum Messen der Höhe der oberen Fläche Wa des Wafers W, wobei die Dicke des Wafers W aus dem Unterschied zwischen der durch das Halteflächenmessgerät gemessenen Höhe und der durch das Wafermessgerät gemessenen Höhe gemessen wird. Dementsprechend wird, wenn die Dicke des Wafers W, wie oben gemessen, eine vorbestimmte Dicke wird, die erste Schleifeinheit 30 in der +Z-Richtung durch die Schleifvorrichtungsvorschubeinheit 20 gehoben, um das Grobschleifen abzuschließen.

[0058] Daraufhin wird die in der FIG. 1 dargestellte Drehplatte 6 noch weiter in einem vorbestimmten Winkel (z.B. 90 Grad) gedreht, um dadurch den Wafer W zur zweiten Schleifposition unter der zweiten Schleifeinheit 31 zu bewegen. Daraufhin wird der Einspanntisch CTA, wie in FIG. 3 dargestellt, um die Drehachse 513 gedreht und die Spindel 310 wird um die Drehachse 310a gedreht, um dadurch die Schleifscheibe 314 zu drehen. Ferner wird die Schleifvorrichtungsvorschubeinheit 20 zum Vorschieben der zweiten Schleifeinheit 31 betätigt, um die zweite Schleifeinheit 31 in der -Z-Richtung vorzuschieben (zu senken), bis die Abrasivelemente 314b der Schleifscheibe 314, die gedreht wird, in Kontakt mit der oberen Fläche Wa des schon grobgeschliffenen Wafers W kommen. So wird die obere Fläche Wa des grobgeschliffenen Wafers W noch weiter durch die Abrasivelemente 314b feingeschliffen. Wenn die Dicke des Wafers W eine vorbestimmte Dicke wird, wird die zweite Schleifeinheit 31 durch die Schleifvorrichtungsvorschubeinheit 20 in der +Z-Richtung gehoben, um das Feinschleifen abzuschließen.

[0059] Wie in der FIG. 4 gezeigt, sind drei Dickenmesseinheiten 320, 321 und 322 in der Nähe der zweiten Schleifeinheit 31 vorgesehen. Die Dickenmesseinheit 320 funktioniert zum Messen der Dicke eines mittleren Teils Wo des feingeschliffenen Wafers W. Die Dickenmesseinheit 322 funktioniert zum Messen der Dicke eines Randteils We des feingeschliffenen Wafers W. Die Dickenmesseinheit 321 funktioniert zum Messen der Dicke eines Zwischenteils Wm zwischen dem mittleren Teil Wo und dem Randteil We des feingeschliffenen Wafers W. Der Steuerteil 60 kann die Dicken, die durch die drei Dickenmesseinheiten 320, 321 und 322 gemessen worden sind, lesen. Als Modifikation kann eine einzige Dickenmesseinheit vorgesehen werden, um in der radialen Richtung des Wafers beweglich zu sein, so dass die Dicken des mittleren Teils Wo, des Zwischenteils Wm und des Randteils We des Wafers durch radiales Bewegen der einzigen Di-

ckenmesseinheit gemessen werden können.

[0060] Die FIG. 5A bis 5E stellen verschiedene abschnittweise Gestalten des Wafers im Zustand nach Ausführen des Feinschleifens dar. Das heißt, die FIG. 5A stellt einen Typ dicker Mitte dar, derart, dass die Dicke des mittleren Teils Wo stärker als diejenige des Randteils We ist. Die FIG. 5B stellt einen Typ dünner Mitte dar, derart, dass die Dicke des mittleren Teils Wo geringer als diejenige des Randteils We ist. Die FIG. 5C stellt einen Möwenflügeltyp dar, derart, dass die Dicke des Zwischenteils Wm stärker ist als diejenige des mittleren Teils Wo und diejenige des Randteils We. Die FIG. 5D stellt einen umgekehrten Möwenflügeltyp dar, derart, dass die Dicke des Zwischenteils Wm geringer ist als diejenige des mittleren Teils Wo und diejenige des Randteils We. Die FIG. 5E stellt einen gleichförmigen Typ dar derart, dass die Dicke des mittleren Teils Wo gleich derjenigen des Zwischenteils und derjenigen des Randteils We ist. durch Betätigen der in FIG. 4 dargestellten Dickenmesseinheiten 320, 321 und 322 zum Messen der Dicken des mittleren Teils Wo, des Zwischenteils Wm und des Randteils We ist es möglich, zu bestimmen, zu welchem der Typen, die in FIGS. 5A bis 5E dargestellt sind, die abschnittweise Gestalt des Wafers W gehören.

[0061] In der FIG. 4 ist die abschnittweise Gestalt des Wafers W vom gleichförmigen Typ, wie durch eine durchgezogene Linie dargestellt ist. Jedoch wird der mittlere Teil des Wafers W stärker durch die Poliereinheit 4 poliert. Dementsprechend ist, um eine abschnittweise Gestalt des Wafers im Zustand nach dem Polieren zu einem gleichförmigen Typ zu machen, eine ideale abschnittweise Gestalt des Wafers W im Zustand nach Abschließen des Feinschleitens vom Typ dicker Mitte, wie in FIG. 4 durch eine Phantomlinie dargestellt ist.

3. Polierschritt

[0062] Nach Abschließen des Feinschleifens wird die Drehscheibe 6 in einem vorbestimmten Winkel (z.B. 90 Grad) noch weitergedreht, um dadurch den Wafer W zur Polierposition unter der Poliereinheit 4 zu bewegen. Daraufhin wird der Einspanntisch CTA gedreht und die Spindel 40 wird gedreht, um dadurch das Polierkissen 43 zu drehen. Ferner wird die Poliervorrichtungsvorschubeinheit 25 betätigt, um die Poliereinheit 4 in der -Z-Richtung vorzuschieben (zu senken), bis das Polierkissen 43, das gedreht wird, mit der oberen Fläche Wa des feingeschliffenen Wafers W in Kontakt kommt. Dementsprechend wird die obere Fläche Wa des Wafers W durch das Polierkissen 43 poliert. Wenn die Dicke des oben polierten Wafers W zu einer vorbestimmten Dicke wird, wird die Poliereinheit 4 in der + Z-Richtung durch die Poliervorrichtungvorschubeinheit 25 gehoben, um das Polieren abzuschließen.

[0063] Nach Abschließen des Polierens wird der so polierte Wafer W gehalten und durch die zweite Überführungseinheit 154b vom Einspanntisch CTA abgeladen und dann durch die zweite Überführungseinheit 154b zur Reinigungseinheit 156 überführt. Daraufhin wird der Wafer W durch die Reinigungseinheit 156 gereinigt und als nächstes durch den Roboter 155 von der Reinigungseinheit 156 zu der zweiten Kassette 151a überführt. Schließlich wird der Wafer W durch den Roboter 155 in der zweiten Kassette 151a gespeichert.

4. Festsetzen der Bearbeitungsbedingungen im Vorbereitungsschritt

[0064] Zum Festsetzen der Bearbeitungsbedingungen für das Feinschleifen im Vorbereitungsschritt wird ein in FIG. 6 dargestellter Zustandfestsetzscreen 100 auf dem interaktiven Bedienfeld 70 aufgezeigt. Der Zustandfestsetzscreen 100 weist ein Anzeigefeld 110 der gespeicherten Position der Feineinstellungswelle, ein Eingabefeld 120 der Wafergestalteinstellungsmenge für das Schleifen Z2 und ein Positionsspeicherfeld 130 auf. Im Zustandfestsetzscreen 100 bedeutet das Symbol Z2 die zweite in FIG. 1 dargestellte Schleifeinheit 31.

[0065] Wie in FIG. 7 dargestellt, befinden sich die beiden beweglichen Stützteile 52 und 53 und der fixierte Stützteil 54 an drei Stellen, die auf einem Kreis liegen, der dem äußeren Umfang jedes der vier Einspanntische CTA bis CTD entspricht, derart, dass diese drei Stellen ein gleichseitiges Dreieck bilden, das einen Schwerpunkt aufweist, der mit dem Mittelpunkt der Haltefläche 510a, von oben betrachtet, zusammenfällt. Das heißt, die beiden beweglichen Stützteile 52 und 53 und der fixierte Stützteil 54 sind zwischen jedem Einspanntisch und dem in FIG. 2 dargestellten inter-

nen Fußstück 55 an den drei Positionen direkt unterhalb der Scheitelpunkte des obigen gleichseitigen Dreiecks vorgesehen. Auf dem in FIG 6 dargestellten Zustandfestsetzscreen 100 bedeutet „L-Welle“ die Feineinstellungswelle 521 des beweglichen Stützteils 52 und „R- Welle“ bedeutet die Feineinstellungswelle 531 des beweglichen Stützteils 53. Wie in FIG. 7 gezeigt, fällt die Mitte des Kreises, der durch die L-Welle, die R-Welle und die fixierte Welle 541 des fixierten Stützteils 54 hindurchgeht, mit der Mitte O der Haltefläche 510a jedes der Einspanntische CTA bis CTD zusammen. Das Bezugssymbol D in der FIG. 7 zeigt den Durchmesser der Haltefläche 510a an. Die fixierte Welle 541, die Feineinstellungswelle 521 und die Feineinstellungswelle 531 sind in gleichen Abständen an den drei Positionen direkt unterhalb des äußeren Umfangs der Haltefläche 510a angeordnet.

[0066] Der Wafer W weist einen kleineren Durchmesser als die Haltefläche 510a auf. In der FIG. 7 zeigt das Bezugssymbol R den Radius des Wafers W an. Ferner zeigt das Bezugssymbol r den Radius des ringförmigen Rings, der durch die mehreren Abrasivelemente 314b gebildet wird, die zum Ausführen des Feinschleifens im Schleifschritt benutzt werden sollen an. Da jedes Abrasivelement 314b eine Breite aufweist, bedeutet der Radius r des ringförmigen Rings den Radius eines Kreises, der durch die Mitte der Breite jedes Abrasivelements 314b hindurchgeht.

[0067] Wie in der FIG. 2 gezeigt, ist die Haltefläche 510a eine kegelförmige Fläche und die Abrasivelemente 314b kommen mit der oberen Fläche Wa des Wafers W in einem Schleifbereich WR als radialem Bereich des in der FIG. 7 gezeigten Wafers W in Kontakt. Dieser Schleifbereich WR erstreckt sich von der Mitte O der Haltefläche 510a auf die fixierte Welle 541 zu. Ferner ist der Abstand von der Mitte O zum Zwischenteil Wm des Schleifbereichs WR gleich der Hälfte (R/2) des Radius R des Wafers W.

[0068] Auf dem in der FIG. 6 gezeigten Zustandfestsetzscreen 100 stellt das Anzeigefeld der gespeicherten Position der Feineinstellungswelle 110 die vorliegenden Z-Positionen der Feineinstellungswelle 521 und 531 der beiden beweglichen Stützteile 52 und 53 der neigungseinstellenden Einheit 56, die in FIG. 2 dargestellt ist, das heißt, die vorliegenden Z-Position der in der FIG 7 gezeigten L-Welle und der R-Welle dar. Im Anzeigefeld 110 der gespeicherten Position der Feineinstellungswelle bedeutet „CTA” den Einspanntisch CTA, „CTB” bedeutet den Einspanntisch CTB, „CTC” bedeutet den Einspanntisch CTC und „CTD” bedeutet den Einspanntisch CTD. Ferner stellt in dem Anzeigefeld 110 der Wert für die L-Welle in jedem der Einspanntische CTA bis CTD den Abstand zwischen dem Ursprungssensor 523b und dem oberen Ende der Feineinstellungswelle 521 des in der FIG. 2 dargestellten beweglichen Stützteils 52 dar. Auf ähnliche Weise stellt der Wert für die R-Welle in jedem der Einspanntische CTA bis CTD den Abstand zwischen dem Ursprungssensor 533b und dem oberen Ende der Feineinstellungswelle 531 des in der FIG. 2 dargestellten beweglichen Stützteils dar. In dem Anzeigefeld 110 bedeutet das Minuszeichen für jeden Wert, dass das obere Ende der Feineinstellungswelle 521 oder 531 bezüglich des Niveaus niedriger liegt als der Ursprungssensor 523b oder 533b.

[0069] Auf dem in der FIG. 6 dargestellten Zustandfestsetzscreen 100 umfasst die Wafergestalteinstellungsmenge im Z2-Schleifeingabefeld 121 ein Eingabefeld der vorliegenden Gestalt 121, ein Zielgestalteingabefeld 122 und ein Anzeigefeld 123 der Veränderungsmenge der Feineinstellungswelle 123.

[0070] Das Eingabefeld der vorliegenden Gestalt 121 ist ein Feld für das Eingeben von Informationen (Daten) bezüglich der tatsächlichen abschnittweisen Gestalt des Wafers W, wie nach Ausführen von Testfeinschleifen unter Anwendung der zweiten Schleifeinheit 31 gemessen. In das Eingabefeld der vorliegenden Gestalt 121 werden die durch die drei Dickenmesseinheiten 320, 321 und 322 gemessenen und in der FIG. 4 dargestellten Dicken eingegeben. Der Wert für „Höhe der Mitte (Bezugswert)” ist ein durch die Dickenmesseinheit 320 gemessener Wert, der Wert für „R/2-Höhe” ist ein durch die Dickenmesseinheit 321 gemessener Wert und der Wert für „R-Höhe” ist ein durch die Dickenmesseinheit 322 gemessener Wert. Das Eingabefeld der vorliegenden Gestalt 121 funktioniert als Eingabeteil 121 zum Eingeben der vorliegenden abschnittweisen Gestalt des Wafers wie in FIG. 1 dargestellt.

[0071] Das Zielgestalteingabefeld 122 ist ein Feld zum Eingeben von Informationen (Daten) be-

züglich der abschnittweisen Zielgestalt des Wafers W im Zustand nach Ausführen des Polierens durch die Poliereinheit 4. Im Zielgestalteingabefeld 122 ist der Wert für die „Höhe der Mitte (Bezugswert)” der Zielwert für die Höhe des mittleren Teils Wo des Wafers W, der Wert für „R/2Höhe” ist ein Zielwert für die Höhe des Zwischenteils des Wafers W und der Wert für „R-Höhe” ist ein Zielwert für die Höhe des Randteils We des Wafers W. Das Zielgestalteingabefeld 122 funktioniert als Festsetzteil 122 für das Eingeben der abschnittweisen Zielgestalt des Wafers W und das Festsetzen derselben wie in FIG. 1 dargestellt.

[0072] Der Eingabeteil 121 und der Festsetzteil 122 werde zum Eingeben und Festsetzen der Werte jedesmal verwendet, wenn die Bearbeitungsbedingungen zum Bearbeiten des Wafers W festgesetzt werden. Anders ausgedrückt werden Informationen (Daten) bezüglich der abschnittweisen Gestalt des Wafers W in das Eingabefeld der vorliegenden Gestalt 121 und das Zielgestalteingabefeld 122 jedesmal eingegeben, wenn die Bearbeitungsbedingungen zum Bearbeiten des Wafers W festgesetzt werden.

[0073] Das Anzeigefeld 132 der Veränderungsmenge der Feineinstellungswelle, die bei einer unteren Position im Eingabefeld 120 der Wafergestalteinstellungsmenge beim Z2-Schleifen gezeigt ist, ist ein Feld zum Anzeigen der Einstellungsmenge für die Höhe jeder von der L-Welle als Feineinstellungswelle 521 und der R-Welle als Feineinstellungswelle 531, um die abschnittweise Zielgestalt des Wafers W zu erhalten. Die Werte im Anzeigefeld 123 werden durch den Steuerteil 60 den Werten im Eingabefeld der vorliegenden Gestalt 121 und dem Zielgestalteingabefeld 122 entsprechend berechnet. Im Falle des Aufwärtsverschiebens der L-Welle und der R-Welle wird ein Pluszeichen den Werten angefügt, während im Falle des Abwärtsverschiebens der L-Welle und der R-Welle ein Minuszeichen den Werten angefügt wird.

[0074] Das Positionsspeicherfeld 130 umfasst einen Auswählteil 131 zur Verwendung beim WÄählen eines der vier Einspanntische CTA bis CTD und Anwenden der Einstellmengen für die L-Welle und die R Welle, die im Anzeigefeld 123 angezeigt sind, auf diesen gewählten Einspanntisch. Das Positionsspeicherfeld 130 umfasst ferner eine Speichertaste 132, die geeignet ist, von der Bedienungsperson beim Speichern der Einstellmengen berührt zu werden. Im Auswählteil 131 ist ein Feld des „Gegenstands CT” geeignet, von der Bedienungsperson berührt zu werden, wodurch ein Aktionsmenü angezeigt wird. Dementsprechend kann die Bedienungsperson irgendeinen der Einspanntische CTA bis CTD aus dem Aktionsmenü wählen. In FIG. 6 ist „CTA” im Auswählteil 131 als Beispiel ausgewählt.

[0075] Der Steuerteil 60, der in FIG. 1 dargestellt ist, liest die Informationen (Daten) bezüglich der abschnittweisen Zielgestalt des Wafers W, wie im Festsetzteil 122 festgesetzt, und die Informationen (Daten) bezüglich der vorliegenden abschnittweisen Gestalt des Wafers W, wie in den Eingabeteil 121 eingegeben, ab. Daraufhin steuert der Steuerteil 60 die beweglichen Stützteile 52 und 53, um die abschnittweise Zielgestalt des Wafers W, wie im Festsetzteil 122 im Zustand nach Ausführen des Polierens festgesetzt, den Werten für die Höhe der Mitte (Bezugswert) im mittleren Teil Wo, der R/2-Höhe am Zwischenteil WM und der R-Höhe am Ranadteil We, wie In den Eingabeteil 121 eingegeben, und den Werten für die Höhe der Mitte (Bezugswert), die R/2Höhe und die R-Höhe, wie im Festsetzteil 122 festgesetzt, entsprechend zu erhalten.

[0076] Der Zustandfestsetzscreen 100, der in FIG. 6 dargestellt ist, ist ein anfänglicher Screen. Dementsprechend sind im Anzeigefeld 110 der gespeicherten Position der Feineinstellungswelle die vorliegenden Positionen der L-Welle und der R Welle in jedem der Einspanntische CTA bis CTD angezeigt. Andererseits sind im Eingabefeld 120 der Wafergestalteinstellungsmenge beim Z2-Schleifen alle der Werte 0. Unter dieser Bedingung gibt die Bedienungsperson die Werte, die für die Höhe der Mitte (Bezugswert), die R/2-Höhe und die R-Höhe im Zustand nach Ausführen des Testfeinschleifens gemessen worden sind, in das Eingabefeld 121 der vorliegenden Gestalt im Eingabefeld 120 der Wafergestalteinstellungsmenge beim Z2-Schleifen ein, wodurch ein in der FIG. 8 dargestellter Zustandfestsetzscreen 100a erhalten wird. Im Eingabefeld 121 der vorliegenden Gestalt in dem in FIG. 8 dargestellten Zustandfestsetzscreen 100a beträgt der Wert für die Höhe der Mitte (Bezugswert) 0 und Werte für die R/2-Höhe und die R-Höhe sind relative Werte mit Bezug auf den Wert für die Höhe der Mitte (Bezugswert). Die Höhe der Mitte (Bezugswert) ist

die Höhe des mittleren Teils Wo, die R/2-Höhe ist die Höhe des Zwischenteils Wm und die RHöhe ist die Höhe des Randteils We. Im Eingabefeld der vorliegenden Gestalt 121 sind in dem in FIG. 8 gezeigten Beispiel ein Wert von 0,00 um für die Höhe der Mitte (Bezugswert), ein Wert von 0,50 um für die R/2-Höhe und ein Wert von 1,00 um für die R-Höhe als an dem Wafer W im Zustand nach Ausführen des Testfeinschleifens gemessene Werte eingegeben. Das heißt, der Wafer W, der durch Ausführen des Testfeinschleifens erhalten worden ist, ist vom Typ dicker Mitte. Jedoch ist die abschnittweise Zielgestalt des Wafers W im Zustand nach Ausführen des Polierens eine gleichförmige abschnittweise Gestalt, derart, dass die Dicke des Wafers W gleichförmig ist. Dementsprechend beträgt in dem in FIG. 8 dargestellten Zielgestalteingabefeld 122 der Wert für die Höhe der Mitte (Bezugswert) 0, der Wert für die R/2-Höhe beträgt 0 und der Werte für die R-Höhe beträgt 0.

[0077] Nachdem die vorliegende Gestalt und die Zielgestalt wie oben erwähnt eingegeben worden sind, vergleicht der Steuerteil 60 die abschnittweise Zielgestalt des Wafers W, wie in den Festsetzteil 122 eingegeben, mit der vorliegenden abschnittweisen Gestalt des Wafers W, wie in den Eingabeteil 121 eingegeben, und zeigt dann die Werte der vorliegenden Gestalt und der Zielgestalt entsprechend in dem Anzeigefeld 123 der Veränderungsmenge der Feineinstellungswelle. Daraufhin steuert der Steuerteil 60 die neigungseinstellende Einheit 56, um die Neigung der Drehachse 513 so zu ändern, dass der Wafer geschliffen werden kann, um die abschnittweise Zielgestalt zu erhalten. Die Abwicklung für diese Steuerung wird nun in weiteren Einzelheiten beschrieben.

[0078] Als Beispiel veranschaulicht die Tabelle 1 bezüglich des Einspanntischs CTA einen momentanen Wert für der Abstand von dem Ursprungssensor 523b zum oberen Ende der Feineinstellungswelle 521 (L-Welle) in der Z-Richtung und einen momentanen Wert für der Abstand vom Ursprungssensor 533b zum oberen Ende der Feineinstellungswelle 531 (R-Welle) in der Z-Richtung. Ferner ist in der Tabelle 1 auch ein momentaner Wert für den Abstand um die fixierte Welle 541 ebenfalls dargestellt. Ferner ist ein Zielwert, der jedem momentanen Wert entspricht, ebenfalls in der Tabelle 1 dargestellt. Die relative Z-Position der Feineinstellungswelle 521 (L-Welle) mit Bezug auf den Ursprungssensor 523b und die relative Z-Position der Feineinstellungswelle 531 (R-Welle) mit Bezug auf den Ursprungssensor 533b sind im Anzeigefeld 110 der gespeicherten Position der Feineinstellungswelle angezeigt.

0079] (Tabelle 1) Vorliegende Z-

Welle Position Ziel-Z-Position [um] [um]

Fixierte

Welle 0,60 (ZF0) 0 (ZF1)

L-Welle -0,32 (ZLO) 0 (ZL1)

R-Welle -0,28 (ZRO) 0 (ZR1)

[0080] Der Steuerteil 60 liest die im Festsetzteil 122 festgesetzten Werte ab. Dann berechnet der Steuerteil 60 eine Veränderungsmenge ML für die L-Welle in der Z-Richtung aus der Gleichung (1) zum Einstellen der Z-Position der L-Welle.

ML = (ZLO - ZF0) - (ZL1 - ZF1) --- Gleichung (1)

= (-0,32 - 0,60) - (0 - 0)

= -0,92

[0081] Auf ähnliche Weise berechnet der Steuerteil 60 eine Veränderungsmenge MR für die RWelle in der Z-Richtung aus der Gleichung (2), um die Z-Position des R-Welle einzustellen.

MR = (ZRO - ZF0O) - (ZR1 - ZF1) --- Gleichung (2)

= (-0,28 - 0, 60) - (0 - 0)

= -0,88

[0082] Als nächstes zeigt der Steuerteil 60 die oben für ML und MR berechneten Werte im Anzeigefeld 123 der Veränderungsmenge der Feineinstellungswelle des in der FIG. 8 dargestellten Zustandfestsetzscreens 100a an.

[0083] Daraufhin wird, wie auf einem Zustandfestsetzscreen 100b in FIG. 9 gezeigt, die Taste „Gegenstand CT” im Auswählteil 131 von der Bedienungsperson berührt, um ein Aktionsmenü 131a anzuzeigen. Dann wird „CTA” im Aktionsmenü 131a durch die Bedienungsperson berührt, um den Einspanntisch CTA zu wählen. Daraufhin wird die Speichertaste 132 durch die Bedienungsperson berührt, um die Veränderungsmengen der Feineinstellungswelle für die L-Welle und die R-Welle im Einspanntisch CTA zu speichern.

[0084] Daraufhin treibt der Steuerteil 60 die Motoren 520 und 530, der in der FIG. 2 dargestellten beweglichen Stützteile 52 und 53 an, um dadurch die Feineinstellungswelle 521 (L-Welle) und die Feineinstellungswelle 531 (R-Welle) um die oben erhaltenen Veränderungsmengen zu bewegen. Daraufhin fügt der Steuerteil 60 die Werte, die die vorliegenden Positionen der L-Welle und der R Welle anzeigen, zu den oben berechneten Werten der Veränderungsmenge der Feineinstellungswelle hinzu. Das heißt, der Steuerteil 60 führt die folgenden Berechnungen aus.

-0,32 + (-0,92) = -1,24

-0,28 + (-0,88) = -1,16

[0085] Der Steuerteil 60 zeigt die Ergebnisse dieser Berechnung in den Feldern der L-Welle und der R-Welle für CTA im Anzeigefeld 110 der gespeicherten Position der Feineinstellungswelle, wie auf einem Zustandfestsetzscreen 100c in FIG. 10 dargestellt ist, an. Ferner werden die Werte für die Veränderungsmenge im Anzeigefeld 123 der Veränderungsmenge der Feineinstellungswelle auf 0 zurückgesetzt.

[0086] Auch wird für die anderen Einspanntische CTB, CTC und CTD ein Zielwert eingegeben und die Einstellungswerte für die L-Welle und die R-Welle in jedem Einspanntisch werden auf ähnliche Weise berechnet. Die für die Einstellungsmenge berechneten Werte werden gespeichert und die Höhen der L-Welle und der R-Welle werden in der Tat durch die beweglichen Stützteile 52 und 53 in der Halteeinheit 51 für jeden Einspanntisch eingestellt. Dann werden die eingestellten Werte für die Höhe in dem Anzeigefeld 110 der gespeicherten Position der Feineinstellungswelle, wie in FIG. 10 gezeigt, angezeigt.

[0087] Auf diese Weise wird die Höhe jedes der Einspanntische CTA bis CTD eingestellt, um dadurch die Neigung der Drehachse 513 in jeder Halteeinheit 51 zu ändern. Daraufhin wird in dem Zustand, in dem die Neigung der Drehachse 513 geändert worden ist, der Polierschritt ausgeführt. Dementsprechend kann der Wafer W poliert werden, um eine gleichförmige Dicke zu erhalten.

[0088] Jedoch ist es schwierig, die Dicke des Wafers W durch einmaliges Ausführen dieses Einstellens gleichförmig zu machen. In dem Fall, in dem das Feinschleifen unter den eingestellten Bedingungen ausgeführt wird und die abschnittweise Gestalt des Wafers W im Zustand nach Ausführen des Feinschleifens nicht die Werte annimmt, die in das Eingabefeld der vorliegenden Gestalt eingegeben worden sind, werden die Veränderungsmengen der Feineinstellungswellen 521 und 531 wieder eingestellt. Daraufhin werden das Feinschleifen und Polieren nochmals ausgeführt. Durch Wiederholen eines derartigen Arbeitsablaufs kann die Dicke des Wafers W gleichförmig gemacht werden.

[0089] Wie oben beschrieben wird die abschnittweise Gestalt des Wafers W im Zustand nach Ausführen des Feinschleifens auf einen Typ dicker Mitte festgelegt. Daraufhin wird die obere Fläche Wa des Wafers W durch Benutzen der Poliereinheit 4 poliert, sodass die Dicke des Wafers gleichförmig gemacht werden kann.

[0090] Als Modifikation kann die abschnittweise Zielgestalt des Wafers den Einspanntischen entsprechend unterschiedlich gemacht werden. Ferner können, während die vier Halteeinheiten 51 in dieser bevorzugten Ausführungsform vorgesehen sind, eine oder mehrere Halteeinheiten bei der vorliegenden Erfindung vorgesehen werden.

[0091] Ferner kann, während die Schleifvorrichtung 1 in dieser bevorzugten Ausführungsform die Poliereinheit 4 umfasst, die Schleifvorrichtung der vorliegenden Erfindung entsprechend eventuell keine Poliereinheit umfassen. Ferner kann die Schleifvorrichtung der vorliegenden Erfindung entsprechend eine einzige Schleifvorrichtung umfassen.

[0092] Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die beiliegenden Ansprüche definiert und alle Anderungen und Modifikationen, wie sie innerhalb der Aquivalenz des Umfangs der Ansprüche fallen, sind daher in der Erfindung einzuschließen.

Claims

Patentansprüche

1. Schleifvorrichtung (1) umfassend:

eine Halteeinheit (51), die einen Einspanntisch (CTA-CTD) umfasst, der eine Haltefläche (510a) zum Halten eines Wafers (W) aufweist, wobei der Einspanntisch (CTA-CTD) um eine Drehachse (513) drehbar ist, die durch die Mitte (O) der Haltefläche (510a) hindurchgeht;

eine Schleifeinheit (30), die eine Spindel (300), die eine Drehachse (300a) aufweist, und eine Schleifscheibe (304) umfasst, die an einem unteren Ende der Spindel (300) montiert ist, wobei die Schleifscheibe (304) eine Mehrzahl von Abrasivelementen (304b) aufweist, die ringförmig angeordnet sind, wobei, wenn die Spindel (300) gedreht wird, um dadurch die Schleifscheibe (304) zu drehen, der auf dem Einspanntisch (CTA-CTD) gehaltene Wafer (W) durch die Abrasivelemente (304b) der Schleifscheibe (304), die gedreht wird, geschliffen wird;

eine neigungseinstellende Einheit (56) zum Einstellen einer Neigung der Drehachse (513) des Einspanntischs (CTA-CTD) mit Bezug auf die Drehachse (300a) der Spindel (300); und

einen Steuerteil (60), wobei:

die Abrasivelemente (304b) geeignet sind, den Wafer (W) zu schleifen, der auf dem Einspanntisch (CTA-CTD) in einem Schleifbereich (WR) als radialem Bereich gehalten ist, der von der Mitte (O) der Haltefläche (510a) zu einem äußeren Umfang davon reicht,

dadurch gekennzeichnet, dass die Schleifvorrichtung (1) des Weiteren ein interaktives Bedienfeld (70) aufweist, welches geeignet ist, ein Zielgestalteingabefeld (122) zum Eingeben von Informationen bezüglich einer abschnittweisen Zielgestalt des Wafers (W) und ein Eingabefeld der vorliegenden Gestalt (121) zum Eingeben von Informationen bezüglich einer vorliegenden abschnittweisen Gestalt des Wafers (W), der unter einer Bedingung geschliffen wird, wobei die Neigung der Drehachse (513) des Einspanntischs (CTA-CTD) noch nicht geändert worden ist, anzuzeigen,

und dass der Steuerteil (60) eingerichtet ist zum Vergleichen der Informationen bezüglich der abschnittweisen Zielgestalt des Wafers (W), wie in das Zielgestalteingabefeld (122) eingegeben, mit den Informationen bezüglich der vorliegenden abschnittweisen Gestalt des Wafers (W), wie in das Eingabefeld der vorliegenden Gestalt (121) eingegeben, und dann Steuern der neigungseinstellenden Einheit (56), um die Neigung der Drehachse (513) des Einspanntischs (CTA-CTD) so zu verändern, dass der Wafer (W) geschliffen wird, um die abschnittweise Zielgestalt des Wafers (W) zu erhalten.

2. Schleifvorrichtung (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass:

die Halteeinheit (51) eine Mehrzahl von Halteeinheiten umfasst, die jeweils den Einspanntisch (CTA-CTD) aufweisen,

und die Schleifvorrichtung (1) ferner Folgendes umfasst:

eine Positioniereinheit (153) zum Bewegen einer der Mehrzahl von Halteeinheiten (51) zu einer Schleifposition, wo der Wafer (W) durch die Schleifeinheit (30) geschliffen wird, wobei:

das interaktive Bedienfeld (70) geeignet ist, ferner einen Auswählteil (131) zur Verwendung beim Wählen einer der Mehrzahl von Halteeinheiten (51) anzuzeigen, und

der Steuerteil (60) geeignet ist, die Neigung der Drehachse (513) des Einspanntischs (CTA-CTD) in der Halteeinheit (51), die durch Benutzen des Auswählteils (131) ausgewählt wird, zu ändern.

3. Schleifvorrichtung (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass:

Informationen bezüglich der abschnittweisen Gestalt des Wafers (W) in das Zielgestalteingabefeld (122) und das Eingabefeld der vorliegenden Gestalt (121) jedesmal eingegeben werden, wenn Bearbeitungsbedingungen beim Bearbeiten des Wafers (W) festgesetzt werden.

Hierzu 9 Blatt Zeichnungen