AT503849A1 - Verfahren zur herstellung photoaktiver schichten sowie bauelemente umfassend diese schichten - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 12
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- -1 Ga TI Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 claims description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 35
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 8
- 238000007144 microwave assisted synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 5
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 5
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- HVLLSGMXQDNUAL-UHFFFAOYSA-N triphenyl phosphite Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 HVLLSGMXQDNUAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001746 electroactive polymer Polymers 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 2
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZVHYFUVMQIGGM-UHFFFAOYSA-N 2-Hexylthiophene Chemical compound CCCCCCC1=CC=CS1 QZVHYFUVMQIGGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000873224 Capparaceae Species 0.000 description 1
- 235000017336 Capparis spinosa Nutrition 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005169 Debye-Scherrer Methods 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N Tetraethylene glycol, Natural products OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940057499 anhydrous zinc acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010415 colloidal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000011370 conductive nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000010327 methods by industry Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002979 perylenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920000264 poly(3',7'-dimethyloctyloxy phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000012982 x-ray structure analysis Methods 0.000 description 1
- DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L zinc acetate Chemical compound [Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung photoaktiver Schichten umfassend anorganische Halbleiterpartikel sowie organische Halbleiterverbindungen sowie Bauelemente umfassend diese Schicht(en).
Photoaktive Schichten sind funktionell wesentliche Bestandteile photoaktiver Elemente, wie Solarzellen oder Photodetektoren. Die in den photoaktiven Schichten integrierten Nanopartikel beeinflussen dabei ganz wesentlich den Wirkungsgrad der photoaktiven Elemente.
Die Erfindung besitzt vor allem auf dem Gebiet der anorganischorganischen Hybridsolarzellen Bedeutung. Der Aufbau solcher Hybridsolarzellen kann anhand der Abbildungen 1 bis 4 wie folgt beschrieben werden:
Die photovoltaische Zelle besteht aus einem lichtdurchlässigen Träger 1, welcher vorzugsweise aus Glas oder aus einem Polymer wie Polyethylenterephthalat(PET) besteht. Auf dem Träger wird eine transparente Elektrodenschicht 2 aus einem leitfähigen Oxid, beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO), einem transparenten, leitfähigen Polymer oder einem anderen transparenten Material mit hoher Leitfähigkeit aufgebracht. Diese Elektrodenschicht weist im Allgemeinen eine vergleichsweise rauhe Oberflächenstruktur auf, so dass sie gegebenenfalls mit einer Glättungsschicht 3 aus einem durch eine Dotierung elektrisch leitfähig gemachten Polymer, üblicherweise PEDOT:PSS (Polyethylendioxythiophen:Polystyrensulfonat), abgedeckt wird. Auf die Glättungsschicht 3 kann direkt eine photoaktive Schicht 4 bestehend aus Halbleiterpartikeln und einer organischen Halbleitermatrix mit einer Schichtdicke, je nach Auftragungsverfahren, von beispielsweise 100 nm bis einige Mikrometer aufgetragen werden.
Bezüglich der photoaktiven Schicht in solchen Solarzellen stehen, wie in der Literatur, siehe beispielsweise C. J. Brabec, N. S. Sariciftci, J. C. Hummelen, Adv. Funct. Mater. 11 (2001) 15-26) beschrieben, zwei Konzepte zur Verfügung, nämlich das bulk heterojunction Konzept, siehe Abbildung 1: schematische Darstellung sowie Abbildung 3: Schema ohne PEDOT:PSS (Polyethylendioxythiophen:Polystyrensulfonat) und das bilayer heterojunction Konzept, siehe Abbildung 2: Schema sowie Abbildung 4: Schema ohne PEDOTrPSS. Im Falle des bulk heterojunction Konzeptes besteht die photoaktive Schicht aus einer Mischung eines elektroaktiven Polymers und Halbleiterpartikeln oder aus niedermolekularen elektroaktiven Molekülen und Halbleiterpartikeln 4. Beim bilayer heterojunction Konzept besteht die photoaktive Schicht aus einer elektroaktiven organischen Schicht 6 und einer darüber
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• ··· • · • · t ^ # ··· • · · · · liegenden anorganischen Halbleiterschicht 7. Prinzipiell können beide Systeme auch miteinander kombiniert werden.
Die Herstellung der Hybridsolarzellen wird mit dem Aufbringen von
Metallelektroden abgeschlossen Häufig verwendete
Elektrodenmaterialien sind Silber, Aluminium, Gold oder eine Kombination aus Calcium und Aluminium, Calcium und Gold, Magnesium und Gold.
Die Funktion von Halbleiterpartikeln in Hybridsolarzellen ist in der Literatur, siehe E. Arici, N. S. Sariciftci, D. Meissner, Adv. Funct. Mater. 13 (2003) 165-171) am Beispiel von CuInS2-Nanopartikeln beschrieben. Die Nanopartikel erhöhen hier die Effizienz von Polymersolarzellen, indem sie eine Rekombination der generierten Ladungsträger verhindern und den Transport der negativen Ladungsträger zu den Elektroden durchführen.
Die Verwendung weiterer Halbleiterpartikel ist aus der Literatur bekannt. Einige sind im folgenden beispielhaft erwähnt: So beschreiben W. ü. Huynh, J. J. Dittmer, A. P. Alivisatos in Science 2002, 295, 2425 die Verwendung von CdSe-Nanopartikeln, N. C. Greenham, X. Peng, A. P. Alivisatos in Physical Review B 1996, 54, 17628 die Verwendung von CdS-Nanopartikeln, W. J. E. Beek, Μ. M. Wienk, R. A. J. Janssen in Advanced Materials 2004, 16, 1009 die Verwendung von ZnO-Nanopartikeln und K. M. Coakley, Y. X. Liu, C. Goh, M. D. McGehee in Mrs Bulletin 2005, 30, 37 die Verwendung von Ti02-Nanopartikeln.
Die für die Herstellung notwendigen anorganischen Halbleiter-nanopartikel können mit den verschiedensten Methoden hergestellt werden. Derartige Methoden sind beispielsweise kolloidale Synthesen, solvothermale Synthesen (Hochdrucksynthesen im Autoklaven), Gasphasenreaktionen (Chemical Vapor Synthesis), sowie elektrochemische Herstellungsmethoden.
Viele bekannte Verfahren zur Herstellung von halbleitenden Nanopartikeln sind jedoch aus verfahrenstechnischer Sicht relativ aufwändig. Einerseits werden für viele kolloidale Synthesen und Gasphasenreaktionen oft komplexe Precursormaterialien verwendet und andererseits sind solvothermale Synthesen sehr zeitaufwändig und erfordern aufgrund der hohen notwendigen Drücke speziell dafür ausgelegte Reaktoren.Hier will die Erfindung Abhilfe schaffen.
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren der eingangs genannten Art vorgeschlagen, welches dadurch gekennzeichnet ist, dass anorganische Halbleiterpartikel unter Mikrowellenstrahlung synthetisiert werden, aus welchen in Kombination mit organischen Halbleiterverbindungen photoaktive Schichten gebildet werden.
Werden diese photoaktiven Schichten bei Solarzellen nach dem bulk heterojunction Prinzip eingesetzt, so besteht die Möglichkeit das gesamte für die photoaktive Schicht notwendige Material (Nanocomposit-Material) unter Mikrowelleneinstrahlung herzustellen, indem die Halbleiterpartikel unter Mikrowelleneinstrahlung direkt in einer Lösung des elektroaktiven Polymers bzw. von elektroaktiven niedermolekularen Molekülen erzeugt werden. Diese Polymer-
Halbleiterpartikellösung kann dann direkt ohne weiteren Verfahrensschritt für die Herstellung der aktiven Schicht einer Hybridsolarzelle eingesetzt werden. Weiters besteht der Vorteil, dass die Konzentrationsverhältnisse zwischen Polymer und Nanopartikelanteil im Nanocomposit-Material beliebig variiert werden können.
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind gemäß Unteransprüche offenbart. Die Erfindung betrifft weiters Bauelemente wie Solarzellen oder Photodetektoren umfassend die erfindungsgemäß hergestellten photoaktiven Schichten. Die Vorteile des erfindungsgemäßen
Verfahrens liegen in einer deutlichen Vereinfachung bei der
Herstellung der Halbleiterpartikel, insbesondere von
Halbleiterpartikeln, die einen Durchmesser von nur einigen Nanometern aufweisen. Es handelt sich' hierbei um ein sehr einfaches und kostengünstiges Verfahren, da durch den Einsatz von Mikrowellenstrahlung die Reaktionszeit stark verkürzt werden kann und auch kostengünstige Ausgangsverbindungen eingesetzt werden können. In manchen Fällen kann man die Nanopartikelsynthesen ausgehend von den jeweiligen Elementen und einfachen Metallsalzen durchführen. Im Gegensatz dazu müssen für viele kolloidale Nanopartikelsynthesen teure und schwer handhabbare Metallkomplexe mit organischen Liganden eingesetzt werden. Ein Beispiel für Nanopartikelsynthesen ausgehend von metallorganischen Precursorverbindungen sind die Synthesen für Cd-hältige Nanopartikel wie CdS, CdSe und CdTe, siehe: C.B. Murray, D.J. Norris, M.G. Bawendi, J. Am. Chem. Soc. 115 (1993) 8706).
Die über mikrowellenunterstützte Synthese hergestellten halbleitenden Nanopartikel, die in den erfindungsgemäßen, photoaktiven Schichten vorliegen, sind mindestens einmal vor oder bei der Herstellung der Schicht einer Mikrowellenstrahlung ausgesetzt worden. Die Mikrowellenstrahlung ist dabei durch eine Wellenlänge von 1 m bis 1 mm und einem Frequenzbereich zwischen 0,3 GHz und 300 GHz charakterisiert.
Die über mikrowellenunterstützte Synthese hergestellten • · · • ··· · • · · · • · · ·
• · • 9 9 ·99 9 9 • · • · • · halbleitenden Nanopartikel können in der photoaktiven Schicht als Einzelpartikel, als Agglomerate von Einzelpartikeln oder als percolierende Netzwerke von Einzelpartikeln bzw. Partikelagglomeraten vorliegen.
Die Halbleiterpartikel können über mikrowellenunterstützte Synthesemethoden mit stabilisierenden organischen Cappern, aber auch ohne Capper hergestellt werden. Als Capper werden oberflächenaktive Stoffe bezeichnet, die als Stabilisatoren für die Nanopartikel wirken. Der große Vorteil der Synthese ohne Capper ist, dass die Partikeloberflächen nicht mit meist isolierenden organischen Schichten umgeben sind, wodurch zufriedenstellende Ergebnisse bei Verwendung der photoaktiven Schicht in einer Solarzelle erzielt werden können.
Wichtige und interessante halbleitende Partikel für die Herstellung von Hybridsolarzellen sind chalkogenidische Partikel. Das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung von Hybridsolarzellen bezieht sich daher in erster Linie auf die Verwendung von chalkogenidischen Halbleiterpartikeln der Art: ABX2, AB5X9, AB5X8, CX, D2X3 und ähnlichen, wobei: A = Cu, Ag, Zn, Cd; B = In, Ga, Al; C = Cu, Ag, Zn, Cd, Pb, Hg, Eu, Tm, Yb; D = Al, In, Ga TI, Y, La, B; X = S, Se, Te;
Als weitere Komponente in der photoaktiven Schicht werden erfindungsgemäß organische Halbleiterpolymere eingesetzte. Darunter versteht man Polymere, die ein konjugiertes π-Elektronensystem aufweisen, wie trans-Polyacetylen, Polypyrrol, Polythiophen, Polyanilin, Poly-p-phenylenvinylene, Poly-p-phenylene, Polyfluorene, polyaromatische Amine, Poly(thienylen-vinylene) und deren Derivate.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen sowie anhand der Abbildungen 1 bis 10 näher erläutert. Dabei zeigt Abbildung 1 das Schema des Aufbaus einer Hybridsolarzelle nach dem bulk heterojunction-Prinzip, Abbildung 2 das Schema des Aufbaus einer Hybridsolarzelle nach dem bilayer heterojunction-Prinzip,
Abbildung 3 das Schema des Aufbaus einer Hybridsolarzell£ nach dem bulk heterojunction ohne PEDOT:PSS, Abbildung 4 das Schema des Aufbaus einer Hybridsolarzelle nach dem bilayer heterojunction Prinzip ohne PEDOT: PSS,
Abbildung 5 die Strom/Spannungs-Kennlinie einer bulk heterojunction Solarzelle mit MEH-PPV (Poly[2-methoxy-5-(2-ethyloxy)-p-phenylvinylen]) und CuInS2-Nanopartikeln aus einer mikrowellenunterstützten Synthese in Dichlormethan, Abbildung 6 die Strom/Spannungs-Kennlinie einer bulk heterojunction Solarzelle mit P3HT (Poly-3- «········
• · · · ··# ··· ··· · I • ·· ·· ·· · ^ * ··· *·♦····· · · hexylthiophen) und ZnS-Nanopartikeln aus einer mikrowellenunterstützten Synthese in Toluol/Pyridin, Abbildung 7 die Strom/Spannungs-Kennlinie einer bulk heterojunction Solarzelle mit MEH-PPV und CuInS2-Nanopartikeln aus einer mikrowellenunterstützten Synthese in Ethylendiamin, Abbildung 8 die Strom/Spannungs-Kennlinie einer bilayer heterojunction Solarzelle mit P3HT und CuInS2-Nanopartikeln aus einer mikrowellenunterstützten Synthese in Triethylenglycol/Pyridin, Abbildung 9 die Strom/Spannungs-Kennlinie einer bulk heterojunction Solarzelle mit MEH-PPV und CuInS2-Nanopartikeln aus einer mikrowellenunterstützten Synthese in Triethylenglycol/Pyridin sowie Abbildung 10 die XRD-Analyse (Röntgenstrukturanalyse) der nach Beispiel 2 hergestellten ZnS-Nanopartikel.
Beispiel 1:
Herstellung von Hybridsolarzellen mit CuInS2-Nanopartikeln hergstellt unter Mikrowelleneinstrahlung in Dichlormethan:
Die Synthese wird mit den Reaktanden Cul (1 äq), InCl3 (1 äq) und Thioacetamid (2,2 äq) in Dichlormethan als Lösungsmittel durchgeführt. Die Reaktionsparameter sind: 180°C, 38 bar sowie Mikrowellenstrahlung innerhalb 15 min. Die Reaktionszeit kann durch Einstellen von Druck, Temperatur und Dauer sowie Intensität der Mikrowellenstrahlung sehr kurz gehalten werden.
Die erhaltenen schwarzen, feinpulvrigen Partikel werden aus der Reaktionslösung abzentrifugiert, gewaschen und mit einer MEH-PPV-Lösung gemischt. Diese Suspension kann nun als photoaktive Schicht in einer Hybridsolarzelle verwendet werden.
Aus den synthetisierten photoaktiven Schichten können beispielsweise Hybridsolarzellen nach dem Schema gemäß Abbildungen 1 bis 4 hergestellt werden. Dadurch lassen sich erfindungsgemäß Hybridsolarzellen sowohl nach dem bulk heterojunction Konzept als auch nach dem bilayer heterojunction Konzept verwirklichen.
Zur Herstellung der Solarzellen wird ein Teil der ITO (Indium-Zinnoxid)-Schicht mit Zn/HCl weggeätzt, und die ITO-Blättchen, das sind Glasträger mit ITO-Beschichtung: 15 mm x 15 mm x 1,1 mm, in ein Becherglas mit Isopropanol (p.a.) gegeben und für 15 min im Ultraschallbad bei 60 °C gereinigt.
Anschließend werden eine PEDOT:PSS-Schicht und die erfindungsgemäß hergestellte photoaktive Schicht aufgebracht.
Die photoaktive Schicht kann dazu aus einer Lösung bzw. Suspension durch Rotationsbeschichtung aufgebracht werden. In der verwendeten Suspension liegen eine Polymerkonzentration (MEH-PPV) von
···· · 2 ·· • 4 · ··· ··· *Λ· · · • 4 ·· ·· · υ · ··· ······· · · 3 mg/ml und ein Verhältnis zwischen Polymer und CuInS2~Nanopartikeln von 1 zu 7 (Gewichtsteilen) vor.
Anschließend wird die photoaktive Schicht bei 150 °C in Inertgasatmosphäre getrocknet. Zuletzt werden die Metallelektroden, beispielsweise Aluminium aufgebracht.
In Abbildung 5 ist die Strom/Spannungs-Kennlinie der gemäß Beispiel 1 hergestellten Solarzelle dargestellt. Daraus ist ein deutlicher Photoeffekt ersichtlich, wobei der gemessene Photostrom 5,7 μΑ/cm2 und die gemessene Photospannung 200 mV betragen.
Beispiel 2:
Herstellung von Hybridsolarzellen, deren photoaktive Schicht aus einem Nanocompositmaterial aus P3HT (Poly-3-hexylthiophen) und ZnS-Nanopartikeln, welches direkt unter Mirkowellenstrahlung erzeugt wurde, besteht:
Gemäß diesem Beispiel werden ZnS-Nanopartikel unter Mikrowelleneinstrahlung direkt in einer Lösung aus organischem Halbleiterpolymer erzeugt. Dafür wurden wasserfreies Zinkacetat (1 äq.) und Thioacetamid (1,2 äg) in einem Gemisch aus Toluol und Pyridin gelöst und in dieser Lösung P3HT als Halbleiterpolymer suspendiert. Die Reaktion wird im Synthesemikrowellenofen durchgeführt. Damit sich das Polymer vollständig löst, ohne dass vor Reaktionsbeendigung ZnS-Nanopartikel gebildet werden, wird das Reaktionsgemisch zuerst für 20 min auf 80°C unter Mikrowellenstrahlung gehalten, danach für 10 min auf 120°C und für 30 min auf 180°C unter Mikrowellenstrahlung gebracht. Durch diese mikrowellenunterstützte Synthesemethode wird in einem Schritt die Suspension für das Aufbringen der Nanocompositschicht als photoaktive Schicht in der Solarzelle hergestellt. Die XRD-Analyse der in der Polymerlösung hergestellten halbleitenden Partikel (siehe Abbildung 10) zeigt aufgrund der beiden breiten Peaks von 27° bis 34° und von 48° bis 55° eindeutig, dass es sich um nanokristallines ZnS handelt. Über die Debye-Scherrer-Auswertung wurden Primerkristallitgrößen von etwa 3 bis 4 nm bestimmt.
Die Solarzelle unter Verwendung dieser beispielgemäß hergestellten photoaktiven Schicht wurde analog zu Beispiel 1 hergestellt.
Die Strom/Spannungs-Kennlinien dieser Solarzelle in dunklem und belichtetem Zustand sind in Abbildung 6 dargestellt. Die Solarzelle zeigt eine ausgezeichnete Diodencharakteristik, einen geringen Dunkelstrom, einen Photostrom von 54 μΑ/cm2 und eine Photospannung von • · · ι · I ·· • · · · »·· *·· *%· · • ·4 «4 ·· · '· ··· 660 mV.
Beispiel 3:
Herstellung von Hybridsolarzellen mit CuInS2-Nanopartikeln aus einer Mikrowellensynthese in Ethylendiamin als Lösungsmittel und als Stabilisator für die entstehenden halbleitenden Nanopartikel:
Die CuInS2-Partikel wurden direkt aus den Elementen Cu (1 äq.), In (1 äq.) und S (2 äq.) hergestellt. Als Lösungsmittel und gleichzeitig als Capper wurde wasserfreies Ethylendiamin verwendet. Die Reaktion wurde im geschlossenen Teflonliner bei 160°C für 60 min unter Mikrowellenstrahlung durchgeführt.
Es wurden feinpulvrige schwarze Partikel erhalten, die aus der Reaktionslösung abzentrifugiert, gewaschen und mit einer MEH-PPV-Lösung gemischt wurden. Diese Suspension mit einer Polymerkonzentration von 3 mg/ml, einem Verhältnis Polymer zu Nanopartikel von 1 zu 5 (Gewichtsteile) kann nun als photoaktive Schicht für Hybridsolarzellen verwendet werden.
Der prinzipielle Aufbau dieser Hybridsolarzelle erfolgt analog zu Beispiel 1.
In Abbildung 7 ist die Strom/Spannungs-Kennlinie der Solarzelle dargestellt. Diese zeigt einen deutlichen Photoeffekt, wobei der gemessene Photostrom 3,6 μΑ/cm2 und die gemessene Photospannung 290 mV betragen.
Beispiel 4:
Herstellung von Hybridsolarzellen mit CuInS2-Nanopartikeln:
Zur Herstellung von CuInS2-Nanopartikeln wird CuCl (98 mg, 1 mmol) in einem Teflonliner (Mikrowellenreaktionsgefäß) eingewogen und 30 ml Triethylenglycol sowie 20 ml Pyridin zugegeben. Anschließend wird das Gemisch 15 min in der Synthesemikrowelle auf 180 °C erhitzt. Dabei löst sich das CuCl vollständig und es entsteht eine grüne Lösung.
Nach dem Abkühlen werden im Teflonliner metallisches Indiumpulver (114 mg, 1 mmol) und sublimierter Schwefel (64 mg, 2 mmol) eingewogen.
Die Reaktion wird 40 min bzw. 60 min bei 180°C unter Mikrowelleneinstrahlung durchgeführt. Während der Reaktion baut sich in den Gefäßen ein geringer Überdruck auf.
Es entstehen schwarze, feinpulvrige Partikel, die für einige Zeit eine stabile Suspension im rot gefärbten Reaktionsgemisch bilden.
Diese Partikel werden abzentrifugiert, dreimal mit Ethanol gewaschen und über Nacht bei 60°C im Trockenschrank getrocknet. Die Partikel werden danach in Toluol aufgenommen und zur besseren • · • ♦ ♦ · • · • · · · I t • *·♦ ··· #|· 4 · « · · · · Ο « ·· + • · ♦ · · · ·
Verteilung 20 min mit Ultraschall behandelt.
Die Synthese kann durch die Beimischung von verschienen Lösungsmitteln, beispielsweise Pyridin, Tetraethylenglycol, zum Standardlösungsmittel Triethylenglycol modifiziert werden.
Weiters kann die Synthese der halbleitenden Nanopartikel durch Zugabe von Cappern, wie zum Beispiel TPP (Triphenylphosphit), TOP (Trioctylphosphin) oder Hexadecylamin verändert werden.
Zur Herstellung der Solarzellen werden in Kombination mit den halbleitenden Nanopartikeln als halbleitende Polymere Poly-3-hexylthiophen (P3HT), Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexloxy)-p- phenylvinylen] (MEH-PPV) und Poly[2-methoxy-5-(3,7-dimethyloctyloxy)-p-phenylvinylen] (MDMO-PPV) verwendet.
Die bilayer heterojunction Solarzelle wird mit folgenden Parametern hergestellt:
Polymerlösung für die aktive Schicht: P3HT: 3 mg/ml in Toluol
Nanopartikelsuspension für die aktive Schicht: 15 mg/ml in
Ethanol
Die bulk heterojunction Solarzelle wird mit folgenden Parametern hergestellt: Lösung für die aktive Schicht: MEH-PPV : Nanopartikel = ca. 40 : 60 m% (Polymerkonzentration: ca. 3 mg/ml in Toluol)
Als Beispiele sind in Abbildung 8 Strom/Spannungs-Kennlinien einer bilayer heterojunction Solarzelle und in Abbildung 9 Strom/Spannungs-Kennlinien einer bulk heterojunction Solarzelle dargestellt. Die Parameter die die Solarzellen beschreiben, sind ebenfalls in den Abbildungen zu finden. Die bilayer heterojunction Solarzelle liefert einen Photostrom von 4,5 μΑ/cm2 und eine Photospannung von 270 mV. Die Hybridsolarzelle nach dem bulk heterojunction Prinzip zeigt einen sehr geringen Dunkelstrom, eine gute Diodencharakteristik und liefert einen Photostrom von 21 μΑ/cm2 und eine Photospannung von 755 mV. Über die angeführten Beispiele hinausgehend wurden noch weitere Versuche durchgeführt, die zu folgenden Erkenntnissen führten:
Es wurden halbleitende organische Verbindungen, beispielsweise Phtalocyanine oder Perylene oder Oligomere der Halbleiterpolymere anstelle von Halbleiterpolymeren in den Hybridsolarzellen eingesetzt. Die hergestellten Solarzellen lieferten ähnliche Photoströme und Photospannungen wie die in den Beispielen 1 bis 4 beschriebenen Solarzellen.
Außerdem wurde in weiteren Experimenten festgestellt, dass neben den Elementen Cu, In und/oder Zn auch die Elemente Ag, Cd, Ga, Al, Pb, Hg, Se und/oder Te verwendet werden können.
Zusammenfassend kann gesagt werden, dass das erfindungsgemäße Verfahren verfahrenstechnisch unkompliziert und energiesparend ist, da durch den Einsatz von Mikrowellenstrahlung die Reaktionszeit stark verkürzt werden kann. Weiters kann mit diesem Verfahren die zum Aufbringen einer photoaktiven Nanocompositschicht notwendige Poymer/Halbleiterpartikel-Suspension in einem Schritt durch die Erzeugung der Halbleiterpartikel in der Polymerlösung unter Mikrowelleneinstrahlung hergestellt werden. Dies bringt zusätzlich den Vorteil mit sich, dass die Halbleiterpartikel besonders homogen im elektroaktiven Polymer verteilt werden.
Es können mit diesem Verfahren photoaktive Schichten bereitgestellt werden, deren Anwendungen bei photoaktiven Elementen, wie Solarzellen zu zufriedenstellenden Wirkungsgraden führen.
Wien, 22. Juni 2006 Technische Universität Graz
Erzherzog-Johann-Universität vertreten durch:
Dr. I (Ausweisnummer 419)
Claims (19)
- ·· ·· »··· ·· • · • • • • # • · • • • • ··· ··* • · • • • • • t ♦ · • ··· • · • • • · • · • • ·· ·· ·· ··· ··22. Juni 2006 T136-3000pAT KD/K Technische Universität Graz Erzherzog-Johann-Universität in Graz, AT Patentansprüche: 1. Verfahren zum Herstellen von photoaktiven Schichten umfassend anorganische Halbleiterpartikel und . organische Halbleiterverbindungen, dadurch gekennzeichnet, dass anorganische Halbleiterpartikel unter Mikrowelleneinstrahlung synthetisiert werden, aus welchen in Kombination mit organischen, Halbleiterverbindungen photoaktive Schichten gebildet werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Synthese der anorganischen Halbleiterpartikel und die Ausbildung der photoaktiven Schicht in zwei Schritten erfolgt.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Synthese der anorganischen Halbleiterpartikel und die Ausbildung der photoaktiven Schicht in einem Schritt erfolgt.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Herstellung der anorganischen Halbleiterpartikel direkt in einer Lösung oder Suspension der organischen Halbleiterverbindung unter Mikrowelleneinstrahlung erfolgt und die so erhaltene Suspension direkt zu einer photoaktiven Schicht weiterverarbeitet wird.
- 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die anorganischen Halbleiterpartikel einen Durchmesser von 1 nm bis 1 pm, vorzugsweise 2 nm bis 100 nm aufweisen.
- 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die anorganischen Halbleiterpartikel aus Metallchalkogeniden hergestellt werden.
- 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass als Metallchalkogenide solche des Typs ABX2, AB5X9, AB5X8, CX, D2X3 und ähnlichen ausgewählt werden, wobei A = Cu, Ag, Zn, Cd; B = In, Ga, Al; C = Cu, Ag, Zn, Cd, Pb, Hg, Eu, Tm, Yb; D = Al, In, Ga TI, Y, La, B; X = S, Se, Te sind.
- 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch φφ φ φ φ φ φφ φφ Φ· Φ· φφφφ ♦ • · ♦ · · · • · φ ΦΦΦ ·ο φ φ φφ · φ ·*- φ •Φ φφ Φ· φ φ φφ φφ φφ φφ ··· gekennzeichnet, dass die anorganischen Halbleiterpartikel aus den jeweiligen Elementen des Periodensystems hergestellt werden.
- 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die anorganischen Halbleiterpartikel aus Metallsalzen und/oder Metallverbindungen und einer Chalkogenidverbindung hergestellt werden.
- 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass als organische Halbleiterverbindungen Halbleiterpolymere und/oder halbleitende Oligomere eingesetzt werden.
- 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterpolymere und/oder die halbleitenden Oligomere aus der Gruppe trans-Polyacetylen, Polypyrrol, Polythiophen, Polyanilin, Poly-p-phenylenvinylen, Poly-p-phenylen, Polyfluoren, polyaromatische Amine, Poly(thienylen-vinylene) und/oder deren Derivate ausgewählt werden.
- 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass als organische Halbleiterverbindung Phtalocyanine und/oder Perylene.eingesetzt werden.
- 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Herstellung der anorganischen Halbleiterpartikel unter Zuhilfenahme von oberflächenaktiven Stoffen (Capper) durchgeführt wird.
- 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die anorganischen Halbleiterpartikel in Form von Agglomeraten vorliegen.
- 15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die anorganischen Halbleiterpartikel in Form von percolierenden Partikelnetzwerken vorliegen.
- 16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die verwendete Mikrowellenstrahlung in einem Wellenlängenbereich von 1 m bis 1 mm und einem Frequenzbereich zwischen 0,3 GHz und 300 GHz liegt.
- 17. Bauelement umfassend eine photoaktive Schicht, welche nach einem der Ansprüche 1 bis 16 hergestellt ist.
- 18. Bauelement nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das photoaktive Element eine Hybridsolarzelle ist.
- 19. Bauelement nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das photoaktive Element ein Photodetektor ist.Technische Universität Graz Erzherzog-Johann-Universität vertreten durc U La Dr. Karin Dungffer (Ausweisnummer 419)
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT0105906A AT503849A1 (de) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | Verfahren zur herstellung photoaktiver schichten sowie bauelemente umfassend diese schichten |
JP2009515668A JP2009541975A (ja) | 2006-06-22 | 2007-06-18 | 光活性層を製造する方法及び該層を含んでなる構成要素 |
CA002655294A CA2655294A1 (en) | 2006-06-22 | 2007-06-18 | Method for producing photoactive layers and components comprising said layers |
BRPI0713496-7A BRPI0713496A2 (pt) | 2006-06-22 | 2007-06-18 | processo para a produção de camadas fotoativas, assim como de componentes que compreendam essas camadas |
PCT/AT2007/000295 WO2007147183A2 (de) | 2006-06-22 | 2007-06-18 | Verfahren zur herstellung photoaktiver schichten sowie bauelemente umfassend diese schichten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT0105906A AT503849A1 (de) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | Verfahren zur herstellung photoaktiver schichten sowie bauelemente umfassend diese schichten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
AT503849A1 true AT503849A1 (de) | 2008-01-15 |
Family
ID=38721443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT0105906A AT503849A1 (de) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | Verfahren zur herstellung photoaktiver schichten sowie bauelemente umfassend diese schichten |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009541975A (de) |
AT (1) | AT503849A1 (de) |
BR (1) | BRPI0713496A2 (de) |
CA (1) | CA2655294A1 (de) |
WO (1) | WO2007147183A2 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130199613A1 (en) * | 2010-11-16 | 2013-08-08 | Akinobu Hayakawa | Ink for active layer of organic solar cell, organic solar cell, and process for manufacture of organic solar cell |
JP6027738B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-11-16 | シャープ株式会社 | 化合物半導体層およびその製造方法、ならびに化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 |
IT201800002349A1 (it) * | 2018-02-02 | 2019-08-02 | Univ Degli Studi Di Milano Bicocca | Metodo per la produzione di film sottili di dicalcogenuri di metalli di transizione |
-
2006
- 2006-06-22 AT AT0105906A patent/AT503849A1/de not_active Application Discontinuation
-
2007
- 2007-06-18 BR BRPI0713496-7A patent/BRPI0713496A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-06-18 WO PCT/AT2007/000295 patent/WO2007147183A2/de active Application Filing
- 2007-06-18 JP JP2009515668A patent/JP2009541975A/ja not_active Withdrawn
- 2007-06-18 CA CA002655294A patent/CA2655294A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009541975A (ja) | 2009-11-26 |
WO2007147183A2 (de) | 2007-12-27 |
CA2655294A1 (en) | 2007-12-27 |
WO2007147183A3 (de) | 2008-04-10 |
BRPI0713496A2 (pt) | 2012-01-24 |
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---|---|---|---|
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