AT49935B - Verfahren zum Aufbau galvanischer Elemente aus einer Anzahl parallel geschalteter Elemente. - Google Patents

Description

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  Verfahren zum Aufbau galvanischer Elemente aus einer Anzahl parallel geschalteter
Elemente. 



   Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Aufbau solcher an sich bekannter galvanischer Elemente, bei denen die eine Elektrodenart ein   mehrzelliges   Gebilde darstellt, das in seinen einzelnen Zellen die einzelnen parallelgeschalteten Elektroden der anderen Art aufnimmt. Das Verfahren ermöglicht,   Primärelemente   von jeder beliebigen   Stromstärke mittels   einiger weniger einheitlicher   Elektrodenarten   herzustellen. 



   Das Wesen der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass die die Zellen bildende 
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   stimmten   Länge derart ineinander geschoben worden, dass sie die Zellen der Einzelelemente bilden.   Iliebei   dient jede einzelne Platte einer   Mehrzahl   von durch sie begrenzten Zellen als Elektrode. 



   Die Erfindung lässt sich auch in der Weise ausführen, dass die Platten winklig, z. B.   U-fiirmig gehogen   sind oder eine andere der   Zellenform   entsprechende Gestalt erhalten und derart ineinander eingeschoben oder zusammengesetzt werden, dass wiederum die erforderlicht'Anzahl von Zellen für die einzelnen Elemente entsteht. 



   Die Erfindung soll im folgenden an der Zusammensetzung der bekannten   Zinkkohlen-   elementeerläutertwerden. 



   Bei   diesen Zinkkohlenelementen   wird die positive Elektrode durch Braunstein oder Kohlenpulver gebildet. Die negative   Elektrode besaht   aus einem Zinkbehälter, in   welchem   
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 wird, wobei der Elektrolyt den freibleibenden Raum ausfüllt. 



   Zur Veranschaulichung der vorliegenden Erfindung diene die Zeichnung, in welcher
Fig. 1 eine schaubildliche Darstellung des Gehäuses eines nach dem vorliegenden   Verfahren   hergestellten Elementes ist,   Figez   die herausgenommenen Zwischenwände zeigt,
Fig.   ci eine abgeänderte   Form dieser Zwischenwände veranschaulicht und
Fig. 4 eine Aufsicht hiezu ist. 



   Das Gehäuse a bildet im vorliegenden Falle gleichzeitig den negativen Pol und besteht aus Zink Innerhalb dieses das ganze   Etemont bildenden   Gehäuses werden die   eiuzell1en   Zellen oder die Einzelelemente durch die Längs- und !uerzwischenwände b und c gebildet, die an den Stellen, wo sie sich schneiden, einander entsprechende Schlitze d aufweisen, so 
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   Bei der   ni   den Fig. 3 und 4 veranschaulichten Ausführungsform sind die Zwischenw nde in U-Form ausgebildet, so dass sie nach ihrer Zusammensetzung gemäss Fig. 4 die einzelnen Zellen bilden. Selbstverständlich können die Zwischenwände jede andere zur Herstellung der Zellen geeignete Form erhalten. 



   Die solcherart zusammengestellten Zellen können durch beliebige   Hilfsmittel   zu einem anderen Gerippe vereinigt werden. Es ist aber auch möglich, darauf Zu verzichten und ihnen den erforderlichen Halt erst durch   Endringen   der positiven Elektrode mit dem 
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 geformte Ausschnitte oder Aussparungen von einem derartigen freien Summenquerschnitt. dass die Ionen während des Stromdurchganges ungehindert ihren Weg nehmen können und der Elektrolyt durch die Zellen zirkulieren kann. 



   PATENTANSPRÜCHE :
1. Vorfahren zum Aufbau galvanischer Elemente, bei denen die eine   Etektrodcnart     ein mehrzelliges Gebilde darstellt und   die einzelnen parallel geschalteten Elektroden der anderen Art in diese Zellen verteilt sind, dadurch   gekennzeichnet,   dass die wellenartige Elektrode aus lauter gleichartigen, für sich hergestellten Bauelementen zusammengesetzt wird, deren Wände mit Öffnungen für den   Durchlass   des Elektrolyten versehen sind.

Claims (1)

1. 2. Verfahren zum Aufbau galvanischer Elemente nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass plattenförmige Bauelemente verwendet werden, die durch in ihnen angebrachte Schlitze zum Eingriff ineinander gebracht werden.

   H. Verfahren zum Aufbau galvanischer Elemente gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Bauelemente winklig, 2. B. U-törmig gebogene Platten verwendet werden. EMI2.2