AT299340B - Schaltung mit einem Unijunktionstransistor - Google Patents

Schaltung mit einem Unijunktionstransistor

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AT299340B
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unijunction transistor
ujt
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Elin Union Ag
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K4/00Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
    • H03K4/06Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
    • H03K4/08Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
    • H03K4/83Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices with more than two PN junctions or with more than three electrodes or more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K4/84Generators in which the semiconductor device is conducting during the fly-back part of the cycle

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  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Schaltung mit einem Unijunktionstransistor 
Es ist eine Schaltung mit einem Unijunktionstransistor (UJT) bekannt, bei der, wie in der Zeichnung dargestellt, der zweiten   Basins-bides   UJT ein   Widerstand-R-vorgeschaltet   ist, der so bemessen ist, dass der negative Temperaturkoeffizient der Höckerspannung, der feststellbar ist, 
 EMI1.1 
 
B.über die Zwecke der Temperaturkompensation hinaus auch zur Stabilisierung und/oder zur Justierung der Höckerspannung des UJT mitheranzuziehen. Gegenstand der Erfindung ist eine Schaltung der eingangs beschriebenen Art, mit dem Kennzeichen, dass zur Stabilisierung der Höckerspannung an die zweite Basis des UJT ausser dem genannten Vorschaltwiderstand auch ein zusammen mit diesem ein Siebglied ergebender Querkondensator angeschlossen ist.

   Gleichzeitig oder alternativ kann zur Justierung der Höckerspannung an die zweite Basis ausser dem Vorschaltwiderstand--R--ein gegebenenfalls einstellbarer Querwiderstand angeschlossen sein. 
 EMI1.2 
 Querwiderstand sind in der Zeichnung   mit     mit--R'--bezeichnet.   



   Durch das Siebglied --RC-- wird nicht nur eine eventuell vorhandene Welligkeit der Speisespannung--U--des UJT herabgesetzt, sondern es werden auch kurzdauernde Spannungsspitzen bzw. Spannungseinbrüche unterdrückt, die der Speisespannung--U--überlagert sein können und unter Umständen den UJT zufolge einer damit verbundenen kurzzeitigen Herabsetzung seiner Höckerspannung zu einer vorzeitigen Impulsabgabe veranlassen würden. 



   Während also der Kondensator--C-zur Stabilisierung der Höckerspannung dient, kann die 
 EMI1.3 
 Frequenz) einer in der Zeichnung angedeuteten, den UJT als Triggerelement benutzenden Kippschaltung ohne Eingriff in diese selbst bequem verändert werden. 
 EMI1.4 
    im--R-- oder   der   Widerstand-R'-.   

**WARNUNG** Ende DESC Feld kannt Anfang CLMS uberlappen**.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE : 1. Schaltung mit einem Unijunktionstransistor, bei der der zweiten Basis des letzteren ein <Desc/Clms Page number 2> Widerstand vorgeschaltet ist, der so bemessen ist, dass der negative Temperaturkoeffizient der Höckerspannung, der feststellbar ist, wenn die Spannung zwischen erster und zweiter Basis konstant bleibt, annähernd durch eine der letzteren Spannung anhaftende positive Temperaturabhängigkeit kompensiert wird, die sich aus dem vorhandenen positiven Temperaturkoeffizienten des z.
    B. 5000 bis 10000 n betragenden Innenwiderstandes zwischen erster und zweiter Basis und aus der Grösse des EMI2.1 Höckerspannung an die zweite Basis (B2) des Unijunktionstransistors (UJT) ausser dem genannten Vorschaltwiderstand (R) auch ein zusammen mit diesem ein Siebglied ergebender Querkondensator (C) angeschlossen ist. EMI2.2 Höckerspannung an die zweite Basis (B2) des Unijunktionstransistors ein gegebenenfalls einstellbarer Querwiderstand (R') angeschlossen ist.
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