AT264597B - Schaltungsanordnung zur Regelung oder Tastung der Verstärkung in einer Transistorstufe - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Regelung oder Tastung der Verstärkung in einer TransistorstufeInfo
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Description
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Schaltungsanordnung zur Regelung oder Tastung der Verstärkung in einer Transistorstufe
Im Stammpatent Nr. 227306 wird eine Schaltungsanordnung zur Regelung oder Tastung der Verstärkung in einer Transistorstufe, vorzugsweise einer in Emittergrundschaltung betriebenen A-Verstärkerstufe mitzwei imBasiskreiseingeschaltetenRichtleitern beschrieben, wobei der erste Richtleiter zwischen Basis und Emitter und der zweite Richtleiter zwischen Basis und der ersten Klemme einer Regelgleichspannungsquelle, deren zweite Klemme am Emitter liegt, eingeschaltet ist und dadurch gekennzeichnet ist,
dass im Falle der Verwendung eines p-n-p-Transistors der erste Richtleiter mit Durchlassrichtung BasisEmitter und der zweite Richtleiter mit Durchlassrichtung Regelgleichspannungsquelle und Basis geschaltet sind und im Falle der Verwendung eines n-p-n-Transistors diese Durchlassrichtungenumgekehrt sind, wodurch der erste Richtleiter im wesentlichen den Eingangsscheinwiderstand der Verstärkerstufe und der zweite Richtleiter im wesentlichen den Arbeitspunkt der Verstärkerstufe bestimmt und in Abhängigkeit von der Polarität der Regelgleichspannungsquelle entweder hohe Dämpfung oder Verstärkung erzielbar ist.
Die Erfindung ist nun eine Weiterbildung der Erfindung nach dem Stammpatent und hat die Aufgabe, bei der Signalunterdrückung den durch die notwendige Verlagerung des Transistorarbeitspunktes entstehenden Gleichspannungssprung zu verhindern. Dies wird dadurch erreicht, dass ein zusätzlicher Widerstand zwischen Kollektor des Transistors und der an der Regelspannungsquelle angeschalteten Seite des zweiten Richtleiters angeschlossen ist, so dass beim Tastvorgang und der damit verbundenen Verlagerung des Transistorarbeitspunktes der Gleichstrom über den Arbeitswiderstand und statt über den Transistor über den zusätzlichen Widerstand fliesst, wodurch der Gleichspannungssprung unterdrückt wird.
Die Erfindung wird nun an Hand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles erläutert.
Der Transistor -- T --, vorzugsweise ein p-n-p-Transistor, ist in Emittergrundschaltung geschaltet, d. h. der Emitter-E-liegt am Bezugspunkt. Der Kollektor-K-wird über einen Widerstand - R.-, wie üblich, gespeist, während zwischen dem Kollektor-K-und der Basis -- B -- in bebekannter Weise ein Widerstand-R-liegt.
EMI1.1
z. B. ein mit Sprache gesteuerter elektroakustischerler, liegt über den Innenwiderstand-R-und den Kondensator -- C -- am Eingang der Transistorverstärkerstufe an der Basis -- B -- des Transistors -- T --.
Der Richtleiter -- Dl -- bestimmt im wesentlichen den Eingangswiderstand der Transistorverstärkerstufe. Der zweite Richtleiter- D,-ist zwischen der Basis- B- und dem ersten Pol-l-einer Regelgleichspannungsquelle -- UR -- eingeschaltet, deren zweiter Pol-- 2 -- am Emitter -- E -- des
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Transistors -- T -- liegt. Durch diese Schaltung bestimmt der zweite Richtleiter- D,-im wesentlichen den Arbeitspunkt der Verstärkerstufe.
Um den beim Austastvorgang gleichzeitig mit der Signalunterdrückung auftretenden Gleichspannungsursprung des Kollektors-K-gegen den Bezugspunkt zu verhindern, wird ein Widerstand-Rgzwischen dem Kollektor -- K -- und dem ersten Pol-l-der Regelspannungsquelle-Un-ange- ordnet. Der Transistor-T-ist leitend, wenn der Steuerschalter -- S -- in der Regelspannungsquelle - U-offen ist. Es findet daher keine Stromverzweigung hinter-Rl --statt, da der Widerstand - ru-nus auf den offenen Steuerschalter sowie auf den in Sperrichtung gepolten Richtleiter -- D2-- führt. Ist der Transistor gesperrt, ist der Steuerschalter -- S -- geschlossen, und der Widerstand- R,- ist stromführend. Eine Stromübernahme findet nur im Übergangszustand statt.
Damit wird der durch die notwendige Verlagerung des Transistorarbeitspunktes entstehende Gleichspannungssprung unterdrückt, da über den Arbeitswiderstand -- Rl -- und den Widerstand-R,-Strom fliesst, also bei geeigneter Dimensionierung des Widerstandes-Rg-das Gleichstrompotential am Kollektor -- K -- gleich bleibt.
Beim Punkt-GNF-kann die getastete Niederfrequenz abgenommen werden.
Auf diese Weise wird mit einfachen Mitteln eine Unterdrückung des in der Taststufe mitverstärkten Steuersignals erreicht.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH : Schaltungsanordnung zur Regelung oder Tastung der Verstärkung in einer Transistorstufe nach dem Patent Nr. 227306, vorzugsweise einer in Emittergrundschaltung betriebenen A-Verstärkerstufe mit zwei im Basiskreis eingeschalteten Richtleitern, wobei der erste Richtleiter zwischen Basis und Emitter und der zweite Richtleiter zwischen Basis und der ersten Klemme einer Regelgleichspannungsquelle, deren zweite Klemme am Emitter liegt, eingeschaltet ist und im Falle der Verwendung eines p-n-p-Transistors der erste Richtleiter mit Durchlassrichtung Basis-Emitter und der zweite Richtleiter mit Durchlass- richtungRegelgleichspannungsquelle und Basisgeschaltet sind und im Falle der Verwendung eines n-p-nTransistors diese Durchlassrichtungen umgekehrt sind,wodurch der erste Richtleiter im wesentlichen den Eingangsscheinwiderstand der Verstärkerstufe und derzweiteRichtleiter im wesentlichen den Arbeitspunkt der Verstärkerstufe bestimmt und in Abhängigkeit von der Polarität der Regelgleichspannungsquelle entweder hohe Dämpfung oder Verstärkung erzielbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein zusätzlicher Widerstand (Ra) zwischen Kollektor (I < ) des Transistors (1') und der an der Regelspannungsquelle (UR) angeschalteten Seite des zweiten Richtleiters (D2) angeschlossen ist, so dass beim Tastvorgang und der damit verbundenen Verlagerung des Transistorarbeitspunktes der Gleichstrom über den Arbeitswiderstand (Rl) und statt über den Transistor (T) über den zusätzlichen Widerstand (reg) fliesst, wodurch der Gleichspannungssprung unterdrückt wird.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| AT657865A AT264597B (de) | 1965-07-16 | 1965-07-16 | Schaltungsanordnung zur Regelung oder Tastung der Verstärkung in einer Transistorstufe |
Applications Claiming Priority (2)
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Publications (1)
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| AT264597B true AT264597B (de) | 1968-09-10 |
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ID=25603174
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| AT (1) | AT264597B (de) |
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1965
- 1965-07-16 AT AT657865A patent/AT264597B/de active
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