AT264593B - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit mindestens drei Zonen von abwechselnd unterschiedlichem Leitungstyp
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Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit mindestens drei Zonen von abwechselnd unterschiedlichem Leitungstyp
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AT264593B
AT264593BAT34167AAT34167AAT264593BAT 264593 BAT264593 BAT 264593BAT 34167 AAT34167 AAT 34167AAT 34167 AAT34167 AAT 34167AAT 264593 BAT264593 BAT 264593B
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AT34167A1966-01-141967-01-12Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit mindestens drei Zonen von abwechselnd unterschiedlichem Leitungstyp
AT264593B
(de)
Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Dünnschichtbauelementen mit mindestens einer nach dem Spinelltyp kristallisierenden isolierenden Zwischenschicht
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkörperstrukturen mit mindestens einem fast völlig im Inneren des epitaktischen Körpers gelegenen flächenhaften, leitenden Bereich