AT245625B - Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer solchen mit mindestens vier Zonen von abwechselnd unterschiedlichem Leitungstyp - Google Patents

Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer solchen mit mindestens vier Zonen von abwechselnd unterschiedlichem Leitungstyp

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AT245625B AT649463A AT649463A AT245625B AT 245625 B AT245625 B AT 245625B AT 649463 A AT649463 A AT 649463A AT 649463 A AT649463 A AT 649463A AT 245625 B AT245625 B AT 245625B
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3461324A (en) * 1967-07-03 1969-08-12 Sylvania Electric Prod Semiconductor device employing punchthrough
US3575646A (en) * 1966-09-23 1971-04-20 Westinghouse Electric Corp Integrated circuit structures including controlled rectifiers

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