AT235606B - Bistabile Kippschaltung - Google Patents

Description

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  Bistabile Kippschaltung 
 EMI1.1 
 

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   Der Ansprechwert der Schaltung kann über den Eingangsspannungsteiler R1,R2,RB1',RB1" festgelegt werden. 



   Vorzugsweise führt man   Ru1, regelbaar   aus. Durch diesenEingangsspannungsteiler erreicht man gleichzeitig eine bessere Temperaturstabilität des Ansprechwertes. 



   Eine solche Schaltungsanordnung hat folgende Wirkungsweise : Es sei angenommen, die Widerstän- 
 EMI2.1 
 
Rssn. < und RstimmteSpannung abfallen. Das Nullsignal hätte also einen bestimmten Wert. DurchEinfügung der Widerstände   Rssn'. Rssn" und RZ   erreicht man, dass der Spannungsabfall über RE2 kompensiert wird. Der Transistor   T   ist durch die über   RB1" eingestellte   positive Spannung gesperrt. Legt man   beiE   eine negative Spannung an, die etwas grösser als der eingestellte Ansprechwert ist, wird T, angesteuert, die Kollektor- 
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 wird gesperrt,füllt, denn einmal ist der Spannungsabfall am Emitterwiderstand kompensiert, ohne dass sich das Kippverhalten ändert. Zum andern wirkt der Ausgang der Schaltung nicht auf den Eingang zurück.

   Dar An- 
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Rtemperaturbedingten Empfindlichkeitsänderungen kompensiert. Der Ansprechwert der Schaltung lässt sich über   Rssn   gut einstellen.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH : Bistabile Kippschaltung unter Verwendung zweier Transistoren, von denen der Kollektor des Eingangstransistors mit der Basis des Ausgangstransistors über den Koppelwiderstand verbunden, die Emitter über einen gemeinsamenEmitterwiderstand bzw. der Emitter des ersten Transistors über diesen Widerstand und der des zweiten über einen Teil dieses Widerstandes an den Nullpol der Versorgungsspannung gelegt sind und die Basis des zweiten Transistors über einen Widerstand ebenfalls mit diesem Pol verbunden ist, da- EMI2.4 dsEmitter des Ausgangstransistors (T2) oder den des Eingangstransistors (T1) angeschlossen ist und das Halteverhältnis durch entsprechende Wahl des Verhältnisses des Emitterwiderstandes (RE1) des Eingangstransistors (T1) zum Emitterwiderstand (RE2) des Ausgangstransistors (T2) einstellbar ist.