AT111961B

AT111961B - Method of depositing hafnium and zirconium on a glowing body.

Info

Publication number: AT111961B
Authority: AT
Original assignee: Philips Nv
Priority date: 1925-07-21
Filing date: 1925-10-21
Publication date: 1929-01-10

Description

  

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 satz an Wolfram, der sich durch das Vorhandensein des Wolframkerndrahtes ursprünglich im Hafnium befindet, beliebig gering gemacht werden können. 



   Zur Herstellung von duktilem Zirkonium kann dasselbe Verfahren angewendet werden, wie es oben für Hafnium beschrieben wurde, mit dem Unterschiede, dass der erste Kerndraht auf etwa   14500 C   und der zweite Kerndraht zweckmässig über 1600  C erhitzt wird. Die   Höchsttemperatur,   auf die der Kerndraht erhitzt werden darf, wird entweder durch die Schmelztemperatur des Kerndrahtes bestimmt, wenn dieser aus demselben Metall besteht wie das niederzuschlagende Metall, oder durch die Schmelz- 
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 aus einem anderen als dem niederzuschlagenden Metalle besteht. 



   Zur Herstellung von duktilem Hafnium oder Zirkonium kann man auch von metallischem Hafnium und Zirkonium ausgehen, das auf eine andere als die oben im Ausführungsbeispiel beschriebene Weise gereinigt worden ist. So kann man das Hafnium oder Zirkonium z. B. im Vakuum ausglühen. 



   Es ist klar, dass man dafür sorgen muss, dass das Gefäss, in dem das duktile Metall hergestellt wird, und die in diesem Gefäss vorhandene Metallteile gleichfalls frei von gasförmigen Verunreinigungen sind, jedenfalls aber dass sie diese während der Herstellung des duktilen Metalles nicht abgeben. 



   PATENT-ANSPRÜCHE :
1. Verfahren zum Niederschlagen von Hafnium oder Zirkonium oder von beiden auf einem glühenden Körper, wobei dieser Körper in einer Atmosphäre erhitzt wird, die ein oder mehrere Jodide der niederzuschlagenden Metalle enthält, dadurch gekennzeichnet, dass der Körper auf eine solche über 1500  C liegende Temperatur erhitzt wird, dass das niedergeschlagene Metall in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Körpers als ein einziger   Kristall anwächst.  



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 The amount of tungsten, which is originally in the hafnium due to the presence of the tungsten core wire, can be made as small as desired.



   For the production of ductile zirconium, the same process can be used as it was described above for hafnium, with the difference that the first core wire is heated to approximately 14500 ° C. and the second core wire is expediently heated to over 1600 ° C. The maximum temperature to which the core wire may be heated is determined either by the melting temperature of the core wire, if it consists of the same metal as the metal to be deposited, or by the melting point
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 consists of a different metal than the one to be deposited.



   For the production of ductile hafnium or zirconium, one can also start from metallic hafnium and zirconium which has been purified in a manner other than that described above in the exemplary embodiment. So you can use the hafnium or zirconium z. B. anneal in a vacuum.



   It is clear that it must be ensured that the vessel in which the ductile metal is produced and the metal parts present in this vessel are also free of gaseous impurities, but in any case that they do not release them during the production of the ductile metal.



   PATENT CLAIMS:
1. A method for depositing hafnium or zirconium or both on a glowing body, this body being heated in an atmosphere containing one or more iodides of the metals to be deposited, characterized in that the body is at such a temperature above 1500 C. is heated so that the deposited metal grows as a single crystal in a direction perpendicular to the surface of the body.

Claims

2. The method according to claim 1, characterized in that a core body is heated in an atmosphere which contains one or more iodides of the metals to be deposited, whereupon a second core body is heated in a vessel which contains the metals deposited on the first core body and pure iodine and by heating this vessel it also contains metal iodide, whereby zirconium or hafnium or both are precipitated in a ductile form.

3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the iodides are prepared by starting from hafnium or zirconium annealed in vacuum. EMI2.3