WO2021186743A1 - 狭帯域化装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

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貴仁 熊▲崎▼
若林 理
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ギガフォトン株式会社
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    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex

Definitions

  • the present disclosure relates to a narrowing band device and a method for manufacturing an electronic device.
  • a KrF excimer laser device that outputs a laser beam having a wavelength of about 248 nm and an ArF excimer laser device that outputs a laser beam having a wavelength of about 193 nm are used.
  • the spectral line width of the naturally oscillated light of the KrF excimer laser device and the ArF excimer laser device is as wide as 350 to 400 pm. Therefore, if the projection lens is made of a material that transmits ultraviolet rays such as KrF and ArF laser light, chromatic aberration may occur. As a result, the resolving power may decrease. Therefore, it is necessary to narrow the spectral line width of the laser beam output from the gas laser apparatus to a level where chromatic aberration can be ignored.
  • the laser resonator of the gas laser apparatus is provided with a narrow band module (Line Narrow Module: LNM) including a narrow band element (Etalon, grating, etc.) in order to narrow the spectral line width.
  • LNM Line Narrow Module
  • the gas laser device in which the spectral line width is narrowed is referred to as a narrow band gas laser device.
  • the narrowing band device is the first and second prisms, the first and second prisms arranged at different positions in any of the wavelength dispersion directions of the first and second prisms.
  • Two prisms and two prisms are arranged in the optical path of the light beam, the beam width of the light beam is expanded so that the first part of the light beam is incident on the first prism, and the second part of the light beam is the second prism.
  • the narrowing band device is the first and second prisms, wherein the first and second prisms are arranged at different positions in any of the wavelength dispersion directions of the first and second prisms.
  • the second prism and the second part of the light beam are arranged in the optical path of the light beam, the beam width of the light beam is expanded so that the first part of the light beam is incident on the first prism, and the second part of the light beam is second. It is arranged in the optical path of the third prism incident on the prism, the first grating arranged in the optical path of the first portion passing through the first prism, and the optical path of the second portion passing through the second prism.
  • a third actuator for adjusting the energy ratio between the first portion and the second portion is provided.
  • a pulsed laser beam is generated by a laser device, the pulsed laser beam is output to the exposure device, and the electronic device is manufactured on a photosensitive substrate in the exposure device. Includes exposure to pulsed laser light.
  • the laser apparatus includes a laser chamber and an optical resonator including a narrowing apparatus.
  • the narrowing band device is the first and second prisms, the first and second prisms arranged at different positions in the wavelength dispersion direction of either the first and second prisms, and the light beam.
  • With a third prism arranged in the optical path to expand the beam width of the light beam so that the first portion of the light beam is incident on the first prism and the second portion of the light beam is incident on the second prism.
  • a first portion that adjusts the angle of incidence on the grating of the first portion and the grating arranged across the optical path of the first portion that has passed through the first prism and the optical path of the second portion that has passed through the second prism. It includes one actuator, a second actuator that adjusts the incident angle of the second portion with respect to the grating, and a third actuator that adjusts the energy ratio between the first portion and the second portion.
  • a pulsed laser beam is generated by a laser device, the pulsed laser light is output to the exposure device, and the light is exposed in the exposure device in order to manufacture the electronic device. It involves exposing a pulsed laser beam onto a substrate.
  • the laser apparatus includes a laser chamber and an optical resonator including a narrowing apparatus.
  • the narrowing band device is the first and second prisms, the first and second prisms arranged at different positions in the wavelength dispersion direction of either the first and second prisms, and the light beam.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exposure system in a comparative example.
  • FIG. 2 schematically shows the configuration of the exposure system in the comparative example.
  • 3A and 3B schematically show the configuration of the band narrowing device in the comparative example.
  • 4A and 4B schematically show the configuration of the band narrowing device according to the first embodiment.
  • 5A and 5B schematically show the configuration of the band narrowing device in the first modification.
  • 6A and 6B schematically show the configuration of the band narrowing device in the second modification.
  • 7A and 7B schematically show the configuration of the band narrowing device in the third modification.
  • 8A and 8B schematically show the configuration of the band narrowing device in the fourth modification.
  • 9A and 9B schematically show the configuration of the band narrowing device in the fifth modification.
  • 10A and 10B schematically show the configuration of the band narrowing device in the second embodiment.
  • 11A and 11B schematically show the configuration of the band narrowing device in the sixth modification.
  • 12A and 12B schematically show the configuration of the band narrowing device in the seventh modification.
  • Band narrowing device capable of adjusting the energy ratio of a plurality of wavelength components 2.1 First embodiment 2.1.1 Configuration 2.1.2 Operation 2.1.3 Other configuration examples 2.1.4 Operation 2.2 First modification example 2.2.1 Configuration and operation 2.2.2 Action 2.3 Second modification example 2.3.1 Configuration 2.3.2 Operation 2.3.3 Other configurations Example 2.3.4 Action 2.4 Third variant 2.4.1 Configuration 2.4.2 Operation 2.4.3 Other configuration example 2.4.4 Action 2.5 Fourth variant 2.5.1 Configuration 2.5.2 Operation 2.5.3 Other Configuration Examples 2.5.4 Action 2.6 Fifth Modification 2.6.1 Configuration 2.6.2 Operation 2.6 .3 Other configuration examples 2.6.4 Action 3.
  • Band narrowing device including a plurality of gratings 3.1 Second embodiment 3.1.1 Configuration 3.1.2 Operation 3.13 Other configuration examples 3.1.4 Action 3.2 Sixth Modification example 3.2.1 Configuration 3.2.2 Operation 32.3 Other configuration example 3.2.4 Action 3.3 7th variant 33.1 Configuration 3.3.2 Operation 3 .3.3 Other configuration examples 3.3.4 Action 4. others
  • FIGS. 1 and 2 schematically show the configuration of the exposure system in the comparative example.
  • the comparative example of the present disclosure is a form recognized by the applicant as known only by the applicant, and is not a known example that the applicant self-identifies.
  • the exposure system includes a narrow band gas laser apparatus 1 and an exposure apparatus 100.
  • the narrow band gas laser apparatus 1 is shown in a simplified manner.
  • the exposure apparatus 100 is shown in a simplified manner.
  • the narrow band gas laser device 1 includes a laser control processor 30.
  • the narrow band gas laser device 1 is configured to output pulsed laser light toward the exposure device 100.
  • the exposure device 100 includes an illumination optical system 101, a projection optical system 102, and an exposure control processor 110.
  • the illumination optical system 101 illuminates the reticle pattern of a reticle (not shown) arranged on the reticle stage RT by the pulsed laser light incident from the narrow band gas laser device 1.
  • the projection optical system 102 reduces-projects the pulsed laser beam transmitted through the reticle and forms an image on a workpiece (not shown) arranged on the workpiece table WT.
  • the workpiece is a photosensitive substrate such as a semiconductor wafer coated with a resist film.
  • the exposure control processor 110 is a processing device including a memory 112 in which a control program is stored and a CPU (central processing unit) 111 that executes the control program.
  • the exposure control processor 110 is specially configured or programmed to perform the various processes included in the present disclosure.
  • the exposure control processor 110 controls the control of the exposure apparatus 100, and transmits and receives various data and various signals to and from the laser control processor 30.
  • the exposure control processor 110 transmits the wavelength target value data, the pulse energy target value data, and the trigger signal to the laser control processor 30.
  • the laser control processor 30 controls the narrow band gas laser device 1 according to these data and signals.
  • the exposure control processor 110 synchronizes the reticle stage RT and the workpiece table WT and translates them in opposite directions. As a result, the workpiece is exposed with a pulsed laser beam that reflects the reticle pattern. The reticle pattern is transferred to the semiconductor wafer by such an exposure process. After that, the electronic device can be manufactured by going through a plurality of steps.
  • the narrow band gas laser device 1 includes a master oscillator MO and a gas regulator GA in addition to the laser control processor 30. include.
  • the master oscillator MO includes a laser chamber 10, a charger 12, a pulsed power module (PPM) 13, a narrowing device 14, an output coupling mirror 15, a photodetector 17, and a shutter 18.
  • the band narrowing device 14 and the output coupling mirror 15 form an optical resonator.
  • the laser chamber 10 is arranged in the optical path of the optical resonator.
  • the laser chamber 10 is provided with windows 10a and 10b.
  • the laser chamber 10 includes a pair of electrodes 11a and 11b inside, and further houses a laser gas as a laser medium.
  • the laser medium is, for example, F 2 , ArF, KrF, XeCl, or XeF.
  • a pressure sensor 16 is attached to the laser chamber 10.
  • the charger 12 holds electrical energy to supply to the pulse power module 13.
  • the pulse power module 13 includes a switch 13a.
  • the band narrowing device 14 includes wavelength selection elements such as prisms 41 and 42, gratings 51 and 52, which will be described later.
  • the output coupling mirror 15 is composed of a partially reflective mirror.
  • the photodetector 17 includes a beam splitter 17a and a sensor unit 17b.
  • the beam splitter 17a is arranged in the optical path of the pulsed laser beam output from the output coupling mirror 15.
  • the beam splitter 17a is configured to transmit a part of the pulsed laser light with a high transmittance and reflect the other part of the pulsed laser light to be incident on the sensor unit 17b.
  • the sensor unit 17b includes a spectroscopic sensor and is configured to be able to output measurement data of wavelength. Further, the sensor unit 17b includes an energy sensor and is configured to be able to output measurement data of pulse energy.
  • the shutter 18 is arranged in the optical path of the pulsed laser beam transmitted through the beam splitter 17a.
  • the shutter 18 is closed, the pulsed laser light transmitted through the beam splitter 17a is blocked so as not to enter the exposure apparatus 100.
  • the shutter 18 is opened, the pulsed laser light transmitted through the beam splitter 17a is incident on the exposure apparatus 100 without being blocked.
  • the laser control processor 30 is a processing device including a memory 32 in which a control program is stored and a CPU 31 that executes the control program.
  • the laser control processor 30 is specially configured or programmed to perform the various processes included in the present disclosure.
  • the gas regulator GA includes a gas supply device 33, a gas exhaust device 34, and a gas control processor 35.
  • the gas supply device 33 includes a valve (not shown) provided in the first pipe between the laser chamber 10 and the gas cylinder (not shown).
  • the gas exhaust device 34 includes a valve (not shown), a pump, and an abatement device provided in a second pipe connected to the laser chamber 10.
  • the gas control processor 35 is a processing device including a memory 37 in which a control program is stored and a CPU 36 that executes the control program.
  • the gas control processor 35 is specially configured or programmed to perform the various processes included in the present disclosure.
  • the laser control processor 30 acquires data of a target value of wavelength from the exposure control processor 110.
  • the laser control processor 30 transmits an initial setting signal to the narrowing device 14 based on the target value of the wavelength.
  • the laser control processor 30 receives the wavelength measurement data from the light detector 17, and sets the band narrowing device 14 based on the wavelength target value and the wavelength measurement data. Send a feedback control signal.
  • the laser control processor 30 acquires data of a target value of pulse energy from the exposure control processor 110.
  • the laser control processor 30 transmits an initial setting signal of the charging voltage to the charger 12 based on the target value of the pulse energy.
  • the laser control processor 30 receives the measurement data of the pulse energy from the light detector 17, and the charger 12 is based on the target value of the pulse energy and the measurement data of the pulse energy. Sends a feedback control signal of the charging voltage to.
  • the laser control processor 30 receives a trigger signal from the exposure control processor 110.
  • the laser control processor 30 transmits an oscillation trigger signal based on the trigger signal to the switch 13a of the pulse power module 13.
  • the laser control processor 30 transmits a gas control signal to the gas control processor 35. Further, the laser control processor 30 receives the measurement data of the gas pressure P from the pressure sensor 16 and transmits the measurement data of the gas pressure P to the gas control processor 35.
  • the switch 13a is turned on when it receives an oscillation trigger signal from the laser control processor 30.
  • the pulse power module 13 When the switch 13a is turned on, the pulse power module 13 generates a pulsed high voltage from the electric energy held in the charger 12. The pulse power module 13 applies this high voltage to the electrodes 11a and 11b.
  • the light generated in the laser chamber 10 is emitted to the outside of the laser chamber 10 through the windows 10a and 10b.
  • the light emitted from the window 10a is incident on the narrowing device 14 as a light beam.
  • light near a desired wavelength is folded back by the narrowing device 14 and returned to the laser chamber 10.
  • the output coupling mirror 15 transmits a part of the light emitted from the window 10b and outputs the light, reflects the other part, and returns the light to the laser chamber 10.
  • the light emitted from the laser chamber 10 reciprocates between the narrowing device 14 and the output coupling mirror 15. This light is amplified each time it passes through the discharge space between the pair of electrodes 11a and 11b.
  • the light oscillated by the laser in this way and the band is narrowed is output as pulse laser light from the output coupling mirror 15.
  • the pulsed laser beam output from the narrow band gas laser apparatus 1 is incident on the exposure apparatus 100.
  • the gas control processor 35 sets the gas supply device 33 and the gas so that the gas pressure P inside the laser chamber 10 becomes a desired value based on the gas control signal received from the laser control processor 30 and the measurement data of the gas pressure P. Controls the exhaust device 34. For example, when increasing the gas pressure P inside the laser chamber 10, the gas control processor 35 controls to open the valve included in the gas supply device 33 so that the laser gas is supplied to the inside of the laser chamber 10. Further, for example, when lowering the gas pressure P inside the laser chamber 10, the gas control processor 35 opens a valve included in the gas exhaust device 34 so that a part of the laser gas inside the laser chamber 10 is exhausted. Take control.
  • FIGS. 3A and 3B schematically show the configuration of the band narrowing device 14 in the comparative example. Each figure shows a V-axis, an H-axis, and a Z-axis that are perpendicular to each other.
  • FIG. 3A shows the band narrowing device 14 viewed in the ⁇ V direction
  • FIG. 3B shows the band narrowing device 14 viewed in the ⁇ H direction.
  • the ⁇ V direction and the + V direction coincide with the directions in which the electrodes 11a and 11b (see FIG. 2) face each other.
  • the ⁇ Z direction coincides with the traveling direction of the light beam emitted from the window 10a.
  • the + Z direction coincides with the traveling direction of the pulsed laser beam emitted from the window 10b and output through the output coupling mirror 15.
  • the band narrowing device 14 includes prisms 41 to 44 and a grating 50.
  • the prism 44 is arranged in the optical path of the light beam emitted from the window 10a.
  • the prism 44 is supported by the holder 441.
  • the prism 43 is arranged in the optical path of the light beam that has passed through the prism 44.
  • the prism 43 corresponds to the third prism in the present disclosure.
  • the prism 43 is supported by the holder 431.
  • the prisms 41 and 42 are arranged at different positions in the optical path of the light beam passing through the prism 43 in the wavelength dispersion direction DD of any of the prisms 41 and 42.
  • the prism 41 corresponds to the first prism in the present disclosure
  • the prism 42 corresponds to the second prism in the present disclosure.
  • the prism 41 is supported by the holder 411
  • the prism 42 is supported by the holder 421.
  • the positions of the prisms 41 and 42 are set so that the light beam that has passed through the prism 43 is incident across the prisms 41 and 42.
  • the wavelength dispersion direction DD of the prism is the direction in which the refraction angle of light on the surface of the prism is dispersed according to the wavelength. In the examples shown in FIGS. 3A and 3B, the wavelength dispersion direction DDs of the prisms 41 and 42 are the same.
  • Prism 41 to 44 are made of a material such as calcium fluoride or synthetic quartz having a high transmittance with respect to the wavelength selected by the band narrowing device 14.
  • the prisms 41 to 44 are arranged so that the surfaces of the prisms 41 to 44 from which the light beam enters and exits are parallel to the V axis.
  • the prism 41 can be rotated about an axis parallel to the V axis by the rotation stage 412, and the prism 42 can be rotated about an axis parallel to the V axis by the rotation stage 422.
  • the grating 50 is arranged across the optical paths of both the first portion B1 of the light beam that has passed through the prism 41 and the second portion B2 of the light beam that has passed through the prism 42.
  • the direction of the groove of the grating 50 coincides with the direction of the V axis.
  • the grating 50 is supported by the holder 501.
  • the light beam emitted from the window 10a is changed in the traveling direction in a plane parallel to the HZ plane, which is a plane perpendicular to the V axis, by each of the prisms 44 and 43, and is parallel to the HZ plane.
  • the beam width can be expanded in the plane.
  • the traveling direction of the light beam passing through both the prisms 44 and 43 and toward the prisms 41 and 42 substantially coincides with the ⁇ Z direction as an example.
  • the first portion B1 of the light beam that has passed through the prism 43 is incident on the prism 41, and the second portion B2 is incident on the prism 42.
  • the angle of incidence of the light beam incident on the prisms 41 and 42 depends on the respective postures of the prisms 41 and 42.
  • the light beam incident on the prisms 41 and 42 is changed in the traveling direction according to the respective postures of the prisms 41 and 42, and is emitted toward the grating 50.
  • the light incident on the grating 50 from the prisms 41 and 42 is reflected by the plurality of grooves of the grating 50 and diffracted in a direction corresponding to the wavelength of the light.
  • the light reflected by the plurality of grooves of the grating 50 is dispersed in the plane parallel to the HZ plane.
  • the prism 41 includes the incident angle of the first portion B1 of the light beam incident on the grating 50 from the prism 41, the diffraction angle of the light of the desired first wavelength among the diffracted light diffracted by the grating 50, and the diffraction angle of the light. Are placed in a matching posture.
  • the prism 42 includes the incident angle of the second portion B2 of the light beam incident on the grating 50 from the prism 42, the diffraction angle of the light of the desired second wavelength among the diffracted light diffracted by the grating 50, and the diffraction angle of the light. Are placed in a matching posture.
  • the incident angles of the light beams incident on the grating 50 from the prisms 41 and 42 are different from each other, the first wavelength of the diffracted light returned from the grating 50 to the prism 41 and the second wavelength of the diffracted light returned from the grating 50 to the prism 42 There is a wavelength difference from the wavelength of.
  • the dashed arrow indicating the light beam indicates only the direction from the prism 44 to the grating 50, but the light beam having the selected wavelength by the narrowing device 14 has a path opposite to these dashed arrows. From the grating 50 to the prism 44.
  • the prisms 41 to 44 reduce the beam width of the light returned from the grating 50 in a plane parallel to the HZ plane, and return the light into the laser chamber 10 through the window 10a.
  • the rotary stages 412 and 422 are controlled by the laser control processor 30 (see FIG. 2).
  • the rotating stage 412 slightly rotates the prism 41
  • the traveling direction of the first portion B1 of the light beam emitted from the prism 41 toward the grating 50 changes slightly in a plane parallel to the HZ plane.
  • the incident angle of the first portion B1 of the light beam incident on the grating 50 from the prism 41 changes slightly. Therefore, the first wavelength changes.
  • the rotating stage 422 slightly rotates the prism 42
  • the traveling direction of the second portion B2 of the light beam emitted from the prism 42 toward the grating 50 changes slightly in a plane parallel to the HZ plane.
  • the incident angle of the second portion B2 of the light beam incident on the grating 50 from the prism 42 changes slightly. Therefore, the second wavelength changes.
  • the narrow band gas laser apparatus 1 can oscillate at two wavelengths.
  • the first wavelength and the second wavelength can be set separately.
  • the focal length in the exposure apparatus 100 depends on the wavelength of the pulsed laser beam.
  • the pulsed laser light that oscillates at two wavelengths and is output from the narrowing band gas laser device 1 can be imaged at two different positions in the direction of the optical path axis of the pulsed laser light on the workpiece table WT of the exposure device 100.
  • the focal depth can be substantially increased. For example, even when a resist film having a large film thickness is exposed, it is possible to suppress variations in imaging performance in the thickness direction of the resist film.
  • the first wavelength and the second wavelength can be set separately, but the cross-sectional shape of the resist film obtained by exposing and developing the resist film. was sometimes not easy to shape.
  • the resist wall surface which is the interface between the portion from which the resist film has been removed by exposure and development and the portion where the resist film is left on the semiconductor wafer, is close to perpendicular to the surface of the semiconductor wafer. Even so, the resist wall surface sometimes became slanted.
  • the energy ratio between the first wavelength component and the second wavelength component contained in the pulsed laser light can be adjusted.
  • the balance of the exposed state in the thickness direction of the resist film can be adjusted.
  • FIGS. 4A and 4B show the configuration of the band narrowing device 14a in the first embodiment. Schematically shown.
  • FIG. 4A shows the band narrowing device 14a seen in the ⁇ V direction
  • FIG. 4B shows the band narrowing device 14a viewed in the ⁇ H direction.
  • the narrowing band device 14a includes a parallel plane substrate 61 as a beam shift optical system.
  • the parallel plane substrate 61 is arranged in the optical path of the light beam emitted from the window 10a.
  • the parallel plane substrate 61 is arranged in the optical path of the light beam between the window 10a and the prism 44.
  • the parallel plane substrate 61 is supported by the holder 611.
  • the parallel plane substrate 61 is made of a material such as calcium fluoride or synthetic quartz.
  • the parallel plane substrate 61 is arranged so that the surfaces of the parallel plane substrate 61 into which the light beam enters and exits are parallel to the V axis.
  • the parallel plane substrate 61 is configured to be rotatable about an axis parallel to the V axis by the rotation stage 612. In the first embodiment, the rotary stage 612 corresponds to the third actuator in the present disclosure.
  • the parallel plane substrate 61 refracts the light beam in opposite directions at the same angle between the surface on which the light beam emitted from the window 10a is incident and the surface on which the light beam is emitted toward the prism 44. Let the light beam pass through. Therefore, the light beam emitted from the parallel plane substrate 61 has the same traveling direction as the light beam incident on the parallel plane substrate 61, and the optical path axis is in the direction of the H axis according to the posture of the parallel plane substrate 61. Shifts.
  • the optical path axis refers to the central axis of the optical path.
  • the light beam transmitted through the parallel plane substrate 61 is incident on the prism 44 and then on the prism 43.
  • the prisms 44 and 43 transmit the light beam while expanding the beam width of the light beam in a plane parallel to the HZ plane.
  • the prism 43 causes the first portion B1 of the light beam to be incident on the prism 41 and the second portion B2 of the light beam to be incident on the prism 42.
  • the first portion B1 passes through the inside of the prism 41 and is incident on the grating 50.
  • the second portion B2 passes through the inside of the prism 42 and is incident on the grating 50.
  • the amount of shift in the direction of the H axis when the light beam passes through the parallel plane substrate 61 changes, and the light beam incident on the prisms 41 to 44 changes.
  • Each position changes in the direction of the H axis.
  • the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 changes.
  • the parallel plane substrate 61 is rotated clockwise in FIG. 4A
  • the energy ratio of the first portion B1 decreases, and when it is rotated counterclockwise, the energy of the first portion B1 is reduced.
  • the ratio increases. Thereby, the energy ratio between the first wavelength component and the second wavelength component of the pulsed laser light can be adjusted.
  • the exposure control processor 110 transmits the target value of the first wavelength, the target value of the second wavelength, and the target value of the energy ratio to the laser control processor 30.
  • the laser control processor 30 controls the rotation stage 412 based on the target value of the first wavelength.
  • the rotating stage 412 changes the posture of the prism 41 and adjusts the incident angle (first incident angle) of the first portion B1 of the light beam with respect to the grating 50.
  • the laser control processor 30 controls the rotation stage 422 based on the target value of the second wavelength.
  • the rotating stage 422 changes the posture of the prism 42 and adjusts the incident angle (second incident angle) of the second portion B2 of the light beam with respect to the grating 50.
  • the laser control processor 30 controls the rotation stage 612 based on the target value of the energy ratio. As a result, the rotating stage 612 adjusts the posture of the parallel plane substrate 61 and adjusts the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 of the light beam.
  • the parallel plane substrate 61 is arranged in the optical path of the light beam between the window 10a and the prism 44, but the present disclosure is not limited to this.
  • the parallel plane substrate 61 may be arranged between the prism 44 and the prism 43, or between the prism 43 and the prisms 41 and 42.
  • a parallel plane substrate 61 that can rotate around an axis parallel to the V axis is shown. Disclosure is not limited to this.
  • the optical path axis of the light beam may be shifted in the direction of the H axis by combining a plurality of prisms (not shown) each having an entrance / exit surface parallel to the direction of the V axis. By changing the position of at least one of these prisms, the shift amount in the direction of the H axis may be changed.
  • the band narrowing device 14a has prisms 41 and 42 arranged at different positions in the wavelength dispersion direction DD (see FIGS. 3A and 3B), and the beam width of the light beam.
  • the optical path of the prism 43 which causes the first portion B1 of the light beam to be incident on the prism 41 and the second portion B2 of the light beam, which is incident on the prism 42, and the optical path of the first portion B1 which has passed through the prism 41.
  • a grating 50 arranged across the optical path of the second portion B2 that has passed through the prism 42.
  • the rotation stage 412 which is the first actuator, rotates the prism 41 to adjust the first incident angle of the first portion B1 of the light beam with respect to the grating 50
  • the rotation stage 422, which is the second actuator rotates the prism 42. Rotate to adjust the second angle of incidence of the second portion B2 of the light beam with respect to the grating 50
  • the rotation stage 612 which is the third actuator, adjusts the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2. Thereby, the energy ratio of the first wavelength component and the second wavelength component contained in the pulsed laser light output from the narrow band gas laser device 1 can be adjusted.
  • the cross-sectional shape of the resist film can be made into a desired shape.
  • the band narrowing device 14a includes a parallel plane substrate 61 which is a beam shift optical system.
  • the beam shift optical system is arranged in the optical path of the light beam, transmits the light beam, causes the light beam to enter the prism 44, and then causes the light beam to enter the prism 43.
  • the rotation stage 612 changes the posture of the parallel plane substrate 61, which is at least one optical element included in the beam shift optical system, so that the position of the light beam incident on the prism 43 from the beam shift optical system is changed. Is changed in the direction intersecting the VZ plane parallel to both the optical path axis of the light beam and the groove of the grating 50.
  • the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 is adjusted with a simple configuration, and the first wavelength component and the second wavelength component included in the pulsed laser light output from the narrow band gas laser apparatus 1 are used.
  • the energy ratio with the wavelength component of can be adjusted.
  • FIGS. 5A and 5B schematically show the configuration of the band narrowing device 14b in the first modified example.
  • FIG. 5A shows the narrowing device 14b viewed in the ⁇ V direction
  • FIG. 5B shows the narrowing device 14b viewed in the ⁇ H direction.
  • the prism 43 can be rotated about an axis parallel to the V axis by the rotation stage 432.
  • the rotary stage 432 corresponds to the first actuator in the present disclosure.
  • the prism 41 is supported to maintain a constant posture.
  • the configuration and operation of the first modification are the same as the configuration and operation of the first embodiment described with reference to FIGS. 4A and 4B.
  • the rotation stage 432 which is the first actuator, rotates the prism 43.
  • the incident angle of the light beam incident on the grating 50 from the prism 43 via the prisms 41 and 42 changes. Therefore, both the first wavelength and the second wavelength change.
  • the second wavelength can be changed, and the wavelength difference between the first wavelength and the second wavelength can be changed. Therefore, by controlling both the rotation stages 422 and 432, the first wavelength and the second wavelength can be brought closer to the respective target values.
  • the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 also changes.
  • the posture of the parallel plane substrate 61 is controlled to form the first portion B1.
  • the energy ratio with the second portion B2 may be adjusted.
  • FIGS. 6A and 6B schematically show the configuration of the band narrowing device 14c in the second modified example.
  • FIG. 6A shows the narrowing device 14c seen in the ⁇ V direction
  • FIG. 6B shows the narrowing device 14c seen in the ⁇ H direction.
  • the narrowing device 14c includes a linear stage 413.
  • the linear stage 413 is configured to integrally move the prisms 41 and 42 together with the holders 411 and 421 and the rotary stages 412 and 422, respectively.
  • the moving directions of the prisms 41 and 42 by the linear stage 413 are the directions intersecting the VZ plane.
  • the direction intersecting the VZ plane is the direction intersecting the plane parallel to both the optical path axis of the light beam incident on the prisms 41 and 42 from the prism 43 and the groove of the grating 50, and for example, any of the prisms 41 and 42.
  • the wavelength dispersion direction DD see FIGS. 3A and 3B).
  • the linear stage 413 corresponds to the third actuator in the present disclosure.
  • the parallel plane substrate 61 (see FIGS. 4A and 4B) may not be present.
  • the prisms 43 and 42 are made rotatable so that the prisms 43 are maintained in a constant posture, but the present disclosure is not limited to this.
  • the prisms 42 and 43 similarly to the first modification, may be rotatable so that the prism 41 is maintained in a constant posture.
  • the linear stage 413 which is the third actuator, is parallel to both the optical path axis of the light beam incident on the prisms 41 and 42 from the prism 43 and the groove of the grating 50.
  • the prisms 41 and 42 are moved in the direction intersecting the VZ plane. Thereby, the energy ratio between the first wavelength component and the second wavelength component of the pulsed laser light can be adjusted without the parallel plane substrate 61.
  • FIGS. 7A and 7B schematically show the configuration of the band narrowing device 14d in the third modified example.
  • FIG. 7A shows the narrowing device 14d seen in the ⁇ V direction
  • FIG. 7B shows the narrowing device 14d seen in the ⁇ H direction.
  • the band narrowing device 14d includes a shading plate 71.
  • the light-shielding plate 71 is arranged so as to overlap a part of the cross section of the optical path of the second portion B2 of the light beam that has passed through the prism 42.
  • the shading plate 71 is supported by the holder 711.
  • the light-shielding plate 71 is configured to be movable in a direction intersecting the optical path axis of the second portion B2 by the linear stage 712.
  • the linear stage 712 corresponds to the third actuator in the present disclosure.
  • the parallel plane substrate 61 may not be provided.
  • the shading plate 71 absorbs a part of the second portion B2 of the light beam or reflects it out of the optical path of the light beam. As a result, the energy of the second portion B2 incident on the grating 50 is reduced as compared with the case where the light-shielding plate 71 is not provided.
  • the linear stage 712 moves the position of the shading plate 71, the energy of the second portion B2 incident on the grating 50 changes before and after the movement. Thereby, the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 can be adjusted.
  • the energy ratio of the second portion B2 is set to 0, and laser oscillation in the one-wavelength mode is possible. If the entire light-shielding plate 71 is retracted from the second portion B2, the energy ratio of the second portion B2 can be maximized.
  • the configuration and operation of the third modification is the same as the configuration and operation of the first embodiment.
  • the shading plate 71 is arranged in the optical path of the second portion B2 of the light beam between the prism 42 and the grating 50. Not limited to this.
  • the shading plate 71 may be arranged in the optical path of the second portion B2 of the light beam between the prism 43 and the prism 42.
  • the prisms 43 are kept in a constant posture so that the prisms 41 and 42 can rotate, but the present disclosure is not limited to this.
  • the prisms 42 and 43 similarly to the first modification, may be rotatable so that the prism 41 is maintained in a constant posture.
  • the prisms 41 and 43 may be rotatable so that the prisms 42 are maintained in a constant position.
  • the narrowing device 14d includes a shading plate 71 arranged so as to overlap a part of the cross section of the optical path of the second portion B2 of the light beam.
  • the linear stage 712 which is the third actuator, moves the light-shielding plate 71 in the direction intersecting the optical path axis of the second portion B2.
  • FIGS. 8A and 8B schematically show the configuration of the band narrowing device 14e in the fourth modified example.
  • FIG. 8A shows the narrowing device 14e seen in the ⁇ V direction
  • FIG. 8B shows the narrowing device 14e seen in the ⁇ H direction.
  • the band narrowing device 14e includes a parallel plane substrate 62 in addition to the parallel plane substrate 61.
  • the parallel plane substrate 62 corresponds to the beam separation optical system in the present disclosure.
  • the parallel plane substrate 62 is arranged so as to overlap a part of the cross section of the optical path of the light beam that has passed through the prism 43.
  • the parallel plane substrate 62 is arranged in the optical path of the second portion B2 of the light beam between the prism 43 and the prism 42.
  • the parallel plane substrate 62 is supported by the holder 621.
  • the parallel plane substrate 62 is made of a material such as calcium fluoride or synthetic quartz.
  • the incident surface 623 on which a part of the light beam passing through the prism 43 is incident and the light incident on the parallel plane substrate 62 through the incident surface 623 are directed from the inside of the parallel plane substrate 62 toward the prism 42.
  • the incident surface 623 and the exit surface 624 are both parallel to the V-axis, and the incident surface 623 and the exit surface 624 are parallel to each other.
  • the incident surface 623 and the exit surface 624 are inclined with respect to the incident direction of the light beam so as to refract the light beam.
  • the normal vector 623v of the incident surface 623 is parallel to the HZ plane, and the normal vector 623v has directional components in the ⁇ H direction and the + Z direction.
  • the first portion B1 of the light beam that has passed through the prism 43 passes through the outside of the parallel plane substrate 62 and is incident on the prism 41.
  • the second portion B2 of the light beam passes through the inside of the parallel plane substrate 62 and is incident on the prism 42. That is, the narrowing device 14e including the parallel plane substrate 62 causes the first portion B1 of the light beam to be incident on the prism 41 and the second portion B2 of the light beam to be incident on the prism 42.
  • the parallel plane substrate 62 shifts the optical path axis of the second portion B2 of the light beam in the + H direction with respect to the optical path axis of the first portion B1. In this way, the parallel plane substrate 62 separates the first portion B1 and the second portion B2 of the light beam by transmitting a part of the light beam.
  • the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 changes. For example, when the parallel plane substrate 61 is rotated clockwise in FIG. 8A, the energy ratio of the first portion B1 decreases, and when it is rotated counterclockwise, the energy of the first portion B1 is reduced. The ratio increases. Thereby, the energy ratio between the first wavelength component and the second wavelength component of the pulsed laser light can be adjusted.
  • the configuration and operation of the fourth modification is the same as the configuration and operation of the first embodiment.
  • the prisms 43 and 42 are made rotatable so that the prisms 43 are maintained in a constant posture, but the present disclosure is not limited to this.
  • the prisms 42 and 43 similarly to the first modification, may be rotatable so that the prism 41 is maintained in a constant posture.
  • the prisms 41 and 43 may be rotatable so that the prism 42 is maintained in a constant posture.
  • the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 is adjusted by adjusting the posture of the parallel plane substrate 61, but the present disclosure is not limited to this.
  • the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 may be adjusted by integrally moving the prisms 41 and 42 and the parallel plane substrate 62.
  • the energy of the first portion B1 and the second portion B2 is generated by moving the light-shielding plate 71 arranged so as to overlap a part of the cross section of the optical path of the light beam. The ratio may be adjusted.
  • the narrowing device 14e is a parallel plane which is a beam separation optical system arranged so as to overlap a part of the cross section of the optical path of the light beam passing through the prism 43. Includes substrate 62.
  • the beam separation optical system separates the first portion B1 from the second portion B2 by transmitting a part of the light beam. According to this, it is possible to suppress the waste of the light beam incident between the prism 41 and the prism 42. Further, the prisms 41 and 42 can be arranged at intervals from each other, and even when the prisms 41 and 42 are rotated, they can be arranged outside the radius of gyration of each other.
  • FIGS. 9A and 9B schematically show the configuration of the band narrowing device 14f in the fifth modification.
  • FIG. 9A shows the narrowing device 14f seen in the ⁇ V direction
  • FIG. 9B shows the narrowing device 14f seen in the ⁇ H direction.
  • the band narrowing device 14f includes a linear stage 622 that moves the parallel plane substrate 62.
  • the linear stage 622 corresponds to the third actuator in the present disclosure.
  • the parallel plane substrate 61 may not be provided.
  • the linear stage 622 sets the parallel plane substrate 62 in the direction intersecting the VZ plane parallel to both the optical path axis of the light beam incident on the parallel plane substrate 62 from the prism 43 and the groove of the grating 50. Move it.
  • the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 changes.
  • the configuration and operation of the fifth modification is the same as the configuration and operation of the fourth modification.
  • the prisms 43 and 42 are made rotatable so that the prisms 43 are maintained in a constant posture, but the present disclosure is not limited to this.
  • the prisms 42 and 43 similarly to the first modification, may be rotatable so that the prism 41 is maintained in a constant posture.
  • the prisms 41 and 43 may be rotatable so that the prism 42 is maintained in a constant posture.
  • the beam separation optics include a parallel plane substrate 62.
  • the linear stage 622 which is the third actuator, moves the parallel plane substrate 62 in a direction intersecting a plane parallel to both the optical path axis of the light beam incident on the parallel plane substrate 62 from the prism 43 and the groove of the grating 50. .. Thereby, the energy ratio between the first wavelength component and the second wavelength component of the pulsed laser light can be adjusted without the parallel plane substrate 61.
  • FIGS. 10A and 10B schematically show the configuration of the narrow band device 14g in the second embodiment.
  • FIG. 10A shows 14 g of the narrowing device as seen in the ⁇ V direction
  • FIG. 10B shows 14 g of the narrowing device as seen in the ⁇ H direction.
  • the narrowing device 14g includes the gratings 51 and 52 instead of the grating 50.
  • the grating 51 is arranged in the optical path of the first portion B1 of the light beam transmitted through the prism 41.
  • the grating 52 is arranged in the optical path of the second portion B2 of the light beam transmitted through the prism 42.
  • the gratings 51 and 52 are supported by holders 511 and 521, respectively.
  • the gratings 51 and 52 can be rotated about an axis parallel to the V axis by rotation stages 512 and 522, respectively.
  • the rotary stages 512 and 522 correspond to the first and second actuators in the present disclosure, respectively.
  • the prisms 41 and 42 do not have to be rotatable.
  • the incident angle of the second portion B2 of the light beam incident on the grating 52 from the prism 42 changes slightly. Since the light having a wavelength diffracted by the diffraction angle corresponding to the incident angle is returned from the grating 52 to the prism 42, the second wavelength, which is the wavelength of the light returned to the prism 42, changes with the rotation of the grating 52. ..
  • the first wavelength and the second wavelength can be set separately.
  • the configuration and operation of the second embodiment is the same as the configuration and operation of the fifth modification.
  • the gratings 51 and 52 are made rotatable so that the prisms 41 to 43 are maintained in a constant posture, but the present disclosure is limited to this. Not done.
  • any one of the prisms 41 and the grating 51 and any one of the prisms 42, 43 and the grating 52 can be rotated, and the like. May be maintained in a constant position.
  • any one of the prisms 41, 43 and the grating 51 and any one of the prisms 42 and the grating 52 can be rotated, and the others are placed in a constant posture. You may try to maintain it.
  • the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 is adjusted by adjusting the position of the parallel plane substrate 62, but the present disclosure is not limited to this.
  • the first portion B1 and the second portion B2 can be separated from each other.
  • the energy ratio may be adjusted.
  • the light-shielding plate 71 arranged so as to overlap a part of the cross section of the optical path of the light beam as in the third modification without providing the parallel plane substrate 62 the light-shielding plate 71 and the first portion B1
  • the energy ratio with the second portion B2 may be adjusted.
  • the band narrowing device 14g has passed through the grating 51 and the prism 42 arranged in the optical path of the first portion B1 of the light beam that has passed through the prism 41. It includes a grating 52 arranged in the optical path of the second portion B2 of the light beam.
  • the linear stage 622 which is the third actuator, adjusts the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2. Thereby, the energy ratio of the first wavelength component and the second wavelength component contained in the pulsed laser light output from the narrow band gas laser device 1 can be adjusted.
  • the rotation stage 512 which is the first actuator, rotates the grating 51 around an axis parallel to the groove of the grating 51, that is, around an axis parallel to the V axis.
  • the first incident angle of the first portion B1 of the light beam with respect to the grating 51 is adjusted, and the first wavelength can be controlled.
  • the rotation stage 522 which is the second actuator, rotates the grating 52 around the axis parallel to the groove of the grating 52, that is, about the axis parallel to the V axis.
  • the second incident angle of the second portion B2 of the light beam with respect to the grating 52 is adjusted, and the second wavelength can be controlled.
  • the band narrowing device 14g includes a parallel plane substrate 62 which is a beam separation optical system arranged so as to overlap a part of the cross section of the optical path of the light beam passing through the prism 43.
  • the beam separation optical system separates the first portion B1 from the second portion B2 by transmitting a part of the light beam. According to this, it is possible to prevent a part of the light beam from being incident between the prism 41 and the prism 42 and being wasted.
  • the prisms 41 and 42 can be arranged at intervals from each other, and even when the prisms 41 and 42 can be rotated, they can be arranged outside the radius of gyration of each other.
  • the beam separation optical system includes the parallel plane substrate 62.
  • the linear stage 622 which is the third actuator, moves the parallel plane substrate 62 in a direction intersecting a plane parallel to both the optical path axis of the light beam incident on the parallel plane substrate 62 from the prism 43 and the groove of the grating 52. ..
  • the energy ratio between the first wavelength component and the second wavelength component of the pulsed laser light can be adjusted without the parallel plane substrate 61.
  • FIGS. 11A and 11B schematically show the configuration of the band narrowing device 14h in the sixth modification.
  • FIG. 11A shows the band narrowing device 14h viewed in the ⁇ V direction
  • FIG. 11B shows the band narrowing device 14h viewed in the ⁇ H direction.
  • the two prisms 41h and 42h included in the band narrowing device 14h are arranged so as to refract the first portion B1 and the second portion B2 of the light beam emitted from the prism 43 in opposite directions to each other. That is, the prism 41h bends the traveling direction of the first portion B1 counterclockwise in FIG. 11A so that the first portion B1 of the light beam emitted toward the grating 51 moves away from the second portion B2. It is located in.
  • the prism 42h is arranged so that the traveling direction of the second portion B2 is bent clockwise in FIG. 11A so that the second portion B2 emitted toward the grating 52 is away from the first portion B1.
  • the prism 42h is located on the upstream side of the light beam emitted from the prism 43 with respect to the prism 41h.
  • the prism 42h is configured to be movable by a linear stage 423.
  • the linear stage 423 corresponds to the third actuator in the present disclosure.
  • the parallel plane substrate 62 may not be provided.
  • the linear stage 423 moves the prism 42h in a direction intersecting the VZ plane parallel to both the optical path axis of the light beam emitted from the prism 43 toward the prism 42h and the groove of the grating 52. ..
  • the beam width of the second portion B2 changes.
  • the beam width of the first portion B1 incident on the prism 41h located on the downstream side of the light beam from the prism 42h changes.
  • the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 changes.
  • the configuration and operation of the sixth modification is the same as the configuration and operation of the second embodiment.
  • the gratings 51 and 52 were made rotatable so that the prisms 41h, 42h, and 43 were maintained in a constant posture. Not limited to this.
  • any one of the prisms 41h and the grating 51 and any one of the prisms 42h, 43 and the grating 52 can be rotated. As a result, the others may be maintained in a constant posture.
  • any one of the prisms 41h, 42h, and 43 and the gratings 51 and 52 can be rotated, and the others are constant. You may try to maintain the posture of.
  • the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 is adjusted by adjusting the position of the prism 42h, but the present disclosure is not limited to this.
  • the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 May be adjusted.
  • the narrowing device 14h bends the traveling direction of the first portion B1 so that the first portion B1 of the light beam is away from the second portion B2. It includes a prism 41h and a prism 42h that bends the traveling direction of the second portion B2 so that the second portion B2 moves away from the first portion B1.
  • the optical path of the first portion B1 and the optical path of the second portion B2 are bent in opposite directions, so that the gratings 51 and 52 can be arranged at intervals from each other, and the gratings 51 and 52 can be arranged, respectively. Even when they are rotated, they can be arranged outside the respective turning radii.
  • both the parallel plane substrates 61 and 62 can be eliminated as a configuration for adjusting the energy ratio between the first wavelength component and the second wavelength component of the pulsed laser light.
  • FIGS. 12A and 12B schematically show the configuration of the band narrowing device 14i in the seventh modified example.
  • FIG. 12A shows the narrowing device 14i seen in the ⁇ V direction
  • FIG. 12B shows the narrowing device 14i seen in the ⁇ H direction.
  • the band narrowing device 14i includes a shading plate 71.
  • the light-shielding plate 71 is arranged so as to overlap a part of the cross section of the optical path of the second portion B2 of the light beam that has passed through the prism 42h.
  • the shading plate 71 is supported by the holder 711.
  • the light-shielding plate 71 is configured to be movable in a direction intersecting the optical path axis of the second portion B2 by the linear stage 712.
  • the linear stage 712 corresponds to the third actuator in the present disclosure.
  • the linear stage 423 that moves the prism 42h may not be provided.
  • the shading plate 71 absorbs a part of the second portion B2 of the light beam or reflects it out of the optical path of the light beam. As a result, the energy of the second portion B2 incident on the grating 52 is reduced as compared with the case where the light-shielding plate 71 is not provided.
  • the linear stage 712 moves the position of the shading plate 71, the energy of the second portion B2 incident on the grating 52 changes before and after the movement. Thereby, the energy ratio between the first portion B1 and the second portion B2 can be adjusted.
  • the energy ratio of the second portion B2 is set to 0, and laser oscillation in the one-wavelength mode is possible. If the entire light-shielding plate 71 is retracted from the second portion B2, the energy ratio of the second portion B2 can be maximized.
  • the configuration and operation of the seventh modification is the same as the configuration and operation of the sixth modification.
  • the shading plate 71 is arranged in the optical path of the second portion B2 of the light beam between the prism 42h and the grating 52. Not limited to this.
  • the shading plate 71 may be arranged in the optical path of the second portion B2 of the light beam between the prism 43 and the prism 42h. Further, the light-shielding plate 71 may be arranged in the optical path of the first portion B1 of the light beam between the prism 43 and the grating 51.
  • the gratings 41h, 42h, and 43 are maintained in a constant posture so that the gratings 51 and 52 can be rotated, but the present disclosure is not limited to this.
  • the seventh modification of the prisms 41h, 42h, and 43 and the gratings 51 and 52, any one of the prisms 41h and the grating 51 and any one of the prisms 42h, 43 and the grating 52 can be rotated. As a result, the others may be maintained in a constant posture.
  • any one of the prisms 41h, 42h, and 43 and the gratings 51 and 52 can be rotated, and the others are constant. You may try to maintain the posture of.
  • the narrowing device 14i includes a shading plate 71 arranged so as to overlap a part of the cross section of the optical path of the second portion B2 of the light beam.
  • the linear stage 712 which is the third actuator, moves the light-shielding plate 71 in the direction intersecting the optical path axis of the second portion B2.

Abstract

狭帯域化装置は、第1及び第2のプリズムであって、第1及び第2のプリズムのいずれかの波長分散方向において異なる位置に配置された第1及び第2のプリズムと、光ビームの光路に配置され、光ビームのビーム幅を拡大して光ビームの第1の部分を第1のプリズムに入射させ、光ビームの第2の部分を第2のプリズムに入射させる第3のプリズムと、第1のプリズムを通過した第1の部分の光路及び第2のプリズムを通過した第2の部分の光路にまたがって配置されたグレーティングと、第1の部分のグレーティングに対する入射角を調整する第1のアクチュエータと、第2の部分のグレーティングに対する入射角を調整する第2のアクチュエータと、第1の部分と第2の部分とのエネルギー比率を調整する第3のアクチュエータと、を備える。

Description

狭帯域化装置、及び電子デバイスの製造方法
 本開示は、狭帯域化装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
 近年、半導体露光装置においては、半導体集積回路の微細化および高集積化につれて、解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められている。たとえば、露光用のガスレーザ装置としては、波長約248nmのレーザ光を出力するKrFエキシマレーザ装置、ならびに波長約193nmのレーザ光を出力するArFエキシマレーザ装置が用いられる。
 KrFエキシマレーザ装置およびArFエキシマレーザ装置の自然発振光のスペクトル線幅は、350~400pmと広い。そのため、KrF及びArFレーザ光のような紫外線を透過する材料で投影レンズを構成すると、色収差が発生してしまう場合がある。その結果、解像力が低下し得る。そこで、ガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を、色収差が無視できる程度となるまで狭帯域化する必要がある。そのため、ガスレーザ装置のレーザ共振器内には、スペクトル線幅を狭帯域化するために、狭帯域化素子(エタロンやグレーティング等)を含む狭帯域化モジュール(Line Narrow Module:LNM)が備えられる場合がある。以下では、スペクトル線幅が狭帯域化されるガスレーザ装置を狭帯域化ガスレーザ装置という。
特開平02-276283号公報 特開2006-269628号公報
概要
 本開示の1つの観点に係る狭帯域化装置は、第1及び第2のプリズムであって、第1及び第2のプリズムのいずれかの波長分散方向において異なる位置に配置された第1及び第2のプリズムと、光ビームの光路に配置され、光ビームのビーム幅を拡大して光ビームの第1の部分を第1のプリズムに入射させ、光ビームの第2の部分を第2のプリズムに入射させる第3のプリズムと、第1のプリズムを通過した第1の部分の光路及び第2のプリズムを通過した第2の部分の光路にまたがって配置されたグレーティングと、第1の部分のグレーティングに対する入射角を調整する第1のアクチュエータと、第2の部分のグレーティングに対する入射角を調整する第2のアクチュエータと、第1の部分と第2の部分とのエネルギー比率を調整する第3のアクチュエータと、を備える。
 本開示の他の1つの観点に係る狭帯域化装置は、第1及び第2のプリズムであって、第1及び第2のプリズムのいずれかの波長分散方向において異なる位置に配置された第1及び第2のプリズムと、光ビームの光路に配置され、光ビームのビーム幅を拡大して光ビームの第1の部分を第1のプリズムに入射させ、光ビームの第2の部分を第2のプリズムに入射させる第3のプリズムと、第1のプリズムを通過した第1の部分の光路に配置された第1のグレーティングと、第2のプリズムを通過した第2の部分の光路に配置された第2のグレーティングと、第1の部分の第1のグレーティングに対する入射角を調整する第1のアクチュエータと、第2の部分の第2のグレーティングに対する入射角を調整する第2のアクチュエータと、第1の部分と第2の部分とのエネルギー比率を調整する第3のアクチュエータと、を備える。
 本開示の1つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、レーザ装置によってパルスレーザ光を生成し、パルスレーザ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にパルスレーザ光を露光することを含む。レーザ装置は、レーザチャンバと、狭帯域化装置を含む光共振器と、を含む。狭帯域化装置は、第1及び第2のプリズムであって、第1及び第2のプリズムのいずれかの波長分散方向において異なる位置に配置された第1及び第2のプリズムと、光ビームの光路に配置され、光ビームのビーム幅を拡大して光ビームの第1の部分を第1のプリズムに入射させ、光ビームの第2の部分を第2のプリズムに入射させる第3のプリズムと、第1のプリズムを通過した第1の部分の光路及び第2のプリズムを通過した第2の部分の光路にまたがって配置されたグレーティングと、第1の部分のグレーティングに対する入射角を調整する第1のアクチュエータと、第2の部分のグレーティングに対する入射角を調整する第2のアクチュエータと、第1の部分と第2の部分とのエネルギー比率を調整する第3のアクチュエータと、を備える。
 本開示の他の1つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、レーザ装置によってパルスレーザ光を生成し、パルスレーザ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にパルスレーザ光を露光することを含む。レーザ装置は、レーザチャンバと、狭帯域化装置を含む光共振器と、を含む。狭帯域化装置は、第1及び第2のプリズムであって、第1及び第2のプリズムのいずれかの波長分散方向において異なる位置に配置された第1及び第2のプリズムと、光ビームの光路に配置され、光ビームのビーム幅を拡大して光ビームの第1の部分を第1のプリズムに入射させ、光ビームの第2の部分を第2のプリズムに入射させる第3のプリズムと、第1のプリズムを通過した第1の部分の光路に配置された第1のグレーティングと、第2のプリズムを通過した第2の部分の光路に配置された第2のグレーティングと、第1の部分の第1のグレーティングに対する入射角を調整する第1のアクチュエータと、第2の部分の第2のグレーティングに対する入射角を調整する第2のアクチュエータと、第1の部分と第2の部分とのエネルギー比率を調整する第3のアクチュエータと、を備える。
 本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図1は、比較例における露光システムの構成を概略的に示す。 図2は、比較例における露光システムの構成を概略的に示す。 図3A及び図3Bは、比較例における狭帯域化装置の構成を概略的に示す。 図4A及び図4Bは、第1の実施形態における狭帯域化装置の構成を概略的に示す。 図5A及び図5Bは、第1の変形例における狭帯域化装置の構成を概略的に示す。 図6A及び図6Bは、第2の変形例における狭帯域化装置の構成を概略的に示す。 図7A及び図7Bは、第3の変形例における狭帯域化装置の構成を概略的に示す。 図8A及び図8Bは、第4の変形例における狭帯域化装置の構成を概略的に示す。 図9A及び図9Bは、第5の変形例における狭帯域化装置の構成を概略的に示す。 図10A及び図10Bは、第2の実施形態における狭帯域化装置の構成を概略的に示す。 図11A及び図11Bは、第6の変形例における狭帯域化装置の構成を概略的に示す。 図12A及び図12Bは、第7の変形例における狭帯域化装置の構成を概略的に示す。
実施形態
 内容
1.比較例
 1.1 露光システム
  1.1.1 露光装置100の構成
  1.1.2 動作
 1.2 狭帯域化ガスレーザ装置
  1.2.1 構成
   1.2.1.1 マスターオシレータMO
   1.2.1.2 レーザ制御プロセッサ30
   1.2.1.3 ガス調整装置GA
  1.2.2 動作
   1.2.2.1 レーザ制御プロセッサ30
   1.2.2.2 マスターオシレータMO
   1.2.2.3 ガス調整装置GA
 1.3 狭帯域化装置
  1.3.1 構成
   1.3.1.1 プリズム41~44
   1.3.1.2 グレーティング50
  1.3.2 動作
  1.3.3 比較例の課題
2.複数の波長成分のエネルギー比率を調整可能な狭帯域化装置
 2.1 第1の実施形態
  2.1.1 構成
  2.1.2 動作
  2.1.3 他の構成例
  2.1.4 作用
 2.2 第1の変形例
  2.2.1 構成及び動作
  2.2.2 作用
 2.3 第2の変形例
  2.3.1 構成
  2.3.2 動作
  2.3.3 他の構成例
  2.3.4 作用
 2.4 第3の変形例
  2.4.1 構成
  2.4.2 動作
  2.4.3 他の構成例
  2.4.4 作用
 2.5 第4の変形例
  2.5.1 構成
  2.5.2 動作
  2.5.3 他の構成例
  2.5.4 作用
 2.6 第5の変形例
  2.6.1 構成
  2.6.2 動作
  2.6.3 他の構成例
  2.6.4 作用
3.複数のグレーティングを含む狭帯域化装置
 3.1 第2の実施形態
  3.1.1 構成
  3.1.2 動作
  3.1.3 他の構成例
  3.1.4 作用
 3.2 第6の変形例
  3.2.1 構成
  3.2.2 動作
  3.2.3 他の構成例
  3.2.4 作用
 3.3 第7の変形例
  3.3.1 構成
  3.3.2 動作
  3.3.3 他の構成例
  3.3.4 作用
4.その他
 以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
1.比較例
 1.1 露光システム
 図1及び図2は、比較例における露光システムの構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。
 露光システムは、狭帯域化ガスレーザ装置1と、露光装置100と、を含む。図1においては狭帯域化ガスレーザ装置1が簡略化して示されている。図2においては露光装置100が簡略化して示されている。
 狭帯域化ガスレーザ装置1は、レーザ制御プロセッサ30を含む。狭帯域化ガスレーザ装置1は、パルスレーザ光を露光装置100に向けて出力するように構成されている。
  1.1.1 露光装置100の構成
 図1に示されるように、露光装置100は、照明光学系101と、投影光学系102と、露光制御プロセッサ110と、を含む。
 照明光学系101は、狭帯域化ガスレーザ装置1から入射したパルスレーザ光によって、レチクルステージRT上に配置された図示しないレチクルのレチクルパターンを照明する。
 投影光学系102は、レチクルを透過したパルスレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルWT上に配置された図示しないワークピースに結像させる。ワークピースはレジスト膜が塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。
 露光制御プロセッサ110は、制御プログラムが記憶されたメモリ112と、制御プログラムを実行するCPU(central processing unit)111と、を含む処理装置である。露光制御プロセッサ110は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。露光制御プロセッサ110は、露光装置100の制御を統括するとともに、レーザ制御プロセッサ30との間で各種データ及び各種信号を送受信する。
  1.1.2 動作
 露光制御プロセッサ110は、波長の目標値のデータ、パルスエネルギーの目標値のデータ、及びトリガ信号をレーザ制御プロセッサ30に送信する。レーザ制御プロセッサ30は、これらのデータ及び信号に従って狭帯域化ガスレーザ装置1を制御する。
 露光制御プロセッサ110は、レチクルステージRTとワークピーステーブルWTとを同期して互いに逆方向に平行移動させる。これにより、レチクルパターンを反映したパルスレーザ光でワークピースが露光される。
 このような露光工程によって半導体ウエハにレチクルパターンが転写される。その後、複数の工程を経ることで電子デバイスを製造することができる。
 1.2 狭帯域化ガスレーザ装置
  1.2.1 構成
 図2に示されるように、狭帯域化ガスレーザ装置1は、レーザ制御プロセッサ30の他に、マスターオシレータMOと、ガス調整装置GAと、を含む。
   1.2.1.1 マスターオシレータMO
 マスターオシレータMOは、レーザチャンバ10と、充電器12と、パルスパワーモジュール(PPM)13と、狭帯域化装置14と、出力結合ミラー15と、光検出器17と、シャッター18と、を含む。狭帯域化装置14及び出力結合ミラー15は光共振器を構成する。
 レーザチャンバ10は、光共振器の光路に配置されている。レーザチャンバ10にはウインドウ10a及び10bが設けられている。
 レーザチャンバ10は、一対の電極11a及び11bを内部に備え、さらにレーザ媒質としてのレーザガスを収容している。レーザ媒質は、例えば、F、ArF、KrF、XeCl、又はXeFである。
 レーザチャンバ10には圧力センサ16が取り付けられている。
 充電器12は、パルスパワーモジュール13に供給するための電気エネルギーを保持する。パルスパワーモジュール13はスイッチ13aを含んでいる。
 狭帯域化装置14は、後述のプリズム41及び42、グレーティング51及び52などの波長選択素子を含む。
 出力結合ミラー15は、部分反射ミラーで構成されている。
 光検出器17は、ビームスプリッタ17aと、センサユニット17bとを含む。ビームスプリッタ17aは、出力結合ミラー15から出力されたパルスレーザ光の光路に配置されている。ビームスプリッタ17aは、パルスレーザ光の一部を高い透過率で透過させるとともに、パルスレーザ光の他の一部を反射してセンサユニット17bに入射させるように構成されている。センサユニット17bは、分光センサを含み、波長の計測データを出力できるように構成されている。さらに、センサユニット17bは、エネルギーセンサを含み、パルスエネルギーの計測データを出力できるように構成されている。
 シャッター18は、ビームスプリッタ17aを透過したパルスレーザ光の光路に配置されている。シャッター18が閉められているとき、ビームスプリッタ17aを透過したパルスレーザ光は露光装置100に入射しないように遮断される。シャッター18が開けられているとき、ビームスプリッタ17aを透過したパルスレーザ光は遮断されずに露光装置100に入射する。
   1.2.1.2 レーザ制御プロセッサ30
 レーザ制御プロセッサ30は、制御プログラムが記憶されたメモリ32と、制御プログラムを実行するCPU31と、を含む処理装置である。レーザ制御プロセッサ30は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。
   1.2.1.3 ガス調整装置GA
 ガス調整装置GAは、ガス供給装置33と、ガス排気装置34と、ガス制御プロセッサ35と、を含む。
 ガス供給装置33は、レーザチャンバ10と図示しないガスボンベとの間の第1の配管に設けられた図示しないバルブを含む。
 ガス排気装置34は、レーザチャンバ10に接続された第2の配管に設けられた図示しないバルブ、ポンプ、及び除害装置を含む。
 ガス制御プロセッサ35は、制御プログラムが記憶されたメモリ37と、制御プログラムを実行するCPU36と、を含む処理装置である。ガス制御プロセッサ35は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。
  1.2.2 動作
   1.2.2.1 レーザ制御プロセッサ30
 レーザ制御プロセッサ30は、露光制御プロセッサ110から波長の目標値のデータを取得する。レーザ制御プロセッサ30は、波長の目標値に基づいて狭帯域化装置14に初期設定信号を送信する。パルスレーザ光の出力が開始された後は、レーザ制御プロセッサ30は、光検出器17から波長の計測データを受信し、波長の目標値と波長の計測データとに基づいて狭帯域化装置14にフィードバック制御信号を送信する。
 レーザ制御プロセッサ30は、露光制御プロセッサ110からパルスエネルギーの目標値のデータを取得する。レーザ制御プロセッサ30は、パルスエネルギーの目標値に基づいて充電器12に充電電圧の初期設定信号を送信する。パルスレーザ光の出力が開始された後は、レーザ制御プロセッサ30は、光検出器17からパルスエネルギーの計測データを受信し、パルスエネルギーの目標値とパルスエネルギーの計測データとに基づいて充電器12に充電電圧のフィードバック制御信号を送信する。
 レーザ制御プロセッサ30は、露光制御プロセッサ110からトリガ信号を受信する。レーザ制御プロセッサ30は、トリガ信号に基づく発振トリガ信号をパルスパワーモジュール13のスイッチ13aに送信する。
 レーザ制御プロセッサ30は、ガス制御プロセッサ35にガス制御信号を送信する。また、レーザ制御プロセッサ30は、圧力センサ16からガス圧Pの計測データを受信し、ガス制御プロセッサ35にガス圧Pの計測データを送信する。
   1.2.2.2 マスターオシレータMO
 スイッチ13aは、レーザ制御プロセッサ30から発振トリガ信号を受信するとオン状態となる。パルスパワーモジュール13は、スイッチ13aがオン状態となると、充電器12に保持された電気エネルギーからパルス状の高電圧を生成する。パルスパワーモジュール13は、この高電圧を電極11a及び11bに印加する。
 電極11a及び11bに高電圧が印加されると、電極11a及び11bの間に放電が起こる。この放電のエネルギーにより、レーザチャンバ10内のレーザガスが励起されて高エネルギー準位に移行する。励起されたレーザガスが、その後、低エネルギー準位に移行するとき、そのエネルギー準位差に応じた波長の光を放出する。
 レーザチャンバ10内で発生した光は、ウインドウ10a及び10bを介してレーザチャンバ10の外部に出射する。ウインドウ10aから出射した光は、光ビームとして狭帯域化装置14に入射する。狭帯域化装置14に入射した光のうちの所望波長付近の光が、狭帯域化装置14によって折り返されてレーザチャンバ10に戻される。
 出力結合ミラー15は、ウインドウ10bから出射した光のうちの一部を透過させて出力し、他の一部を反射してレーザチャンバ10に戻す。
 このようにして、レーザチャンバ10から出射した光は、狭帯域化装置14と出力結合ミラー15との間で往復する。この光は、一対の電極11a及び11b間の放電空間を通過する度に増幅される。こうしてレーザ発振し狭帯域化された光が、出力結合ミラー15からパルスレーザ光として出力される。
 狭帯域化ガスレーザ装置1から出力されたパルスレーザ光は、露光装置100へ入射する。
   1.2.2.3 ガス調整装置GA
 ガス制御プロセッサ35は、レーザ制御プロセッサ30から受信したガス制御信号及びガス圧Pの計測データに基づいて、レーザチャンバ10の内部のガス圧Pが所望の値となるようにガス供給装置33及びガス排気装置34を制御する。
 例えば、レーザチャンバ10の内部のガス圧Pを上げる場合に、ガス制御プロセッサ35は、レーザチャンバ10の内部にレーザガスが供給されるように、ガス供給装置33に含まれるバルブを開ける制御を行う。また例えば、レーザチャンバ10の内部のガス圧Pを下げる場合に、ガス制御プロセッサ35は、レーザチャンバ10の内部のレーザガスの一部が排気されるように、ガス排気装置34に含まれるバルブを開ける制御を行う。
 1.3 狭帯域化装置
  1.3.1 構成
 図3A及び図3Bは、比較例における狭帯域化装置14の構成を概略的に示す。各図に、互いに垂直なV軸、H軸、及びZ軸が示されている。図3Aは、-V方向に見た狭帯域化装置14を示し、図3Bは、-H方向に見た狭帯域化装置14を示す。-V方向及び+V方向は、電極11a及び11b(図2参照)が向かい合う方向に一致している。-Z方向は、ウインドウ10aから出射した光ビームの進行方向に一致している。+Z方向は、ウインドウ10bから出射して出力結合ミラー15を介して出力されるパルスレーザ光の進行方向に一致している。
 狭帯域化装置14は、プリズム41~44と、グレーティング50と、を含む。
   1.3.1.1 プリズム41~44
 プリズム44は、ウインドウ10aから出射した光ビームの光路に配置されている。プリズム44はホルダ441によって支持されている。
 プリズム43は、プリズム44を通過した光ビームの光路に配置されている。プリズム43は本開示における第3のプリズムに相当する。プリズム43はホルダ431によって支持されている。
 プリズム41及び42は、プリズム43を通過した光ビームの光路において、プリズム41及び42のいずれかの波長分散方向DDにおいて互いに異なる位置に配置されている。プリズム41は本開示における第1のプリズムに相当し、プリズム42は本開示における第2のプリズムに相当する。プリズム41はホルダ411によって支持され、プリズム42はホルダ421によって支持されている。プリズム41及び42の位置は、プリズム43を通過した光ビームがプリズム41及び42にまたがって入射するように設定されている。プリズムの波長分散方向DDとは、プリズムの表面における光の屈折角が波長に応じて分散する方向をいう。図3A及び図3Bに示される例では、プリズム41及び42の波長分散方向DDは同一である。
 プリズム41~44は、狭帯域化装置14による選択波長に対して高い透過率を有するフッ化カルシウム又は合成石英などの材料で構成されている。
 プリズム41~44は、光ビームが入出射するプリズム41~44の表面が、いずれもV軸に平行となるように配置されている。プリズム41は、回転ステージ412によって、V軸に平行な軸周りに回転可能であり、プリズム42は、回転ステージ422によって、V軸に平行な軸周りに回転可能となっている。
   1.3.1.2 グレーティング50
 グレーティング50は、プリズム41を通過した光ビームの第1の部分B1及びプリズム42を通過した光ビームの第2の部分B2の両方の光路にまたがって配置されている。グレーティング50の溝の方向は、V軸の方向に一致している。グレーティング50は、ホルダ501によって支持されている。
  1.3.2 動作
 ウインドウ10aから出射した光ビームは、プリズム44及び43の各々によって、V軸に垂直な面であるHZ面に平行な面内で進行方向を変えられ、HZ面に平行な面内でビーム幅を拡大させられる。プリズム44及び43の両方を通過してプリズム41及び42へ向かう光ビームの進行方向は、一例として、-Z方向にほぼ一致する。
 プリズム43を通過した光ビームの第1の部分B1がプリズム41に入射し、第2の部分B2がプリズム42に入射する。プリズム41及び42に入射する光ビームの入射角は、プリズム41及び42のそれぞれの姿勢に依存する。プリズム41及び42に入射した光ビームは、プリズム41及び42のそれぞれの姿勢に応じて進行方向を変えられて、グレーティング50に向けて出射する。
 プリズム41及び42からグレーティング50に入射した光は、グレーティング50の複数の溝によって反射されるとともに、光の波長に応じた方向に回折させられる。これにより、グレーティング50の複数の溝によって反射された光はHZ面に平行な面内で分散させられる。プリズム41は、プリズム41からグレーティング50に入射する光ビームの第1の部分B1の入射角と、グレーティング50によって回折させられた回折光のうちの所望の第1の波長の光の回折角と、が一致するような姿勢に配置される。プリズム42は、プリズム42からグレーティング50に入射する光ビームの第2の部分B2の入射角と、グレーティング50によって回折させられた回折光のうちの所望の第2の波長の光の回折角と、が一致するような姿勢に配置される。プリズム41及び42からグレーティング50に入射する光ビームの入射角が互いに異なる場合、グレーティング50からプリズム41に戻される回折光の第1の波長と、グレーティング50からプリズム42に戻される回折光の第2の波長との間に波長差が生じる。
 図3A及び図3Bにおいて、光ビームを示す破線矢印はプリズム44からグレーティング50に向かう方向のみを示しているが、狭帯域化装置14による選択波長の光ビームは、これらの破線矢印と逆の経路でグレーティング50からプリズム44へ向かう。
 プリズム41~44は、グレーティング50から戻された光のビーム幅をHZ面に平行な面内で縮小させるとともに、その光を、ウインドウ10aを介してレーザチャンバ10内に戻す。
 回転ステージ412及び422は、レーザ制御プロセッサ30(図2参照)によって制御される。
 回転ステージ412がプリズム41を僅かに回転させると、プリズム41からグレーティング50に向けて出射する光ビームの第1の部分B1の進行方向がHZ面に平行な面内で僅かに変化する。これにより、プリズム41からグレーティング50に入射する光ビームの第1の部分B1の入射角が僅かに変化する。よって、第1の波長が変化する。
 回転ステージ422がプリズム42を僅かに回転させると、プリズム42からグレーティング50に向けて出射する光ビームの第2の部分B2の進行方向がHZ面に平行な面内で僅かに変化する。これにより、プリズム42からグレーティング50に入射する光ビームの第2の部分B2の入射角が僅かに変化する。よって、第2の波長が変化する。
 以上の構成及び動作により、レーザチャンバ10のウインドウ10aから出射した光ビームのうちの第1の波長と第2の波長とが選択されて、レーザチャンバ10内に戻される。これにより、狭帯域化ガスレーザ装置1は、2波長発振を行うことができる。回転ステージ412及び422を制御することにより、第1の波長と第2の波長とを別々に設定することもできる。
 露光装置100(図1参照)における焦点距離は、パルスレーザ光の波長に依存する。2波長発振して狭帯域化ガスレーザ装置1から出力されたパルスレーザ光は、露光装置100のワークピーステーブルWTにおいて、パルスレーザ光の光路軸の方向において異なる2つの位置で結像させることができ、実質的に焦点深度を大きくすることができる。例えば、膜厚の大きいレジスト膜を露光する場合でも、レジスト膜の厚み方向での結像性能のばらつきを抑制し得る。
  1.3.3 比較例の課題
 比較例においては、第1の波長と第2の波長とを別々に設定することはできるが、レジスト膜を露光し、現像して得られるレジスト膜の断面形状を所望の形状にするのが容易でない場合があった。例えば、露光及び現像によってレジスト膜が除去された部分とレジスト膜が半導体ウエハ上に残された部分との境界面であるレジスト壁面が、半導体ウエハの表面に対して垂直に近い方が望ましい場合であっても、レジスト壁面が斜めになってしまうことがあった。
 以下に説明する幾つかの実施形態においては、パルスレーザ光に含まれる第1の波長成分と第2の波長成分とのエネルギー比率を調整可能としている。エネルギー比率を調整可能とすることにより、レジスト膜の厚み方向での露光状態のバランスを調整し得る。
2.複数の波長成分のエネルギー比率を調整可能な狭帯域化装置
 2.1 第1の実施形態
  2.1.1 構成
 図4A及び図4Bは、第1の実施形態における狭帯域化装置14aの構成を概略的に示す。図4Aは、-V方向に見た狭帯域化装置14aを示し、図4Bは、-H方向に見た狭帯域化装置14aを示す。
 狭帯域化装置14aは、ビームシフト光学系として、平行平面基板61を含む。
 平行平面基板61は、ウインドウ10aから出射した光ビームの光路に配置されている。例えば、平行平面基板61は、ウインドウ10aとプリズム44との間の光ビームの光路に配置される。平行平面基板61は、ホルダ611によって支持されている。平行平面基板61は、フッ化カルシウム又は合成石英などの材料で構成されている。平行平面基板61は、光ビームが入出射する平行平面基板61の表面が、いずれもV軸に平行となるように配置されている。平行平面基板61は、回転ステージ612によって、V軸に平行な軸周りに回転できるように構成されている。第1の実施形態において、回転ステージ612は本開示における第3のアクチュエータに相当する。
  2.1.2 動作
 平行平面基板61は、ウインドウ10aから出射した光ビームが入射する表面と、光ビームがプリズム44に向けて出射する表面と、で同じ角度ずつ互いに逆向きに光ビームを屈折させて光ビームを透過させる。従って、平行平面基板61に入射する光ビームに対して、平行平面基板61から出射する光ビームは、進行方向が同じであり、平行平面基板61の姿勢に応じて、H軸の方向に光路軸がシフトする。光路軸とは光路の中心軸をいう。
 平行平面基板61を透過した光ビームは、プリズム44に入射し、その後プリズム43に入射する。プリズム44及び43は、光ビームのビーム幅をHZ面に平行な面内で拡大させながら、光ビームを透過させる。そして、プリズム43は、光ビームの第1の部分B1をプリズム41に入射させ、光ビームの第2の部分B2をプリズム42に入射させる。
 第1の部分B1は、プリズム41の内部を透過してグレーティング50に入射する。第2の部分B2は、プリズム42の内部を透過してグレーティング50に入射する。
 回転ステージ612が平行平面基板61の姿勢を変化させることにより、光ビームが平行平面基板61を通過するときのH軸の方向へのシフト量が変化し、プリズム41~44に入射する光ビームの位置がそれぞれH軸の方向に変化する。これにより、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率が変化する。例えば、平行平面基板61を図4Aにおける時計回りに回転させた場合には、第1の部分B1のエネルギー比率が減少し、反時計回りに回転させた場合には、第1の部分B1のエネルギー比率が増加する。これにより、パルスレーザ光の第1の波長成分と第2の波長成分とのエネルギー比率を調整することができる。
 露光制御プロセッサ110(図2参照)は、レーザ制御プロセッサ30に、第1波長の目標値と、第2波長の目標値と、エネルギー比率の目標値と、を送信する。
 レーザ制御プロセッサ30は、第1波長の目標値に基づいて回転ステージ412を制御する。これにより、回転ステージ412が、プリズム41の姿勢を変化させ、光ビームの第1の部分B1のグレーティング50に対する入射角(第1の入射角)を調整する。
 レーザ制御プロセッサ30は、第2波長の目標値に基づいて回転ステージ422を制御する。これにより、回転ステージ422が、プリズム42の姿勢を変化させ、光ビームの第2の部分B2のグレーティング50に対する入射角(第2の入射角)を調整する。
 レーザ制御プロセッサ30は、エネルギー比率の目標値に基づいて回転ステージ612を制御する。これにより、回転ステージ612が、平行平面基板61の姿勢を調整し、光ビームの第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整する。
  2.1.3 他の構成例
 第1の実施形態においては、平行平面基板61がウインドウ10aとプリズム44との間の光ビームの光路に配置されているが、本開示はこれに限定されない。平行平面基板61は、プリズム44とプリズム43との間、又はプリズム43とプリズム41及び42との間に配置されてもよい。
 第1の実施形態においては、光ビームの光路軸をH軸の方向にシフトするビームシフト光学系として、V軸に平行な軸周りに回転可能な平行平面基板61が示されているが、本開示はこれに限定されない。V軸の方向に平行な入出射面をそれぞれ有する複数のプリズム(図示せず)を組み合わせることにより、光ビームの光路軸をH軸の方向にシフトさせてもよい。これらのプリズムの少なくとも1つの位置を変化させることにより、H軸の方向におけるシフト量を変化させてもよい。
  2.1.4 作用
 第1の実施形態において、狭帯域化装置14aは、波長分散方向DD(図3A及び図3B参照)において異なる位置に配置されたプリズム41及び42と、光ビームのビーム幅を拡大して、光ビームの第1の部分B1をプリズム41に入射させ、光ビームの第2の部分B2をプリズム42に入射させるプリズム43と、プリズム41を通過した第1の部分B1の光路及びプリズム42を通過した第2の部分B2の光路にまたがって配置されたグレーティング50と、を含む。第1のアクチュエータである回転ステージ412がプリズム41を回転させてグレーティング50に対する光ビームの第1の部分B1の第1の入射角を調整し、第2のアクチュエータである回転ステージ422がプリズム42を回転させてグレーティング50に対する光ビームの第2の部分B2の第2の入射角を調整する。第3のアクチュエータである回転ステージ612は、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整する。これにより、狭帯域化ガスレーザ装置1から出力されるパルスレーザ光に含まれる第1の波長成分と第2の波長成分とのエネルギー比率を調整することができる。このパルスレーザ光を用いてレジスト膜を露光することにより、レジスト膜の断面形状を所望の形状にすることが可能となる。
 第1の実施形態において、狭帯域化装置14aは、ビームシフト光学系である平行平面基板61を含む。ビームシフト光学系は、光ビームの光路に配置され、光ビームを透過させて光ビームをプリズム44に入射させ、その後プリズム43に入射させる。ビームシフト光学系は、回転ステージ612がビームシフト光学系に含まれる少なくとも1つの光学素子である平行平面基板61の姿勢を変化させることにより、ビームシフト光学系からプリズム43に入射する光ビームの位置を光ビームの光路軸とグレーティング50の溝との両方に平行なVZ面と交差する方向に変化させる。これにより、簡易な構成で第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整し、狭帯域化ガスレーザ装置1から出力されるパルスレーザ光に含まれる第1の波長成分と第2の波長成分とのエネルギー比率を調整することができる。
 2.2 第1の変形例
  2.2.1 構成及び動作
 図5A及び図5Bは、第1の変形例における狭帯域化装置14bの構成を概略的に示す。図5Aは、-V方向に見た狭帯域化装置14bを示し、図5Bは、-H方向に見た狭帯域化装置14bを示す。
 狭帯域化装置14bにおいて、プリズム43は、回転ステージ432によって、V軸に平行な軸周りに回転可能となっている。第1の変形例において、回転ステージ432は本開示における第1のアクチュエータに相当する。
 狭帯域化装置14bにおいて、プリズム41は一定の姿勢を維持するように支持されている。
 他の点については、第1の変形例の構成及び動作は、図4A及び図4Bを参照しながら説明した第1の実施形態の構成及び動作と同様である。
  2.2.2 作用
 第1の変形例においては、第1のアクチュエータである回転ステージ432がプリズム43を回転させる。これにより、プリズム43からプリズム41及び42を介してグレーティング50に入射する光ビームの入射角が変化する。よって、第1の波長と第2の波長との両方が変化する。また、回転ステージ422によってプリズム42を回転させることにより、第2の波長を変化させ、第1の波長と第2の波長との波長差を変化させることができる。従って、回転ステージ422及び432の両方を制御することにより、第1の波長と第2の波長とをそれぞれの目標値に近づけることができる。
 プリズム43を回転させると、プリズム43からプリズム41及び42への光ビームの入射位置も変化する。このため、プリズム43を回転させると、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率も変動する。プリズム43を回転させることによって第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率が許容範囲外となる場合には、平行平面基板61の姿勢を制御することにより、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整してもよい。
 2.3 第2の変形例
  2.3.1 構成
 図6A及び図6Bは、第2の変形例における狭帯域化装置14cの構成を概略的に示す。図6Aは、-V方向に見た狭帯域化装置14cを示し、図6Bは、-H方向に見た狭帯域化装置14cを示す。
 狭帯域化装置14cは、リニアステージ413を含む。
 リニアステージ413は、プリズム41及び42を、それぞれのホルダ411、421及び回転ステージ412、422とともに、一体的に移動させるように構成されている。リニアステージ413によるプリズム41及び42の移動方向は、VZ面と交差する方向である。VZ面と交差する方向は、プリズム43からプリズム41及び42に入射する光ビームの光路軸とグレーティング50の溝との両方に平行な面と交差する方向であり、例えば、プリズム41及び42のいずれかの波長分散方向DD(図3A及び図3B参照)である。
 第2の変形例において、リニアステージ413は、本開示における第3のアクチュエータに相当する。第2の変形例において、平行平面基板61(図4A及び図4B参照)はなくてもよい。
  2.3.2 動作
 リニアステージ413がプリズム41及び42を移動させると、プリズム43から出射した光ビームのうちのプリズム41に入射する第1の部分B1とプリズム42に入射する第2の部分B2とのエネルギー比率が変化する。例えば、プリズム41及び42を-H2方向に移動させると、第1の部分B1のエネルギー比率が減少し、プリズム41及び42を+H2方向に移動させると、第1の部分B1のエネルギー比率が増加する。
 他の点については、第2の変形例の構成及び動作は、第1の実施形態の構成及び動作と同様である。
  2.3.3 他の構成例
 第2の変形例においては、プリズム43が一定の姿勢に維持されるようにして、プリズム41及び42を回転可能にしたが、本開示はこれに限定されない。第2の変形例において、第1の変形例と同様に、プリズム41が一定の姿勢に維持されるようにして、プリズム42及び43を回転可能にしてもよい。
  2.3.4 作用
 第2の変形例においては、第3のアクチュエータであるリニアステージ413が、プリズム43からプリズム41及び42に入射する光ビームの光路軸とグレーティング50の溝との両方に平行なVZ面と交差する方向に、プリズム41及び42を移動させる。これにより、平行平面基板61がなくてもパルスレーザ光の第1の波長成分と第2の波長成分とのエネルギー比率を調整することができる。
 2.4 第3の変形例
  2.4.1 構成
 図7A及び図7Bは、第3の変形例における狭帯域化装置14dの構成を概略的に示す。図7Aは、-V方向に見た狭帯域化装置14dを示し、図7Bは、-H方向に見た狭帯域化装置14dを示す。
 狭帯域化装置14dは、遮光板71を含む。
 遮光板71は、プリズム42を通過した光ビームの第2の部分B2の光路の断面の一部と重なるように配置されている。遮光板71は、ホルダ711によって支持されている。遮光板71は、リニアステージ712によって、第2の部分B2の光路軸と交差する方向に移動できるように構成されている。
 第3の変形例において、リニアステージ712は本開示における第3のアクチュエータに相当する。第3の変形例において、平行平面基板61はなくてもよい。
  2.4.2 動作
 遮光板71は、光ビームの第2の部分B2の一部を吸収し、又は光ビームの光路外に反射する。これにより、遮光板71がない場合と比べて、グレーティング50に入射する第2の部分B2のエネルギーが減少する。
 リニアステージ712が遮光板71の位置を移動させると、移動の前後でグレーティング50に入射する第2の部分B2のエネルギーが変化する。これにより、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整することができる。遮光板71で第2の部分B2の光路断面の全体を遮蔽すれば、第2の部分B2のエネルギー比率を0にして1波長モードでのレーザ発振が可能である。遮光板71の全体を第2の部分B2から退避させれば、第2の部分B2のエネルギー比率を最大化できる。
 他の点については、第3の変形例の構成及び動作は、第1の実施形態の構成及び動作と同様である。
  2.4.3 他の構成例
 第3の変形例において、遮光板71は、プリズム42とグレーティング50との間の光ビームの第2の部分B2の光路に配置されているが、本開示はこれに限定されない。遮光板71は、プリズム43とプリズム42との間の光ビームの第2の部分B2の光路に配置されてもよい。
 第3の変形例においては、プリズム43が一定の姿勢に維持されるようにして、プリズム41及び42を回転可能にしたが、本開示はこれに限定されない。第3の変形例において、第1の変形例と同様に、プリズム41が一定の姿勢に維持されるようにして、プリズム42及び43を回転可能にしてもよい。あるいは、プリズム42が一定の姿勢に維持されるようにして、プリズム41及び43を回転可能にしてもよい。
  2.4.4 作用
 第3の変形例においては、狭帯域化装置14dが、光ビームの第2の部分B2の光路の断面の一部と重なるように配置された遮光板71を含む。第3のアクチュエータであるリニアステージ712は、第2の部分B2の光路軸と交差する方向に遮光板71を移動させる。これにより、平行平面基板61がなくても第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整することができる。
 2.5 第4の変形例
  2.5.1 構成
 図8A及び図8Bは、第4の変形例における狭帯域化装置14eの構成を概略的に示す。図8Aは、-V方向に見た狭帯域化装置14eを示し、図8Bは、-H方向に見た狭帯域化装置14eを示す。狭帯域化装置14eは、平行平面基板61の他に、平行平面基板62を含んでいる。平行平面基板62は、本開示におけるビーム分離光学系に相当する。
 平行平面基板62は、プリズム43を通過した光ビームの光路の断面の一部と重なるように配置されている。平行平面基板62は、プリズム43とプリズム42との間の光ビームの第2の部分B2の光路に配置されている。平行平面基板62は、ホルダ621によって支持されている。平行平面基板62は、フッ化カルシウム又は合成石英などの材料で構成されている。
 平行平面基板62は、プリズム43を通過した光ビームの一部が入射する入射表面623と、入射表面623を通って平行平面基板62に入射した光が平行平面基板62の内部からプリズム42に向けて出射する出射表面624と、を含む。入射表面623と出射表面624とは、いずれもV軸に平行であり、入射表面623と出射表面624とは、互いに平行である。入射表面623及び出射表面624は、光ビームを屈折させるように光ビームの入射方向に対して傾いている。具体的には、入射表面623の法線ベクトル623vが、HZ面に平行であり、さらにこの法線ベクトル623vが-H方向及び+Z方向の方向成分を有している。
  2.5.2 動作
 プリズム43を通過した光ビームのうちの第1の部分B1は、平行平面基板62の外側を通過してプリズム41に入射する。光ビームの第2の部分B2は、平行平面基板62の内部を透過してプリズム42に入射する。すなわち、平行平面基板62を含む狭帯域化装置14eは、光ビームの第1の部分B1をプリズム41に入射させ、光ビームの第2の部分B2をプリズム42に入射させる。このとき、平行平面基板62は、光ビームの第2の部分B2の光路軸を第1の部分B1の光路軸に対して+H方向にシフトさせる。このように、平行平面基板62は、光ビームの一部を透過させることにより、光ビームの第1の部分B1から第2の部分B2を分離させる。
 回転ステージ612が平行平面基板61の姿勢を変化させることにより、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率が変化する。例えば、平行平面基板61を図8Aにおける時計回りに回転させた場合には、第1の部分B1のエネルギー比率が減少し、反時計回りに回転させた場合には、第1の部分B1のエネルギー比率が増加する。これにより、パルスレーザ光の第1の波長成分と第2の波長成分とのエネルギー比率を調整することができる。
 他の点については、第4の変形例の構成及び動作は、第1の実施形態の構成及び動作と同様である。
  2.5.3 他の構成例
 第4の変形例においては、プリズム43が一定の姿勢に維持されるようにして、プリズム41及び42を回転可能にしたが、本開示はこれに限定されない。第4の変形例において、第1の変形例と同様に、プリズム41が一定の姿勢に維持されるようにして、プリズム42及び43を回転可能にしてもよい。又は、プリズム42が一定の姿勢に維持されるようにして、プリズム41及び43を回転可能にしてもよい。
 第4の変形例においては、平行平面基板61の姿勢を調整することにより第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整しているが、本開示はこれに限定されない。プリズム41及び42と、平行平面基板62とを一体的に移動させることにより、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整してもよい。また、第3の変形例と同様に、光ビームの光路の断面の一部と重なるように配置された遮光板71を移動することにより、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整してもよい。
  2.5.4 作用
 第4の変形例においては、狭帯域化装置14eが、プリズム43を通過した光ビームの光路の断面の一部と重なるように配置されたビーム分離光学系である平行平面基板62を含む。ビーム分離光学系は、光ビームの一部を透過させることにより、第1の部分B1から第2の部分B2を分離させる。これによれば、プリズム41とプリズム42との間に入射する光ビームが無駄になることを抑制し得る。また、プリズム41及び42を、互いの間隔を空けて配置することができ、プリズム41及び42をそれぞれ回転させる場合でも、互いの回転半径の外側に配置することができる。
 2.6 第5の変形例
  2.6.1 構成
 図9A及び図9Bは、第5の変形例における狭帯域化装置14fの構成を概略的に示す。図9Aは、-V方向に見た狭帯域化装置14fを示し、図9Bは、-H方向に見た狭帯域化装置14fを示す。狭帯域化装置14fは、平行平面基板62を移動させるリニアステージ622を含んでいる。リニアステージ622は、本開示における第3のアクチュエータに相当する。第5の変形例において、平行平面基板61はなくてもよい。
  2.6.2 動作
 リニアステージ622は、プリズム43から平行平面基板62に入射する光ビームの光路軸とグレーティング50の溝との両方に平行なVZ面と交差する方向に、平行平面基板62を移動させる。平行平面基板62を移動させることにより、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率が変化する。例えば、平行平面基板62を-H方向に移動させた場合には、第1の部分B1のエネルギー比率が減少し、平行平面基板62を+H方向に移動させた場合には、第1の部分B1のエネルギー比率が増加する。これにより、パルスレーザ光の第1の波長成分と第2の波長成分とのエネルギー比率を調整することができる。
 他の点については、第5の変形例の構成及び動作は、第4の変形例の構成及び動作と同様である。
  2.6.3 他の構成例
 第5の変形例においては、プリズム43が一定の姿勢に維持されるようにして、プリズム41及び42を回転可能にしたが、本開示はこれに限定されない。第5の変形例において、第1の変形例と同様に、プリズム41が一定の姿勢に維持されるようにして、プリズム42及び43を回転可能にしてもよい。又は、プリズム42が一定の姿勢に維持されるようにして、プリズム41及び43を回転可能にしてもよい。
  2.6.4 作用
 第5の変形例においては、ビーム分離光学系が平行平面基板62を含む。第3のアクチュエータであるリニアステージ622は、プリズム43から平行平面基板62に入射する光ビームの光路軸とグレーティング50の溝との両方に平行な面と交差する方向に平行平面基板62を移動させる。これにより、平行平面基板61がなくてもパルスレーザ光の第1の波長成分と第2の波長成分とのエネルギー比率を調整することができる。
3.複数のグレーティングを含む狭帯域化装置
 3.1 第2の実施形態
  3.1.1 構成
 図10A及び図10Bは、第2の実施形態における狭帯域化装置14gの構成を概略的に示す。図10Aは、-V方向に見た狭帯域化装置14gを示し、図10Bは、-H方向に見た狭帯域化装置14gを示す。狭帯域化装置14gは、グレーティング50の代わりに、グレーティング51及び52を含む。
 グレーティング51は、プリズム41を透過した光ビームの第1の部分B1の光路に配置されている。グレーティング52は、プリズム42を透過した光ビームの第2の部分B2の光路に配置されている。グレーティング51及び52は、それぞれホルダ511及び521によって支持されている。グレーティング51及び52は、それぞれ回転ステージ512及び522によってV軸に平行な軸周りに回転できるようになっている。第2の実施形態において、回転ステージ512及び522は、それぞれ本開示における第1及び第2のアクチュエータに相当する。
 第2の実施形態において、プリズム41及び42は回転可能でなくてもよい。
  3.1.2 動作
 回転ステージ512がグレーティング51を僅かに回転させると、プリズム41からグレーティング51に入射する光ビームの第1の部分B1の入射角が僅かに変化する。入射角に一致する回折角で回折させられた波長の光が、グレーティング51からプリズム41に戻されるので、プリズム41に戻される光の波長である第1の波長は、グレーティング51の回転によって変化する。
 回転ステージ522がグレーティング52を僅かに回転させると、プリズム42からグレーティング52に入射する光ビームの第2の部分B2の入射角が僅かに変化する。入射角に一致する回折角で回折させられた波長の光が、グレーティング52からプリズム42に戻されるので、プリズム42に戻される光の波長である第2の波長は、グレーティング52の回転によって変化する。
 回転ステージ512及び522を制御することにより、第1の波長と第2の波長とを別々に設定することができる。
 他の点については、第2の実施形態の構成及び動作は第5の変形例の構成及び動作と同様である。
  3.1.3 他の構成例
 第2の実施形態においては、プリズム41~43が一定の姿勢に維持されるようにして、グレーティング51及び52を回転可能にしたが、本開示はこれに限定されない。第2の実施形態において、プリズム41~43及びグレーティング51及び52のうち、プリズム41及びグレーティング51のいずれか1つと、プリズム42、43、及びグレーティング52のいずれか1つと、を回転可能として、その他を一定の姿勢に維持するようにしてもよい。あるいは、プリズム41~43及びグレーティング51及び52のうち、プリズム41、43、及びグレーティング51のいずれか1つと、プリズム42及びグレーティング52のいずれか1つと、を回転可能として、その他を一定の姿勢に維持するようにしてもよい。
 第2の実施形態においては、平行平面基板62の位置を調整することにより第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整しているが、本開示はこれに限定されない。平行平面基板62を移動させずに、第4の変形例と同様に平行平面基板61を設け、平行平面基板61の姿勢を調整することにより、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整してもよい。また、平行平面基板62を設けずに、第3の変形例と同様に光ビームの光路の断面の一部と重なるように配置された遮光板71を移動することにより、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整してもよい。
  3.1.4 作用
 第2の実施形態によれば、狭帯域化装置14gが、プリズム41を通過した光ビームの第1の部分B1の光路に配置されたグレーティング51と、プリズム42を通過した光ビームの第2の部分B2の光路に配置されたグレーティング52と、を備える。これにより、第1の部分B1の光路と第2の部分B2の光路とが離れている場合でも、それぞれの光をグレーティング51及び52で受光することができる。
 そして、第3のアクチュエータであるリニアステージ622は、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整する。これにより、狭帯域化ガスレーザ装置1から出力されるパルスレーザ光に含まれる第1の波長成分と第2の波長成分とのエネルギー比率を調整することができる。
 第2の実施形態によれば、第1のアクチュエータである回転ステージ512が、グレーティング51をグレーティング51の溝に平行な軸周りに、すなわちV軸に平行な軸周りに回転させる。これにより、光ビームの第1の部分B1のグレーティング51に対する第1の入射角が調整され、第1の波長を制御することができる。
 第2の実施形態によれば、第2のアクチュエータである回転ステージ522が、グレーティング52をグレーティング52の溝に平行な軸周りに、すなわちV軸に平行な軸周りに回転させる。これにより、光ビームの第2の部分B2のグレーティング52に対する第2の入射角が調整され、第2の波長を制御することができる。
 第2の実施形態によれば、狭帯域化装置14gが、プリズム43を通過した光ビームの光路の断面の一部と重なるように配置されたビーム分離光学系である平行平面基板62を含む。ビーム分離光学系は、光ビームの一部を透過させることにより、第1の部分B1から第2の部分B2を分離させる。これによれば、プリズム41とプリズム42との間に光ビームの一部が入射して無駄になることを抑制し得る。また、プリズム41及び42を、互いの間隔を空けて配置することができ、プリズム41及び42をそれぞれ回転可能とする場合でも、互いの回転半径の外側に配置することができる。
 第2の実施形態によれば、ビーム分離光学系が平行平面基板62を含む。第3のアクチュエータであるリニアステージ622は、プリズム43から平行平面基板62に入射する光ビームの光路軸とグレーティング52の溝との両方に平行な面と交差する方向に平行平面基板62を移動させる。これにより、平行平面基板61がなくてもパルスレーザ光の第1の波長成分と第2の波長成分とのエネルギー比率を調整することができる。
 3.2 第6の変形例
  3.2.1 構成
 図11A及び図11Bは、第6の変形例における狭帯域化装置14hの構成を概略的に示す。図11Aは、-V方向に見た狭帯域化装置14hを示し、図11Bは、-H方向に見た狭帯域化装置14hを示す。
 狭帯域化装置14hに含まれる2つのプリズム41h及び42hは、プリズム43から出射した光ビームの第1の部分B1及び第2の部分B2を互いに逆向きに屈折させるように配置されている。すなわち、プリズム41hは、グレーティング51へ向けて出射する光ビームの第1の部分B1が第2の部分B2から遠ざかるように、第1の部分B1の進行方向を図11Aの反時計回りに折り曲げるように配置されている。プリズム42hは、グレーティング52へ向けて出射する第2の部分B2が第1の部分B1から遠ざかるように、第2の部分B2の進行方向を図11Aの時計回りに折り曲げるように配置されている。
 プリズム42hは、プリズム41hよりも、プリズム43から出射した光ビームの上流側に位置する。プリズム42hは、リニアステージ423によって移動できるように構成されている。第6の変形例において、リニアステージ423は本開示における第3のアクチュエータに相当する。第6の変形例において、平行平面基板62はなくてもよい。
  3.2.2 動作
 リニアステージ423は、プリズム43からプリズム42hに向けて出射した光ビームの光路軸とグレーティング52の溝との両方に平行なVZ面と交差する方向に、プリズム42hを移動させる。プリズム41hよりも光ビームの上流側に位置するプリズム42hを移動させることにより、第2の部分B2のビーム幅が変化する。これに伴い、プリズム42hよりも光ビームの下流側に位置するプリズム41hに入射する第1の部分B1のビーム幅が変化する。これにより、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率が変化する。例えば、プリズム42hを-H方向に移動させた場合には、第1の部分B1のエネルギー比率が減少し、プリズム42hを+H方向に移動させた場合には、第1の部分B1のエネルギー比率が増加する。これにより、パルスレーザ光の第1の波長成分と第2の波長成分とのエネルギー比率を調整することができる。
 他の点については、第6の変形例の構成及び動作は、第2の実施形態の構成及び動作と同様である。
  3.2.3 他の構成例
 第6の変形例においては、プリズム41h、42h、及び43が一定の姿勢に維持されるようにして、グレーティング51及び52を回転可能にしたが、本開示はこれに限定されない。第6の変形例において、プリズム41h、42h、及び43及びグレーティング51及び52のうち、プリズム41h及びグレーティング51のいずれか1つと、プリズム42h、43、及びグレーティング52のいずれか1つと、を回転可能として、その他を一定の姿勢に維持するようにしてもよい。あるいは、プリズム41h、42h、及び43及びグレーティング51及び52のうち、プリズム41h、43、及びグレーティング51のいずれか1つと、プリズム42h及びグレーティング52のいずれか1つと、を回転可能として、その他を一定の姿勢に維持するようにしてもよい。
 第6の変形例においては、プリズム42hの位置を調整することにより第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整しているが、本開示はこれに限定されない。プリズム42hを移動させずに、第1の実施形態と同様に平行平面基板61を設けて平行平面基板61の姿勢を調整することにより、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整してもよい。
  3.2.4 作用
 第6の変形例によれば、狭帯域化装置14hは、光ビームの第1の部分B1が第2の部分B2から遠ざかるように第1の部分B1の進行方向を折り曲げるプリズム41hと、第2の部分B2が第1の部分B1から遠ざかるように第2の部分B2の進行方向を折り曲げるプリズム42hと、を備える。これにより、第1の部分B1の光路と第2の部分B2の光路とを互いに反対方向に折り曲げるので、グレーティング51及び52を、互いに間隔を空けて配置することができ、グレーティング51及び52をそれぞれ回転させる場合でも、互いの回転半径の外側に配置することができる。
 第6の変形例によれば、第3のアクチュエータであるリニアステージ423が、プリズム43から出射した光ビームの光路軸とグレーティング52の溝との両方に平行なVZ面と交差する方向にプリズム42hを移動させる。これにより、パルスレーザ光の第1の波長成分と第2の波長成分とのエネルギー比率を調整するための構成として、平行平面基板61及び62をいずれも不要とすることができる。
 3.3 第7の変形例
  3.3.1 構成
 図12A及び図12Bは、第7の変形例における狭帯域化装置14iの構成を概略的に示す。図12Aは、-V方向に見た狭帯域化装置14iを示し、図12Bは、-H方向に見た狭帯域化装置14iを示す。
 狭帯域化装置14iは、遮光板71を含む。
 遮光板71は、プリズム42hを通過した光ビームの第2の部分B2の光路の断面の一部と重なるように配置されている。遮光板71は、ホルダ711によって支持されている。遮光板71は、リニアステージ712によって、第2の部分B2の光路軸と交差する方向に移動できるように構成されている。
 第7の変形例において、リニアステージ712は本開示における第3のアクチュエータに相当する。第7の変形例において、プリズム42hを移動させるリニアステージ423はなくてもよい。
  3.3.2 動作
 遮光板71は、光ビームの第2の部分B2の一部を吸収し、又は光ビームの光路外に反射する。これにより、遮光板71がない場合と比べて、グレーティング52に入射する第2の部分B2のエネルギーが減少する。
 リニアステージ712が遮光板71の位置を移動させると、移動の前後でグレーティング52に入射する第2の部分B2のエネルギーが変化する。これにより、第1の部分B1と第2の部分B2とのエネルギー比率を調整することができる。遮光板71で第2の部分B2の光路断面の全体を遮蔽すれば、第2の部分B2のエネルギー比率を0にして1波長モードでのレーザ発振が可能である。遮光板71の全体を第2の部分B2から退避させれば、第2の部分B2のエネルギー比率を最大化できる。
 他の点については、第7の変形例の構成及び動作は、第6の変形例の構成及び動作と同様である。
  3.3.3 他の構成例
 第7の変形例において、遮光板71は、プリズム42hとグレーティング52との間の光ビームの第2の部分B2の光路に配置されているが、本開示はこれに限定されない。遮光板71は、プリズム43とプリズム42hとの間の光ビームの第2の部分B2の光路に配置されてもよい。また、遮光板71は、プリズム43とグレーティング51との間の光ビームの第1の部分B1の光路に配置されてもよい。
 第7の変形例においては、プリズム41h、42h、及び43が一定の姿勢に維持されるようにして、グレーティング51及び52を回転可能にしたが、本開示はこれに限定されない。第7の変形例において、プリズム41h、42h、及び43及びグレーティング51及び52のうち、プリズム41h及びグレーティング51のいずれか1つと、プリズム42h、43、及びグレーティング52のいずれか1つと、を回転可能として、その他を一定の姿勢に維持するようにしてもよい。あるいは、プリズム41h、42h、及び43及びグレーティング51及び52のうち、プリズム41h、43、及びグレーティング51のいずれか1つと、プリズム42h及びグレーティング52のいずれか1つと、を回転可能として、その他を一定の姿勢に維持するようにしてもよい。
  3.3.4 作用
 第7の変形例によれば、狭帯域化装置14iが、光ビームの第2の部分B2の光路の断面の一部と重なるように配置された遮光板71を含む。第3のアクチュエータであるリニアステージ712は、第2の部分B2の光路軸と交差する方向に遮光板71を移動させる。これにより、パルスレーザ光の第1の波長成分と第2の波長成分とのエネルギー比率を調整するための構成として、平行平面基板61及び62をいずれも不要とすることができる。
4.その他
 上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
 本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「1つの」は、「少なくとも1つ」又は「1又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「A、B及びCの少なくとも1つ」という用語は、「A」「B」「C」「A+B」「A+C」「B+C」又は「A+B+C」と解釈されるべきである。さらに、それらと「A」「B」「C」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

  1.  第1及び第2のプリズムであって、前記第1及び第2のプリズムのいずれかの波長分散方向において異なる位置に配置された前記第1及び第2のプリズムと、
     光ビームの光路に配置され、前記光ビームのビーム幅を拡大して前記光ビームの第1の部分を前記第1のプリズムに入射させ、前記光ビームの第2の部分を前記第2のプリズムに入射させる第3のプリズムと、
     前記第1のプリズムを通過した前記第1の部分の光路及び前記第2のプリズムを通過した前記第2の部分の光路にまたがって配置されたグレーティングと、
     前記第1の部分の前記グレーティングに対する入射角を調整する第1のアクチュエータと、
     前記第2の部分の前記グレーティングに対する入射角を調整する第2のアクチュエータと、
     前記第1の部分と前記第2の部分とのエネルギー比率を調整する第3のアクチュエータと、
    を備える狭帯域化装置。
  2.  請求項1に記載の狭帯域化装置であって、
     前記第1のアクチュエータは、前記第1のプリズムを回転させる、狭帯域化装置。
  3.  請求項1に記載の狭帯域化装置であって、
     前記第2のアクチュエータは、前記第2のプリズムを回転させる、狭帯域化装置。
  4.  請求項1に記載の狭帯域化装置であって、
     前記光ビームの光路に配置され、前記光ビームを透過させて前記光ビームを前記第3のプリズムに入射させるビームシフト光学系であって、前記第3のアクチュエータによって前記ビームシフト光学系に含まれる少なくとも1つの光学素子の位置又は姿勢を変化させることにより、前記ビームシフト光学系から前記第3のプリズムに入射する前記光ビームの位置を前記光ビームの光路軸と前記グレーティングの溝との両方に平行な面と交差する方向に変化させる、前記ビームシフト光学系をさらに備える
    狭帯域化装置。
  5.  請求項4に記載の狭帯域化装置であって、
     前記ビームシフト光学系は、平行平面基板を含み、
     前記第3のアクチュエータは、前記平行平面基板を回転させる
    狭帯域化装置。
  6.  請求項1に記載の狭帯域化装置であって、
     前記第1のアクチュエータは、前記第3のプリズムを回転させる、狭帯域化装置。
  7.  請求項1に記載の狭帯域化装置であって、
     前記第3のアクチュエータは、前記第3のプリズムから前記第1及び第2のプリズムに入射する前記光ビームの光路軸と前記グレーティングの溝との両方に平行な面と交差する方向に前記第1及び第2のプリズムを移動させる
    狭帯域化装置。
  8.  請求項1に記載の狭帯域化装置であって、
     前記第2の部分の光路の断面の一部と重なるように配置された遮光板をさらに含み、
     前記第3のアクチュエータは、前記第2の部分の光路軸と交差する方向に前記遮光板を移動させる
    狭帯域化装置。
  9.  請求項1に記載の狭帯域化装置であって、
     前記第3のプリズムを通過した前記光ビームの光路の断面の一部と重なるように配置されたビーム分離光学系であって、前記光ビームの一部を透過させることにより、前記第1の部分から前記第2の部分を分離させる前記ビーム分離光学系をさらに備える
    狭帯域化装置。
  10.  請求項9に記載の狭帯域化装置であって、
     前記ビーム分離光学系は平行平面基板を含み、
     前記第3のアクチュエータは、前記第3のプリズムから前記平行平面基板に入射する前記光ビームの光路軸と前記グレーティングの溝との両方に平行な面と交差する方向に前記平行平面基板を移動させる
    狭帯域化装置。
  11.  第1及び第2のプリズムであって、前記第1及び第2のプリズムのいずれかの波長分散方向において異なる位置に配置された前記第1及び第2のプリズムと、
     光ビームの光路に配置され、前記光ビームのビーム幅を拡大して前記光ビームの第1の部分を前記第1のプリズムに入射させ、前記光ビームの第2の部分を前記第2のプリズムに入射させる第3のプリズムと、
     前記第1のプリズムを通過した前記第1の部分の光路に配置された第1のグレーティングと、
     前記第2のプリズムを通過した前記第2の部分の光路に配置された第2のグレーティングと、
     前記第1の部分の前記第1のグレーティングに対する入射角を調整する第1のアクチュエータと、
     前記第2の部分の前記第2のグレーティングに対する入射角を調整する第2のアクチュエータと、
     前記第1の部分と前記第2の部分とのエネルギー比率を調整する第3のアクチュエータと、
    を備える狭帯域化装置。
  12.  請求項11に記載の狭帯域化装置であって、
     前記第1のアクチュエータは、前記第1のグレーティングを前記第1のグレーティングの溝に平行な軸周りに回転させる、狭帯域化装置。
  13.  請求項11に記載の狭帯域化装置であって、
     前記第2のアクチュエータは、前記第2のグレーティングを前記第2のグレーティングの溝に平行な軸周りに回転させる、狭帯域化装置。
  14.  請求項11に記載の狭帯域化装置であって、
     前記第3のプリズムを通過した前記光ビームの光路の断面の一部と重なるように配置されたビーム分離光学系であって、前記光ビームの一部を透過させることにより、前記第1の部分から前記第2の部分を分離させる前記ビーム分離光学系をさらに備える、狭帯域化装置。
  15.  請求項14に記載の狭帯域化装置であって、
     前記ビーム分離光学系は平行平面基板を含み、
     前記第3のアクチュエータは、前記第3のプリズムから前記平行平面基板に入射する前記光ビームの光路軸と前記第2のグレーティングの溝との両方に平行な面と交差する方向に前記平行平面基板を移動させる
    狭帯域化装置。
  16.  請求項11に記載の狭帯域化装置であって、
     前記第1のプリズムは、前記第3のプリズムから前記第1のプリズムに向けて出射した前記光ビームの進行方向に対して前記第1の部分の進行方向を前記第2の部分から遠ざかる方向に曲げ、
     前記第2のプリズムは、前記第3のプリズムから前記第2のプリズムに向けて出射した前記光ビームの進行方向に対して前記第2の部分の進行方向を前記第1の部分から遠ざかる方向に曲げる
    狭帯域化装置。
  17.  請求項16に記載の狭帯域化装置であって、
     前記第3のアクチュエータは、前記第3のプリズムから前記第2のプリズムに入射する前記光ビームの光路軸と前記第2のグレーティングの溝との両方に平行な面と交差する方向に前記第2のプリズムを移動させる、狭帯域化装置。
  18.  請求項11に記載の狭帯域化装置であって、
     前記第2の部分の光路の断面の一部と重なるように配置された遮光板をさらに含み、
     前記第3のアクチュエータは、前記第2の部分の光路軸と交差する方向に前記遮光板を移動させる
    狭帯域化装置。
  19.  電子デバイスの製造方法であって、
     レーザ装置によってパルスレーザ光を生成し、
     前記パルスレーザ光を露光装置に出力し、
     電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記パルスレーザ光を露光する
    ことを含み、
     前記レーザ装置は、レーザチャンバと、狭帯域化装置を含む光共振器と、を含み、
     前記狭帯域化装置は、
     第1及び第2のプリズムであって、前記第1及び第2のプリズムのいずれかの波長分散方向において異なる位置に配置された前記第1及び第2のプリズムと、
     光ビームの光路に配置され、前記光ビームのビーム幅を拡大して前記光ビームの第1の部分を前記第1のプリズムに入射させ、前記光ビームの第2の部分を前記第2のプリズムに入射させる第3のプリズムと、
     前記第1のプリズムを通過した前記第1の部分の光路及び前記第2のプリズムを通過した前記第2の部分の光路にまたがって配置されたグレーティングと、
     前記第1の部分の前記グレーティングに対する入射角を調整する第1のアクチュエータと、
     前記第2の部分の前記グレーティングに対する入射角を調整する第2のアクチュエータと、
     前記第1の部分と前記第2の部分とのエネルギー比率を調整する第3のアクチュエータと、
    を備える
    電子デバイスの製造方法。
  20.  電子デバイスの製造方法であって、
     レーザ装置によってパルスレーザ光を生成し、
     前記パルスレーザ光を露光装置に出力し、
     電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記パルスレーザ光を露光する
    ことを含み、
     前記レーザ装置は、レーザチャンバと、狭帯域化装置を含む光共振器と、を含み、
     前記狭帯域化装置は、
     第1及び第2のプリズムであって、前記第1及び第2のプリズムのいずれかの波長分散方向において異なる位置に配置された前記第1及び第2のプリズムと、
     光ビームの光路に配置され、前記光ビームのビーム幅を拡大して前記光ビームの第1の部分を前記第1のプリズムに入射させ、前記光ビームの第2の部分を前記第2のプリズムに入射させる第3のプリズムと、
     前記第1のプリズムを通過した前記第1の部分の光路に配置された第1のグレーティングと、
     前記第2のプリズムを通過した前記第2の部分の光路に配置された第2のグレーティングと、
     前記第1の部分の前記第1のグレーティングに対する入射角を調整する第1のアクチュエータと、
     前記第2の部分の前記第2のグレーティングに対する入射角を調整する第2のアクチュエータと、
     前記第1の部分と前記第2の部分とのエネルギー比率を調整する第3のアクチュエータと、
    を備える
    電子デバイスの製造方法。
PCT/JP2020/012546 2020-03-19 2020-03-19 狭帯域化装置、及び電子デバイスの製造方法 WO2021186743A1 (ja)

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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020154661A1 (en) * 2001-04-18 2002-10-24 John Hoose Modulatable multi-wavelength fiber laser source
JP2006269628A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Gigaphoton Inc 多波長発振狭帯域エキシマレーザ装置
JP2007005538A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Komatsu Ltd 多波長発振狭帯域レーザ装置
JP2009130351A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Korea Electronics Telecommun 周波数可変テラヘルツ波光源素子
JP2013062484A (ja) * 2011-08-24 2013-04-04 Gigaphoton Inc レーザ装置
JP2013089680A (ja) * 2011-10-14 2013-05-13 Canon Inc レーザー装置およびその制御方法
JP2014072506A (ja) * 2012-10-02 2014-04-21 Canon Inc レーザー装置および光音響装置
WO2016189722A1 (ja) * 2015-05-28 2016-12-01 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び狭帯域化光学系

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020154661A1 (en) * 2001-04-18 2002-10-24 John Hoose Modulatable multi-wavelength fiber laser source
JP2006269628A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Gigaphoton Inc 多波長発振狭帯域エキシマレーザ装置
JP2007005538A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Komatsu Ltd 多波長発振狭帯域レーザ装置
JP2009130351A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Korea Electronics Telecommun 周波数可変テラヘルツ波光源素子
JP2013062484A (ja) * 2011-08-24 2013-04-04 Gigaphoton Inc レーザ装置
JP2013089680A (ja) * 2011-10-14 2013-05-13 Canon Inc レーザー装置およびその制御方法
JP2014072506A (ja) * 2012-10-02 2014-04-21 Canon Inc レーザー装置および光音響装置
WO2016189722A1 (ja) * 2015-05-28 2016-12-01 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び狭帯域化光学系
WO2016189968A1 (ja) * 2015-05-28 2016-12-01 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び狭帯域化光学系

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